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Fターム[4K030CA15]の内容

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Fターム[4K030CA15]に分類される特許

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本装置は、被加工物のプラズマ処理に利用されるものである。前記被加工物は、少なくとも部分的に真空引きを行うことができる処理ステーションのチャンバ内に差し込まれる。前記プラズマチャンバは、チャンバフロア、チャンバカバー、ならびにチャンバ側壁により限定され、位置調節が可能なガス吹込み用ランスを有している。前記ガス吹込み用ランスは、少なくともところどころ誘電体から構成される。
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【課題】成膜チャンバー内における成膜ガス等の偏在を防ぎ、かつ成膜時において成膜対象であるプラスチック容器の内部圧力を適正に保てるようにすることにより、容器の熱変形や容器を構成するプラスチックの炭化等の成膜障害を起こさずに、高効率の成膜加工が行えるようにした成膜装置の提供を目的とする。
【解決手段】1つの筐体からなるサブチャンバーに複数のメインチャンバーが整列して配置されていて、開口を有するプラスチック容器を各メインチャンバー内の上部に倒立させて支持、収納し、各プラスチック容器に対して同時にプラズマCVD法で薄膜を成膜する装置であって、各メインチャンバー内に収納されているプラスチック容器の内部で成膜に供されてから排出されてくる成膜排気ガスとプラスチック容器の外部にある残留ガスがそれぞれ別系統の排気手段により排気されるようにする。 (もっと読む)


【課題】プラズマの発生エネルギーを損なう事無く、成膜対象となる3次元中空容器及び誘電体冶具に発生する不意の損傷を防げるようにする。
【解決手段】プラズマ処理を行う処理槽と、プラズマを発生させる為の高周波電源と、プロセスガス供給装置と、真空排気装置とを備えた3次元中空容器(8)に成膜を行うプラズマ処理装置において、
前記3次元中空容器(8)が収納出来る空隙を設けた誘電体で構成されている冶具(7,9,10,14)の、高周波電力のホット側(1)とアース側(5)のいずれからも電気的に絶縁された箇所に、導電性を有する部品(12,13)を配置した事を特徴とする成膜装置。 (もっと読む)


【課題】マイクロクラックやピンホールが形成されることなく、樹脂含有物成形品にDLC膜を形成できる方法及び製膜装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ4を減圧して原料ガスを導入した後、電極2,3間に高周波電圧を印加して目標膜厚より薄い膜厚のDLC膜10を形成する製膜工程と、高周波電圧の印加を停止して電極2,3に蓄積された熱を逃がす放熱工程を交互に行うことにより、目標膜厚に達するまで段階的にDLC膜を製膜する。 (もっと読む)


【課題】最内面に蒸着膜が形成されたプラスチックボトルの再利用方法であって、内容物が接触する最内面を新規に形成し直すことが可能なプラスチックボトルの再利用方法を提供することである。
【解決手段】最内面に蒸着膜が形成されたプラスチックボトルの再利用方法であって、前記蒸着膜を除去した後、新たな蒸着膜を最内面に形成することを特徴とする再利用方法。 (もっと読む)


本発明は、プラズマ化学気相成長法及び中空陰極技術を用いて内面に堆積される高sp3含有非晶質炭素被膜の形成方法に関する。この方法により、硬度、ヤング率、耐摩耗性及び摩擦係数などのトライボロジー的性質、並びに屈折率などの光学的性質の調整が可能になる。更に、得られた被膜は均一かつ優れた耐食性を備えている。圧力、ダイアモンドイド前駆体の種類及びバイアス電圧を制御することにより、この新しい方法は、ダイアモンドイド前駆体が基材との衝突によって完全に分解することを防止する。ダイアモンドイドは、高圧下で高sp3含有膜を生じるsp3結合を有する。これによりダイアモンドイド前駆体を用いない場合に比べて、堆積速度を速めることができる。
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【課題】ドープされた、またはドープされていないシリカの1層または複数層が細長の中空のガラス基材チューブの内側に蒸着されるプラズマ化学蒸着法を実行するための装置、さらにプラズマ化学蒸着法によって光学的予備成形品を製造する方法を提供すること。
【解決手段】ガラス層の蒸着が起こるような条件が基材チューブの内側に作り出されている間に、ドープされた、またはドープされていないガラス形成ガスが細長のガラス基材チューブの内側を通過させられる。 (もっと読む)


【課題】内部蒸着プロセスによって光プリフォームを製造するための、エネルギー源および基材チューブを備える装置および方法を提供すること。
【解決手段】この基材チューブは、ガラス形成前駆体が基材チューブの内部に供給される供給側と、基材チューブの内部に堆積されなかった構成材料が排出される排出側とを備え、エネルギー源は、供給側の反転点と排出側の反転点との間で基材チューブの長手に沿って運動可能である。 (もっと読む)


【課題】ガラス管などの管状体の内壁に膜を形成するための成膜装置および成膜方法を提供することにある。
【解決手段】本発明にかかる成膜装置1000は、化学的気相成長法によって管状体100の内壁に膜を形成する成膜装置であって、原料収容部10と、前記原料収容部10から供給された原料を含む処理ガスを形成する処理ガス生成部20と、前記管状体100の内壁に膜を形成する成膜部30と、前記管状体100と接続され、前記処理ガス生成部20から前記管状体100内に処理ガスを供給する処理ガス供給管46と、前記管状体100と接続され、前記管状体100を通過した処理ガスを排出する処理ガス排出管48と、を含み、前記成膜部30は、前記管状体100を保持する保持部32を有する。 (もっと読む)


【課題】成膜装置における内部電極の絶縁部材の落下を防止し、常に安定して容器のバリア膜を成膜することができるバリア膜形成用内部電極を提供する。
【解決手段】本発明にかかるバリア膜形成用内部電極は、口部を有するプラスチック容器の内部に挿入され、該プラスチック容器内に媒質ガスを供給し、前記プラスチック容器の外部に設けた外部電極に高周波電力を供給することで、プラスチック容器内面に放電プラズマを発生させプラスチック容器の内面にバリア膜を形成するバリア膜形成用内部電極であって、媒質ガスGを供給するガス流路101aを有するガス供給管101と、前記ガス供給管101の端部に面一に螺合してなり、前記ガス流路101aと連通するガス吹出し口102を有する絶縁部材103とを具備する。 (もっと読む)


【課題】プラスチック基材としてPETやポリオレフィンを用いた場合には勿論のこと、ポリ乳酸を用いた場合においても、酸化劣化のみならず、熱変形や熱劣化などを生じることなく成膜が可能であり、しかも酸素や水分に対するバリア性も高く、密着性に優れ、且つ水分による膜剥離も有効に防止された蒸着膜を備えたプラスチック成形品を提供する。
【解決手段】プラスチック基板1と、該基板表面にプラズマCVD法によって形成された蒸着膜3とからなり、蒸着膜3は、元素比C/M(Mは金属元素である)が2.5乃至13であり且つ元素比O/Mが0.5以下の範囲にある有機金属系蒸着層3aと炭化水素系蒸着層3bとを含み、炭化水素系蒸着層3bは、厚みが40乃至180nmの範囲にあり、且つFT−IR測定で波数3200〜2600cm−1の領域にCH、CH及びCHに由来するピークを示し、CH比が35%以下及びCH比が40%以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】大気プラズマを用いて、基材表面に改質層を形成し、前記改質層とバリア膜との二層構造からなる比較的簡単で、かつ高いガスバリア性・密着性を得ることが可能であるバリア膜被覆基材及びバリア膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】バリア膜被覆基材100は、例えばポリプロピレン(PP)等のように反応性の官能基を持たない炭化水素製基材101の表面に、減圧下で放電プラズマによりバリア膜102を成膜してなるバリア膜被覆基材であって、前記反応性の官能基を持たない炭化水素製基材101に大気プラズマを照射し、前記反応性の官能基を持たない炭化水素製基材101表面に、酸素、窒素の何れか一方又は両方を含有する改質層103を形成する改質工程と、改質層103の上にバリア膜102を成膜する成膜工程とから、前記反応性の官能基を持たない炭化水素製基材101とバリア膜102との間に改質層103を形成してなる。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、薄膜形成装置において、当該装置の品質・稼動に支障をきたすことなく、排気経路の内壁等の容器近傍の排気経路まで広がったプラズマにさらされる内壁に付着しているダストを容易に清掃可能とすることである。
【解決手段】本発明の薄膜形成装置は、容器1を収容する外部電極4と、容器の内部に原料ガスを供給する原料ガス供給管5と、容器の口部の上方に絶縁部材6を介して外部電極と対向して配置され、容器の内部ガスを排気する排気配管7と、排気配管と接続された排気手段8と、外部電極に接続された電磁波発生手段10と、を有するプラズマCVD法によって容器の表面に薄膜を成膜する薄膜形成装置であり、容器1の外部でプラズマと接触する内壁部分よりも排気手段8寄りにセンサー18類・圧力開放弁20等の配管分岐箇所を設置し、かつ、容器1の外部でプラズマと接触する内壁を入れ子構造21とした。 (もっと読む)


【課題】凹凸面が存在する容器や非常に均一性が必要な高いバリア性を必要とする容器に対して均一な成膜を行なうことが可能なバリア膜形成装置、バリア膜形成方法及びバリア膜被覆容器を提供する。
【解決手段】凹凸部12aを有する容器12を被処理物とし、内面にバリア膜を成膜するバリア膜形成装置であって、前記容器12を取り囲む大きさの空洞を有する誘電体部材50と、該誘電体部材50の外周側を覆う外部電極13と、前記容器12の口部11が位置する側の前記外部電極13の端面に絶縁部材26を介して取り付けられ、前記容器12の内部を、排気管14を介して減圧する排気手段と、前記排気管14側から挿入され、前記容器12内にバリア膜生成用の媒質ガス19を吹き出すためのガス吹出し部を兼用する内部電極17と、前記外部電極13と接地電極間に放電を発生させるための電界を付与するための電界付与手段とを具備する。 (もっと読む)


【課題】一対の上下型と、これらを収容する胴型とを備えた成形型において、プレス成形中にガラス素材が胴型内周面に接触しても、ガラス素材の離型が極めてよく、連続プレス成形を行っても成形体の取り出し不良、ワレや形状不良などの欠陥、胴型内面の損傷や破壊などの問題が生じない耐久性に優れたモールドプレス成形型、及びその製造方法、並びにそのようなモールドプレス成形型を用いたガラス光学素子の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生源114,115を備えた反応容器110内に、筒状の胴型30を、その内周面側の中空部に棒状電極113を挿通した状態で配置し、反応容器110内の雰囲気ガスを排気した後、反応容器110内に炭素を含むガス状の成膜材料を導入してプラズマ化することにより炭素荷電粒子を生成するとともに、棒状電極113に負のバイアス電圧を印加して、炭素荷電粒子を胴型30の内周面に誘導して炭素含有膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】内部電極、排気通路への炭素膜が付着するのを防止し、時間的ロスが低減可能となるバリヤ膜形成装置を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るバリヤ膜形成装置10Aは、プラスチック容器12の内部に内部電極17を挿入し、プラスチック容器12内に原料ガスGを供給し、プラスチック容器12の外部に外部電極13を設け、プラスチック容器12内面に放電プラズマを発生させ、プラスチック容器12内面にバリヤ膜を形成するバリヤ膜形成装置であって、プラスチック容器12内面へのバリヤ膜の成膜中に、排気通路15内にバリヤ膜形成を抑制する希釈ガス31を導入する希釈ガス供給手段30Aを設け、希釈ガス31によって原料ガスGを希釈することで、プラスチック容器12内のプラズマ雰囲気とは異なるプラズマ雰囲気を排気通路15内に発生させることにより、排気通路15内面、内部電極17へのバリヤ膜の形成を抑制する。 (もっと読む)


【課題】 半導体製造装置に腐食性ガスを供給する際に,被処理基板に対する金属性汚染物質の混入を極力抑える。
【解決手段】 複数の流体制御機器(ハンドバルブ231,減圧弁(レギュレータ)232,圧力計(PT)233,逆止弁234,第1遮断弁235,第2遮断弁236,マスフローコントローラ(MFC)237,ガスフィルタ(FE)238)を備え,これらを接続する流路を構成する流路ブロック241〜249を非金属の炭素材料で構成した。 (もっと読む)


【課題】成膜対象物たる中空体の内面に均一にDLC膜を形成することのできる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】チャンバー内を減圧する減圧手段と、中空体内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、中空体を囲む空間を形成し、この空間内で発生した放電によって中空体内の原料ガスをプラズマ状態とする電極と、電極の外側に配置され、中間体を囲む空間内に磁場を発生させる磁場発生手段と、を備え、磁場発生手段が発生した磁場を用いて、プラズマ状態の原料ガスによって中空体の内面に膜厚が均一なダイアモンドライクカーボン膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】PCVD堆積プロセスを実施するための装置および方法を提供すること。
【解決手段】本装置は、1つまたは複数のドープされた、またはドープされていないガラス層をガラス基体チューブの内部上に被覆するものであり、内壁および外壁を有するアプリケータと、アプリケータ中に開口したマイクロ波ガイドとを含み、アプリケータは、円柱軸のまわりに延在して、内壁に隣接する導管を備え、その導管を通ってマイクロ波ガイドを介して供給されるマイクロ波が出射することができ、円柱軸の上に、基体チューブは、配置することができ、一方アプリケータは、円柱軸の上に延在する加熱炉によって、完全に囲繞される。 (もっと読む)


医薬品パッケージ手段のような容器内の製品残留物の排出し易さを改善するために、本発明は、対応する基体に疎水性コーティングを設けるために提供される。この目的のために、基体と、コーティングされた状態で基体の表面の少なくとも一部を形成する、当該基体の上に堆積されるコーティングとを備える複合材が提供される。ここで、コーティングは、元素C、O及びHを含有する化合物を含み、さらにSi、C、H以外の元素は10%未満、好ましくは5%未満の含量を有し、化合物はSiO(式中、xが最大1.2である)の組成を含む。 (もっと読む)


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