【課題】基板に対してガスシャワーヘッドから原料ガスを供給し、Ｈｆ原子とＳｉ原子とを含む酸化膜を連続的に成膜するにあたり、基板上の成膜レートの低下を抑えること。
【解決手段】ガスシャワーヘッドの下面に冷媒を通流させ、ガスシャワーヘッドを冷却することによって、原料ガスから副生成ガスの生成する温度境界層を薄くして、副生成ガスの生成量を抑えると共に、ガスシャワーヘッドの下面への副生成ガスの付着速度を抑える。これにより、連続成膜時においても、副生成ガスのガスシャワーヘッドの下面への付着量が抑えられて、従って長期に亘って成膜レートの低下を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 均熱性に優れると同時に、スループット向上の要求を満たし得る冷却速度及び昇温速度を達成でき、特に冷却速度に優れている半導体製造装置用ウエハ保持体、並びにそれを搭載した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 半導体製造装置用ウエハ保持体は、ウエハを加熱するための抵抗発熱体１と、抵抗発熱体１を挟み込む上側冷却モジュール２ａと下側冷却モジュール２ｂとを有し、筒状支持部材３で支持されている。冷却モジュール２ａ、２ｂは、内部に冷媒用の流路を有するか、若しくは流路となる冷却管を備えていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】熱交換機構の流路部分の電界腐食を抑え、エッチングやプラズマＣＶＤにおいてエッチングレートやデポレートが低下するのを防ぐ。
【解決手段】内部を真空に排気する排気系２２、内部にガスを導入するガス導入系２１を有する処理室１と、処理室１の内部に配置され基板４が載置される載置手段と、処理室１の内部に配置された対向電極２及び基板載置電極３と、対向電極２及び基板載置電極３に電圧を印加してガスをプラズマ化する基板載置電極用電源１３及び静電チャック電極用電源１５と、媒体供給手段から供給されて循環される冷却水の流路を内部に有し、電極の近傍に配置されて電極の温度を調整するための水冷ホルダー６及び冷媒ジャケット８とを備える。そして、水冷ホルダー６及び冷媒ジャケット８は、誘電体によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハの汚染の発生を避け、加熱後の半導体ウエハの載置台を効率よく冷却しスループットを向上させることができる半導体ウエハ処理装置及び半導体ウエハ処理方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ処理装置１は、半導体ウエハＷを格納するチャンバ３と、当該チャンバ３内に設けられ半導体ウエハＷを載置する載置面７を有するウエハ載置台５と、を備え、載置面７を加熱することで半導体ウエハＷを加熱しながらチャンバ３内での半導体ウエハＷの処理を行う半導体ウエハ処理装置１である。装置１は、載置面７を冷却する載置面冷却部２１を備え、載置面冷却部２１は、ウエハ載置台５に内蔵され冷却用のガスを通過させる冷却ガス通路２３を有している。 （もっと読む）

【課題】マイクロクラックやピンホールが形成されることなく、樹脂含有物成形品にＤＬＣ膜を形成できる方法及び製膜装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ４を減圧して原料ガスを導入した後、電極２，３間に高周波電圧を印加して目標膜厚より薄い膜厚のＤＬＣ膜１０を形成する製膜工程と、高周波電圧の印加を停止して電極２，３に蓄積された熱を逃がす放熱工程を交互に行うことにより、目標膜厚に達するまで段階的にＤＬＣ膜を製膜する。 （もっと読む）

【課題】生成物付着用部材から生成物の剥離を抑制することにより部品交換作業の頻度を低減し、生産性を向上することができる気相成長装置を提供すること。
【解決手段】ガス供給口４１およびガス排出口４２を有する成長室１０と、表面に所望の膜を成長させるための基板Ｓを設置する成長室１０内に設けられた基板設置部１３と、基板設置部１３に設置した基板Ｓを加熱する成長室１０内に設けられたヒータ１２と、成長室１０内にガス供給口４１から原料ガスを供給するガス供給部と、成長室１０内のガスをガス排出口４２から外部に排出するガス排出部と、基板設置部１３に設置した基板Ｓと対向するように成長室１０内に着脱可能に設置される生成物付着用プレート５０とを備え、プレート５０は、基板Ｓの表面と対向する対向面５１に、基板成膜時に対向面５１に付着した生成物の剥離を抑制するための複数の溝状またはドット状凹部を有することを特徴とする気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】シャッタの漏水による二次的障害の発生を防止する。
【解決手段】処理室５６と待機室２８との間を開閉するシャッタ４１に冷却水路４２が敷設されたバッチ式ＣＶＤ装置において、冷却水路４２から漏れる冷却水を受ける漏水パン４３と、漏水パン４３に溜まった漏水を排出する排水路４４とを設ける。漏水パン４３はシャッタ４１に一体移動するように取り付け、排水路４４の排水受け４４ａは漏水パン４３の排水口４３ｆがシャッタ４１の開閉と一体作動する範囲よりも大きくする。排水路４４の排水管４４ｂは排水受け４４ａの底面に接続し、下端開口を待機室２８の底壁の近傍に配置する。排水管４４ｂの下端開口には漏水センサ４５を設置する。シャッタからの漏水は漏水パンで受け止め排水路で排水できるので、漏水によるウエハの直撃や汚染を防止できる。漏水センサで漏水を警報できる。
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【課題】プラズマ生成用ガスを有効利用する。
【解決手段】電極基板４に形成された複数の貫通孔６を介して被処理物２の表面にプラズマ生成用ガスを直接供給する。これにより、被処理物２の表面処理に必要な量だけのプラズマ生成用ガスを供給することにより、プラズマ生成用ガスを有効利用し、プラズマ生成用ガスの消費量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】バレル型気相成長装置において、ウェーハ上に薄膜を気相成長させる場合に、ウェーハ裏面へのシリコン転写が抑制することができ、高品質で、歩留まりが高いエピタキシャルウェーハを生産することができる気相成長方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ表面に薄膜を気相成長させる気相成長方法であって、反応室内に複数枚の板状のサセプタが角錐台形状に設置され、該サセプタは表面にＳｉ膜が形成された黒鉛からなり、該サセプタの外表面にウェーハを収容可能な円形ザグリ部が形成されている気相成長装置の前記ザグリ部にウェーハを収容し、該ウェーハを外表面側から加熱して、ウェーハ表面に薄膜を気相成長させ、その後冷却する際に、少なくとも気相成長温度より所定温度までは１００℃／分以下の降温速度で降温することを特徴とする気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】 ガス吐出機構の温度を低く保つ必要がある２つの処理ガスを交互に供給して成膜する装置の場合に、大型のガス吐出機構であっても極低温チラー等の特別な設備を用いずに、ガス吐出機構の全体を所望の温度に冷却することができるガス処理装置を提供すること。
【解決手段】 第１および第２の処理ガス供給手段からそれぞれ第１の処理ガスおよび第２の処理ガスが供給されて処理容器２内へ第１の処理ガスと第２の処理ガスを吐出するガス吐出機構を具備し、第１の処理ガスと第２の処理ガスを交互に供給して被処理基板上でこれらを反応させてその上に所定の膜を形成するガス処理装置であって、ガス吐出機構は、第１および第２の処理ガスを吐出する複数のガス吐出孔４６、４７を有するガス吐出プレート３５´と、冷媒流路２１０ａ〜２１０ｃとを有し、冷媒流路２１０ａ〜２１０ｃを、ガス吐出プレート３５´のガス吐出孔形成領域に設ける。 （もっと読む）

【課題】高密度ラジカルソース（プラズマ発生装置）を提供する。
【解決手段】ラジカルソース（プラズマ発生装置）１００は従来のＩＣＰ源に、一部改造を加えたものである。当該改造は円環状の電極１０を加えることである。即ち、１．Ａに示す通り、筒状の筐体１内部に、プラズマ発生管３とそれを取り巻くコイル４が納められている。筒状の筐体１右側からＳＵＳから成るガス供給管２が挿入され、接続管２３と円環状の電極１０を介してプラズマ発生管３に接続されている。１．Ａのラジカルソース（プラズマ発生装置）１００内部を高真空に減圧したのち、ガス供給管２から窒素ガスを供給し、ＳＵＳから成るガス供給管２を接地し（固定電位）、コイル４と電極１０に高周波を印加したところ、６．６×１０^-3Ｐａの低圧力で放電が容易に生じた。即ち、円環状の電極１０を外した従来のＩＣＰ源よりも、高密度の窒素ラジカルが生成できる。 （もっと読む）

【課題】Ｏリングの劣化を防止しつつ金属汚染を防止する。
【解決手段】冷却媒体通路５０を形成する通路部材５１をマニホールド１９上のアウタチューブ１４とインナチューブ１５の間に敷設する。冷却媒体通路５０はアウタチューブ１４とマニホールド１９の間に設けられたＯリング１８よりヒータ１２側に配置する。通路部材５１は透明または半透明の石英を使用してチャンネル型鋼形状の円形環状に形成し、マニホールド１９表面に伏せて敷設する。マニホールド１９に冷却媒体導入通路５２および冷却媒体排出通路５３を開設し、冷却媒体通路５０に連通させる。マニホールドと通路部材を石英で形成することにより、金属汚染の原因になるのを防止できる。マニホールドを冷却媒体通路を流通する冷却媒体で冷却できるので、Ｏリングが溶融したり劣化したりするのを防止できる。
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【課題】長期間安定して稼動できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】内部を減圧可能に構成された容器１１と、容器１１に収納される被処理基板
１２を支持するサセプタ１３と、容器１１の外壁に沿って配置された銅管製のコイル１４
と、コイル１４に交流電力を供給し、容器１１内にプラズマを発生させる電源１５と、コ
イル１４の一端部１４ａから冷却用流体を供給し、コイルの他端部１４ｂから冷却用流体
を排出し、コイル１４の銅管内に冷却用流体を循環させる循環水システム１６と、コイル
１４の銅管の内壁に形成され、冷却用流体によるコイル１４の腐食を防止する被膜１７と
、を具備する。 （もっと読む）

【課題】誘電体板の固定方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、処理容器１００と、マイクロ波を出力するマイクロ波源７００と、マイクロ波源から出力されたマイクロ波を伝搬させる同軸管３１５と、同軸管３１５を伝搬したマイクロ波を透過させて処理容器１００の内部に放出する複数の誘電体板３０５と、一端が同軸管３１５に連結し、他端が誘電体板３０５の基板側の面に露出した金属電極３１０とを有する。同軸管３１５は、誘電体板３０５および金属電極３１０を保持した状態にて固定機構５００により固定される。さらに、同軸管３１５は、バネ部材５１５により処理容器１００の外側へ向かう力を与えられ、これにより、複数の誘電体板３０５を蓋体３００の内壁に密着させることができる。 （もっと読む）

【課題】高周波電力を印加する上部電極にさらに直流電圧を重畳して印加する場合に，高周波電力印加に起因する上部電極温度の上昇のみならず，直流電圧の印加に起因する上部電極温度の上昇も十分に抑える。
【解決手段】基板に対する処理を行うのに先立って，上部電極１２０と下部電極であるサセプタ１１２に印加する高周波電力及び上部電極に印加しようとする直流電圧に基づいて，上部電極の温度を所定の設定温度に調整するために必要な熱媒体の目標温度を算出し，ウエハに対する処理を行う際に，目標温度に基づいて温調した熱媒体を上部電極に形成した流路１３０を循環させて温度制御を行う。 （もっと読む）

【課題】表面が平坦化されたＧａＮ単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板、窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶基板１１は、研磨された表面が、少なくともＮＨ₃ガスを含む混合ガス雰囲気中、基板温度１０２０℃以上で１０分以上熱処理されることにより、研磨により微細な欠陥が多数形成された基板１１表面において、原子再配列がおこなわれ、基板１１表面が平坦化される。その結果、ＧａＮ単結晶基板１１の表面の平均自乗平方根粗さが０．２ｎｍ以下となり、表面が１原子層に対応したステップとテラスを有するので、この基板１１上に形成するＧａＮエピタキシャル層１２の表面を平坦にすることができる。 （もっと読む）

【課題】 原料溶液が均一に分散した気化ガスを得ることができるＭＯＣＶＤ用気化器及
び原料溶液の気化方法を提供すること。
【解決手段】(1)ガス通路に加圧されたキャリアガス３を導入するためのガス導入口４と
、ガス通路に原料溶液5aを供給する手段と、原料溶液含有キャリアガスを気化部22に送る
ためのガス出口７と、を有する分散部８と、(2)一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他
端が前ガス出口７に接続された気化管20と、気化管20を加熱するための加熱手段と、を有
し、分散部８から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるため
の気化部22と、を有し、(3)分散部８は、円筒状中空部を有する分散部本体１と、円筒状
中空部の内径より小さな外径を有するロッド10とを有し、ロッド10の外周の気化器22側に
螺旋状の溝60を有し、ロッド10は該円筒状中空部に挿入されている。 （もっと読む）

本発明は、ＣＶＤ反応装置用のガス分配器に関し、供給ラインが終端する２又はそれ以上のチャンバ8,9,14を有し、少なくとも１つのチャンバ8,9はガス容器を形成し、かつガス分配器の下面2'に設けたガス出口開口23に、別の少なくとも１つのチャンバ9,14と交差する小管11,12,13を介して連通する。簡易製造及び技術強化のために、ガス分配器1,2は、少なくとも小管11,12,13の領域において互いに上下に配置された複数の加工されたディスクから作製され、それらは圧力及び温度により互いに拡散溶接されている。 （もっと読む）

【課題】プレコート膜を蒸着することなく、基板上への金属汚染を防止する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置は、基板を載置しかつ電極として機能する冷却サセプタと、内部に形成された複数の貫通孔を通じて冷却サセプタの方向へガスを導入するためのシャワープレートを含む。該シャワープレートは、もう一方の電極として機能し、冷却サセプタと平行に配置される。冷却サセプタは、冷媒を流通するための冷媒流路を具備するセラミック材料から成る。 （もっと読む）

プラズマ法を実施するための真空処理装置もしくは真空処理方法であって、このとき前記処理は真空室（１）内で行われ、前記真空室には、陰極（１０）及び前記陰極にアーク発生器を介して電気的に接続可能な陽極（１３）から構成されている、低電圧アーク放電（１５）（ＮＶＢＥ）を発生させるための装置と、ワークピース（２）を受容及び移動させるための、電気的にバイアス発生器（１６）に接続可能なワークピースキャリア（７）と、少なくとも１つの不活性ガス及び／又は反応性ガスのための供給口（８）と、が配置されている。このとき、少なくとも前記陽極の表面の一部はグラファイトから構成されており、高温にて作動する。
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