【課題】多孔性低誘電率絶縁膜のトレンチおよびビア内にカバレージ良くライニング層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１パルス期間に供給される第１反応物と、第２パルス期間に供給される第２反応物とを利用する原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスにより成膜する。まずシーリング層を低コンフォマリティーを有する条件で成膜し、ポアをブロックする。この後、接着層を高いコンフォマリティーを有する条件で成膜する。 （もっと読む）

【課題】 成膜ドラムを用いるロール・トゥ・ロールを利用する、ＣＣＰ−ＣＶＤによる機能性フィルムの製造において、高品質な膜を成膜することができ、かつ、高密度なプラズマに起因する基板の熱損傷も防止できる製造方法を提供する。
【解決手段】 所定の中央領域と、この中央領域の外側の領域とで、ドラム表面温度を異なる温度とすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 成膜温度、成膜圧力、還元ガスの使用量・使用割合等の成膜条件を設定することにより、所望の物性を有する利用範囲の広いＮｉ膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 真空槽の中でＳｉ基板を一定温度に保持してニッケルアルキルアミジナート（但し、アルキルは、メチル基、エチル基、ブチル基及びプロピル基から選ばれる。）とＨ_２とＮＨ_３とをこの真空槽内に導入し、ＣＶＤ法でＮｉ膜を形成する方法であって、成膜温度が２８０℃より高く３５０℃以下であること。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム被覆膜が基材表面に強固に密着してなる耐熱・耐腐食性部材を提供すること。
【解決手段】窒化アルミニウムを主成分とした被覆膜によって、基材の少なくとも一部が覆われた部材。前記被覆膜が、その最表面に0.5原子％以上40原子％以下のフッ素を含有する窒化アルミニウム膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板を保持する基板ホルダー、該基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタ、該サセプタの対面、該基板を加熱するためのヒータ、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、原料ガスを供給する原料ガス導入部、反応ガス排出部、及び基板ホルダー回転駆動器を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、サセプタの脱着が容易でメンテナンス性に優れ、基板ホルダー回転駆動器及び基板ホルダー回転駆動軸に対するヒータからの熱伝導を抑制できる構造を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供することである。
【解決手段】 基板を保持する複数の基板ホルダーが、基板ホルダー回転駆動器から、基板ホルダー回転駆動軸、該基板ホルダー回転駆動軸に設けられた複数本のツメ、及び反応炉の中心部に設けられ該ツメと脱着可能に噛み合わされた基板ホルダー回転板を介して伝達される回転駆動力により回転する構成とする。 （もっと読む）

【課題】処理対象である複数の基板が多段に配置される熱処理装置であって、基板間の処理の均一性を改善することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を多段に支持する支持体１６と、前記支持体を内部に収容可能な反応管であって、該反応管の長手方向に配列され前記反応管の内部にガスを供給する複数のガス供給管が設けられる当該反応管１０と、前記反応管内において、前記複数のガス供給管の開口端１７ａ−ｄと、前記反応管内に収容される前記支持体との間に配置される板状部材１１ｂであって、前記複数のガス供給管に対応して形成される開口部が設けられる当該板状部材と、前記反応管の外側に配置され、前記反応管内に収容される前記支持体により支持される前記複数の基板を加熱可能な加熱部とを備える熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ元素を含む原料が目的とする結晶に取り込まれることなく副生物となるのを抑え、結晶中のＳｉ濃度を安定に制御することができる、第１３族窒化物結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１３族元素、窒素元素およびＳｉ元素を含む原料を用いて、Ｓｉ取込効率１０％以上で結晶成長を行うことにより、Ｓｉ元素を含有する第１３族窒化物結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面の上に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を懸架するように配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面にエピタキシャル層を成長させて、前記カーボンナノチューブ層を包む第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤによって基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ成膜処理において、基板搭載部への薄膜成分の吸着確率を低くし、基板上の薄膜成膜に対する影響を低減する。
【解決手段】基板搭載部の基板を搭載する上表面を平滑面とすることによって、基板搭載部への薄膜成分の吸着確率を低くし、基板上の薄膜成膜に対する影響を低減する。基板搭載部は基板を保持する保持部材を備え、保持部材の表面の内、基板と搭載する上表面は、基板を搭載した状態において少なくとも基板で覆われずに露出する部分を平滑面とする。保持部材の上表面を平滑面とすることによって、基板搭載部への薄膜成分の吸着確率を低くする。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単なプラズマ成膜方法及び装置、より具体的には、危険な原料ガスを用いる必要がなく、高速に成膜が可能なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が、シリコンを表面にコーティングした石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射することで解決できる。 （もっと読む）

【課題】 材料の利用効率を向上させるとともに、安定して均一な膜厚の成膜が可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜原料を流し、基板上に成膜する成膜装置であって、前記基板に対して略垂直方向に前記成膜原料を流す第１成膜部と、前記第１成膜部において前記略垂直方向に流された前記成膜原料を、前記基板に対して略平行方向に流して成膜する第２成膜部と、前記基板を移動させる移動部と、前記基板を加熱する加熱部とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が発生したり、膜厚のばらつきが生じたりすることなく、均一で信頼性の高い薄膜を形成することのできるエピタキシャル成長用サセプタを提供する。
【解決手段】ウエハを載置するウエハ載置面１１に凹部１２を有するエピタキシャル成長用サセプタであって、前記凹部は底面に凸面１３を有し、前記凹部１２は中心軸Ｏ_１を有し、前記ウエハ載置面１１を垂直に分割し、前記凹部１２の前記中心軸を含む断面が、前記中心軸Ｏ_１と前記凸面１３の周縁との中間部で、前記中心軸Ｏ_１上の上端と前記外周縁とをとおる円の外周面よりも外側に突出する領域を有する。 （もっと読む）

【課題】異なる処理を含む一連の処理工程において他の処理からの影響を抑制することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハを載置する載置部を四つ備え移動する回転トレーと、ウエハを処理する第一のガスを供給する第一のシャワーヘッドと、ウエハを処理する第二のガスを供給する第二のシャワーヘッドと、回転トレーの移動を抑制する制御部と、を有し、制御部は、第一のシャワーヘッドと載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第一の処理室と、第二のシャワーヘッドと載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第二の処理室と、を形成するように制御する。 （もっと読む）

【課題】スループット（単位時間当たりの生産量）を向上させることができる成膜処理装置の提供。
【解決手段】成膜処理装置(1)は、成膜用ガス（N2，SiH4，NH3）を用いて基板(W0)への成膜処理が行われる成膜室(20)と、成膜室(20)に成膜用ガスを導入する成膜ガス導入手段としてのマスフローコントローラ(204A〜204C)と、成膜室(20)へ搬送するための基板(W0)が準備されるロードロック室(10)と、成膜室(20)とロードロック室(10)との間を仕切るゲートバルブ(G2)と、ゲートバルブ(G2)を開いて基板(W0)をロードロック室(10)から成膜室(20)へ搬送してゲートバルブ(G2)を閉じるまでの搬送期間に、圧力調整用ガスを成膜室(20)に導入する調整ガス導入手段としてのマスフローコントローラ(204A)と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板に形成する膜の厚さの均一性を制御することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的としている。
【解決手段】基板を処理するアウタチューブと、前記アウタチューブ内に収容された基板を基板の外周側から光加熱する加熱装置と、前記加熱装置が光加熱する基板の外周近傍に流体を流すことにより、基板の外周側を冷却する冷却装置と、前記アウタチューブ内の温度を検出する温度検出部と、前記温度検出部が検出する温度に基づいて、前記加熱装置により前記基板を光加熱すると共に前記冷却装置により前記基板の外周側を冷却することで前記基板の中心側の温度を所定温度に維持しつつ該基板の中心側と前記基板の外周側とに温度差を設けるように前記加熱装置および前記冷却装置を制御する制御部と、を有する （もっと読む）

【課題】 クリーニング後に実施するプリコートにおいて、処理室内壁に形成される薄膜の膜厚を薄くさせ、これによりクリーニング周期を長くでき、生産性を向上させる。
【解決手段】 処理室内を所定の成膜温度に加熱させつつ、処理室内にシリコン含有ガス及び窒素含有ガスをそれぞれ供給させて基板上に窒化シリコン膜を形成する成膜処理と、処理室内を所定のクリーニング温度に加熱させつつ、処理室内にクリーニングガスを供給させて処理室内壁に堆積した窒化シリコン膜を除去するクリーニング処理と、加熱部により処理室内を成膜温度よりも低い所定のプリコート温度に加熱させつつ、処理室内にシリコン含有ガス及び窒素含有ガスをそれぞれ供給させて処理室内壁に所定の厚さの窒化シリコン膜を形成するプリコート処理と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭素ドープ窒化ケイ素、炭素ドープ酸化ケイ素、炭素ドープ酸窒化フィルムを低い堆積温度で形成する方法を開示する。
【解決手段】この堆積に用いられるケイ素含有前駆体は、モノクロロシラン（ＭＣＳ）及びモノクロロアルキルシランである。この方法は、好ましくは、プラズマ原子層堆積、プラズマ化学気相成長、及びプラズマサイクリック化学気相成長を用いることによって実行される。 （もっと読む）

【課題】 シャワープレートの熱膨張による反りと温度上昇を防止し、シャワープレート上での生成物の成長を抑制して、被処理基板上に品質の安定した化合物半導体結晶を成膜できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 シャワーヘッドを保護するためのシャワープレートを備えた気相成長装置であって、シャワープレートは、複数のプレート孔を有する中央プレートと、中央プレートを保持する周辺プレートからなり、中央プレートの端面と、中央プレートの端面と向かい合う周辺プレートの側面との間に空間部を設け、空間部は中央プレートの熱膨張による伸長以上の空間を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】隣接する装置の高さに拘らず装置間の隙間を充填可能とし、装置間の振動を緩和する振動緩和材を提供する。
【解決手段】直方体形状の頭部と、該頭部の一面より突出する突出部とを有する振動緩和材１であって、隣接する装置２，間に形成される間隙３に前記突出部又は前記頭部の一縁部を挿入可能とした。 （もっと読む）

【課題】 シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜との積層数を増やしても、これらの膜を積層した積層構造が形成される基板の反りの増大を抑制することが可能なシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法を提供すること。
【解決手段】 基板Ｗ上に、シリコン酸化物膜１−１とシリコン窒化物膜２−１とを積層するシリコン酸化物膜１−１及びシリコン窒化物膜２−１の積層方法であって、シリコン窒化物膜２を成膜するガス中に、ボロンを添加する。 （もっと読む）