【課題】 密着性の優れた硬質被膜を持つ切削工具の製造方法を提供すること。
【解決手段】 切削工具はアルゴンを含有するＤＬＣ被膜を有する。または、アルゴンを含有するシリコンからなる中間層の表面にアルゴンを含有するＤＬＣ被膜を有する。
ＤＬＣ被膜および中間層が直流プラズマＣＶＤによって形成されたものである。処理容器内に切削工具からなる処理物を置き、処理容器を真空状態にし、直流プラズマＣＶＤ装置を用いて、アルゴンガスと原料ガスとの混合ガスを流入させながら、前記ガスをプラズマ化して処理物に作用させ、アルゴンを含有するＤＬＣ被膜を処理物の表面に形成する。または、アルゴンガスとシリコンガスとの混合ガスを流入させながら、アルゴンを含有するシリコンからなる中間層を処理物の表面に形成させた後に、前記アルゴンを含有するＤＬＣ被膜を処理物の表面に形成する。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤプロセス、ＡＬＤプロセス又はサイクリックＣＶＤプロセスを用いてＨＦ溶液中で極めて低いウェットエッチ速度を有する二酸化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法では、ケイ素前駆体は、Ｒ¹_nＲ²_mＳｉ（ＮＲ³Ｒ⁴）_4-n-m、及び（Ｒ¹Ｒ²ＳｉＮＲ³）_pの環状シラザンの１つから選択され、式中、Ｒ¹はアルケニル又は芳香族、例えばビニル、アリル及びフェニルであり、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴はＨ、Ｃ₁〜Ｃ₁₀の直鎖、分枝又は環状のアルキル、Ｃ₂〜Ｃ₁₀の直鎖、分枝又は環状のアルケニル、及び芳香族から選択され、ｎ＝１〜３、ｍ＝０〜２、ｐ＝３〜４である。 （もっと読む）

【課題】 膜質の均一性に優れた堆積膜を有する電子写真感光体を製造する方法を提供する。
【解決手段】 真空気密可能な反応空間を有する反応容器内に、導電性の基体ホルダーに保持された導電性の円筒状基体および導電性の円筒状補助基体を設置し、該反応容器内に堆積膜形成用の原料ガスと高周波電力を導入してプラズマを生成することにより、該円筒状基体の表面に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、該円筒状基体の端部と該円筒状補助基体の端部とが導電性材料を介して相接している状態で、該堆積膜の形成を行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置を用いて得られた膜の膜厚及び膜質が、基板の面内で均一とはならない場合がある。
【解決手段】 基板を保持することが可能な第１電極と、第１電極と対向するように設置され、第１電極と対向する部分に複数のガス供給口が形成されるとともに高周波電力が印加される第２電極とを備え、複数のガス供給口は同心円に沿って設けられると共に、１つの同心円に沿って設けられたガス供給口について、隣接する複数のガス供給口を結んだ弧の長さが内周側と外周側とで異なるプラズマ処理装置を用いた光起電力素子の製造方法であって、基板上に導電性を有する透明電極を形成するステップと、透明導電膜上にプラズマ処理装置を用いて非晶質シリコン半導体または微結晶シリコン半導体を含む光電変換層を形成するステップと、光電変換層上に導電性を有する裏面電極を形成するステップと、を備えることで、上記課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、小型容器について、ガスバリア性を有する薄膜を均一に成膜し、十分なガスバリア性を得ることである。また、従来の装置をそのまま用いて、小型容器に薄膜を均一に成膜する、小型容器用アダプターを提供することである。
【解決手段】本発明に係るガスバリア性を有するプラスチック容器の製造方法は、容器が、胴部の水平断面での最大幅が４０ｍｍ以下の小型容器であり、少なくとも、容器の高さよりも深底で、胴部の最大幅よりも大きい内径を有し、かつ、天面に開口部を有する空洞を備えた外部電極と、容器の外壁面と外部電極の空洞の内壁面との間に配置される誘電体部材とから構成される内部空間に、容器を収容する工程と、接地された原料ガス供給管を、外部電極と短絡させずに、外部電極の開口部を通して内部空間に挿入し、かつ、原料ガス供給管の末端を、容器の口部に向い合せで配置する工程と、を成膜する工程の前に有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、機械部品用コーティング（１）に関する。
【解決手段】本発明のコーティングは、機械部品（２）と接触するように意図された水素含有アモルファス炭化ケイ素の第一層（３）、積層構造（４）、および水素含有アモルファスカーボンの外側層（５）を含んでなる。上記の積重構造（４）は、水素含有アモルファスカーボンと水素含有アモルファス炭化ケイ素との交互層（４ａ、４ｂ）を含んでなる。被覆の総厚は、好ましくは１０〜２０マイクロメートルである。 （もっと読む）

【課題】発光効率が低下しない表示装置を提供する。
【解決手段】発光部１５が位置する凹部１３が充填膜２７で充填されてから無機膜２８が形成されるので、無機膜２８に亀裂が生じない。無機膜２８はダイヤモンドライクカーボンやＡｌＮのように、気密性と熱伝導性が高い材料で構成されているので、発光部１５に水や酸素が進入し難いだけでなく、発光部１５の熱は無機膜２８に伝達され、発光部１５が高温にならない。更に、第一パネル１０、第二のパネル２０の間の隙間は樹脂膜２９で充填されているので、外部から大気が進入しない。発光部１５は水や酸素や熱によってダメージを受けないので、表示装置１は寿命が長い。 （もっと読む）

【課題】装置構成を簡単化しつつ、複数の真空チャンバ内に交互にプラズマを発生させることができるプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置は、N個の真空チャンバ（２−１〜２−３）の真空チャンバ壁（１５−１〜１５−３）と一方の極で接続される電源（１０）と、所定の周期でパルス信号を出力する発振器（１１）と、電源の他方の極及び発振器に対して互いに並列に接続され、電源から供給される電力を用いて増幅したパルス信号を真空チャンバ内に配置されたN個の電極（１４−１〜１４−３）の何れかへ出力するN個のパルス増幅回路（１３−１〜１３−３）と、少なくとも(N-1)個のパルス増幅回路と発振器の間にそれぞれ接続され、各時刻において一つのパルス増幅回路にのみパルス信号が入力されるように互いに異なる遅延期間だけパルス信号を遅延させる少なくとも(N-1)個のタイミング生成回路（１２−１〜１２−３）を有する。 （もっと読む）

【課題】誘電率が２．７以下であり、弾性計数および硬度の改善等、機械的特性を向上させた超低誘電率（ｋ）膜、および膜の製造方法を提供する。
【解決手段】多相超低ｋ誘電膜４４は、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨの原子を含み、誘電率が約２．４以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約５以上であり、硬度が約０．７以上である。好適な多相超低ｋ誘電膜４４は、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨの原子を含み、誘電率が約２．２以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約３以上であり、硬度が約０．３以上である。 （もっと読む）

【課題】容易に且つ膜の特性を損なうことなく特性が向上したダイヤモンド様薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】ダイヤモンド様薄膜は、基材１１の上に形成され、炭素と結合した水素を含むダイヤモンド様材料からなる第１の層１３と、第１の層１３の上に形成され且つ炭素と結合した水素の少なくとも一部が引き抜かれ、第１の層１３と比べて水素の含有率が低いダイヤモンド様材料からなる第２の層１４と、第１の層１３と基材１１との間に形成され、第１の層１３と比べて水素の含有率が低いダイヤモンド様材料からなる第３の層１５とを備えていている。 （もっと読む）

【課題】十分緻密な薄膜を成膜することが可能な薄膜製造方法および装置を提供する。求める成膜特性、あるいはプロセス条件に応じた薄膜を成膜することが可能な薄膜製造方法および装置を提供する。
【解決手段】原料ガスからプラズマを生成し、該プラズマ中からイオンを抽出し、該イオンにより被成膜基板の片面または両面に薄膜を成膜する薄膜製造方法である。該方法は、該プラズマを発生させるプラズマ室と、被成膜基板を収容する成膜室と、該プラズマ室から該成膜室まで該イオンを輸送するためのイオン輸送路と、該イオン輸送路から分岐する分岐管と、該分岐管に接続された排気系統とを有する装置内で実施される。該イオン以外の原料ガスを該分岐管から排気しながら薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】保護膜の膜厚を薄くしつつ、耐久性および耐食性を向上させると同時に潤滑膜に対する保護膜表面の結合力を増加させる。さらに、該保護膜を備えた良好な電磁変換特性を有する磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体のための保護膜であって、該保護膜がフッ素と窒素とを含んでいることを特徴とする保護膜である。磁気記録媒体のための保護膜を製造する方法であって、基体と該基体上に形成される金属膜層とを含む積層体の上に該保護膜を形成する工程と、フッ素含有ガスおよび窒素含有ガス中で該保護膜をプラズマ処理する工程とを含むことを特徴とする方法である。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置において、真空チャンバの内部、特にガス供給部にプラズマが当たってフレークが発生することを抑制し、フレークの混入がなく品質に優れたＣＶＤ皮膜の成膜を可能とする。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバ４と、真空チャンバ４内を真空排気する真空排気手段５と、真空チャンバ４内に配備されると共に成膜対象である基材Ｗが巻き掛けられた成膜ロール２と、真空チャンバ４内に原料ガスを供給するガス供給部７と、成膜ロール２の表面近傍にプラズマ発生領域１６を形成し、成膜ロール２に巻き掛けられた基材Ｗに成膜を行うプラズマ電源６と、を備えたプラズマＣＶＤ装置１であって、ガス供給部７が、プラズマ発生領域１６に対して成膜ロール２を挟んだ反対側に位置するプラズマ非発生領域１５に設けられていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】耐久性の高い導電性被膜を適所に備えているメタル製のセパレータと、このセパレータを効率的に製造することのできる製造方法を提供する。
【解決手段】燃料電池セルの発電部に対応する発電領域と、発電部の周囲の非発電部に対応する非発電領域を有し、発電領域に第１の非晶質炭素被膜８Ａが形成され、非発電領域においてセルモニタ端子が取り付けられる端子取り付け部に第２の非晶質炭素被膜８Ｂが形成されており、第１、第２の非晶質炭素被膜８Ａ，８Ｂが同じ素材からなり、かつ同じ厚みを有している燃料電池用でメタル製のセパレータ（メタルプレート７１を有するセパレータ）である。この非晶質炭素被膜に端子取り付け部が形成されることにより、従来の金メッキ処理層に比して格段に薄い導電性被膜を備える。 （もっと読む）

【課題】 鋼や鋳鉄等の高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる下部層（但し、上部層と接する下部層は改質ｌ−ＴｉＣＮ層）と、Ａｌ_２Ｏ_３層からなる上部層で構成された硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、上記改質ｌ−ＴｉＣＮ層は、上記Ａｌ_２Ｏ_３層との界面から改質ｌ−ＴｉＣＮ層内部側の深さ０．５〜２．０μｍの範囲内において、酸素含有量のピークが現れ、該ピーク位置における酸素含有量Ｏ_ＭＡＸは、Ｏ_ＭＡＸ＝３〜８原子％である酸素濃化領域を備え、また、上記Ａｌ_２Ｏ_３層は、測定領域の粒界の全長ＧＢ_Ｌ（μｍ）と、測定領域の面積Ｇ_Ａ（μｍ^２）が、ＧＢ_Ｌ／Ｇ_Ａ＝１２〜２８の関係を満足する微細結晶Ａｌ_２Ｏ_３層である。 （もっと読む）

【課題】耐食性に優れ、かつ接触抵抗が低くい金属基板を用いた固体高分子型燃料電池用セパレータの提供、及び生産性に優れたプラズマ処理技術及プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】金属製セパレータ基板表面に接触抵抗１０ｍΩｃｍ２以下、撥水角８０°以上のシリコン含有炭素系被膜を被着する。プラズマ処理容器内に、一対の基板支持具２にそれぞれ複数枚の金属基板３をほぼ平行、且つ等間隔に係止した第１の基板電極群２ａと第２の基板電極群２ｂとをほぼ等間隔に相互に噛み合わせて配置し、該一対の基板電極群にコンデンサー７を介して高周波電力を給電し、且つローパスフィルタ１２を介して負の脈流電圧又はパルス電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ成膜を良好に行うために適切な位置で静電気除去を行うことができるプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、該基材１００上に連続的に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置１において、基材１００を巻き掛けて搬送する第１成膜ロール６１と、第１成膜ロール６１と対向して配置された第２成膜ロール６２と、第１成膜ロール６１に巻き掛けた基材１００の第２成膜ロール６２に面する面を基材の成膜面１００ａとして、成膜面１００ａに帯電する静電気を除去する静電気除去装置と、を備え、第１成膜ロール６１と第２成膜ロール６２との間隙は、成膜面１００ａ上にプラズマＣＶＤ成膜を行う成膜空間であり、静電気除去装置は、成膜空間に対し、基材１００の搬送方向の上流側に設けられた第１静電気除去装置８１を含む。 （もっと読む）

【課題】新規な中間層を基材とＤＬＣ膜との間に形成し、これにより、基材に対するＤＬＣ膜の密着力が高い被覆部材を提供すること。
【解決手段】ＤＬＣ被覆部材１００は、基材２００と、基材２００の表面を覆う中間層３００と、中間層３００の表面を覆うＤＬＣ膜４００とを含む。中間層３００は、第１中間層３０１と、第２中間層３０２と、第３中間層３０３と、第４中間層３０４と、第５中間層３０５とを備え、５層構造を有している。５層の層３０１〜３０５は、いずれもＳｉが添加されたＤＬＣからなる。層３０１〜３０５の中では、第１中間層３０１のＳｉ濃度が最も高く、次いで第５中間層３０５のＳｉ濃度が高い。また、第２、第３および第４中間層３０２，３０３，３０４のＳｉ濃度は、第１および第５中間層３０１，３０５のＳｉ濃度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】異物による成膜不良を抑制し、良好な成膜を実現するプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、基材１００上に連続的に成膜するプラズマＣＶＤ装置１であって、基材１００の裏面１００ｂと接しながら基材１００が巻き掛けられる成膜ロールと、成膜ロールに対向して配置される対向電極と、成膜ロールおよび対向電極に接続されるプラズマ発生用電源５１と、基材１００を搬送する搬送ロール２１，２２，２３、２４と、を有し、成膜ロールは、第１成膜ロール３１と、第１成膜ロール３１に対し基材１００の搬送方向の下流側に設けられる第２成膜ロール３２と、を含み、搬送ロールは、第１成膜ロール３１の下流側において、裏面１００ｂ側にのみ設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性を有するガスバリア性フィルムとして好適な新規な積層フィルムの提供。
【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１層が珪素、酸素及び炭素を含有し、さらに珪素以外の半導体元素、半金属元素及び金属元素からなる群より選ばれる元素を少なくとも１種以上含有しており、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係を示す炭素分布曲線において、下記条件（ｉ）〜（ｉｉ）：
（ｉ）前記炭素分布曲線が実質的に連続である。
（ｉｉ）前記炭素分布曲線が極値を有する。
を全て満たすことを特徴とする積層フィルム。 （もっと読む）