【課題】蒸発させた蒸着物質が供給される開口を複数設けた構成であっても、各開口部からの蒸着物質の蒸発供給量を均一化することができ、これにより膜厚の均一な蒸着膜を得ることが可能な蒸着成膜装置を提供する。
【解決手段】天面１３ａに複数の開口を備えた外箱１３と、外箱１３内に収納されるルツボ１２と、外箱１３を加熱する熱源１４とを備えた蒸着源１０を有する蒸着成膜装置において、ルツボ１２には、外箱１３の床面１３ｂとの間に間隔ｄを設けるための脚部１５が設けられている。また、外箱１３に設けられた複数の開口１１は、ライン状に配列されており、蒸着膜の成膜対象となる基板を、蒸着源１０の上方に対向配置した状態で開口１１の配列方向と直交する方向に相対的に移動させることにより、この基板上に蒸着膜が成膜されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】真空コンベヤシステムの実施形態を提供する。
【解決手段】一実施形態において、真空コンベヤシステムは、第１の真空スリーブを含み、この第１の真空スリーブは、第１の真空スリーブを通して基板をサポート及び移動する複数のローラを有している。第１の真空スリーブをプロセスチャンバに密閉可能に結合するためのポートが提供されている。第１の基板運搬部が、ポート近傍に配置されている。多数のポートを提供して、第１の真空スリーブを複数のプロセスチャンバに密閉可能に結合してもよい。専用の基板運搬部が、各プロセスチャンバに提供されている。第２の真空スリーブを、プロセスチャンバの反対側に密閉可能に結合してもよい。真空コンベヤシステムは、ロードロックチャンバを介してリンクされた独立モジュールを備えたモジュール式であってもよい。複数のローラで、搬送されている基板の前縁の垂下を打ち消してもよい。

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【課題】 良質で圧壊の生じるおそれが低いＳｉＯタブレットを量産性高く製造する。
【解決手段】 一次焼成済みのＳｉＯタブレットを、真空或いは不活性ガス雰囲気下において、１０００℃以上１３９０℃以下の温度で二次焼成する。或いは、ＳｉＯ粉末を加圧成形した後、大気炉で１０００℃未満の温度で一次焼成し、一次焼成物を、真空或いは不活性ガス雰囲気下において、１０００℃以上１３９０℃以下の温度で二次焼成する。或いは、ＳｉＯ粉末を加圧成形した後、真空或いは不活性ガス雰囲気下において、１０００℃以上１３９０℃以下の温度で焼成する。 （もっと読む）

【課題】 同一の装置で同時に複数の表面処理を実施することができ、多機能化により小型で且つ低コストな巻取式複合真空表面処理装置を提供する。
【解決手段】 略円筒状の真空容器１１内で回転するキャンロール１３に沿って移動するフィルム１０に表面処理を施す装置であって、真空容器周壁１１ｂにキャンロール１３に対向して固定された複数の表面処理手段と、真空容器底板１１ａに固定され表面処理手段をフィルム巻取巻出ロール１２ａ、１２ｂから分離する一対の第１遮蔽板１７と、真空容器周壁１１ｂに固定され２以上の表面処理手段を含む複数の処理室Ａ、Ｂ、Ｃを区画する第２遮蔽板１８と、真空容器底板１１ａに固定されフィルム処理位置以外を覆うマスク板１９とを備え、真空容器周壁１１ｂを回動させることにより各処理室Ａ、Ｂ、Ｃのフィルム処理位置に対向する表面処理手段を変えることができる。 （もっと読む）

【課題】マスク表面へのダメージを小さく抑えることができる洗浄方法、洗浄装置を提供すること。
【解決手段】蒸着に使用されるマスクを洗浄する洗浄装置において、内部に前記マスクが配設されるチャンバと、前記マスクの上面及び下面が露出するように前記マスクを支持する支持手段と、前記マスクの配設領域と異なる領域に配設され、前記マスクを洗浄するためのエッチングガスを発生するプラズマ源と、該プラズマ源によって発生されたエッチングガスを、露出した前記マスクの上面及び下面に案内する案内手段と、を備えたマスク洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】従来の有機電界発光素子の劣化機構そのものに配慮し,特定の元素組成分布を有する金属酸化物電極を用いることによって、寿命を向上させた有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】有機電界発光素子を構成する金属酸化物からなる電極２の化合物組成比が、該電極２から電荷を注入される表面３から該電極２の深層部４まで、ほぼ一定であることにより、電極として化学量論的な安定な組成とし、電極物質の劣化、有機層への拡散を抑止することで、長寿命化を図る。 （もっと読む）

【課題】０．６ｍｍ以下のより薄い光ディスク基板を用いても光ディスク基板が変形せず、しかもスループットを低下させることがない光ディスク基板成膜装置および光ディスク基板成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置において、光ディスク基板１をホルダー部３で固定し、さらにホルダー部３に光ディスク基板１の被成膜領域Ｓの裏面の少なくとも一部と密着する密着支持面Ｓ'を設ける。 （もっと読む）

【課題】基材を搬送台に配置した状態でプラズマ処理と物理的気相蒸着法による成膜処理を経ることにより基材の表面に金属膜を形成するにあたり、同一の搬送台を繰り返し用いても基材と金属膜との間の高い密着性を維持することができる金属膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基材１を保持した搬送台２をプラズマ処理用の保持電極３上に配置して、前記保持電極３と対向電極４との間に電圧を印加することにより基材表面にプラズマ処理を施す工程と、前記搬送台２に基材１を保持した状態でこの基材１に対して物理的気相蒸着法により金属膜７を形成する工程とを含む。前記搬送台２が、一面が前記プラズマ処理工程において保持電極３と接すると共に他面が前記基材１と接する導電性の導電体部８と、前記導電体部８の周囲を取り囲む電気絶縁性の絶縁体部９にて構成されている。 （もっと読む）

【課題】 パターンの相違するマスクに交換しつつ基板上に同一または相互に異なる材料を積層する場合に、基板に対しマスクを正確かつ再現性よく配置でき、装置自体が大型化せずに低コストで製作できるようにした成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜室１２内に、蒸発源４と、同一円周上で所定の間隔を置いて相互にパターンが同一または異なるマスクの配置を可能とした回転自在なステージ２と、基板の搬送を可能とする搬送手段６とを設ける。搬送手段によって、いずれかのマスク上にこのマスクに対し位置決めして基板を設置した後、ステージを回転させて蒸発源に対向した位置に搬送し、マスクを通して基板への成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】基材を搬送台に配置した状態でプラズマ処理を施した後、物理的気相蒸着法により二層以上の金属膜を順次成膜する成膜処理を経て基材の表面に金属膜を形成するにあたり、同一の搬送台を繰り返し用いてもプラズマ処理中に搬送台の表面に堆積した金属膜からスパッタリングによる金属原子の基材表面への付着を抑制することができる金属膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基材１を保持した導電体からなる搬送台２をプラズマ処理用の保持電極３上に配置して、前記保持電極３と対向電極４との間に電圧を印加することにより基材１表面にプラズマ処理を施す工程と、前記搬送台２に基材１を保持した状態でこの基材１に対して物理的気相蒸着法により二層以上の金属膜７を順次形成する工程とを含む。前記プラズマ処理を施す工程において前記搬送台２と対向電極３との間に、前記搬送台２上の前記基材１が配置されていない部位を遮蔽する遮蔽体８を配設する。 （もっと読む）

多層被膜を基板の上に堆積するツール。１つの構成では、本ツールは、圧力または温度が制御された環境の少なくとも一つの下で動作するインライン有機材料堆積ステーションを含む。別の構成では、それはさらに、インライン式およびクラスタツールの両方の特徴構造を組み込む複合設計である。この後者の構成では、堆積ステーションの少なくとも１つが無機層を堆積するように構成され、他方で、少なくとも１つの他の堆積ステーションが有機層を堆積するように構成される。本ツールは特に、多層被膜を個別基板の上に堆積することばかりでなく、フレキシブル基板の上に配置された環境に敏感なデバイスをカプセル封じすることにも適切である。安全システムが、本ツールに対する有機材料の分配を監視するために含まれ得る。
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真空蒸気蒸着チャンバ（１０）において、多孔性基材（１２）がプラズマ場（２０）で前処理され、機能化モノマーを直ちにフラッシュ蒸発させ（２２）、多孔性基材上で蒸着且つ硬化される（２４）。得られるポリマー被覆が、材料の細孔を横断しない非常に薄い層（概ね０．０２乃至３．０μｍ）で個別繊維の表面に付着するよう本工程を慎重に調節することで、繊維及び最終製品が所望の機能性を獲得する一方、多孔性基材（１０）の多孔度は実質的に影響を受けない。又、得られるポリマー層を使って、金属及びセラミック被覆の付着性及び耐久性を向上させる。
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【課題】 基板を確実に保持すると共に、膜厚分布の不均衡を抑制する。
【解決手段】 真空成膜装置１６は、基板１８を保持するための静電チャック３４と、静電チャック３４に基板１８を吸着させる吸着室３２ｂ、及び吸着室３２ｂに隣接して設けられ基板１８に対して成膜する成膜室３２ａを有する真空チャンバ３２と、Ｘ軸方向に静電チャック３４を水平に移動させると共に、成膜室３２ａでＹ軸方向に静電チャック３４を水平に移動させるアーム部材３６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】大型のガラス基板であっても、簡易な構成で、搬送トレイに対する受け渡しなどを確実なものとする、真空雰囲気中におけるガラス基板のハンドリング方法を提供すること。
【解決手段】真空雰囲気中でガラス板をハンドリングする際に、ガラス板Ｃの温度を１５０℃〜４８０℃に制御し、温度を１５０℃〜４８０℃に制御したガラス基板Ｃ、望ましくは１９０℃以上に制御したガラス板に対して静電チャック４を用いてハンドリングを行う。 （もっと読む）

【課題】 低温での成膜を効率よく行うことができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜装置１は、真空容器１０と、被処理物１１をＸ軸方向に搬送する搬送機構３と、被処理物１１を冷却する冷却機構２と、成膜材料Ｍａを保持する主陽極４とを有する。冷却機構２は、成膜室１０ｂ上に配置された成膜室上冷却部２１と、成膜室上冷却部２１の上流側に配置された上流側冷却部２２と、成膜室上冷却部２１の下流側に配置された下流側冷却部２３とを含んで構成されている。成膜室上冷却部２１は、成膜中の被処理物１１を冷却する。上流側冷却部２２は、被処理物１１を成膜前に予め冷却する。下流側冷却部２３は、成膜により温度が上昇した被処理物１１を急速に冷却する。 （もっと読む）

【課題】 大型のガラス基板であっても、簡易な構成で、搬送トレイに対する受け渡しを確実なものとする、インライン式真空蒸着装置に例示されるインライン式処理装置におけるガラス基板のハンドリング機構を提供すること。
【解決手段】 少なくとも仕込／取出室と処理室の２室または仕込室と処理室と取出室の３室を有し、処理室で搬送トレイに載置したガラス基板の表面処理を行うインライン式処理装置におけるガラス基板のハンドリング機構であって、ガラス基板の被処理領域外の領域を静電チャックで吸着させてハンドリングするようにしてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板処理中の基板の温度上昇を簡素な方法で抑制する。
【解決手段】 真空容器１２内で基板２２に対して成膜処理を行う方法である。この方法は、基板２２の上面に、熱容量を増加させるための熱容量増加シート４６を載置する載置工程と、熱容量増加シート４６が載置された基板２２を処理領域Ｓに搬入する搬入工程と、処理領域Ｓにおいて基板２２の下面に成膜処理を施す処理工程と、処理領域Ｓにおいて処理された基板２２を処理領域から搬出する搬出工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 プラズマスパッタリングによる薄板の表面処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理部材に対してプラズマ処理を施す表面処理装置において、被処理部材(150)が縦置きで搬送されるチャンバ(40)と、チャンバ内に搬送される被処理部材(150)の表裏面とそれぞれ対向し、該被処理部材の両側に対称となるように配置される、少なくとも該被処理部材と対向する表面にターゲット材料を有する少なくとも一組のスパッタカソード(410,410)と、各スパッタカソードの裏面側にそれぞれ配置されて被処理部材の延在方向に移動可能なマグネット(420,420)と、チャンバ内にプロセスガスを導入するガス供給手段と、スパッタカソードと被処理部材間にプラズマを発生させるプラズマ電源と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 真空容器の真空状態を維持したまま膜厚分布の経時変化を補正できる膜厚補正機構、成膜装置、及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜装置１は、真空容器１０と、被処理物１１をＸ軸方向に搬送する搬送機構３と、搬送機構３に対しＺ軸方向に配置されて成膜材料Ｍａを保持する主陽極４と、膜厚補正板８とを有する。膜厚補正板８は、真空容器１０における搬送機構３と主陽極４との間の開口部１０ｇに設けられ、Ｘ軸方向における開口部の幅Ｗ（Ｙ）をＹ軸方向に沿って変化させることにより、成膜材料粒子Ｍｂに対する被処理物１１の暴露時間をＹ軸方向に沿って変化させる。また、膜厚補正板８は、主板８ａと、Ｙ軸方向における主板８ａの両端に配置された端板８ｂとを有し、端板８ｂは、主板８ａとは独立してＸ軸方向に移動可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】 処理チャンバ内部の寸法を小さくせずに、外形寸法の拡大を抑え、かつ重量の軽減を図る。
【解決手段】 真空チャンバ１０の本体１０ａの長手方向の側壁６１ａ，６１ｂの壁厚Ｌ_１は、側壁６２ａ，６２ｂの壁厚Ｌ_２に比べて小さく形成され、蓋体１０ｂの上部側壁６３ａ，６３ｂの壁厚は、上部側壁６４ａ，６４ｂの壁厚に比べて小さく形成されている。使用時には、側壁６１ａ，６１ｂおよび上部側壁６４ａ，６４ｂの強度を補うため、補強板９０ａ〜９０ｄが着脱可能に外付けされる。 （もっと読む）