【課題】異物による成膜不良を抑制し、良好な成膜を実現するプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、基材１００上に連続的に成膜するプラズマＣＶＤ装置１であって、基材１００の裏面１００ｂと接しながら基材１００が巻き掛けられる成膜ロールと、成膜ロールに対向して配置される対向電極と、成膜ロールおよび対向電極に接続されるプラズマ発生用電源５１と、基材１００を搬送する搬送ロール２１，２２，２３、２４と、を有し、成膜ロールは、第１成膜ロール３１と、第１成膜ロール３１に対し基材１００の搬送方向の下流側に設けられる第２成膜ロール３２と、を含み、搬送ロールは、第１成膜ロール３１の下流側において、裏面１００ｂ側にのみ設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面からだけでなく、端面からの酸素及び水蒸気の浸入も防ぐことができ、且つ透明性を兼ね備えたガスバリア性積層体、及び包装袋を提供する。
【解決手段】第１の透明ガスバリア性フィルム１ａ，１ｂと、該第１の透明ガスバリア性フィルム上に積層された粘着剤層２と、該粘着剤層上に積層された第２の透明ガスバリア性フィルムとを有する積層体であって、該粘着剤層がシランカップリング剤を含むことを特徴とするガスバリア性フィルム積層体。 （もっと読む）

【課題】炭素を含む膜を選択成長させること。
【解決手段】主面上にトレンチとポストが形成された基板１３上に、選択的に炭素を有した膜を、プラズマＣＶＤ法により堆積する選択成膜方法である。基板を設置する反応室１１において、第１電力により、膜の原料ガスのプラズマを生成し、反応室と連通し、区画された補助空間２１において、第２電力により、基板に対してエッチング性を有するガスのプラズマを生成して、反応室に、イオン及びラジカルを供給する。反応室において、基板の主面に垂直方向に電界を発生させるバイアス電圧を制御して、基板のポストの上面、トレンチの側面及び底面に至るイオン量を制御する。第１電力、第２電力、バイアス電圧を制御することにより、基板の前記ポストの上面、トレンチの側面及び底面のうちの選択された１つの面、又は、２つの面に対して、膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】高硬度グラファイト材の高速加工や高硬度カーボンフィラーを配合したＣＦＲＰ材の加工に用いるダイヤモンド被覆切削工具において、耐摩耗性、耐剥離性に優れるダイヤモンド表面被覆切削工具を提供する
【解決手段】超硬合金を基体とする切削工具の刃部にダイヤモンド皮膜を有する被覆工具において、該基体の直上にグラファイト層からなる中間層を有し、該中間層の平均厚みＸは、５≦Ｘ≦１５（ｎｍ）であり、該ダイヤモンド皮膜のラマンスペクトル分析において１３２０≦Ｄ≦１３４０（ｃｍ^−１）及び１５１０≦Ｇ≦１５９０（ｃｍ^−１）にピークを有し、１３２０≦Ｄ≦１３４０（ｃｍ^−１）における半価幅Ｗｄが、Ｗｄ≦２０（ｃｍ^−１）で、１５１０≦Ｇ≦１５９０（ｃｍ^−１）における半価幅Ｗｇが１７０≦Ｗｇ≦２５０（ｃｍ^−１）であることを特徴とするダイヤモンド被覆切削工具である。 （もっと読む）

【課題】炭素繊維等の高密度繊維材料の線径に関わらず切削加工が容易に行えて、かつこれらを加工するのに十分な耐摩耗性を有するボロン含有ダイヤモンド膜被覆工具の成膜方法を提供することを課題とする。
【解決手段】反応室２外にてボロンを含む液体９を加熱することでボロンを含む気体を生成した後、ボロンを含む気体を反応室２内に導入して、直流放電プラズマ方式によりボロン含有ダイヤモンド膜を工具２０表面に被覆する。また、反応室２外におけるボロンを含む液体９の加熱およびボロンを含む気体の反応室２内への導入は、ボロンを含む液体９を液体用マスフローコントローラにより配管内に導入して、ヒータによる配管の外部加熱および配管内の真空雰囲気によって気化して、その状態でボロンを含む気体を反応室２内へ導入する。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＲＰあるいはグラファイト等の難削材の切削加工において、ダイヤモンド皮膜の耐剥離性にすぐれたダイヤモンド被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面にダイヤモンド皮膜を被覆形成したダイヤモンド被覆切削工具において、工具基体表面直上からダイヤモンド皮膜の膜厚方向４００ｎｍ以下の範囲にわたってダイヤモンド相とグラファイト相の共存領域を形成し、該共存領域には、１０〜１００μｍの格子幅でダイヤモンド相を格子状に形成し、かつ、該格子状のダイヤモンド相の格子間間隙を埋めるように幅１０〜２００μｍのグラファイト相を分散分布させることにより、刃先近傍に大きな負荷が作用する難削材の切削加工におけるダイヤモンド皮膜の剥離を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ヒータの長寿命化を図り、高温下での使用を可能とする成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１内に設けられて半導体基板６が載置されるサセプタ７と、サセプタ７の上方に位置する上部ヒータ１８と、サセプタ７の下方に位置する下部ヒータ８とを有し、上部ヒータ１８と下部ヒータ８とが不活性ガス雰囲気に置かれる。サセプタ７の周囲の空間Ａの圧力は、上部ヒータ１８の周囲の空間Ｂの圧力および下部ヒータ８の周囲の空間Ｃの圧力のいずれよりも低いことが好ましい。また、不活性ガスはアルゴンガスであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】長時間に亘りプラズマの放電条件を安定させ、成膜処理の高い再現性を得ることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理材１１の表面に被膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置であって、ホルダー１２に保持された陰極としての被処理材１１の周囲に配置された金属シート２０からなる陽極を備え、金属シート２０が予め巻き取られたローラー２１と、ローラー２１から展開された金属シート２０を巻き取るローラー２２を有している。 （もっと読む）

【課題】相手部材の材質によらずに、その相手部材の摩耗を抑制することができる摺動部材を提供すること。
【解決手段】摺動部材１００は、鋼材などを用いて形成された基材２００と、基材２００の表面を被覆するＦｅ−ＤＬＣ膜３００とを備えている。Ｆｅ−ＤＬＣ膜３００は、摺動部材１００の摺動面１０１の少なくとも一部を形成し、相手部材４００の表面と摺動する。Ｆｅ−ＤＬＣ膜３００は、Ｆｅが添加されたＤＬＣからなる堆積膜である。この実施形態では、Ｆｅ−ＤＬＣ膜３００におけるＦｅの濃度はたとえば約３ａｔ．％である。相手部材４００は、非鉄系の軟質材料（たとえばＣｕ材料など）を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】ターゲットが磁性体・非磁性体であるに関わらず、ターゲット上に均一な平行磁場分布を形成し、均一なエロージョンが得られ、ターゲットの広幅化やスパッタ薄膜形成速度向上あるいはＣＶＤ成膜速度向上の効果が得られる放電電極及び放電方法を提供する。
【解決手段】平板ターゲットを有する放電電極において、前記平板ターゲットの表面側の両側縁に沿うように設けられ、前記平板ターゲットを隔てて対向する磁性体と、該磁性体を隔てて前記平板ターゲットの反対側に前記磁性体と組み合わせて設けられ前記平板ターゲットを隔てて異極性の関係であるターゲット上部磁石を有することを特徴とする放電電極。 （もっと読む）

【課題】
使用に伴う傷などの外観品質低下の抑制に優れ、しかも装飾性に優れた黒色硬質膜を有する装飾品を提供すること。
【解決手段】
ステンレス、Ｔｉ、Ｔｉ合金または黄銅などの装飾品用軟質基材表面に、色調層を有する装飾品であって、色調層は多孔質アモルファスカーボン層から形成されている事を特徴とする。本発明によれば、前述の装飾品用基材からなる装飾品の表面に、装飾性の高い黒色の色調が得られ、しかも、硬質で傷等による外観品質の劣化が起きにくい黒色硬質皮膜を有する装飾品及びその製造方法を提供することが出来る。 （もっと読む）

【課題】特に高いガスバリア性が必要とされる場合に好適に用いることができる透明なガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】基材層１の一方の表面上に、プライマー層２、ガスバリア層３、ガスバリア被膜層４を順次積層し、プライマー層２は、アクリルポリオール、イソシアネート、およびシランカップリング剤からなり、ガスバリア層３は酸化珪素からなり、ガスバリア被膜層４は、一般式Ｓｉ（ＯＲ^１）_４で表される珪素化合物、一般式（Ｒ^２Ｓｉ（ＯＲ^３）_３）_ｎで表される珪素化合物および水酸基を有する水溶性高分子を含有する塗布液を塗布して乾燥させてなり、プライマー層２の膜厚が、０．００５〜１μｍ、ガスバリア層３の膜厚Ｘが０．００５〜２μｍ、ガスバリア被膜層４の膜厚Ｙが０．０５〜３μｍ、ＸとＹの関係が０．００１≦ＸＹ≦２．０であるガスバリア性積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】炉口部の温度を、炉口部を構成する各部材の耐熱温度以下に保つことを可能とする。
【解決手段】 鉛直方向に所定の間隔で積層された複数の基板を処理する処理室と、処理室内で複数の基板を保持する基板保持部と、処理室内で基板保持部をその下方側から支持するとともに、処理室内を基板保持部の側から下方側へ向けて流れるガスとの熱交換を行う第一熱交換部と、を備えて構成された基板処理装置において、第一熱交換部は、ガスが流れる方向に沿って上下に延びる中空筒状の断熱筒部と、断熱筒部内に設けられた断熱板部と、を有し、断熱筒部内における断熱板部を挟んだ上下２つの領域は、空間的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】シャワープレート等を取り外さずに、シャワープレートの有無を切り替えて基板の処理や成膜が可能なガス分散用装置、このガス分散用装置を備えた真空処理装置、並びにこの真空処理装置を用いた基板の処理方法及びカーボンナノチューブの形成方法を提供する。
【解決手段】ガス供給管に連通する第１の開口部３２及び真空処理装置内部にガスを供給するための第２の開口部３３をそれぞれ対向して上面及び下面に有するハウジング３１と、ハウジング内に設けられた水平方向に滑動自在のガス分散用部材３４であって、複数のガス供給用孔３４ｃが設けられている前方部分３４ａ及びこの孔が設けられていない後方部分３４ｂとからなるガス分散用部材と、ガス分散用部材を滑動せしめるための駆動機構３５とを備えてなり、ガス分散用部材を前方に滑動せしめた時に、第２の開口部に前方部分が位置するように構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体の接合や商品設計の面で優れた自由度を得ることができるナノワイヤデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に、結晶をエピタキシャル成長させて複数のナノワイヤ状半導体２を形成する。ナノワイヤ状半導体２の間隙に充填剤５を充填してナノワイヤ状半導体２を埋設し、ナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６を形成する。半導体基板６から、ナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６を剥離して、ナノワイヤ状半導体アレイ９，１０，１１，１３，１４，１５を形成する。ナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６の剥離は、充填剤５上に支持基板８を形成した後、外力により行う。又は、充填剤５の熱収縮応力によりナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６を剥離した後、充填剤５上に支持基板８を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来のものよりもさらに耐磨耗性および低摩擦係数となるような表面加工を施した摺動部材を提供すること。
【解決手段】本発明により、基材上に形成されたＳｉ含有ダイヤモンドライクカーボン層と、前記Ｓｉ含有ダイヤモンドライクカーボン層上に共有結合で固定されたポリマーブラシ層とを摺動面に有する摺動部材が提供される。好ましくは、ポリマーブラシ層を構成するポリマーは、親油性を有する基を含むモノマーと、架橋構造を形成しうる基を含むモノマーとをランダム共重合させることにより製造されたものである。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長過程でサセプタに付着した膜を除去し、製造歩留まりを向上させることのできる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】サセプタＳに載置されるウェハＷ上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する成膜室２と、サセプタＳが搬送される搬送用ロボット１７を有する搬送室４を介して成膜室２に連結され、サセプタＳに付着したＳｉＣ膜を除去するクリーニング室５とを有する。クリーニング５室は、サセプタＳを４００℃以上の温度で加熱するヒータ２０８と、サセプタＳの上方からエッチングガスを供給してＳｉＣ膜を除去するエッチングガス供給手段とを備える。クリーニング室５は、サセプタＳの表面にＳｉＣ膜を形成する再生室を兼ねる。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、コイルは複数の導体棒３を接続したもので、石英管４の内部に配置されており、石英管４の内側の半円柱部分が筒状チャンバ内部の空間７に露出する。導体棒３と石英管４の内部に水が流れることによって石英管４と導体棒３が冷却される。プラズマ噴出口１２からプラズマを基材２に照射することにより、基材２上の薄膜１６をプラズマ処理することができる。 （もっと読む）

【課題】 トレンチの内部に酸化障壁となる膜を形成しなくても、トレンチの内部に埋め込まれた埋め込み材料に空隙が発生することを抑制することが可能なトレンチの埋め込み方法を提供すること。
【解決手段】 少なくともトレンチ６の側壁に酸化膜７が形成されている半導体基板１を加熱し、半導体基板１の表面にアミノシラン系ガスを供給して半導体基板１上にシード層８を形成し、シード層８が形成された半導体基板１を加熱し、シード層８の表面にモノシランガスを供給してシード層８上にシリコン膜９を形成し、シリコン膜９が形成された半導体基板１のトレンチ６を、焼成することで収縮する埋め込み材料１０を用いて埋め込み、トレンチ６を埋め込む埋め込み材料１０を、水及び／又はヒドロキシ基を含む雰囲気中で焼成するとともに、シリコン膜９、及びシード層８をシリコン酸化物に変化させる。 （もっと読む）

【課題】液体原料中の溶存ガスに起因して出現し得る気泡が気化器における気化量制御に悪影響を及ぼすのを回避する。
【解決手段】液体原料を不活性ガスにより圧送する液体原料供給源と、液体原料供給源が圧送する液体原料の流路となる液体原料供給管と、液体原料供給源から液体原料供給管を通じて供給された液体原料を気化して気化ガスを生成する気化器と、気化器が生成した気化ガスが供給される処理室とを有する基板処理装置において、液体原料供給管の経路途中に液体原料供給管内を流れる液体原料を貯留する液体原料溜め部を設け、液体原料供給管内での圧力低下によって液体原料中に現れる気泡を液体原料溜め部内にて除去する。 （もっと読む）