【課題】電極板の表面温度を正確に測定して、プラズマ処理の品質を向上させる。
【解決手段】プラズマ処理装置内で電極板３の背面に接触状態に配置される冷却板１４であって、電極板３に接触される前面１４ａと、その反対側の背部と、背部側から前面側に向かって形成された穴部２０と、赤外線透過防止膜２１とを備え、穴部は、背部側に位置する開口部２０ａと、前面側に位置し穴部２０内に露出された底面とを有し、赤外線透過防止膜２１は、その両表面がそれぞれ、前面の少なくとも一部と、底面とを構成し、底面が粗面２１ａとされている。 （もっと読む）

【課題】 原料溶液が均一に分散した気化ガスを得ることができるＭＯＣＶＤ用気化器及び原料溶液の気化方法を提供すること。
【解決手段】(1)ガス通路に加圧されたキャリアガス３を導入するためのガス導入口４と、ガス通路に原料溶液5aを供給する手段と、原料溶液含有キャリアガスを気化部22に送るためのガス出口７と、を有する分散部８と、(2)一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前ガス出口７に接続された気化管20と、気化管20を加熱するための加熱手段と、を有し、分散部８から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、を有し、(3)分散部８は、円筒状中空部を有する分散部本体１と、円筒状中空部の内径より小さな外径を有するロッド10とを有し、ロッド10の外周の気化器22側に螺旋状の溝60を有し、ロッド10は該円筒状中空部に挿入されている。 （もっと読む）

【課題】導電体の熱断線の発生を抑制することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】反応性ガスが導入される密封可能なチャンバーと、前記チャンバー内に対向状に配置されたカソード電極およびアノード電極を有し前記カソード電極と前記アノード電極の間でプラズマ放電を発生する放電部と、前記カソード電極に電力を供給する電源と、前記電源と前記カソード電極とを電気的に接続する導電体と、前記導電体を冷却する空冷手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】サセプタとテーパ状の管フローブロックとを含むテーパ状の水平成長チャンバを有する、堆積を実行するためのシステム及び技術である。
【解決手段】テーパ状のチャンバは、サセプタとテーパ状の管フローブロックの間に形成される。導入されたガス種は、テーパ状の管ブロックによってサセプタに向かって流れることを強いられ、ガス種とサセプタ上のウエハとの間の反応効率を高める。 （もっと読む）

【課題】炉本体と処理容器との間の空間内を精度良く微陰圧に保ちながら、この空間内を強制冷却する。
【解決手段】縦型熱処理装置１は、ヒータエレメント１８を有する炉本体５と、炉本体５内に配置され、被処理体ｗを収容して熱処理するための処理容器３を備えている。炉本体５に空気供給ライン５２と空気排気ライン６２とが接続され、空気供給ライン５２に空気供給ブロア５３および空気供給ライン側弁機構５４Ａが配置され、空気排気ライン６２に空気排気ブロア６３および空気排気ライン側弁機構６４Ａが配置されている。圧力検知システム５０によって空間３３内の圧力が検知され、圧力検知システム５０からの検知信号に基づいて制御部５１により空気供給ブロア５３、空気供給ライン側弁機構５４Ａ、空気排気ブロア６３および空気排気ライン側弁機構６４Ａが制御されて空間３３内が微陰圧に保たれる。 （もっと読む）

【課題】特殊材料ガスを用いることなく、放電効率の低下を回避して大面積基板にＳｉなどを成膜できる大気圧プラズマ成膜装置及び方法を得ること。
【解決手段】貫通孔４を備えた略平板状であり、固体誘電体で形成された第一の電極１と、貫通孔５を備えた略平板状であり、固体シリコンで形成され、第一の電極１と略平行に設置された第二の電極２と、第一の電極１と第二の電極２との間に、貫通孔４を介して反応ガス９を供給する反応ガス供給装置９１と、第一の電極１と第二の電極２との間に電圧を印加して、第二の電極２から発生したシリコンと反応ガス９との化合物を含んだプラズマガスを第一の電極１と第二の電極２との間に発生させる電源８と、成膜対象の基板３を載置可能であり、貫通孔５を介してプラズマガスが供給される基板ステージ１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】 長尺な基板をドラムに巻き掛けて長手方向に搬送しつつ成膜行なう成膜装置であって、基板の加熱に起因するドラムからの基板の浮きを防止し、ドラムからの浮きに起因する基板の熱ダメージを抑制した機能性フィルムを安定して製造できる成膜装置を提供する。
【解決手段】 ドラムに巻きかかっている基板の非製品領域に当接して、基板と共に搬送されつつ、基板を幅方向の外側に付勢する付勢手段を有することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高周波給電系統の負担を軽くし、ＲＦアンテナ内の電流分布についてプロセス条件あるいはプラズマ状態に依存しない多様かつ任意な制御可能な誘導結合型のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバの天井または誘電体窓の上には、チャンバ内に誘導結合のプラズマを生成するためのＲＦアンテナ５４が設けられている。このＲＦアンテナ５４は、誘電体窓と平行な一水平面内で同心状に配置される２組または２対のコイル５４(1），５４(2)を有している。高周波給電ライン６２の終端部と内側および外側コイルセグメント５６Ａ，５６Ｂの両端部との間に第１のスイッチ回路網６４が設けられている。ＲＦアース線６６の始端と内側および外側コイルセグメント５８Ａ，５８Ｂの両端部との間に第２のスイッチ回路網６８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】炉本体と処理容器との間の空間内の圧力を検知する圧力検知センサを簡単な構造で設置する。
【解決手段】縦型熱処理装置１は、ヒータエレメント１８を有する炉本体５と、炉本体５内に配置され、被処理体ｗを収容して熱処理するための処理容器３を備えている。炉本体５に空気供給ライン５２と空気排気ライン６２とが接続され、空気供給ライン５２に空気供給ブロア５３および空気供給ライン側弁機構５４Ａが配置され、空気排気ライン６２に空気排気ブロア６３および空気排気ライン側弁機構６４Ａが配置されている。炉本体５を貫通して温度センサ信号ライン８３が収納された保護管５０ａが設けられ、保護管５０ａに圧力検知孔８５が形成されている。この圧力検知孔８５に圧力検知センサ８０が接続されている。 （もっと読む）

【課題】 組立容易であり、しかも、シェルの積層間に形成される隙間の気密性を維持することの可能な加熱装置及び加熱装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数の筒状のシェルユニット５１を積層することにより形成したシェル５０の中に基板を処理する処理室を設ける。このシェル５０の内周に支持されると共に基板を加熱するヒーター２０を備える。これらシェルユニット５１の積層間に形成される隙間５０ｓを変形可能な封止部材５２で封止する。シェルユニット５１の端部近傍にシェル５０の外周側に突出する第一の鍔５３を設ける。シェルユニット５１の端部に対し隙間５０ｓで対向するシェルユニット５１の端部近傍にシェル５０の外周側に突出する第二の鍔５９を設ける。封止部材５２は第一の鍔５３と第二の鍔５９との間に配置される。第一の鍔５３は封止部材５２が筒状の外側へ移動することを規制する規制部５３ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】誘電体被覆電極及びプラズマ放電処理装置を提供する。
【解決手段】導電性母材（中空のステンレスパイプ）３６ｂ，３６Ｂを誘電体３６ａ，３６Ａで被覆した角柱型の誘電体被覆電極３６ｃ，３６Ｃであって、誘電体３６ａ，３６Ａの空隙率が１０体積％以下である。具体的には、セラミックスの溶射を空隙率１０体積％以下まで緻密に行い、更にゾルゲル反応により硬化する無機質の材料にて封孔処理を行う。ここでゾルゲル反応の促進には、熱硬化やＵＶ硬化が良く、更に封孔液を希釈し、コーティングと硬化を逐次で数回繰り返すと、よりいっそう無機質化が向上し、劣化の無い緻密な電極が出来る。 （もっと読む）

【課題】 加熱された被処理体を、この被処理体が反ることを抑制しつつ冷却することが可能な冷却装置を提供すること。
【解決手段】 下部冷却部材１０１と、下部冷却部材１０１の上方に設けられた上部冷却部材１０２と、加熱された被処理体Ｗを、下部冷却部材１０１と上部冷却部材１０２との間で昇降させる被処理体昇降機構１０３と、を具備し、被処理体Ｗと下部冷却部材１０１との間隔ｄ１と、被処理体Ｗと上部冷却部材１０２との間隔ｄ２とを互いに等しくしながら、被処理体Ｗを下部冷却部材１０１に近づける。 （もっと読む）

【課題】加熱と冷却とをバランスさせて、真空処理用電極を一定の温度範囲に保持するとともに、効率的なメンテナンス性を確保することのできる真空処理装置を提供すること。
【解決手段】アノード電極７の内部には、被処理用基板５を加熱する加熱部が設けられている。加熱部は、互いに並列状に設けられた棒状ヒータ３１からなる。アノード電極７の内部には、アノード電極７を冷却する管状冷却部３２も設けられている。冷却部３２は、それぞれのヒータ３１の外側に沿って互いに並列状に隣り合って設けられ、内部へ導入された冷却用媒体を流通させた後に外部へ排出することのできる冷却管３２からなる。冷却管３２は、冷却用媒体の導入部３２ａおよび排出部３２ｂがアノード電極７の一方端部側に偏在して設けられている。また、冷却用媒体の流れる方向が隣り合う冷却管３２どうしの間で逆になるようにされている。 （もっと読む）

【課題】被処理材に到達する荷電粒子を十分に抑制したうえで、ラジカルのみを効率的に供給できるリモート式のプラズマ処理装置とプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】前記放電部の圧力が大気圧近傍に維持され、前記処理室の圧力が前記放電部の圧力より低く維持され、前記一対の電極のうち第一電極は、前記仕切り板に重ね合わせて気密接続されるとともに前記複数の貫通孔にそれぞれ連なる細孔が設けられ、前記一対の電極のうち第二電極は、前記第一電極と所定の空隙を介して対向配置され、前記第一電極の前記空隙側の表面且つ前記第二電極の前記空隙側の表面および前記細孔の内面が誘電体で覆われている。 （もっと読む）

【課題】基板を一定温度に保つことができ、バッチ処理の回数が増えても基板に形成される膜の品質を安定させることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室内に基板Ｗを配し、基板Ｗの被成膜面にＣＶＤ法により所望の膜を形成する成膜装置１０において、電圧が印加される平板状のシャワープレート７５と、シャワープレート７５に離間して対向配置されるアノード６７とを有する電極ユニット３１を成膜室に対して着脱自在に設け、アノード６７に、基板Ｗを加熱するためのヒータＨを内蔵すると共に、アノード６７のシャワープレート７５とは反対側の面に、アノード６７を冷却するための冷却板９１を設け、冷却板９１に、冷却用水を循環させるための冷水配管を設けた。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に半導体処理チャンバに関し、より詳細には、半導体処理チャンバのための、被加熱支持体ペデスタルに関する。１つの実施形態において、半導体処理チャンバのためのペデスタルが提供される。ペデスタルは、導電性材料を含み、基板を受け取るための支持面を有している基板支持体と、基板支持体内に封入された抵抗ヒータと、第１の端部において基板支持体に結合し、対向する端部において整合するインターフェイスに結合する中空シャフトであって、中空コアを有するシャフト本体と、内部冷却経路を介してペデスタルから熱を除去するための中空コアを取り囲み、シャフト本体内に設置される冷却チャネルアセンブリとを含む中空シャフトとを備えるペデスタルであって、基板支持体が加熱素子とリング状冷却チャネルの間に配置される熱制御間隙を有している。
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【課題】プラズマシステムのためのプラズマ点火装置を
提供する。
【解決手段】装置３００は、内側にチャンネルを定める槽３１０、および槽３１０に隣接し、前記チャンネルの隣接部分に沿った方向の寸法Ｄを有する少なくとも一つの容量結合された点火電極３３０を備える。少なくとも一つの点火電極３３０の寸法の全長Ｄは、槽３１０のチャンネルの長さの１０％より大きい。点火電極３３０は、前記チャンネルの中の気体に電場を印加して、気体のプラズマ放電を開始させる。 （もっと読む）

【課題】水と反応すると危険な成膜原料で薄膜を形成する際、安全に成膜を実施できる成膜装置、および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜対象である基材９を内部に収納する真空チャンバー２と、真空チャンバー２内で基材９を保持するホルダー４と、ホルダー４に対向する位置に設けられる蒸発源３と、ホルダー４内に冷媒を循環させる循環機構４０とを備える成膜装置１である。そして、この成膜装置１においてホルダー４内に循環される冷媒を非水系冷媒とする。このような構成とすることで、ホルダー４に保持される基材９を冷却しつつ、蒸発源３で蒸発させた成膜原料を基材９の表面に成膜することができ、その成膜の際に安全性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】同軸二重管構造のガス導管を採用した場合に、内側導管の外側を流れる外側流路の幅を容易に精度よく均一に確保し得る気相成長装置を提供する。
【解決手段】シャワーヘッド２０は、被処理基板３に向かって第１ガスを供給する複数の第１ガス流路３３と、第１ガス流路３３を形成する第１ガス流路内壁面３４ａの内部にそれぞれ挿入されて被処理基板３に向かって第２ガスを供給する第２ガス流路４３を形成する第２ガス導管４４とを備えている。第１ガス流路内壁面３４ａと第２ガス導管４４との間には、第１ガス流路内壁面３４ａと第２ガス導管４４との間隔を一定に保持し、かつ第１ガス流路内壁面３４ａに非螺合的に挿入されるアライメント部材２３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板に、導電性の制御された半導体膜を成膜する半導体膜の成膜方法を得ること。
【解決手段】ドーパントがドープされたシリコン粒子１３を汎用エンジニアリングプラスチックを材料として形成された可撓性を有するフレキシブル基板である基板１０に塗布する粒子塗布工程と、シリコン粒子１３が塗布された基板１０上に、水素ガスを含む混合ガスの雰囲気中でのプラズマＣＶＤによってシリコン膜１４を成膜する成膜工程と、を含む。 （もっと読む）