【課題】ガスバリア性、樹脂基材に対する密着性、加工性に優れた被膜を備えるポリエステル樹脂製容器を提供する。
【解決手段】ポリエステル樹脂製容器は、内面側の樹脂基材上にＳｉを含有する薄層被膜を備える。薄層被膜は、樹脂基材上にＰＩＣＶＤ法により形成された下部被膜層と上部被膜層とを備える。下部被膜層は、ＳｉとＣとＯとを含み、少なくとも７ｎｍの厚さを備え、ＨＲ−ＲＢＳデプスプロファイル分析による元素組成で、該樹脂基材表面から該上部被膜層に接する部位に向かって、Ｓｉ及びＯの含有量が増加する一方、Ｃの含有量が減少し、該樹脂基材表面から少なくとも５ｎｍの厚さの領域でＳｉの含有量が１４原子％以下である。上部被覆層は、ＳｉとＣとＯとを含み、５〜１５ｎｍの範囲の厚さを備え、ＨＲ−ＲＢＳデプスプロファイル分析による元素組成で、Ｓｉ原子数に対するＯ原子数の比が２．１〜２．５にあり、Ｃの含有量が１５原子％以下である。 （もっと読む）

断面寸法（たとえば直径）が相対的に小さい被加工物（６０）を、断面寸法が相対的に大きい被加工物（１０）内の中心に置く。これらの被加工物は電気的に接続される（６２）。ある実施例では、これら２つの被加工物の表面を同一のコーティング材料または異なるコーティング材料で同時にコーティングできる。別の実施例では、穴は、ガス分配インジェクタおよびアノードホルダとして機能する内側の金属管の長さに沿って位置する。セラミックライナを内側の金属管の中に設けてもよく、このセラミックライナ内に導電性ワイヤがある。内側の金属管（１０）をカソードとしてバイアスしてもよく、上記内側のワイヤはアノードとしてバイアスされる。ホローカソード効果が、コーティングされている１つまたは複数の表面に隣接するすべての空間に与えられる。いくつかの応用例では、コーティング中の異なる表面が異なる電圧でバイアスされる（２０）。
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【課題】 真空装置の真空容器や真空容器内部品等の真空容器類の表面全面にガス放出の少ない均質な膜を成膜する表面処理方法及び真空容器類を提供する。
【解決手段】 窒素及び酸素のうち少なくとも１種類の元素と、水素と、炭素とが含まれたシリコン化合物を原料とし、この原料を１０^−３〜１０^−５Ｐａの圧力に減圧された処理容器に気体状態で導入し、該原料によるプラズマを生成することにより、シリコン、水素と炭素及び酸素、窒素の少なくとも１種類の元素が含まれた膜を、この減圧された処理容器内に収容した被処理真空容器類の表面に堆積させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容器の内面成膜の不均一性を改善することを課題とし、とりわけ、真空成膜装置におけるガスの供給管の工夫により、成膜ガスの流動分布のムラを減らして、容器内面の膜質と膜厚を均一化することで、成膜される容器の品質向上に役立つガス供給管を提供する。
【解決手段】ガス供給系主配管のプラズマ処理側に先端配管部を有し、該先端配管部内には、主管と主管から分岐した複数の枝管と各枝管の先端に取り付けた側壁部ノズルがあって、該側壁部ノズルは主管の中心軸の回りの先端配管部外径を超えない円周上に配置され、各側壁部ノズルからの噴出ガスが、該円周上の略接線方向に回転対称の方向で噴き出すように設置する。 （もっと読む）

【課題】放射線の短い露出時間でもワークの内面を処理できる処理装置および処理方法を提供することにある。
【解決手段】ビーム（Ｐ、Ｐ’、Ｉ）と、該ビーム（Ｐ、Ｐ’、Ｉ）を発生する少なくとも１つの発生ユニット（２、２０、４１、６２）と、該少なくとも１つの発生ユニット（２、２０、４１、６２）を一回転軸線（１３、３４、４７、６３、８７、９３）の回りで回転させる駆動ユニット（４５、８６、９４）とを有し、前記少なくとも１つの発生ユニット（２、２０、４１、６２）が、発生されるビーム（Ｐ、Ｐ’、Ｉ）を、処理すべき表面（Ｏ）に向かう優先方向（Ｖ、Ｖ’、Ｖ”、Ｖ’’’、Ｖ’’’’）に指向させるように設計されている、ワーク（Ｗ）の内面（Ｏ）を処理する装置（１、２０、４０、６０、８０、９０）。 （もっと読む）

【課題】配管等に十分な長さを有する環状部材や複雑な内部形状を有する部材の内面だけに成膜処理を行うことのできるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法、及びこの方法で処理された被処理体を提供することを課題とする。
【解決手段】
電磁波を発生する電磁波発生源と、前記電磁波をプラズマ点火領域に誘導する電磁波誘導部と、前記プラズマ点火領域に誘導される電磁波により、内部空間内で電磁波励起プラズマが点火される誘電体製の真空容器と、前記真空容器に真空的に接続される内部空間を有する被処理体と、前記被処理体の内面にシースを形成するための所定電圧を前記被処理体に印加する電圧印加手段とを含み、前記被処理体の内面に形成されるシースによって前記被処理体の内部に誘導される電磁波励起プラズマを用いて前記被処理体の内面を処理する。 （もっと読む）

【課題】中空容器成膜装置のプラズマが不安定になったり成膜が不均一になるという欠点を無くするために、複数のガスの混合や切り換えの安定化を図るように、ガス供給管を改良した中空容器成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマ成膜を行う筐体とプラズマを発生させる為の高周波電源、ガス供給管及び真空排気装置を少なくとも備えて中空容器に成膜を行う装置において、ガス供給管内部に１本以上の別のガス供給管が同軸配置される形で、複数本のガス供給管を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理室内に保持された容器の内面に被膜を形成する真空成膜装置に用いるガス供給管に多量の反応生成物が付着するという現象に対して、その膜が剥がれて成膜後の容器内部に残存することを防ぐと同時に、成膜作業に支障なく付着した膜の除去作業ができるように工夫したガス供給管の構造を提供する。
【解決手段】容器内に挿入される端部にガスの噴き出しノズルを有するガス供給管があり、該ガス供給管を着脱可能に覆うように円筒パイプからなるガス供給管カバーを配する。 （もっと読む）

【課題】内外圧差によって容易に変形が生じてしまう非耐圧性プラスチック容器であって、内面の実質上全体にわたってマイクロ波プラズマＣＶＤ法によって成膜された蒸着膜を有する容器を提供する。
【解決手段】マイクロ波導入チャンバー内にプラスチック容器を配置し、該プラスチック容器内に反応ガスを導入しながら該チャンバー内にマイクロ波を導入することにより、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によって容器内面に蒸着膜が形成されている非耐圧性プラスチック容器。 （もっと読む）

【課題】 設置スペースを取ることなく、簡易な構成で、プラズマ放電を確実に行わせる。
【解決手段】 外部電極１２と内部電極（原料ガス供給管）１３との間でプラズマを発生させて、プラスチック容器に所定の処理を行う高周波プラズマ処理方法１０ａであって、高周波電極１２とアース電極１３との間に、プラスチック容器が介在しない対向部分を設けるための対向部形成部材２０を備えた。 （もっと読む）

【課題】極小径の貫通孔を有するプレートに１回のプラズマ成膜処理で薄膜を成膜するための成膜処理用治具を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜処理用治具は、貫通孔を有するアパーチャープレート１０７を挟むことにより前記貫通孔、前記アパーチャープレートの表面及び裏面を露出させた状態で前記アパーチャープレートを保持する保持部材３９と、前記保持部材が取り付けられた電極部材と、を具備する成膜処理用治具８であって、前記電極部材は、プラズマＣＶＤ装置のプラズマ電力が印加される電極に電気的に接続されるものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】遮断性および耐液性に優れ、曲げや接合を容易にすることができる管およびその製造方法、塗布装置を提供する。
【解決手段】流体を流通させる筒状の管本体Ｂの内側に、プラズマ成膜法により成膜され、前記流体に対する遮断性および耐性を有する膜Ｆが形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理対象となるプラスチック等の３次元中空容器に発生する変形を防ぐこと。
【解決手段】３次元中空容器を収納する空隙を設けた誘電体で構成される治具が内部に配置され前記３次元中空容器にプラズマ処理を行って成膜する処理槽と、前記処理槽内部にプラズマを発生させる為の高周波電源と、前記３次元中空容器内部にガス導入管を介してプロセスガスを供給するプロセスガス供給装置と、前記処理槽内部から排気を行う真空排気装置とを備え、
導電性を有する部品を前記治具の一部に配置し前記ガス導入管と接続して同電位にしたことを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、口部の内壁における着色をほぼ無色とする製品カテゴリーに対応し、かつ、炭素膜の物理化学的な安定性を有する口部極薄炭素膜コーティングプラスチック容器を提供することである。
【解決手段】本発明に係る口部極薄炭素膜コーティングプラスチック容器の製造方法は、プラスチック容器の内部空間に原料ガスを供給し、原料ガスをプラズマ化してプラスチック容器の内表面全体にプラズマＣＶＤ法によって炭素膜を成膜する炭素膜コーティングプラスチック容器の製造方法において、プラスチック容器の口部を通過する原料ガスのうち口部の中央側に主流を流し、口部の内表面側に分岐流を流し、かつ、数１によって求められるΔｂ値によって換算される分岐流による炭素膜の堆積量を、主流による炭素膜の堆積量の１／３００〜１／２とし、口部の内表面部分のみを他の内表面部分と比べて極薄に炭素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】表面全体にわたる十分な厚さの内部空洞壁のコーティングを得ることを可能にすること。
【解決手段】本発明は、ターボ機械の金属部品の高温での酸化から保護する気相堆積のアルミ被覆方法に関し、上記部品は外側からアクセスすることのできる開口部を備える空洞を含み、
この方法によれば、ハロゲンとアルミニウムを含む金属ドナーとの間の反応によってハロゲン化物が形成され、次いで、ハロゲン化物はキャリアガスによって運ばれて上記金属部品に接触し、上記金属ドナーは少なくとも部分的に上記空洞に置かれ、
金属ドナーは金属粉の混合物の圧力下の高温焼結によって得られるペレットの形である。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基材としてＰＥＴやポリオレフィンを用いた場合には勿論のこと、ポリ乳酸を用いた場合においても、酸化劣化のみならず、熱変形や熱劣化などを生じることなく成膜が可能であり、しかも酸素や水分に対するバリア性も高く、密着性に優れ、且つ水分による膜剥離も有効に防止された蒸着膜を備えたプラスチック成形品を提供する。
【解決手段】プラスチック基板１と、該基板表面にプラズマＣＶＤ法によって形成された蒸着膜３とからなり、蒸着膜３は、元素比Ｃ／Ｍ（Ｍは金属元素である）が２．５乃至１３であり且つ元素比Ｏ／Ｍが０．５以下の範囲にある有機金属系蒸着層３ａと炭化水素系蒸着層３ｂとを含み、炭化水素系蒸着層３ｂは、厚みが４０乃至１８０ｎｍの範囲にあり、且つＦＴ−ＩＲ測定で波数３２００〜２６００ｃｍ^−１の領域にＣＨ、ＣＨ_２及びＣＨ_３に由来するピークを示し、ＣＨ_２比が３５％以下及びＣＨ_３比が４０％以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 プラスチック製容器本体の内面の全面にプラズマを加速度を持って衝突させて、全面に十分なガスバリア性の薄膜を有するプラスチック製容器の製造法を提供する。
【解決手段】 外部電極と内部電極を備え、該外部電極は、プラスチック製容器本体の主要部よりやや大きめの相似形の空間を有する反応室を備え、また、該内部電極は、反応室内に配置され、かつ、内部電極は、複数の原料ガス吹き出し孔を備え、また、内部電極には原料ガス供給管が連設され、更に、反応室には真空源が排気管を介して接続され、外部電極には整合器を介して高周波電源が接続され、内部電極には原料ガス供給管を介して接地され、外部電極の周りには磁石が配置されている高周波ブラズマＣＶＤ装置を用いてプラスチック製容器本体の内面に十分なガスバリア性の薄膜を有するプラスチック製容器の製造法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】保護材料でコーティングされた開口を有する半導体処理装置部品及びその形成方法を提供する。
【解決手段】半導体処理反応器部品２００のホール２１０は、大気圧化学気相成長のような方法による保護コーティングの成膜を促進するようなサイズを有する。いくつかの実施の形態では、ホール２１０は各々、該ホール２１０を部分的に狭くし、且つ、該ホールを１つ以上の他の部分に分割するフロー狭窄２１２を有する。いくつかの実施の形態では、１つ以上の他の部分のアスペクト比は約１５：１以下であり、あるいは約７：１以下であり、円筒か円錐の横断面形状を有する。ホール２１０は、大気圧化学気相成長法を含む化学気相成長法によって、炭化けい素コーティングのような保護コーティングでコートされる。 （もっと読む）

【課題】小さい負バイアス電圧値で電磁波プラズマを発生させ、パイプのような高アスペクト比の内部形状を有する被処理部材の内部に前記電磁波プラズマを均一に伝搬させる電磁波プラズマ発生方法およびその発生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ガス供給部４０、ガス排出部４１および電磁波供給部２２が備えられたチャンバー１０と、被処理部材３にバイアス電圧を印加するバイアス印加手段３０とを具備しており、被処理部材３の中空部５にプラズマを発生させる電磁波プラズマ発生装置であって、前記電磁波供給部２２が前記チャンバー１０内を望む位置に配置され、かつ前記被処理部材３が前記チャンバー１０内に配置されるとともに、前記チャンバー１０内で発生されるプラズマ生成領域を前記中空部５内に誘導するプラズマ誘導手段１が少なくとも１つ以上備えられている電磁波プラズマ発生装置１０１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性の薄膜を有するプラスチック製容器の製造法を提供する。
【解決手段】高周波プラズマＣＶＤ装置を用い、外部電極１２内に薄膜を被着させるべきプラスチック容器本体１を配置し、プラスチック容器本体１内に内部電極１６を配置し、電極間に高周波電圧を印加し、且つ磁力線、内部電極１６の回転等によりプラズマを加速度を持ってプラスチック容器本体１の内面に衝突させ、減圧下で、反応室Ｃ内の反応性ガスの高周波グロー放電分解によりプラスチック容器本体１の内面にガスバリア性薄膜を形成する。 （もっと読む）