【課題】エッチング加工形状のウエハ面内における均一性が良好で、極微細加工、あるいは多層膜エッチングに好適なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部を減圧可能な減圧処理室８と、該減圧処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段９と、前記減圧処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段１と、前記減圧処理室内に被処理材である試料を載置して保持する試料載置電極１１と、前記減圧処理室に接続され該減圧処理室内のガスを排気する真空排気手段１４を備え、前記減圧処理室、ガス供給手段の処理室へのガス供給部、マイクロ波供給手段の処理室へのマイクロ波導入部、試料載置電極、および真空排気手段を前記減圧処理室の中心軸に対して同軸上に配置し、前記マイクロ波導入部は、入力されたマイクロ波の偏波面を回転させて前記処理室に供給するマイクロ波回転発生器２２を備えた。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成により基板割れを防止して基板を冷却することができる処理装置及びこれを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】処理装置である冷却室１５は、チャンバと、基板を搬送する搬送手段１５１と、前記搬送手段の作動を制御して前記基板を前記チャンバ内の所定位置で停止させるための制御手段と、前記チャンバの天井部に、所定位置に搬送され停止された前記基板の中央部に対向するように設置された２以上の冷却用ファン１５５ａ、１５５ｂとを備える。成膜装置は、この冷却室１５を備えている。 （もっと読む）

【課題】反応炉内の被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理装置において、反応炉内の熱容量を低く抑え、且つ、炉内温度の昇降応答性能を向上することのできる熱処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ５は、石英ガラスにより形成され、前記被処理基板Ｗの周囲を囲む第１のベルジャ７と、第１のベルジャ７の外側を覆うと共に、第１のベルジャ７との間に所定の空間層８を形成する第２のベルジャ９と、空間層８のガスを給排することにより所定の気圧を形成する第１の気圧調整手段１５，１６と、チャンバ５内のガスを給排することにより所定の気圧を形成する第２の気圧調整手段２，２４と、前記気圧調整手段の駆動制御を行う制御手段２１と、前記空間層８の気圧を検出し、検出信号を制御手段２１に出力する第１の気圧センサＳ１と、チャンバ５内の気圧を検出し、検出信号を制御手段２１に出力する第２の気圧センサＳ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】整流板の温度上昇を十分に抑制することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ１０１に対して反応ガスが流れる方向の上流側には、整流板１０４が設けられている。整流板１０４は、第１の貫通孔１０４ａと、第１の貫通孔１０４ａと交差しない位置に設けられた第２の貫通孔１０４ｂとを有する。反応ガスは、第１の貫通孔１０４ａを通ってシリコンウェハ１０１の方に流下する。また、第２の貫通孔１０４ｂは冷却ガスが通過する。 （もっと読む）

【課題】冷媒をシャワープレートの全域に流れるようにすることにより、シャワープレートの冷却を均一に行い、ガスのシャワープレートでの反応によるシャワープレートにおけるガス吐出孔の目詰まりを回避し得る気相成長装置を提供する。
【解決手段】冷媒バッファエリア２２ｂの周囲には、冷媒用リング状壁２２ｄを介して環状の冷媒外環室２７が設けられる。冷媒外環室２７は、冷媒導入口３８ａから冷媒が導入される冷媒外環導入室２７ａと、冷媒導入口３８ａの対向位置に設けられた冷媒排出口３９ａから冷媒が排出される冷媒外環排出室２７ｂと、冷媒外環導入室２７ａと冷媒外環排出室２７ｂとを区画する冷媒外環室隔壁２８とを備えている。冷媒外環室隔壁２８の一部には、冷媒外環導入室２７ａと冷媒外環排出室２７ｂとを連通する隔壁連通開口２８ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板を低温に維持したまま、膜の高温アニールまたは熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成することができる安価な膜形成方法および膜形成装置を提供する。
【解決手段】支持台４上に密着して支持された基板１の表面上に、複数の高温ガスビーム２ｂ，２ｃをほぼ垂直に吹き付けると基板表面のみをアニールできる。 （もっと読む）

【課題】ウェハー外周部から剥離した膜がカラーリングに異物として付着することを抑制できるＣＶＤ装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】高密度プラズマＣＶＤ装置は、成膜とエッチングを同時に又は繰り返して行うことで埋め込み性の高い膜をウェハー上に形成する高密度プラズマＣＶＤ装置であり、、ウェハー２１が保持され、ウェハー２１より径の小さい静電チャック２と、静電チャック２の側壁を囲むように設置されたカラーリング１ｂとを具備し、カラーリング１ｂは、静電チャック２の側壁に対向し且つウェハーの外周部の下方に位置する対向部４０ａを有し、対向部４０ａは静電チャックの側壁を囲むように形成されており、対向部４０ａにおける静電チャック２に対して外側は、前記ウェハーの外周部の最も外側の端部より内側に位置していることを特徴とする。 （もっと読む）

基板（４）が、基板キャリア・プレート（３）の高い位置に設けられた基板サポート（３１）の上に取り付けられる。この基板を有する基板キャリア・プレートは、次に、プラズマ反応装置（８）の中に置かれる。高い位置に設けられた基板サポートのために、基板の両側がプラズマ（６）に曝され、それにより、電気的なパッシベイション・レイヤ（７）で被覆される。 （もっと読む）

【課題】サセプタの支持面の温度よりわずかに高い基板温度で基板上に１以上の薄い層を堆積させる。
【解決手段】支持面（４’）の温度（ＴＳ）がガス注入部（３）の温度（ＴＧ）より低くなるようにガス注入部（３）および／または支持面（４’）の温度を制御する。プロセスガスが堆積チャンバー（８）に入る前には堆積チャンバー（８）の圧力は第１の圧力（Ｐ１）である。そのとき、サセプタ（４）への熱の流れによって、基板（７）は支持面（４’）の温度よりわずかに高い基板温度（ＴＤ）で一定に保たれる。その後に、堆積チャンバー（８）の第１の圧力（Ｐ１）をプロセス圧力（Ｐ２）まで減少させる。プロセス圧力（Ｐ２）が達成されるとき、支持面（４’）に支持される基板（７）の表面（７’）上にポリマーの形で薄い層を堆積させるために、ポリマーを形成するプロセスガスがガス注入部（３）を通って搬送ガスと一緒に堆積チャンバー（８）の中に流れる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエーハ等の基板を均一に加熱、冷却できる均熱板１０を提供する。
【解決手段】表面が基板載置面１３とされ、基板載置面１３の裏面側に加熱又は冷却のための熱源３０が基板載置面１３に沿って配置された金属板を本体１１とする。本体１１中の基板載置面１３と熱源３０との間に、該母材を構成する金属材料と同系統の金属材料をマトリックスとし、該マトリックス中に繊維状炭素材料が分散して混合された均熱促進層１２を基板載置面に沿って配置する。 （もっと読む）

【課題】炭素原子を含む材料として二酸化炭素を用い、プラズマＣＶＤ法によりＤＬＣ膜の形成を可能とする炭素膜形成方法を提供すること。
【解決手段】課題を解決する炭素膜形成方法は、プラズマＣＶＤ法により基材上に炭素膜を形成する方法であって、水素及び二酸化炭素を含むガスをパルス放電によりプラズマ化して基材上に炭素膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加熱温度の制御性に優れた加熱装置および半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】気相処理装置は、光放射加熱用ヒータとしての加熱ランプ５６と、加熱ランプ５６を冷却する冷却部材（冷却ベース５１、被覆層５５、下地被覆層、配管６１、温度センサ６２、熱交換器６３、ポンプ６４、制御部６５、冷却媒体６６からなる冷却機構部）とを備える。加熱ランプ５６の外周表面の少なくとも一部は冷却部材（冷却機構部）と接触している。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上の膜を効率よく加熱することができる加熱装置を提供する。
【解決手段】高温ガスを絞ってビーム状にして基板に垂直に入射させると停滞層が出来ない、または、薄いので効率よくガスの温度を基板に伝えられる。この現象を別の言い方をすると基板の温度は垂直に入射する高温ガスに対してよく伝わる。この原理を用いて、ガスを急速に効率よく加熱するガス加熱装置である。支持台２６上に載置されたガラス基板２４の表面２５に、このガラス基板の軟化点温度よりも高い単一の高温ガスビームを垂直に吹き付けて高温に加熱する。 （もっと読む）

【課題】ｓｐ３結合率が高く膜質の良い硬質炭素膜の製造法を提供する。
【解決手段】プラズマ中のＣＨ₃イオン及びＣＨ₃ラジカルを１０ｅＶ乃至５０ｅＶのエネルギーで、基板に向けて照射し、ｓｐ３結合を４０％以上の結合率で形成する。 （もっと読む）

【課題】優れた品質の膜を形成することが可能な気相成長装置および半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置１は、サセプタ６と、原料ガス供給口（ガス流路２２ａのガス供給口２９およびガス流路２２ｃのガス供給口２９、またはガス流路２３ａのガス供給口２９およびガス流路２３ｃのガス供給口２９）とガス供給口（ガス流路２２ｂのガス供給口２９またはガス流路２３ｂのガス供給口２９）とを含む供給口群を複数備える。サセプタ６は、基板７を主面上に保持する。複数の供給口群は、サセプタ６の主面に沿った方向において周期的に配置されている。 （もっと読む）

本発明は、担体における材料の蒸着に対する製造装置、及び該製造装置に使用される電極に係る。典型的には担体は、互いから離間された第１の端部及び第２の端部を備える。ソケットは、担体の端部の各々において配置される。製造装置は、チャンバを画定するハウジングを有する。少なくとも１つの電極は、ハウジングを通って配置され、該電極はソケットに結合するよう少なくとも部分的にチャンバ内において配置される。電極は、ソケットに接触するよう適合される接触領域を備える外部表面を備える。接触領域コーティングは、電極の外部表面の接触領域において配置される。接触領域コーティングは、少なくとも９×１０^６ジーメンス／メートルの導電率、及び電解質としての室温の海水に基づいて電位列において銀より高い耐食性を備える。 （もっと読む）

【課題】大量、かつ高速プロセスを行うため、密度の高い均一性と高密度のプラズマを発生すること、大面積のプラズマを発生させること、大電力で運転しても誘電体窓の熱破壊を防止すること、が可能なマイクロ波プラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】マイクロ波電力を供給して処理室にプラズマを発生させるプラズマ処理装置にあって、マイクロ波電力を供給するために配設された導波管と、前記導波管の管軸方向に沿って設設された複数個のマイクロ波結合孔と、前記導波管の管軸方向に沿って、かつマイクロ波結合孔の下方に配設された１枚板からなるマイクロ波が透過可能な誘電体部材と、前記複数個のマイクロ波結合孔と前記誘電体部材との間に設けられた隙間と、前記誘電体部材を冷却するための冷却手段と、を具備するマイクロ波プラズマ処理装置であり、また、好ましくは該マイクロ波結合孔として、環状形状をしたマイクロ波結合孔を用いる。 （もっと読む）

【課題】 基板が密着性よく保持され、当該基板との間で迅速な熱交換が行われるようにした真空処理装置用の搬送トレーを提供する。
【解決手段】 処理すべき基板Ｓに対し真空雰囲気にて所定の処理を実施する真空処理装置に搬送自在であって、当該基板の少なくとも１枚を保持できる搬送トレー１において、この搬送トレーの一面に基板の外形に対応した凹部２が形成され、当該凹部の底面２ａに熱伝導性シートが貼着され、当該凹部に落とし込むことで設置される基板の外周縁部を熱伝導性シートに対して押圧する押圧手段４を設けた。 （もっと読む）

【課題】金属ブロック同士の間に形成される流路にろう材をはみ出させずに、複数の金属ブロックを密着させて接合させることにより、高品質のガス供給部材を製造する。
【解決手段】複数の金属ブロック６０〜６２同士の接合面において、接合面の外縁よりも内側に離れた領域にろうペースト７５を塗布し、複数の金属ブロック６０〜６２同士を圧接させ、加熱することにより、複数の金属ブロック６０〜６２同士をろう付けさせてガス供給部材４０を製造する。 （もっと読む）

【課題】基板を加熱する加熱手段以外の部分が高温となることを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板処理室１４を形成する基板処理容器１２と、基板処理室１４内に配置されたウエハ２００を加熱するサセプタ９２と、基板処理容器１２の一部をなすチャンバ２２に形成された冷却水流路Ｃ１等に冷却水を供給するポンプＰとを有する。ポンプＰは、サセプタ９２からの熱伝達を抑制し、少なくとも基板処理容器１２の下部を冷却するように冷却水を供給する。 （もっと読む）