【課題】真空処理室において高温で処理されたウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理システムを提供する。
【解決手段】複数の試料が収納されたカセットを設置したカセット台と、前記試料を搬送する大気搬送室と、前記大気搬送室から搬送された前記試料を収納し大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替え可能なロック室と、前記ロックに連結された真空搬送室と、前記真空搬送室を介して搬送された前記試料を処理する真空処理室とを備える真空処理システムにおいて、少なくとも１つの前記真空処理室で処理された前記試料を第一の温度に冷却する冷却室と、前記冷却室で冷却された前記試料を第二の温度に冷却する冷却部とを備え、前記冷却部は、前記大気搬送室に配置され、前記冷却室で冷却された前記試料を前記第二の温度に冷却する冷却手段を有することを特徴とする真空処理システムである。 （もっと読む）

【課題】特に真空処理装置において、被処理体を破損することなく略均一に被処理体を加熱できるようにした被処理体の加熱冷却方法を提供する
【解決手段】基板ステージ２に設けた正負一対の吸着電極１４ａ乃至１４ｄ間に所定の電圧を印加して基板Ｗを静電吸着し、基板ステージ２に組み込んだ加熱手段または冷却手段により基板を所定の温度に加熱または冷却する。基板の温度が所定の温度に達するまでの間に、この吸着電極の印加電圧を三角パルス状に変化させ、この印加電圧が低くなるときに吸着電極と被処理体とを実質的に縁切りする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットが磁性体・非磁性体であるに関わらず、ターゲット上に均一な平行磁場分布を形成し、均一なエロージョンが得られ、ターゲットの広幅化やスパッタ薄膜形成速度向上あるいはＣＶＤ成膜速度向上の効果が得られる放電電極及び放電方法を提供する。
【解決手段】平板ターゲットを有する放電電極において、前記平板ターゲットの表面側の両側縁に沿うように設けられ、前記平板ターゲットを隔てて対向する磁性体と、該磁性体を隔てて前記平板ターゲットの反対側に前記磁性体と組み合わせて設けられ前記平板ターゲットを隔てて異極性の関係であるターゲット上部磁石を有することを特徴とする放電電極。 （もっと読む）

【課題】基板面内均一性を保ちながら原料利用効率を向上させ、かつ半導体製造コストを削減させた半導体薄膜製造装置及び窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】温度特性調整機構４０により、サファイア基板７の対向面の反応炉壁面を５００〜７００Ｋ（より望ましくは５５０〜６５０Ｋ）に制御すると基板上流からの距離に対するＧａＮ成長レートの特性が最も線形に近く基板面内均一性を保つことができる。そして、この範囲では原料利用効率も３７．５％程度と高い。原料反応領域Ａにおいて、下方からの温風を温度特性調整機構４０により調整して原料反応領域Ａにおけるガスの流れを安定かつ一様にさせる。その結果、基板面内均一性を保ちながら原料利用効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長過程でサセプタに付着した膜を除去し、製造歩留まりを向上させることのできる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】サセプタＳに載置されるウェハＷ上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する成膜室２と、サセプタＳが搬送される搬送用ロボット１７を有する搬送室４を介して成膜室２に連結され、サセプタＳに付着したＳｉＣ膜を除去するクリーニング室５とを有する。クリーニング５室は、サセプタＳを４００℃以上の温度で加熱するヒータ２０８と、サセプタＳの上方からエッチングガスを供給してＳｉＣ膜を除去するエッチングガス供給手段とを備える。クリーニング室５は、サセプタＳの表面にＳｉＣ膜を形成する再生室を兼ねる。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、コイルは複数の導体棒３を接続したもので、石英管４の内部に配置されており、石英管４の内側の半円柱部分が筒状チャンバ内部の空間７に露出する。導体棒３と石英管４の内部に水が流れることによって石英管４と導体棒３が冷却される。プラズマ噴出口１２からプラズマを基材２に照射することにより、基材２上の薄膜１６をプラズマ処理することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ成膜後の降温時におけるスリップ発生を抑え、歩留り、信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室内にウェーハを搬入し、支持部材上に載置し、ウェーハの表面に、ソースガスを含むプロセスガスを供給し、ウェーハを第1の回転数で回転させながら、ヒータの出力を制御して所定温度に加熱することにより、ウェーハの表面に成膜を行い、ソースガスの供給を止め、ウェーハの回転数を、ウェーハのオフセットバランスを保持可能な第２の回転数に降下させるとともに、ヒータの出力を止め、第２の回転数で回転させながらウェーハを降温させる。 （もっと読む）

【課題】大型の基板にも安定したプラズマ処理を行え、かつプラズマ処理基板の生産量を向上させることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】平行に対向配置され、その間にプラズマが生成されるリッジ電極２１ａ，２１ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、その長さ方向両端に隣設され、高周波電源５Ａ，５Ｂを放電室２に伝送してプラズマを発生させる一対の変換器３Ａ，３Ｂと、プラズマ処理前の基板Ｓをリッジ電極２１ａ，２１ｂの所定位置に送り込み、プラズマ処理後の基板Ｓをリッジ電極２１ａ，２１ｂの所定位置から送り出す基板搬送装置４４と、高周波電力を供給する高周波電源５Ａ，５Ｂと、リッジ電極２１ａ，２１ｂと基板Ｓとの間の気体を排気する排気手段とを有し、リッジ電極２１ａ，２１ｂの幅方向(Ｈ方向)の寸法を、長さ方向(Ｌ方向)の寸法よりも大きく設定し、基板Ｓの搬送方向Ｃを、リッジ電極２１ａ，２１ｂの幅方向Ｈに沿わせた。 （もっと読む）

【課題】設置スペースが少なくて済み、装置構成を簡素化することができる温度調節手段を備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板にプラズマ処理を施すチャンバ１１と、チャンバ１１内で、基板を載置するサセプタ１２と、サセプタ１２と処理空間Ｓを隔てて対向するように設けられたシャワーヘッド１４と、処理空間Ｓに高周波電力を印加してプラズマを発生させる高周波電源１５と、温度調節面としてのサセプタ１２の表面１２ａの裏面１２ｂに水の濡れ面を形成する水吹きつけ装置１６と、水の濡れ面を周囲の雰囲気から隔離する蒸発室１７と、蒸発室１７内の圧力を調整する圧力調整装置１８、１９とを備えた基板処理装置において、圧力調整装置１８、１９によって蒸発室１７内の圧力を調整して濡れ面を形成する水を蒸発させ、水の蒸発潜熱を利用してサセプタ１２の表面１２ａの温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】バッチ処理することが可能で、スル−プットの向上が可能で、しかも、コンパクト化と省エネルギ−化が可能な加熱・冷却装置
【解決手段】互いに非連通の複数の基板収容室２３、３５と、これら複数の基板収容室に加熱ガス又は冷却ガスを導入する加熱冷却制御手段５０とを備え、加熱冷却制御手段は、複数の基板収容室の各々を個別に温度制御可能である。 （もっと読む）

【課題】混合室の大きさを調整して、様々な条件の成膜に対応する。
【解決手段】気相成長装置１は、反応炉１４内の被処理基板１５を載置するための基板保持部材１６に対向して配置されて被処理基板１５に向かって第１ガスを供給するために設けられたシャワープレート２と、シャワープレート２に対して基板保持部材１６の反対側に配置されて被処理基板１５に向かって第２ガスを供給するために設けられたシャワープレート３とを備え、シャワープレート２には、被処理基板１５に向かって第１ガスが流れるガス流路４ａが形成されており、シャワープレート３は、被処理基板１５に向かって第２ガスを流すために設けられてシャワープレート３から突出してガス流路４ａの内部に挿入されたガス導管５を有しており、ガス導管５は、シャワープレート３に着脱可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、装置の小型化を図りつつ加熱装置の寿命を長くし、炉内温度を迅速に低下させてスループットを向上させることができる基板処理装置、半導体装置の製造方法及び加熱装置を提供することにある。
【解決手段】筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた断熱部と、前記発熱部を囲繞する様に前記断熱部の上方側に設けられ、前記円筒空間に接続された冷却ガス導入部と、前記冷却ガス導入部の略中央部から直径方向に向けて前記冷却ガス導入部と略同じ高さに設けられた冷却ガス排出部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、化学気相蒸着装置及びこれを利用する半導体エピ薄膜の製造方法に関する。
【解決手段】本発明に係る化学気相蒸着装置は、所定のサイズの内部空間を有する内部管と当該内部管を覆って気密を維持する上部管とを有する反応チャンバーと、上記内部管内に配置され複数のウエハが所定の間隔に積載されて備えられるウエハホルダーと、上記ウエハの表面に半導体エピ薄膜を成長させるように上記反応チャンバー内部に外部からの反応ガスを供給する少なくとも一つのガスラインと当該ガスラインと連通して当該反応ガスを上記ウエハのそれぞれに噴射する複数の噴射ノズルとを有するガス供給部とを含み、上記ウエハの表面に成長される上記半導体エピ薄膜は、第１の導電型半導体層、活性層、第２の導電型半導体層の順に形成された発光構造物を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】カーテンガス量を低減した大気圧プラズマ処理装置を得る。
【解決手段】電力印加される第1電極11aと接地した第2電極11bと電極間にあり基板19に反応ガス2を供給する反応ガス路16と反応ガス路と電極の外に配置された排気流路18a,18cと反応ガス路と電極と排気流路の外に反対側に配置されカーテンガス3を供給する第1,第2カーテンガス供給路17a,17cを備えたヘッド1と、ヘッドに向け基板を保持する接地したステージで第1から第2カーテンガス供給路の方向に移動可能なステージ20を備え、電極間が電界発生状態で反応ガスを供給しプラズマ処理する大気圧プラズマ処理装置200であり、反応ガス量より排気4の量を多くそれよりカーテンガス総量を多くし、ステージを移動させプラズマ処理する際は静止時に比べてカーテンガス総量を増やさずに第1カーテンガス供給路からのカーテンガス量を増やし第2カーテンガス供給路からのカーテンガス量を減らす制御手段50を備える。 （もっと読む）

【課題】従来よりも加工時間を短縮でき、且つ流路のリークや汚染を抑制することができる流路付きプレート等を提供する。
【解決手段】流路付きプレートは、流体を流通させる流路がプレートの内部に形成された流路付きプレートであって、金属又は合金によって形成され、流路となる溝が設けられた本体プレートと、上記溝を覆う蓋プレートと、金属又は合金の粉体をガスと共に加速し、本体プレート及び蓋プレートに向けて固相状態のままで吹き付けることにより形成され、蓋プレートを覆う堆積層とを備える。 （もっと読む）

【課題】 加熱装置全体としての断熱性を維持しながら、昇温時、温度安定時間の短縮と急冷時間の短縮を図る加熱装置を提供すること。
【解決手段】筒状の側壁内に基板を処理する処理室を設け、この側壁に支持されると共に基板を加熱する発熱体２０を備えた加熱装置である。側壁内層５０、側壁中層６０及び側壁外層７０で区切られた二つの空間が形成される。発熱体２０を取り付ける側壁内層５０と側壁中層６０との間の第一の空間Ｓ１には冷却媒体流通通路１４が形成される。側壁中層６０と側壁外層７０との間の第二の空間Ｓ２には断熱材６３が封入されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガスの流速、濃度を、被処理基板面内或いは基板間の膜厚の変動に対して、領域ごとに制御を行うことが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】側壁面のガス導入口２０・２１から原料ガスが導入されるガス室２０１・２１１と、成長室１１とを備え、ガス室２０１・２１１の内部には、当該内部を積層方向に複数に区画し且つガスが通過可能な開口２６１’・２６２’が形成された１つ以上の仕切り板２６１・２６２と、各仕切り板に対して、一端が当該仕切り板の開口２６１’・２６２’を含む底面に取り付けられ且つ他端がガス室２０１・２１１の最下流層の端部まで延伸されて、ガスの流れを積層方向に垂直な方向に分割する隔壁２７とが設けられ、隔壁２７により分割された最下流層の領域ごとに、ガス整流室２１２・２７２及び当該ガス整流室を経たガスを成長室１１に吐出するガス吐出口が設けられている。 （もっと読む）

【課題】高周波電極の温度分布の温度勾配を少ない状態に保ち、高周波電極の歪みを抑制する。また、プラズマＣＶＤ成膜装置のメンテナンスにおいて、メンテナンス操作を簡易なものとし、メンテナンスに要する時間を短縮する。
【解決手段】高周波電極の熱放射の放射効率を高めることによって高周波電極を冷却し、これによって高周波電極に温度分布の均一性を向上させる。本発明の高周波電極は、放電面と反対側の背面に熱放射の放射率を高める表面処理を施し、背面に熱放射の放射率を高める表面処理を施すことによって、高周波電極の熱放射による冷却効率を高める。熱放射は高周波電極から一様に行われるため、高周波電極は一様に冷却され、高周波電極の温度分布は均一となる。 （もっと読む）

【課題】ポンプを用いて基台内を循環させる液体を貯留するタンク内の液面が変化してもタンク内の液面を一定の範囲に維持してポンプに起因する脈動を常に確実且つ安定的に軽減することができる脈動軽減装置及び検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の脈動軽減装置１６は、循環配管１２に接続されて空間部を残して冷媒を貯留する第２タンク１６Ａと、第２タンク１６Ａ内の冷媒の液面を検出する第１、第２液面センサ１６Ｂ、１６Ｃと、第１、第２液面センサ１６Ｂ、１６Ｃに電気的に接続され且つこれらのセンサ１６Ｂ、１６Ｃからの検出信号に基づいて作動する空気制御装置１６Ｄと、を備え、第２タンク１６Ａの空間部を満たす空気等の気体がポンプ１３から冷媒を吐出する際の脈動を軽減する緩衝体として働くように構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反応炉にて成膜を開始した直後から、排気トラップによるリンの捕集効率を高くできる成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明にかかる成膜装置は、リンを含む排気ガスを排出する反応炉と、ハウジングと、該ハウジングの内部に該排気ガスを導入する排気ガス導入口と、該ハウジングの内部から該排気ガスを導出する排気ガス導出口と、該ハウジング内に設けられ該排気ガス中のリンを凝固付着させる金属製の冷却コイルと、を有する排気トラップと、該冷却コイルを冷却する冷却装置と、該ハウジング内部の排気ガスを密閉するように設けられたバルブと、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）