【課題】本発明の目的は、発熱体ＣＶＤ法を用いて、プラスチック成形体の表面に、プラスチック成形体との高い密着性（特に、耐水性）を有するガスバリア薄膜を形成する方法を提供することである。
【解決手段】本発明に係るガスバリア性プラスチック成形体９０の製造方法は、プラスチック成形体９１の表面に、発熱体ＣＶＤ法で、構成元素としてＡｌ及びＯを含有するガスバリア薄膜９２を形成するガスバリア性プラスチック成形体の製造方法において、プラスチック成形体を収容した真空チャンバ６の内部に、水素ガスを供給して、プラスチック成形体の表面を還元する水素処理工程と、Ａｌ源原料ガスを供給して、Ａｌ源原料ガスを発熱した発熱体に接触させて、Ａｌ源原料ガスを分解して化学種を生成させ、プラスチック成形体の表面に化学種を到達させることによって、ガスバリア薄膜を形成する成膜工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。
【解決手段】
具体的には、この方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応器内の隔離弁取付具上の不要な材料の形成を実質的に防止することに関する。特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ₃及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】製膜処理のタクトタイムが短い場合であっても、アンロード室で基板の温度分布が少ない状態とし、基板のそり変形や破損を抑制することができる基板冷却方法、基板冷却装置および製膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】減圧環境下において高温条件で表面に製膜処理が施された基板７を、減圧環境下でアンロード室に受け入れて、基板７の少なくとも一方の面側から、基板７の中央部に冷媒を噴き付けて基板７の冷却を行う第１基板冷却工程と、該第１基板冷却工程を経た基板７をアンロード室から搬出した後に、基板７の一方の面の反対側から、第１基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離内側に冷媒を噴き付けて、あるいは、第１基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離外側に冷媒を噴き付けて基板の冷却を行いながら基板の面内温度分布を補正する第２基板冷却工程と、を備える基板冷却方法。 （もっと読む）

【課題】 シリコン膜の結晶成長の速度を速くする技術を提供する。
【解決手段】 気相成長装置１０は、気相成長室３６と、加熱室８と、混合室３８と、トリクロロシランガスを貯蔵する第１貯蔵庫４２と、塩酸ガスと反応するシラン系ガスを貯蔵する第２貯蔵庫４０を備えている。加熱室８は、第１貯蔵庫４２と混合室３８に連通しており、トリクロロシランガスを加熱した後に混合室３８に供給している。混合室３８は、第２貯蔵庫４０と気相成長室３６に連通しており、加熱室８から供給されたガスとシラン系ガスを混合させて、その混合ガス３４を気相成長室３６に供給している。加熱室８の室内温度は、混合室３８の室内温度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】 基板を降温させる際の放熱を促進させて基板処理の生産性を向上させたり、成膜時における処理室内での異物の発生を抑制して基板処理の品質を向上させたりする。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、処理室内に収容され、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体と、処理室内で基板保持体を下方側から支持する断熱部と、処理室内で基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部と、加熱部を加熱する加熱部と、少なくとも処理室内の断熱部の収容領域に所定のガスを供給するガス供給系と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高温条件下で熱処理を行う基板処理装置において、排気コンダクタンスの低下や副生成物の形成を抑制しつつ、排気ガスの温度を低下させる。
【解決手段】基板が搬入され処理される処理室と、処理室内に搬入された基板を加熱する加熱部と、処理室内へ処理ガスを導入する処理ガス導入部と、処理室へ接続され処理室内の雰囲気を排気ガスとして排気する排気ポートと、排気ポートのガス流れ下流側に接続されたガス排気配管と、ガス排気配管のガス流れ下流端に接続された真空ポンプと、ガス排気配管において排気ポートと真空ポンプとの間に設けられた圧力制御バルブと、排気ポートと圧力制御バルブとの間に設けられ排気ガスを通しつつ冷却する排気ガス冷却装置とを備えた基板処理装置において、排気ガス冷却装置は、内管と外管を有し、内管内部に排気ガスを通し、内管と外管の間の空間に冷却媒体を流すようにする。 （もっと読む）

【課題】真空気化冷却に必要な熱媒体を削減し、高効率に被冷却部材を冷却することができる冷却機構及び冷却方法を提供する。
【解決手段】被冷却部材の温度を目標温度に冷却する冷却機構６に、前記被冷却部材に対して熱的に接続された減圧室６０と、減圧室６０の内面に前記目標温度以下の液相の熱媒体を噴霧する噴霧部６４と、噴霧部６４から噴霧された熱媒体を減圧室６０の内面に付着させるための電界を発生させる電界発生用電源６８と、減圧室６０の内圧が前記目標温度における前記熱媒体の飽和蒸気圧以下になるように、減圧室６０を排気する排気部とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理室の内側壁の温度を調節してスループットを向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内のプラズマが形成される処理室と、この処理室の下部に配置され試料が配置される試料台と、前記真空容器の上部に配置され前記処理室の上方を覆って内部を気密に区画する誘電体製の円板部材と、この円板部材の上方に配置されこの円板部材を透過して前記処理室内に供給される電界が導入される円筒形の空洞と、この空洞の中央部に連結された導波管であって内部を前記電界が伝播する導波管と前記空洞と、前記導波管との連結部の外周側に配置され前記空洞内部の外周から中央に向けて所定の高温のガスを供給する第一の供給口と、前記導波管に配置され低温のガスが供給される第二の供給口と、前記導波管に配置され前記第一及び第二の供給口から供給され内部を流れる前記ガスが排出される排出口とを備えた。 （もっと読む）

【課題】誘導加熱を用いて基板を熱処理する熱処理装置において、基板の温度均一性を高くし、かつ効率を高くすること。
【解決手段】複数の基板Ｓに熱処理を施す熱処理装置１は、熱処理が施される複数の基板を収容する誘電体からなる処理容器２２と、複数の基板Ｓを上下に配列した状態で保持し、処理容器２２内へ挿脱される基板保持部材２４と、処理容器２２の外周に巻回される誘導加熱コイル１０４と、誘導加熱コイル１０４に高周波電力を印加する高周波電源１１０と、処理容器内２２で、複数の基板Ｓにそれぞれ重ね合うように設けられ、誘導加熱コイル１０４に高周波電力を印加することにより発生した誘導電流が流れて発熱する、スパイラル状部を有する誘導発熱体Ｎとを具備する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスや反応ガスの消費量を低減する。
【解決手段】処理室内にある基板に対して水素含有ガスおよびシリコン含有ガスを供給し、排出し、前記基板から吸熱しつつ、該基板に対してシリコン含有膜を形成する膜生成工程Ｓ１と、前記水素含有ガスおよび前記シリコン含有ガスの供給を停止し、前記基板を昇温させる再昇温工程Ｓ２と、を複数回交互に実施する。これにより、シリコン含有膜の成長速度の低下を抑制し、原料ガスや反応ガスの消費量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッドの反りを防止することが可能な結晶成長装置および結晶成長方法を提供する。
【解決手段】結晶成長装置１において、シャワーヘッド２０は、前面部２１と、冷却層２３と、ガス供給層２５とを含む。前面部２１は、基板ＳＵＢに対向して設けられ、原料ガスを基板ＳＵＢに吐出する複数の吐出孔を有する。冷却層２３は、前面部２１の上に積層して設けられ、冷媒が流れる冷媒通路を有する。ガス供給層２５は、冷却層２３の上に積層して設けられ、導入された原料ガスを充満させるバッファ空間が形成される。バッファ空間は複数の吐出孔の各々と冷却層２３を貫通するガス供給管を介して連通する。予熱器５３は、結晶成長時にガス供給層２５に供給する原料ガスを予熱する。 （もっと読む）

【課題】処理領域に達する前にガスを混合することなく、シャワーヘッドへのガスを密閉するためＯリングを使用することなく、処理ガスに少なくとも２つのガスを供給するシャワーヘッドを提供する。
【解決手段】シャワーヘッドのための上下続きのガス分配フェースプレートは、第１表面、第２表面、及び第３表面を含み、第１表面と第２表面の間で上下続きのガス分配フェースプレートを通って延びる複数の第１ガス孔を備えている。上下続きのガス分配フェースプレートは複数の相互連結溝により規定された内部ガスの分配空洞部を有している。複数の第２ガス孔は第１表面の間で上下続きのガス分配フェースプレートを通って複数の相互連結溝に延びている。相互連結溝は少なくとも１つのガス導管に順番に接続されるプレナムに滑らかに結合されている。ガス導管は第３表面に延びている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。
【解決手段】これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。 （もっと読む）

【課題】 原料溶液が均一に分散した気化ガスを得ることができるＭＯＣＶＤ用気化器及び原料溶液の気化方法を提供すること。
【解決手段】(1)ガス通路に加圧されたキャリアガス３を導入するためのガス導入口４と、ガス通路に原料溶液5aを供給する手段と、原料溶液含有キャリアガスを気化部22に送るためのガス出口７と、を有する分散部８と、(2)一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前ガス出口７に接続された気化管20と、気化管20を加熱するための加熱手段と、を有し、分散部８から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、を有し、(3)分散部８は、円筒状中空部を有する分散部本体１と、円筒状中空部の内径より小さな外径を有するロッド10とを有し、ロッド10の外周の気化器22側に螺旋状の溝60を有し、ロッド10は該円筒状中空部に挿入されている。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の冷却媒体の使用量を増加させずに冷却効果を高める。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内を加熱する加熱部と、処理室外に設けられ、処理室と処理室外の機器とを冷却する少なくとも1つ以上設けられた冷却部と、冷却部に供給される冷媒の熱を、冷却部から排出される冷媒へ熱移動させる熱移動部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ヒータの低背化と昇温及び冷却の短時間化を図ることができる基板ヒータを提供する。
【解決手段】基板ヒータ１は、ウエハＷを載置するヒータプレート２と、ヒータプレート２の下面に設けられたヒータ電極３と、ヒータプレート２と等しい熱伝導率を有する緩衝プレート４と、冷却プレート５と、複数のピストン６とを備える。緩衝プレート４とヒータプレート２とは、その間に間隔ｄ１の第１の空間Ｓ１を画成している。また、冷却プレート５は、緩衝プレート４を支持する複数のシャフト４２に、昇降自在に組み付けられている。ピストンロッド６１は、冷却プレート５を緩衝プレート４の下方に位置させて、間隔ｄ２の第２の空間Ｓ２を緩衝プレート４と冷却プレート５との間に形成する。また、ピストン６は、冷却プレート５を上昇させて、緩衝プレート４に接触させる。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の温度を精度良く目標温度まで収束させ、かつ収束時間を短縮することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は炉本体５と、炉本体５内周面に設けられたヒータ１８Ａと、炉本体５内に配置された処理容器３と、炉本体５に接続された冷却媒体供給ブロア５３および冷却媒体排気ブロア６３と、処理容器３内に設けられた温度センサ５０とを備えている。温度センサ５０からの信号が制御装置５１のヒータ出力演算部およびブロア出力演算部に送られる。ヒータ出力演算部において、ヒータ出力用数値モデルおよび温度センサ５０からの信号に基づいて、ヒータ出力が求められる。ブロア出力演算部において、ブロア出力用数値モデルおよび温度センサ５０からの信号に基づいて、ブロア出力が求められる。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の温度を精度良く目標温度まで収束させ、かつ収束時間を短縮することができる熱処理装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は炉本体５と、炉本体５内周面に設けられたヒータ１８Ａと、炉本体５内に配置された処理容器３と、炉本体５に接続された冷却媒体供給ブロア５３および冷却媒体排気ブロア６３と、処理容器３内に設けられた温度センサ５０とを備えている。温度センサ５０からの信号が制御装置５１のヒータ出力演算部５１ａに送られる。ヒータ出力演算部５１ａにおいて、設定温度決定部５１ｃで求められた設定温度Ａと温度センサ５０からの温度に基づいて、ヒータ１８Ａのみで温度調整した場合のヒータ出力が求められる。ブロア出力演算部５１ｂはヒータ出力に基づいてブロア出力を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】応力のないエピタキシャル被覆させた半導体ウェハを提供する。
【解決手段】少なくとも前面がポリシングされた半導体ウェハを準備し、枚葉式エピタキシャル反応器中のサセプタに裁置し、１０００〜１２００℃の温度で化学気相蒸着によりエピタキシャル層をポリシングされた前面に設けることにより被覆するエピタキシャル被覆させた半導体ウェハの製造方法において、エピタキシャル被覆が行われた後に、前記半導体ウェハを１２００〜９００℃の温度範囲で、１秒あたり５℃より低い速度で冷却する。 （もっと読む）

【課題】真空処理室において高温で処理されたウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理システムを提供する。
【解決手段】複数の試料が収納されたカセットを設置したカセット台と、前記試料を搬送する大気搬送室と、前記大気搬送室から搬送された前記試料を収納し大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替え可能なロック室と、前記ロックに連結された真空搬送室と、前記真空搬送室を介して搬送された前記試料を処理する真空処理室とを備える真空処理システムにおいて、少なくとも１つの前記真空処理室で処理された前記試料を第一の温度に冷却する冷却室と、前記冷却室で冷却された前記試料を第二の温度に冷却する冷却部とを備え、前記冷却部は、前記大気搬送室に配置され、前記冷却室で冷却された前記試料を前記第二の温度に冷却する冷却手段を有することを特徴とする真空処理システムである。 （もっと読む）