【課題】機械の運転時における材料経費が低減されるコーティング機及びコーティング機の動作方法を提供すること。
【解決手段】スパッタリングによって基板をコーティングするためのコーティング機はプロセスチャンバを備えており、プロセスチャンバ内では、基板をコーティングするために、ターゲット３，３’からターゲット材料を基板の方向にスパッタ可能である。コーティング機は、ターゲットをプレスパッタするためにスパッタ方向Ｓから離れるように向く方向にスパッタ方向Ｓを合わせるとともに、ターゲットから材料をスパッタすることによって基板をコーティングするために基板に向く方向にスパッタ方向Ｓを合わせるための手段を特徴としている。アライメントの変化は、例えば、フラットカソード２，２’の長軸を中心に９０°又は１８０°の角度にわたってカソードを回転させることにより行なわれてもよい。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着装置内に配設する機器の構成を簡単にできながら、ルツボおよび長尺帯状基材の熱による破損が生ずることなく、基材に均一な膜を形成できる真空蒸着装置および真空蒸着方法を提供する。
【解決手段】真空蒸着装置1は、真空チャンバー2内に長尺帯状基材5を連続走行させる基材搬送装置4と、溶融された蒸発材料が収容されるルツボ3とを備える。基材搬送装置4は、長尺帯状基材5に成膜する際に、この基材面の幅方向がルツボ3内の溶湯面に対し、7°以上47°以下の範囲で傾斜するように長尺帯状基材5を搬送する。基材搬送装置4により連続走行する長尺帯状基材に、ルツボ3内で溶融された蒸発材料の蒸発分子を膜厚みが均一となるように蒸着して成膜する。 （もっと読む）

【課題】 分割構造を採用しながら真空容器としての強度を確保することが可能な真空チャンバおよび該真空チャンバを備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバである搬送チャンバ２０は、長方形に形成された主枠体２０１と、この主枠体２０１の長辺の対向する側部に接合される一対の補強枠体２０２ａ，２０２ｂと、主枠体２０１の上面に着脱自在に接合される天板２０３と、図示しない搬送機構と、を備え、主枠体２０１と補強枠体２０２ａ，２０２ｂとは、一体となって基板Ｓを搬送する搬送空間を形成している。 （もっと読む）

【課題】 電極を確実に当接させることにより安定して通電が行われ、またメンテナンスが容易に行える成膜装置を提供する。
【解決手段】 チャンバ３の内部に配設されたターンテーブル１と、ターンテーブル１に設けられたボート２と、ボート２に膜材料を供給する膜材料供給機構Ｂと、ターンテーブル１の中心軸１０１を中心とする円周上に設けられた一対の上部電極８と、ターンテーブル１が所定位置に位置するときの一対の上部電極８の下方に位置するように配置された一対の下部電極９と、一対の下部電極９の少なくとも一方を実質的に鉛直方向に保持する可動体１２と、可動体１２を弾性的に鉛直方向に移動可能に支持する弾性封止体１１と、所定位置に位置する一対の上部電極８が、一対の下部電極９から離隔した位置と一対の下部電極９との間を上下するようターンテーブル１を駆動するエアシリンダ５とを備えている、成膜装置。 （もっと読む）

【課題】 純度の高いリチウム薄膜を形成すること。
【解決手段】 不活性ガス雰囲気の超微粒子生成室内で、リチウムまたはリチウム合金材料を加熱蒸発させてリチウムまたはリチウム合金の超微粒子を生成し、該超微粒子を前記不活性ガスに同伴させて搬送管により真空雰囲気の膜形成室内に搬送し、前記搬送管の先端に取り付けられ前記超微粒子の融点以下の温度に加熱されたノズルから前記膜形成室内に配置され、１００℃からリチウム金属、またはリチウム合金の融点以下までの温度に加熱された基板に向けて前記超微粒子を前記不活性ガスの圧力で噴射すると共に前記ノズル又は前記基板の一方を任意の移動速度で移動させることにより前記基板上に所望の膜厚でリチウムまたはリチウム合金の薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 リチウムの放電容量を向上させること。
【解決手段】 純度９９．９９９５％以上の不活性ガス雰囲気の超微粒子生成室内でリチウムまたはリチウム合金材料を加熱により加熱蒸発させてリチウムまたはリチウム合金の超微粒子を生成し、該超微粒子を前記不活性ガスに同伴させて搬送管により真空雰囲気の膜形成室内に搬送し、前記搬送管の先端に取り付けられ前記超微粒子の融点以下の温度に加熱されたノズルから前記膜形成室内に配置された基板に向けて前記超微粒子を前記不活性ガスの圧力で噴射すると共に前記ノズル又は前記基板の一方を任意の移動速度で移動させることにより前記基板上にリチウムまたはリチウム合金の薄膜を形成するようにし、前記不活性ガスを真空室内に導入する前に、真空排気系による前記膜形成室内の到達真空度を５×１０^-4Ｐａ以下とする。 （もっと読む）

【課題】 被処理物が正しい処理位置にあるかどうかを高い信頼性でもって検知することのできる真空処理装置及び真空処理方法を提供する。
【解決手段】 被処理物によって閉塞可能な開口部を有する処理室と、前記被処理物を、前記開口部を閉塞する位置と、前記開口部から離間された位置との間で移動させるアクチュエータと、前記処理室内に放電を生じさせる電力を供給する電源と、前記放電の電気特性に基づいて前記被処理物が前記開口部を閉塞する位置にあるかどうかを判定する制御装置と、を備えたことを特徴とする真空処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 生産効率を低下することなく、付着した異物、ゴミ等への対策が取られ、発光駆動時にリーク電流のない安定した有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ素子の提供。
【解決手段】 基板上に、少なくとも第１電極を含む陽極層と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極を含む陰極層とを順次形成する工程を有する製造装置を使用し、前記発光層を含む有機化合物層の少なくとも一つの層が気相堆積装置を用いて形成する有機ＥＬ素子の製造方法において、前記気相堆積装置は蒸着室と、基板保持手段と、マスク配置手段と、原料蒸発手段とを有し、前記原料蒸発手段は前記堆積膜形成領域の端辺の法線の外側に配設され、堆積膜を形成する時、前記原料蒸発手段と前記堆積膜形成領域との位置関係は、前記堆積膜形成領域に対して前記原料蒸発手段が少なくとも２つの位置関係になるようにして行うことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 （もっと読む）

ウェーハをＲＦバイアスするステップを含むアルミニウムスパッタリングプロセスと、好ましくは２つの異なるプラズマスパッタ反応器（１６８、１７０）において２つの明確に異なる条件下のスパッタリングによって狭いビアホールにアルミニウムを充填するために使用される２段階アルミニウム充填プロセスおよびこのための装置。第１のステップ（１３０）は、例えば１５０℃未満に保持され、また該狭いホールおよび各オーバーハングにアルミニウム原子を引き付けるように比較的高度にバイアスされる比較的冷たいウェーハ上に高い割合のイオン化アルミニウム原子をスパッタリングするステップを含む。第２のステップ（１３２）は、例えば２５０℃より高く保持され、またより等方的かつ均一なアルミニウムフラックスを提供するために実質的に未バイアスの比較的温かいウェーハ上へのより中性的なスパッタリングを含む。該アルミニウムターゲットの背後で走査される該マグネトロンは（８０）該第１のステップにおいて比較的小型かつ非均衡であってもよく、また（６０）該第２のステップでは比較的大型かつ均衡がとれていてもよい。 （もっと読む）

【課題】アーク放電等異常放電を抑えてデブリを防ぎ、効率的で信頼性の高い膜を形成するためのスパッタリング用電源及びシステムを提供する。
【解決手段】真空チャンバ、基板を真空チャンバを通じて搬送するように構成された基板搬送システム、スパッタリングターゲットを支持するカソードであって、少なくとも部分的に真空チャンバ内にあるカソード、およびカソードに電力を供給するように構成された電源であって、変調電力信号を出力するように構成された電源を有するスパッタリングシステムを含む。態様に応じて、振幅変調電力信号、周波数変調電力信号、パルス幅電力信号、パルス位置電力信号、パルス振幅変調電力信号、あるいは他の種類の変調電力またはエネルギー信号を出力するように、この電源を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着装置において生産性を向上させる。
【解決手段】真空蒸着装置１０は、ターゲットチャンバ１００、プロセスチャンバ２００及び飛行チャンバ３００を備える。各チャンバは相互に独立して真空を維持可能に構成されており、ターゲット１１０から発生する蒸発物質１１０ａは、各チャンバ内の空間を介して、プロセスチャンバ２００内で治具９００により回動可能に保持された基板２１０に蒸着される。この際、蒸発物質１１０ａは、スリット部２２１が形成された遮蔽板２２０によって基板２１０への到達が制限される。スリット部２２１は、治具９００が回動することによって生じる基板２１０上の角速度の相違に対応付けられ、角速度が大きい領域に対応する箇所程大きい開口面積を有しており、蒸着膜の膜特性が良好に制御される。 （もっと読む）

【課題】 搬送経路１６，１８に存在する全ての基板を同時に搬送することが可能な搬送装置を提供する。
【解決手段】 被処理基板を縦型保持するキャリア３０と、キャリア３０の第１搬送経路１６および第２搬送経路１８と、搬送経路１６，１８に沿って配設された、前記キャリア３０の上部を非接触支持する支持装置４５と、第１搬送経路１６から第２搬送経路１８にキャリア３０を移載するため、キャリア３０を昇降させる昇降装置４０とを備え、前記支持装置４５は、昇降装置４０に同期して昇降可能とされている構成とした。 （もっと読む）

【課題】 搬送用ガイドローラ６０の破損を防止することが可能な、搬送装置を提供する。
【解決手段】 被処理基板を縦型支持するキャリア３０と、キャリア３０の第１搬送経路１６および第２搬送経路１８と、搬送経路１６，１８に沿ってキャリア３０を案内する搬送用ガイドローラ６０と、第１搬送経路１６から第２搬送経路１８へとキャリア３０を移載する際に、キャリア３０を第２搬送経路１８上に案内する昇降用ガイドローラ７０とを備える構成とした。 （もっと読む）

【課題】 アノード２０の表面における酸化膜の発生および剥離の問題を解決し、安定した連続運転が可能な電子ビーム照射装置１０を提供する。
【解決手段】 電子を放出するカソード１６と、電子を加速するためカソード１６との間で電場を形成するアノード２０と、カソード１６とアノード２０との間の電子ビーム発生空間１９を排気する排気手段３２と、電子ビーム発生空間１９に還元性ガスを滞在せしめるため、電子ビーム発生空間１９にＨ_２ガスやＨ_２Ｏガス等の特定ガスを供給する特定ガス供給手段３４と、を備える構成とした。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット上に非侵食領域が残らず、かつ、反応性スパッタリングを行う場合には、均一な膜質の膜を形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 本発明のスパッタリング装置２は、真空チャンバー内２１に所定の間隔を置いて並設した少なくとも４枚以上のターゲット２４１と、並設されたターゲットのうち２枚のターゲットに対して負電位及び正電位又は接地電位を交互に印加するように１個ずつ接続された交流電源Ｅとを備え、各交流電源Ｅを相互に隣接しない２枚のターゲット２４１に接続したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 生産性を向上することが可能な真空処理装置１を提供する。
【解決手段】 基板が搭載される複数のキャリアと、そのキャリアが循環移動する真空循環経路８と、その真空循環経路８に設けられ、キャリアに対する基板の投入および取出しを行う第１出入室１０および第２出入室２０と、第１出入室１０から第２出入室２０までの間の真空循環経路８に配設された第１成膜室１５と、第２出入室２０から第１出入室１０までの間の真空循環経路８に配設された第２成膜室２５とを備える。第１成膜室１５および第２成膜室２５において、それぞれ異なる成膜処理を行うことも可能である。 （もっと読む）

【課題】部材面から基板への汚染物質・不純物が少なく膜厚が均質かつ均一で、メンテナンスを行いやすく生産性が高い基板成膜用真空クラスタを提供する。
【解決手段】真空チャンバと、基板の位置決めのための基板ホルダと、基板に成膜するための処理装置と、前記基板ホルダおよび／または基板の表面に平行に相互移動し得るように装着された処理装置搬送機構とを備える真空クラスタにおいて、真空チャンバに、主区画部と少なくとも１つの処理区画部とを設け、処理装置を、真空チャンバの処理区画部内に配置し、基板ホルダおよび／または基板の表面に平行に真空チャンバの主区画部内を相互移動させ得るように装着し、処理装置搬送機構を、真空チャンバの外側に配置し基板ホルダにより処理装置と連結する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングシステムにおいてイオン密度とスパッタ率を制御する方法を提供する。
【解決手段】一実施形態では、第１のパルス幅の電力信号がカソードに印加されて、それによってより高濃度のイオンを生成させる。次に、この第１のパルス幅の電力信号のパルス幅を減少させて、それによってスパッタ率を増加させ、かつカソード周辺でのイオン密度を減少させる。さらにこのプロセスを繰り返して変調信号を作成する。この変調信号を用いてスパッタリングシステムのイオン密度とイオンエネルギーを制御する。 （もっと読む）

【課題】 真空蒸着装置において生産性を向上させる。
【解決手段】 真空蒸着装置１０は、ターゲットチャンバ１００、プロセスチャンバ２００及び飛行チャンバ３００を備える。各チャンバは相互に独立して真空を維持可能に構成されており、飛行チャンバ３００は、更にターゲットチャンバ１００内の空間１０１及びプロセスチャンバ２００内の空間２０１が夫々真空に維持されている状態で真空蒸着装置１０から取り外すことが可能に構成されている。また、飛行チャンバ３００は第１〜第３飛行チャンバから構成されており、これらも相互に脱着が可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】 密着力の高い導電性回路を安価に且つ生産性高く形成することが可能になる導電性回路形成方法を提供する。
【解決手段】 カソード電極１に設けたターゲット２からスパッタさせた金属原子を基板３の表面に堆積させるスパッタリング法で、基板３に回路形成用の導体膜４を形成する工程を有する導電性回路形成方法に関する。ターゲット１として、回路形成用の金属からなる回路形成用金属ターゲット５と、回路形成用金属よりも基板３に対する密着性の高い金属からなる高密着性金属ターゲット６を用い、各ターゲット５，６から同時に金属をスパッタさせて両金属からなる導体膜４を基板３に形成する。 （もっと読む）