【課題】ＰＥＡＬＤにより基板上に成膜するプロセスにおいて、基板上の有機膜にダメージを与えない方法を提供する。
【解決手段】ＰＥＡＬＤにより、基板に形成されたレジストパターン又はエッチされたライン上にシリコン酸化膜を成膜する方法が、レジストパターン又はエッチされたラインが形成された基板をＰＥＡＬＤリアクターに与える工程と、基板が配置されたサセプタの温度を成膜温度として５０℃未満に制御する工程と、成膜温度を５０℃未満の一定の温度に実質的に又はほぼ維持しながら、ＰＥＡＬＤリアクターにシリコン含有前駆体及び酸素供給反応ガスを導入して、レジストパターン又はエッチされたラインにシリコン酸化原子膜を成膜する工程と、前記レジストパターン又は前記エッチされたラインにシリコン酸化原子膜を成膜するために、実質的に又はほぼ一定の温度で成膜サイクルを複数回繰り返す工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】
従来技術に開示された構成による装置では、シャワーヘッドに設けられた複数のガス吐出孔の配置がガス供給管の配置と一致しており、冷却流路の確保等によるガス供給管の配置制限により、ガス吐出孔の配置も制限され、成膜する基板上での膜均一性を考慮した任意の位置にガス吐出孔を配置できない。
【解決手段】
本発明の気相成長装置は、上記課題を解決するために、シャワーヘッドとシャワープレートとの接面の間に空間を設けることにより、ガス吐出孔を通過したガスが空間を通り、ガス吐出孔とずれた位置に設けられたプレート孔から吐出することを特徴としている。それにより、シャワーヘッドのガス吐出孔位置に制限されること無く、ガスを吐出するプレート孔を設けることができ、供給される反応ガス流のばらつきを抑制し、被処理基板上での膜均一性を確保し得る気相成長装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】加熱部からの熱輻射による封止部材の劣化を抑制する。
【解決手段】処理容器と、処理容器内に設けられ基板が載置される基板載置部と、基板載置部内に設けられ基板を加熱する加熱部と、処理容器に隣接する熱輻射減衰部と、ガス導入部に封止部材を介して接続され処理容器内に処理ガスを供給するガス供給管と、を備え、熱輻射減衰部は、加熱部と封止部材とを結ぶ線上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】
シャワーヘッドのガス吐出孔の塞がりを防止することにより、供給される反応ガス流のばらつきの発生を抑制し、被処理基板上での膜均一性及び膜の再現性を確保し得る気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】
反応炉内に、複数のガス吐出孔を配設したシャワーヘッドと、上記シャワーヘッドに対向して設けられ、かつ複数のプレート孔を配設したシャワープレートとを備え、上記シャワーヘッドから、該シャワーヘッドのガス吐出孔及びシャワープレートのプレート孔を通して被処理基板を収容する成長室内にガスを供給して被処理基板に成膜する気相成長装置であり、基板保持部材の基板加熱ヒータによって加熱される領域より外側かつ、上記基板保持部材との対向面であって、上記シャワーヘッドにシャワープレートが近接して配置されている面において、低熱伝導の領域が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 基板を保持するためのサセプタ、サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉等を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、大きな直径を有するサセプタに保持された、大口径、多数枚の基板の表面に、結晶成長する場合であっても、基板を１０００℃以上の温度で加熱して結晶成長する場合であっても、効率よく高品質の結晶成長が可能なIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】 設置される基板とサセプタの対面との距離が非常に狭く、かつサセプタの対面に冷媒を流通する構成を備えてなる気相成長装置とする。さらに、サセプタの対面に、不活性ガスを反応炉内に向かって噴出するための微多孔部、及び不活性ガスを微多孔部に供給するための構成を備えてなる気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】真空容器に着脱が容易で真空容器内に高密度な放電プラズマを生成する誘導結合型アンテナユニットを提供する。また、これらの誘導結合型アンテナユニットを複数個用いた任意の面積で生産性の高いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本誘導結合型アンテナユニットは、誘電体筐体１１と、該筐体の蓋体１２と、該蓋体に装着したＵ字形のアンテナ導体１４とからなり、該アンテナ導体のＵ字形部分が前記筐体内に収容され、一体化された構造とする。アンテナ導体として金属パイプを採用し、そのＵ字形部分に細孔１５を設け、前記筐体内に冷却ガスを噴射させてアンテナ導体及び誘電体筐体を冷却できる構成とする。該アンテナユニットをプラズマ処理装置の真空容器壁に設けた開口部に容易に着脱できる構造とする。また、当該誘導結合型アンテナユニットを複数個配列して任意の処理面積を有する生産性の高いプラズマ処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】誘電体窓の撓み等に起因した隙間が発生するのを防止できるマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置の誘電体窓１２と誘電体板２２との間を１〜６００Torr（１．３３３２×１０²〜７．９９９３×１０⁴Ｐａ）の範囲の負圧にする。誘電体板２２を誘電体窓１２に押し付け、誘電体窓１２の撓みに合わせて誘電体板２２を撓ませることができるので、誘電体板２２とスロット板２３との間、又はスロット板２３と誘電体窓１２との間に隙間が発生するのを防止することができる。大気圧が直接誘電体窓１２にかからなくなるので、誘電体窓１２の撓みも低減する。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化したときにおいても、シャワープレートの付着物に起因するガス吐出孔の目詰まり、被処理基板の成長層への不純物混入を抑制するとともに、安価にカバープレートを作製する。
【解決手段】本発明のカバープレートユニット４０は、ガス通過孔Ｈ２を有する中心プレート４１と、中心プレート４１を載置するための載置部が形成された周辺プレート４２と、周辺プレート４２を保持するリング部材４４とを備え、周辺プレート４２は、中心プレート４１の周辺に配された複数のプレート片４２ａに分割されている。 （もっと読む）

【課題】原料物質が格納された炉と、前記炉と連通されて前記炉で気化された原料物質を噴射するインジェクターと、前記炉の外側を囲むように設けられた高周波コイル部と、前記インジェクターの外側に設けられた抵抗式発熱部と、を含む原料供給ユニット及び原料供給方法を提供する。
【解決手段】本発明は、高周波誘導加熱法と抵抗発熱加熱法を混用して原料物質を気化させて供給するので、大容量の原料物質を用いることができて、薄膜厚さ及び薄膜品質の制御が容易である。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１と、真空容器１１の壁の内面１１１Ａと外面１１１Ｂの間に配置された高周波アンテナ２１と、前記高周波アンテナ２１と前記真空容器１１の内部を仕切る誘電体製の仕切材１６と、を備える。これにより、外部アンテナ方式よりも強い誘導電磁界を真空容器１１内に形成することができる。また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】反応ガスの混合性の向上及び被処理基板上のガス濃度分布の均一化を実現する。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、反応炉１内の被処理基板３を載置する基板保持部材４に対向して配置され、被処理基板３に対し第一ガスを供給するシャワープレート２０Ａと、シャワープレート２０Ａにおける基板保持部材４と反対側に配置され、被処理基板４に対し第二ガスを供給するシャワープレート２０Ｂとを備え、シャワープレート２０Ａには、第一ガス流路Ｈ３が形成され、シャワープレート２０Ｂは、基板保持部材４側に突出し、第一ガス流路Ｈ３内部に挿入された第二ガス供給管２３ｂを有し、第一ガス流路Ｈ３のガス出口２２ｃは、第二ガス供給管２３ｂのガス出口２２ｃよりも基板保持部材４側に配され、第二ガス供給管２３ｂの外壁が、第一ガス流路Ｈ３の内壁に接触し、第二ガス供給管２３ｂ内の第二ガスは、第一ガス流路Ｈ３内の第一ガスに対し平行に流れている。 （もっと読む）

【課題】結晶の質と堆積プロセスの効率とを向上させる。
【解決手段】本発明の堆積装置は、プロセスチャンバー（１）の床を形成し、少なくとも１つの基板（５）が置かれるサセプタ（２）と、プロセスチャンバー（１）の天井を形成するカバープレート（３）と、プロセスチャンバー（１）の中にプロセスガスおよびキャリアガスを導入するためのガス注入エレメント（４）とを備える。サセプタ（２）の下には多数の加熱ゾーン（Ｈ１−Ｈ８）が互いに隣り合って配置され、プロセスチャンバー（１）に面するサセプタ（２）の表面とプロセスチャンバー（１）の中にあるガスとを加熱する。カバープレート（３）の上の熱消散エレメント（８）は、サセプタ（２）からカバープレート（３）に移る熱を消散させる。高い熱伝達能力を持つ熱伝達結合ゾーン（Ｚ１−Ｚ８）は高い熱出力
【数１３】


を持つ加熱ゾーン（Ｈ１−Ｈ８）の位置に対応する。 （もっと読む）

本発明の実施例は、一般的に、化学蒸着（ＣＶＤ）用装置及び方法に関する。一の実施例では、ＣＶＤ反応装置システム用の加熱ランプアセンブリが設けられており、このアセンブリは、支持ベースの上面上に配置されており、第１のランプホルダから第２のランプホルダへ延在する複数のランプを有するランプハウジングを具える。このランプは、分割フィラメントランプ及び／又は非分割フィラメントを有していても良く、いくつかの例では、分割及び非分割フィラメントが、第１及び第２のランプホルダの間に交互に配置されていても良い。第１及び第２のランプホルダの間の支持ベースの上面上にリフレクタを設けても良い。別の実施例では、この方法は、ウエハキャリアの下面を加熱ランプアセンブリから生じるエネルギィに露出させるステップと、当該ウエハキャリアを所定の温度に加熱するステップと、を具えている。 （もっと読む）

【課題】 加熱性を損なうことなく被加熱体を冷却することが可能な被加熱体の冷却方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも一部が断熱材で覆われた被加熱体を冷却する被加熱体の冷却方法であって、被加熱体１０を加熱するとき、断熱材１１を被加熱体１０に密着させ、被加熱体１０を冷却するとき、被加熱体１０と断熱材１１との間に空間１３が生じるように、断熱材１１を被加熱体１０から離間させ、空間１３中に冷却流体１４を送り込み、被加熱体１０を冷却する。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバー内の加熱手段から真空ゲートバルブへの伝熱を防いで真空ゲートバルブを効果的に保護する真空ゲートバルブ保護装置を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜チャンバー４Ｃと前段バッファチャンバー４Ｂとの間で開閉する真空ゲートバルブ７を保護する真空ゲートバルブ保護装置１０において、成膜チャンバー４Ｃ内に設けられると共に、加熱ヒータ９と成膜チャンバー４Ｃとの間における基板Ｗの経路Ｒｔ上への進出及び経路Ｒｔからの退避が可能であり、基板Ｗの経路Ｒｔ上に進出した状態で加熱ヒータ９側を向いて加熱ヒータ９からの熱線を反射する反射板２３を備える。 （もっと読む）

【課題】基板を比較的高い温度で安定して制御するプラズマ処理装置の基板支持台を提供する。
【解決手段】基板Ｗを静電的に吸着するための第１電極と、基板Ｗにバイアスを印加するための第２電極と、基板を加熱するためのヒータとを内蔵する静電吸着板１４と、静電吸着板１４の下面に溶着され、静電吸着板１４と同等の熱特性を持つ合金からなる筒状のフランジ１３と、フランジ１３の下面に対面する面にＯリング１２を有し、Ｏリング１２を介して、フランジ１３を取り付ける支持台１０とを有する基板支持台において、基板Ｗに印加するバイアスパワーを変更するときには、基板Ｗの温度が一定となるように、基板Ｗを加熱するヒータパワーを変更する。 （もっと読む）

【課題】効率的に基板温度を変化させ、又、装置隔壁に熱応力による変形をもたらさずに、安定して成膜することができる成膜装置を実現する。
【解決手段】成膜の原料となる原料ガスが原料ガス導入口１７から導入された反応槽１０内で、処理対象の基板１は、陽極１３上に載置される。反応槽１０内にあって、陽極３の下方に、反応槽１０内の気密を維持した状態で移動して陽極１３からの距離を自由に変えることのできる冷却プレート２１が配置されている。冷却プレート２１には、シャフト２２を介して循環水冷却機２５から、温度制御された冷却水が与えられ、陽極１３を、隔壁を介さず冷却することができる。 （もっと読む）

複数のウェハ上に薄膜を同時に堆積できるようにするエピタキシャルリアクタを開示する。堆積中、狭い間隔で配置された複数のウェハキャリアプレートを含むウェハスリーブ内に複数のウェハを収容してプロセス容積を最小限に抑える。プロセスガスをウェハスリーブの内部容積に優先的に流入させ、これを１又はそれ以上のランプモジュールによって加熱する。パージガスをリアクタチャンバ内のウェハスリーブの外側に流してチャンバの壁への堆積を最小限に抑える。また、ランプモジュール内の個々のランプの照射のシーケンシングにより、ウェハスリーブ内の堆積速度の変化の直線性をさらに改善することができる。均一性を改善するために、プロセスガス流の方向をクロスフロー構成に変更することができる。複数のリアクタシステム内でランプシーケンシングをクロスフロー処理と組み合わせることにより、膜が良好に均一化した高スループットの堆積及びプロセスガスの効率的使用が可能となる。 （もっと読む）

【課題】スペースを有効利用し、品質低下を防止し、生産効率を向上させることのできる外段取り装置を提供する。
【解決手段】被成膜対象の基材５が装着されるとともに、成膜装置内に配置される基材ホルダ４を保持する保持部材２０と、この保持部材２０が取り付けられる移動可能フレーム１０と、この移動可能フレーム１０に取り付けられるとともに、基材ホルダ４の表面に清浄空気を供給する清浄空気供給手段３０とを備えたことを特徴とする外段取り装置１。 （もっと読む）

基板に第III族金属窒化膜を蒸着させるための装置であり，窒素源から窒素プラズマを生成するプラズマ発生器と，基板に第III族金属窒化物を蒸着させるために，第III族金属を含む反応試薬を，窒素プラズマから生じる反応性窒素種と反応させる反応室と，プラズマ発生器から反応室への窒素プラズマの通過を促進させるプラズマ導入口と，窒素プラズマの通過用の１又はそれ以上の流路を有するバッフルとを備える。バッフルは，プラズマ導入口と基板との間に配置され，プラズマ導入口と基板との間で窒素プラズマが直通することを防止する。
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