【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、全体としてコイルをなす銅棒３が、石英ブロック４に接合された石英管１２内に配置され、石英ブロック４は、石英管１２及び石英管１５内を流れる水によって冷却される。誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。長尺チャンバのチャンバ内部空間７にガスを供給しつつ、銅棒３に高周波電力を供給して、長尺チャンバのチャンバ内部空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】反応ガスを供給するノズルが詰まる現象を緩和して工程効率及び生産性を向上させた半導体エピ薄膜の成長方法及びこれを用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体エピ薄膜の成長方法は、ウェハーホルダーに積載された複数のウェハーを反応チャンバの内部に配置する段階と、ウェハーの積載方向に沿って延長されて備えられたガス供給部を通じて塩素系有機金属化合物を含む反応ガスをウェハーに噴射し、各ウェハーの表面に半導体エピ薄膜を成長させる段階と、を有する。 （もっと読む）

【課題】原料コストを抑制しつつ、磁場中の臨界電流特性をさらに向上する。
【解決手段】１層あたりの熱容量が０．４Ｊ／ｈ以上２．０Ｊ／ｈ以下となるように、長尺状の基材１１を加熱する加熱工程と、ＣＶＤ法を用いて加熱状態の基材１１上に酸化物超電導体を成膜する成膜工程と、基材１１を冷却する冷却工程とを順に繰り返して、多層膜の超電導層１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】断熱材の断熱性能を向上させるとともに断熱材の厚みの増加を抑える。
【解決手段】熱処理炉２は被処理体Ｗを収容して熱処理するための処理容器３と、該処理容器３の周囲を覆う断熱材１６と、断熱材１６の内周面に設けられ被処理体Ｗを加熱するヒータ５とを備えている。断熱材１６は通常の断熱材料からなる内側断熱材１６ａと、圧縮された微粉シリカ材からなる外側断熱材１６ｂとを有し、外側断熱材１６ｂの外面は飛散防止材１６ｃにより覆われている。 （もっと読む）

【課題】発生したプラズマ励起ガスを効率的に取り出すことができる、簡易な構成のプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置は、電極セルと、当該電極セルに交流電圧を印加する電源部１７と、前記電極セルを囲繞する筐体と、当該筺体外部から前記電極セルの外周部へと原料ガスを供給する原料ガス供給部とを、備えている。前記電極セルは、低圧電極１と高圧電極３と誘電体２ａ，２ｂとを備え、誘電体バリア放電空間６を有し、貫通口ＰＨを有するドーナツ形状である。また、プラズマ発生装置は、貫通口ＰＨの内部に配設されている円筒形状の側面部に噴出孔２１ｘを有する絶縁筒部２１と、絶縁筒部２１の空洞部２１Ａ内の圧力を減圧する、減圧装置とをさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＣＶＤ装置の大型化にも対応でき、膜厚や組成比が均一の良質なデバイスの製造が可能なシャワープレート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 気相成長装置に用いるシャワープレートの製造方法であって、第一構成部材及び第二構成部材にザグリ孔及び貫通孔を設ける工程と、前記第一構成部材のザグリ孔に前記ガス吐出パイプを差し込む工程と、第二構成部材のザグリ孔に前記第一構成部材に差し込まれた前記ガス吐出パイプの他端が前記第二構成部材から突出するように差し込む工程と、前記第一構成部材のザグリ孔と、前記ガス吐出パイプを溶接する第一溶接工程と、前記第二構成部材のザグリ孔と、前記ガス吐出パイプを溶接する第二溶接工程と、前記第一構成部材と前記第二構成部材を溶接する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】断熱構造体やプロセスチューブ全体を均一に急冷可能とする。
【解決手段】縦置きの加熱装置に使用される断熱構造体４２であって、円筒形状に形成された側壁部４３を有し、該側壁部４３が内外複数層構造に形成されており、該側壁部の複数層のうちの外側に配置された側壁外層４４の上部に設けられる冷却ガス供給口７４と、前記側壁部の複数層のうちの内側に配置された側壁内層４５と前記側壁外層との間に設けられる冷却ガス通路４７と、前記側壁内層の内側に設けられる空間７５と、前記冷却ガス通路から前記空間へ冷却ガスを吹出すように、前記側壁内層の前記冷却ガス供給口より下方に設けられる複数の吹出孔７８と、前記側壁内層の内周面の前記吹出孔の対向する位置に設けられ、前記冷却ガス通路側から前記空間側に向けて開口面積が広くなるように形成される切欠部７９と、を有する断熱構造体。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型、Ｎ型（Ｉ型）結晶を別々に形成する２チャンバ方式により、Ｍｇのドーピングに伴う遅延効果およびメモリ効果を抑制し、エピタキシャル成長時間を短縮したＭＯＣＶＤ装置およびその成長方法、上記のＭＯＣＶＤ装置を適用して形成した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】水冷機構を備えるコールドウォール構造を備え、ガスの流れはウェハ８の表面に対して水平方向であり、Ｐ型層成長とＮ型（Ｉ型）層成長ではそれぞれ別のＮ型（Ｉ型）層成長用チャンバ１４・Ｐ型層成長用チャンバ１６で成長するように構成され、ウェハ８を保持するサセプタも別々のＮ型層成長用サセプタ３・Ｐ型層成長用サセプタ５を使用するＭＯＣＶＤ装置およびその成長方法、上記のＭＯＣＶＤ装置を適用して形成した半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】低透過性の高いガスバリアフィルムを成膜することが可能な成膜装置、成膜方法を提供すること、および低透過性の高いガスバリアフィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】成膜装置１は、基材８１の成膜面８１０にガスバリアフィルム８２を成膜する。成膜装置１は、基材８１が配置されるプラズマ生成室２０と、プラズマ生成室２０に露出する誘電体２１と、を有する減圧容器２と、プラズマ生成室２０に原料ガスを供給する原料ガス供給部５０と、プラズマ生成室２０にキャリアガスを供給するキャリアガス供給部５１と、マイクロ波ＭＷをプラズマ生成室２０に導入するスロットアンテナ３と、誘電体２１と基材８１との間に配置され負のバイアス電圧が周期的に印加される加速部材４と、ガスバリアフィルム８２を成膜する際に基材８１を冷却する冷却部材４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単なプラズマ成膜方法及び装置、より具体的には、危険な原料ガスを用いる必要がなく、高速に成膜が可能なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が、シリコンを表面にコーティングした石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射することで解決できる。 （もっと読む）

【課題】マスク板をフィルム表面と接触させずに成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】
円筒部材１２の外周に沿って配置された複数の成膜部は、第一、第二の仕切板２１、２２の間の成膜空間２３を真空排気する真空排気部２４と、成膜空間２３に原料ガスを放出する原料ガス放出部２５と、原料ガスをプラズマ化するプラズマ生成部２６と、第一、第二の仕切板２１、２２に架設され、表面が円筒部材１２の外周側面と対向されたマスク板２７とをそれぞれ有しており、円筒部材１２の外周側面に裏面が密着し、円筒部材１２の回転に伴って、各マスク板２７の開口２８と対面しながら走行するフィルム５１の表面に薄膜を形成する。各成膜空間２３の外側に副ガスを放出する副ガス放出部３１を有し、各マスク板２７の円筒部材１２と対面する部分には排気口３２が形成され、マスク板２７と円筒部材１２との間の気体を排気口３２から排気する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成する膜の厚さの均一性を制御することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的としている。
【解決手段】基板を処理するアウタチューブと、前記アウタチューブ内に収容された基板を基板の外周側から光加熱する加熱装置と、前記加熱装置が光加熱する基板の外周近傍に流体を流すことにより、基板の外周側を冷却する冷却装置と、前記アウタチューブ内の温度を検出する温度検出部と、前記温度検出部が検出する温度に基づいて、前記加熱装置により前記基板を光加熱すると共に前記冷却装置により前記基板の外周側を冷却することで前記基板の中心側の温度を所定温度に維持しつつ該基板の中心側と前記基板の外周側とに温度差を設けるように前記加熱装置および前記冷却装置を制御する制御部と、を有する （もっと読む）

【課題】チャンバ外部に配置した磁極の加熱防止を実現しつつ、被誘導加熱部材を効率良く加熱することのできる誘導加熱装置を提供する。
【解決手段】プロセス室を構成するチャンバ１２と、チャンバ１２の外周であってチャンバ１２を構成するハウジング２６に設けられた開口部４２を遮蔽する磁気透過性遮蔽板４６に近接配置された磁極３２，３４と、磁極３２，３４に巻回された誘導加熱コイル３６，３８とを有する誘導加熱装置１０において、磁気透過性遮蔽板４６と磁極３２，３４との間に、磁気透過性遮蔽板４６よりも熱伝導率の高い冷却板４８と、冷却板４８を冷却するための冷媒を挿通可能な冷却管５０とを設け、冷却板４８を磁気透過性遮蔽板４６に密接させると共に冷却板４８の少なくとも一部に冷却管５０を密接させ、冷却板４８と磁極３２，３４との間には空隙を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャンバ外部に磁極を配置した場合であっても、隔壁に設けた開口部の縁部からの発熱を抑制することのできる誘導加熱装置を提供する。
【解決手段】プロセス室を構成するチャンバ１２と、チャンバ１２の外周であってチャンバ１２を構成する導電性の隔壁部材であるハウジング２６に設けられた開口部４２を遮蔽する磁気透過性遮蔽板４６に近接配置された磁極と、前記磁極に巻回された誘導加熱コイルとを有する誘導加熱装置１０において、１つの前記開口部４２に対して、少なくとも２つの磁極３２，３４を設け、２つの磁極３２，３４の極性を逆極性としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電磁波を入射する入射窓の冷却ムラを抑制し、かつ、冷却に使用する空気流量を減らすことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】アンテナ１５からの電磁波をチャンバ内部に入射する入射窓（天井板）を有するプラズマ処理装置において、アンテナ１５の上方に、入射窓（天井板）を冷却する空気を供給する噴出孔３１ａ〜３１ｆを複数設けると共に、噴出孔３１ａ、３１ｂ、３１ｄ、３１ｅを、アンテナ１５の周囲で密に配置した。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクとして好適に用いられるアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。また、半導体装置における保護膜や封止膜に適したアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気形成領域を内部に有するチャンバーを備えるCVD装置を用意し、チャンバー内圧を6.66Pa以下、バイアス印加手段を介して成膜用の基体を設置するステージに印加するバイアスを100〜1500W、基体の成膜時の基体温度を200℃以下、成膜用の原料ガスの流量を100〜300cc/min.（0℃、大気圧）、プラズマ雰囲気を形成するための希ガスの流量を50〜400cc/min.（0℃、大気圧）とし、基体をプラズマ雰囲気に対面させ、基体上にアモルファスカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長のような１５００℃から１７００℃といった超高温での処理を行う場合に、成膜ガスをマニホールドの耐熱温度まで低下させると共に、膜質均一性を向上させ得る基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板１４の処理を行う反応室４４と、複数の基板１４を保持する基板保持具１５と、反応室４４内に設けられ、反応室４４内の成膜ガスが流れる流路より狭い流路を形成する熱交換部３４と、を備え、基板保持具１５の最下部に保持された基板よりも下方に空間３４０を有する基板処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】空隙に供給されたガスを被処理基板に接触させ、該被処理基板の温度を制御するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理槽１０１と、処理槽１０１内に配され、基板１０２を一面に接して載置する支持部材１０３と、処理槽１０１外に配されたガス供給手段１０４から、支持部材１０３と基板１０２との間の空隙１０３Ｄ内へ、ガスを供給する流路１０５と、を有し、空隙１０３Ｄは、空隙１０３Ｄを通してプラズマ処理槽１０１内にガスを誘導するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、トレイを高効率で冷却する。
【解決手段】トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面１５ｃを支持するトレイ支持面２８と基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、静電吸着用電極４０，２０２，２０４を内蔵している。トレイ１５がトレイ支持面２８に載置されると、基板載置部２９Ａ〜２９Ｄの上端面である基板載置面３１に基板２が載置される。基板２は静電吸着用電極４０，２０４により基板載置面３１に静電吸着され、トレイ１５は静電吸着用電極２０２，２０４によりトレイ支持面２８に静電吸着される。冷媒循環装置６１により誘電体板２３が冷却される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、発熱体ＣＶＤ法を用いて、プラスチック成形体の表面に、プラスチック成形体との高い密着性（特に、耐水性）を有するガスバリア薄膜を形成する方法を提供することである。
【解決手段】本発明に係るガスバリア性プラスチック成形体９０の製造方法は、プラスチック成形体９１の表面に、発熱体ＣＶＤ法で、構成元素としてＡｌ及びＯを含有するガスバリア薄膜９２を形成するガスバリア性プラスチック成形体の製造方法において、プラスチック成形体を収容した真空チャンバ６の内部に、水素ガスを供給して、プラスチック成形体の表面を還元する水素処理工程と、Ａｌ源原料ガスを供給して、Ａｌ源原料ガスを発熱した発熱体に接触させて、Ａｌ源原料ガスを分解して化学種を生成させ、プラスチック成形体の表面に化学種を到達させることによって、ガスバリア薄膜を形成する成膜工程とを有する。 （もっと読む）