【課題】チャンバの出口部の内壁において、ウォールデポの発生を抑制可能なエピタキシャル成長用チャンバの冷却方法およびその装置を提供する。
【解決手段】チャンバの天井板の上面を、２枚の整流板によって入口領域部と中央領域部と出口領域部との３つに区分し、これらに冷却水を個別供給する。その際、出口領域部への冷却水の温度を中央領域部への冷却水の温度より高めるので、出口部の温度が従来より高まり、出口部の内壁で、反応ガスが内壁に接触して生成される分解生成物の堆積量が減り、入口部の内壁でのウォールデポの発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの金属汚染を防止し、かつ半導体ウェーハの内外において損傷を防止する。
【解決手段】気相成長装置１００は、加熱した半導体ウェーハ１を金属製の円板状の冷却プレート１１に近接して、半導体ウェーハ１を冷却する冷却チャンバ１０を備える。冷却チャンバ１０は、冷却プレート１１に取り付けて、半導体ウェーハ１の周縁を周方向に間隔をあけて支持する複数の支持部材１３を備える。支持部材１３は、半導体ウェーハ１が載置される円弧状の頂部が冷却プレート１１の中心に向かう支持面１３１と、支持面１３１から突出して半導体ウェーハ１の外周を部分的に囲う段差１３２を有する。円弧状の頂部は、半導体ウェーハ１が冷却プレート１１に接触しない所定の高さを設けると共に、冷却プレート１１の中心に向かって下り傾斜している。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハとサセプターとの接触部における転位発生を抑制可能なエピタキシャルウェーハの製造方法等を提供する。
【解決手段】実質的に水平状態に配されるサセプターに載置されたシリコンウェーハ基板の主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記エピタキシャル層の成長工程と、前記エピタキシャル層を備えるエピタキシャルウェーハを冷却する冷却工程と、を含み、前記冷却工程は、該エピタキシャルウェーハの外周部の温度を計測する工程と、前記サセプターの温度を計測する工程と、計測された前記外周部の温度と前記サセプターの温度との差が所定の範囲内となるように、少なくとも前記サセプター又は前記エピタキシャルウェーハを加熱できるヒータを制御する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハとサセプターとの接触部における転位発生を抑制可能なエピタキシャルウェーハの製造装置等を提供する。
【解決手段】実質的に水平状態に配されるシリコンウェーハ基板の主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造装置に用いられ、前記エピタキシャルウェーハが載置され、転位発生可能な高温にある前記エピタキシャルウェーハ及び当該サセプターを放冷したときに、前記エピタキシャルウェーハの外周部の接触部の温度と、前記接触部と接触して前記エピタキシャルウェーハを支持する当該サセプターの保持部の温度との差が、少なくとも所定の期間、３０℃以下となる熱容量を持つサセプターを提供する。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内部の温度を正確に調節できる電極部材及びこれを含む基板処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマを生成するための電極部材において、電極板と、前記電極板と熱接触する複数の熱電モジュール（１０）を備える冷却ユニットとを含んで電極部材を構成する。また、電極板は、プラズマが生成される生成空間と対向する前面及び前面と対向する後面を有し、各熱電モジュール（１０）は電極板の後面に配置される。電極板の後面には後面から陥没された設置ホールが形成され、各熱電モジュール（１０）は設置ホールに実装される （もっと読む）

化学気相成長反応器１０用の流入口要素２２は、反応器の上流から下流への方向に対して横切る面において互いに並んで延在する、複数の細長い管状の要素６４、６５から形成される。管状の要素は、ガスを下流方向に放出する入口を有する。ウェハキャリア１４は、上流から下流への軸を中心に回転する。ガス分配要素は、軸を通って延在する中央面１０８に対して非対称であるガス分布パターンを提供することができる。 （もっと読む）

本発明は、化学気相成長法を用いて基板（１４）をコーティングするデバイス、特にダイヤモンド又はシリコンで基板をコーティングするデバイスであって、複数の細長い熱伝導体（２）から構成される熱伝導体アレイが、ハウジング（１０）内に提供され、前記熱伝導体が、第１の電極（１）と第２の電極（８）との間に延在し、熱伝導体（２）が、その一端に取り付けられた緊張装置によって個別にぴんと張った状態に保持されるデバイスに関する。熱伝導体（２）の寿命を延ばすために、本発明は、緊張装置が緊張ウェイト（Ｇ）を有する傾斜アーム（５）を備え、熱伝導体（２）が前記傾斜アームの第１の端部（Ｅ１）に取り付けられ、その第２の端部がほぼ水平軸（Ｈ）周りに枢動可能に装着されることを提案する。
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本発明は、化学気相成長法を用いて基板（１４）をコーティングするデバイス、特にダイヤモンド又はシリコンで基板をコーティングするデバイスであって、複数の細長い熱伝導体（２）からなる熱伝導体アレイがハウジング（９）内に提供され、前記熱伝導体（２）が第１の電極（１）と第２の電極（６）との間に延在し、熱伝導体がその一端に取り付けられたウェイト（４）によって個別にぴんと張った状態に保持されるデバイスに関する。熱伝導体（２）の寿命を延ばすために、本発明は、ウェイト（４）によって生成されるウェイトフォース（Ｇ）のベクトルが熱伝導体（２）の長手延長方向と４５°以下の角度（α）を形成するように、ウェイト（４）又は熱伝導体（２）が第２の電極（６）に案内されて電気的ループ接触が形成されることを提案する。
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【課題】
【解決手段】プラズマ処理装置の反応チャンバ内で用いる基板支持体が開示されている。基板支持体は、ベース部材と、ベース部材の上に位置する熱伝導部材とを備える。熱伝導部材は、複数の領域を有しており、熱伝導部材の各領域は、個別に加熱および冷却される。熱伝導部材の上には、静電チャックが配置される。静電チャックは、プラズマ処理装置の反応チャンバ内で基板を支持するための支持面を有する。冷液源および温液源が、各領域の流路と流体連通している。バルブ構成は、流路内を循環する温液および冷液の混合比を調節することにより、液体の温度を独立的に制御するよう動作可能である。別の実施形態では、供給ラインおよび移送ラインに沿って配置された加熱素子が、液体源からの液体を、流路に循環する前に加熱する。 （もっと読む）

【課題】パーティクル低減効果に優れ、生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ウェハ１０を反応炉１内にロードする工程と、反応炉１内でウェハ１０に成膜を行う工程と、成膜後のウェハ１０を反応炉１よりアンロードする工程と、ウェハ１０をアンロード後、反応炉１内にウェハ１０がない状態で、反応炉１を覆って設けられた断熱カバー４１と反応炉１との間の空間に冷却媒体を流して反応炉１内温度を１０℃／ｍｉｎ以上の降温レートで降下させつつ、反応炉１内にパージガスを流して反応炉１内をガスパージする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスをシャワーヘッドの周辺部から導入した場合に、成長室の被処理基板面上のガス濃度分布を均一化することができ、成膜厚や組成比を向上させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】シャワーヘッド２０は、原料ガスが導入されるIII 族系ガス外環流路２３ａ及びＶ族系ガス外環流路２４ａと、開口付き仕切り２３ｄ・２４ｄの内側に位置する原料ガスのIII 族系ガスバッファエリア２３ｂ及びＶ族系ガスバッファエリア２４ｂと、複数のIII 族系ガス吐出孔Ｈ３及びＶ族系ガス吐出孔Ｈ５を有するシャワープレート２１とを備えている。III 族系ガスバッファエリア２３ｂには、III 族系ガスバッファエリア２３ｂの周辺部を積層方向の複数層に仕切る隔壁４０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】パーティクル低減効果に優れ、生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ウェハ１０を反応炉１内にロードする工程と、反応炉１内に成膜ガスを供給しメイン排気ライン３１を介して排気してウェハ１０に成膜を行う工程と、成膜後のウェハ１０を反応炉１よりアンロードする工程と、ウェハ１０をアンロード後、反応炉１内にウェハ１０がない状態で、反応炉１を覆って設けられた断熱カバー４１と反応炉１との間の空間に冷却媒体を流して反応炉１内を強制冷却しつつ、反応炉１内にパージガスを流しメイン排気ライン３１より分岐して設けられたハイフローベントライン３２を介して排気して反応炉１内をガスパージする工程と、を有する。 （もっと読む）

基板処理装置において、紫外線ランプ用のリフレクタを用いることができる。リフレクタは、紫外線ランプの長さに延在する長手方向のストリップを備える。長手方向のストリップは湾曲した反射面を有し、かつ冷却ガスを前記紫外線ランプに方向付けるために複数の貫通孔を備える。リフレクタを備えた紫外線ランプモジュールを使用するチャンバ、および紫外線処置の方法も記載される。
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プラズマ強化型プロセスチャンバ内の部品の温度を調節するための方法及び装置が、本明細書内に提供される。いくつかの実施形態では、基板を処理するための装置は、プロセスチャンバと、プロセスチャンバ内でプラズマを形成するためにＲＦエネルギーを供給するＲＦ源を含む。プラズマが形成されたときに、プラズマによって加熱されるような部品が、プロセスチャンバ内に配置される。ヒーターは、部品を加熱するために構成され、熱交換器は、熱を部品から取り除くために構成される。チラーは、オン／オフ流量制御バルブを中に配置し、及び流量制御バルブを迂回させるバイパスループを有する第１フローコンジットを介して熱交換器に結合され、バイパスループは、流量比バルブを中に配置する。
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気相エピタキシーシステムは、気相エピタキシーのための基板を支持する圧盤と、ガス注入器と、を含む。ガス注入器は、第１の前駆体ガスを第１の領域へ注入し、第２の前駆体ガスを第２の領域へ注入する。第１の前駆体ガス分子が電極に近接して流れるように、少なくとも１つの電極が第１の領域に位置付けられる。少なくとも１つの電極は、第２の前駆体ガスの流れから実質的に隔離されるように位置付けられる。電源は、少なくとも１つの電極に電気的に接続される。電源は、少なくとも１つの電極に近接して流れる第１の前駆体ガス分子のうちの少なくとも一部を熱的に活性化し、それにより、第１の前駆体ガス分子を活性化するよう、少なくとも１つの電極を加熱する電流を生成する。
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【課題】クリーニングによる損傷を防止することができる半導体製造装置及びそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ＬＰＣＶＤ装置１において、処理チャンバー１１を設け、処理チャンバー１１の外部に配置され、水素ガスとフッ素ガスとを反応させてフッ化水素ガスを生成すると共に、このフッ化水素ガスを冷却する反応冷却手段２５を設ける。そして、反応冷却手段２５によって冷却されたフッ化水素ガスを、クリーニングガスとして処理チャンバー１１の内部に供給する。 （もっと読む）

【課題】 処理室における載置台の降温効率を高め、降温時間を短縮できる方法を提供する。
【解決手段】 真空側搬送装置３１を用い、ロードロック室５ａ内で冷却されたウエハＷを処理室１ｂへ搬送し、処理ステージ２ｂへ移載する。処理室１ｂ内では、シャワーヘッド２０からのクーリングガスと、ウエハＷによる吸熱により、処理ステージ２ｂの降温が促進される。所定時間経過後、真空側搬送装置３１によって、処理室１ｂのウエハＷをロードロック室５ａに再び戻し、待機ステージ６ａに載置することにより冷却する。このサイクルを複数回繰り返し実施することにより、処理室１ｂの処理ステージ２ｂの降温速度を加速させる。 （もっと読む）

【課題】反応管の経路を長く確保することができるうえ、その内部を通過する際に発生す
る遠心力により原料溶液を分散したキャリアガスが通過方向と交差する方向に攪拌される
ことにより満遍なくヒータからの輻射熱による気化を促進することができる気化方法を提供
する。
【解決手段】螺旋状の反応管１０３に液体若しくは粉体からなる原料溶液を分散したキャ
リアガスが上流側から供給され、反応管１０３内を通過する原料溶液を分散したキャリア
ガスがヒータ１０４の輻射熱により気化される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマ処理装置に関し、より詳しくは、上部電極の温度を精密に制御することができるプラズマ処理装置に関する。
【解決手段】本発明によるプラズマ処理装置は、真空チャンバと、上記真空チャンバの内部下側に備えられ、基板を載置する下部電極と、上記真空チャンバの内部上側に備えられる上部電極と、上記上部電極を冷却する冷媒が流れる冷媒流路が形成された冷却板とを備え、上記冷媒流路は、上記上部電極の複数の領域を担当するように複数個形成され、上記複数の冷媒流路は、相互連結せずに別個に形成される。 （もっと読む）

【課題】気密シールに用いられるＯリングを熱から有効に保護できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】その内側で基板２００が処理される反応管２０５と、少なくとも基板２００が処理される箇所を加熱する加熱手段２０６と、反応管２０５を取り付けるインレットフランジ２０９と、反応管２０５とインレットフランジ２０９を気密にシールするＯリング２２０ａと、反応管２０５およびインレットフランジ２０９の少なくとも一方に気体を吹き付け、反応管２０５およびインレットフランジ２０９の少なくとも一方を介してＯリング２２０ａを冷却する気体吹き付け手段２１５、２２６を備える。 （もっと読む）