【課題】高周波数動作が可能で、ゲートリーク電流や電流コラプスを抑制できる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース電極５とドレイン電極６との間の電子供給層４上に、電子供給層とショットキー接触する浮遊電極８を配置し、この浮遊電極上に絶縁膜９を介してゲート電極７を配置する。さらに、ソース電極とドレイン電極との間の電子供給層表面を珪素膜１１で被覆する。 （もっと読む）

【課題】制御性の良い製造方法のみで形成することができる高周波数動作が可能なノーマリオフ型の窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース電極５とドレイン電極６との間の電子供給層４上に、電子供給層４とショットキー接触する浮遊電極８を配置し、この浮遊電極８上に絶縁膜を介してゲート電極７を配置する。さらに、ソース電極５とドレイン電極６との間の電子供給層表面を珪素膜１１で被覆する。そして、ゲート電極７に正バイアス印加し、浮遊電極８に電子を蓄積される。 （もっと読む）

【課題】ワイドバンドギャップ半導体デバイスにおいて、金属／ワイドバンドギャップ半導体界面を有する装置の逆方向電圧印加時のリーク電流の増加や、オン抵抗の増加を抑制する。
【解決手段】第１導電型の高濃度ワイドバンドギャップ半導体基板と、半導体基板上に形成された第１導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜と、半導体堆積膜上に形成され、半導体堆積膜との間でショットキー界面領域を構成する金属膜８と、該第１導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜の金属膜周辺部に対応する領域に形成された第２導電型の領域４，５とを含み、該第１導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜における該ショットキー界面領域は、第２導電型の領域に囲まれて複数個の周期的な島領域を構成する。 （もっと読む）

【課題】ドリフト領域が主に窒化ガリウム層で構成された縦型のパワー半導体装置において、電界集中を緩和して高耐圧とすることができる新たな耐圧構造を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】高濃度シリコン基板の上に窒化ガリウムの半導体層を積層し、窒化ガリウム半導体層側の表面には、主電流の流れる活性領域の周囲がノンドープ窒化ガリウム化合物半導体層により方位される構成の半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム材料デバイスおよびその形成方法を提供する。
【解決手段】該デバイスは、電極規定層２４を包含する。電極規定層は典型的にはその内部に形成されたビア２６を有し、該ビア内に電極１８が（少なくとも部分的に）形成される。したがって、ビアは、電極の寸法を（少なくとも部分的に）規定する。いくつかの場合において、電極規定層は、窒化ガリウム材料領域上に形成された不動態化層である。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、ベース層と、ベース層上に設けられた第２導電形半導体層と、第２導電形半導体層の表面からベース層側に向けて延び、ベース層には達しない複数の第１のトレンチの内壁に設けられた第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜を介して第１のトレンチ内に設けられると共に第２導電形半導体層の表面に接する第１の電極とを備えている。第２導電形半導体層は、第１のトレンチで挟まれた第１の第２導電形領域と、第１の第２導電形領域とベース層との間および第１のトレンチの底部とベース層との間に設けられ、第１の第２導電形領域よりも第２導電形不純物量が少ない第２の第２導電形領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ソース電極およびドレイン電極の熱耐久性を向上させて、かつ製造過程においてオーミック性に与える不安定要因を取り除き信頼性および量産性の高いＧａＮ系ＨＥＭＴを提供する。
【解決手段】
化合物半導体装置は、基板と、前記基板上に形成された窒化ガリウム系半導体と、前記窒化ガリウム系半導体上に形成された窒化ガリウム系保護層と、前記窒化ガリウム系保護層上にタンタルとアルミニウムが任意の順に積層されてなるオーミック電極とを備え、前記オーミック電極が形成された箇所の前記窒化ガリウム系保護層の膜厚は、前記オーミック電極が形成されていない箇所の前記窒化ガリウム系保護層の膜厚よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＳＢＤ、ＨＥＭＴ等のデバイスに逆方向電圧をかけたときの電極端部に生じる電界集中を緩和して電流コラプス、及び長期信頼性の問題を解決した半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物化合物半導体層を有する電子走行層１１と、前記電子走行層１１に形成された窒化物化合物半導体からなる電子供給層１２と、前記電子供給層１２上に形成された第１電極１３と、前記電子供給層１２上に前記第１電極１３と離間して形成された第２電極１４と、前記電子走行層１１および前記電子供給層１２を挟んで前記第１電極１３に対向して形成された、前記第１電極１３と同電位の第１導電体１４と、前記電子走行層１１および前記電子供給層１２を挟んで前記第２電極１４に対向して形成された、前記第２電極１４と同電位の第２導電体１６とを有する半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを用いて、高速動作が可能で、信頼性も高い半導体装置を歩留まりよく作製する。
【解決手段】絶縁膜上にマスクを形成し、該マスクを微細化する。微細化されたマスクを用いて凸部を有する絶縁層を形成し、これを用いて、微細なチャネル長（Ｌ）を有するトランジスタを形成する。また、トランジスタを作製する際に、微細化された凸部の上面と重なるゲート絶縁膜の表面に平坦化処理を行う。これにより、トランジスタの高速化を達成しつつ、信頼性を向上させることが可能となる。また、絶縁膜を凸部を有する形状とすることで、自己整合的にソース電極及びドレイン電極を形成することができ、製造工程の簡略化、また生産性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体装置において、オン抵抗が小さく、オン電圧が小さく、逆方向リーク電流が小さい窒化物半導体ダイオードを提供する。
【解決手段】窒化物半導体１，２上に形成されたカソード電極３、アノード電極４，５を有する窒化物半導体ダイオードにおいて、アノード電極４，５の周辺部に窒化物半導体を掘り込んだリセス構造６を有し、リセス構造内部には、アノード電極５が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】埋込ゲート層とゲート配線とのコンタクト構造をより微細化できる構造としたＪＦＥＴを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】埋込ゲート層１０とゲート配線１２との電気的な接続をトレンチ１３内に形成したｐ⁺型コンタクト埋込層１４によって行うようにする。これにより、ｐ⁺型コンタクト埋込層１４のみしか配置されないトレンチ１３の幅を、従来の半導体装置のように層間絶縁膜やゲート配線などが配置されるトレンチと比較して、狭くすることが可能となる。したがって、埋込ゲート層１０とゲート配線１２とのコンタクト構造をより微細化できる構造としたＪＦＥＴを有する半導体装置とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】窒化物ベースの半導体チャネル層上に窒化物ベースの半導体バリア層を形成すること、および窒化物ベースの半導体バリア層のゲート領域上に保護層を形成することによって、トランジスタが製作される。
【解決手段】パターニングされたオーム性接触金属領域が、バリア層上に形成され、第１および第２のオーム性接触を形成するためにアニールされる。アニールは、保護層をゲート領域上に載せたままで実施される。バリア層のゲート領域上に、ゲート接点も形成される。ゲート領域内に保護層を有するトランジスタも形成され、バリア層の成長させたままのシート抵抗と実質的に同じシート抵抗をもつバリア層を有するトランジスタも同様である。 （もっと読む）

【課題】電極領域の抵抗を従来よりも一段と低減させることができる半導体デバイス、その製造方法及び集積回路を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体層４上にニッケル層17を形成し、RTA処理により加熱することで、ニッケルIII−Ｖ族合金（Ni-In_xGa_1-xAs_yP_1-y合金）からなるソース領域５及びドレイン領域６が形成される。これにより、MOSFET１では、III−Ｖ族化合物半導体層４に対して単に不純物をインプラテーションで注入して形成された従来のソース領域及びドレイン領域の寄生抵抗に比べて、ソース領域５及びドレイン領域６の寄生抵抗を一段と低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）を提供する。
【解決手段】このＭＥＳＦＥＴは、ソース（１３）とドレイン（１７）とゲート（２４）とを備えている。このゲート（２４）を、ソース（１３）とドレイン（１７）の間及びｎ導電型チャネル層（１８）上に設ける。ドレイン（１７）に向かって延びている端部を備えるｐ導電型領域（１４）をソースの下に設ける。このｐ導電型領域（１４）をｎ導電型チャネル領域（１８）から隔ててソース（１３）に電気的に結合させる。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性放熱基板（すなわち、熱伝導性基板）、放熱基板上に備わったＧａＮ系多重層及びＧａＮ系多重層上に備わったショットキー電極を含む窒化ガリウム系半導体素子である。該ＧａＮ系多重層は、放熱基板側に備わったＡｌＧａＮ層及びショットキー電極側に備わったＧａＮ層を含むことができる。かような窒化ガリウム系半導体素子の製造時、ウェーハボンディング（またはメッキ）及びレーザ・リフトオフ工程を利用することができる。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフ動作型の半導体素子を複雑な工程を経ることなく作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の作製方法が、下地基板の上に、少なくともＧａを含む、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎ（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１）なる組成の第１のIII族窒化物からなるチャネル層を形成する工程と、チャネル層の上に、少なくともＡｌを含む、Ｉｎ_x2Ａｌ_y2Ｇａ_z2Ｎ（ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１）なる組成の第２のIII族窒化物からなる障壁層を形成する工程と、障壁層の表面の、ソース電極およびドレイン電極の形成予定個所に対し、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、障壁層の表面の、ゲート電極の形成予定個所に対し、アルゴンプラズマ処理または酸素プラズマ処理を施す工程と、プラズマ処理工程を経たゲート電極の形成予定個所にゲート電極を形成する工程と、を備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】正負一対の電極が半導体層を挟んで形成された半導体発光素子において、電極間の電流密度を均一にし、素子全体の発光分布を改善する。
【解決手段】半導体層２と、半導体層２の上面に互いに対向するようにかつ互い違いとなるように並列して配置された複数の第１電極３と、半導体層２の下面に配置された第２電極４と、を備える半導体発光素子１０であって、第１電極３は、外部と接続するための外部接続部３ａと、半導体層２の上面における中央領域の方向に延伸した第１延伸部３ｂと、第１延伸部３ｂとは反対方向であって、半導体層２の周縁内側まで延伸した第２延伸部３ｃと、を備え、半導体層２の上面で対向する第１電極３の第１延伸部３ｂのそれぞれは、中央領域において、その先端側が隣り合う方向で対向するように配置される。 （もっと読む）

【課題】非酸化雰囲気下でなくても、良好なオーミック電極を形成可能な技術を提供する。
【解決手段】オーミック電極を有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板５０上に金属層３０ｅを形成する工程と、金属層３０ｅ上に透過膜３０ｆを形成する工程と、透過膜３０ｆを通して金属層３０ｅに電磁波を照射して、金属層３０ｅを加熱する工程と、透過膜３０ｆを除去する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】窒化物化合物半導体装置において、ゲートリーク電流を抑制する。
【解決手段】化合物半導体装置２０は、基板２１と、前記基板上方に形成された窒化物半導体よりなるキャリア走行層２２を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造上方に形成されたゲート電極２６、ソース電極２７Ａ、ドレイン電極２７Ｂと、前記半導体積層構造上方であって、ゲート電極とソース電極の間、及び、ゲート電極とドレイン電極との間に形成された絶縁膜２８と、前記絶縁膜のうち、ゲート電極とソース電極の間、及びゲート電極とドレイン電極の間に形成された開口と、前記開口に埋め込まれたアルミナ膜２９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な方法で製造することができ、歩留り低下、信頼性低下、駆動電圧の上昇および光り取り出し効率の低下といった従来の問題を解消し得る半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層の間に設けられた活性層と、を含む半導体発光装置において、ｐ型半導体層の表面に設けられた金属酸化物透明導電体からなる第１の透明電極と、ｐ型半導体層の表面に設けられ、第１の透明電極に電気的に接続された金属酸化物透明導電体からなる第２の透明電極と、第２の透明電極の表面に設けられた金属からなるｐ側パッド電極と、を含む。第２の透明電極は、第１の透明電極よりもｐ型半導体層に対する接触抵抗が高い。 （もっと読む）