本発明は、有機デバイスの製造方法に関し、下記のステップを含む。（ｉ）電気コンタクト構造（４）および絶縁部（３）を備えた表面を有する基板（１）を用意するステップ。（ｉｉ）第１仮保護層（９）を、前記電気コンタクト構造（４）の幾つかまたは全ての上に設けるステップ。（ｉｉｉ）第１表面改質層（６）を絶縁部（３）の上に設けること、及び／又は、第３表面改質層（１０）を、ステップ（ｉｉ）で保護されていない前記電気コンタクト構造（４）の上に設けるステップ。（ｉｖ）第１仮保護層（９）を除去するステップ。（ｖ）第２表面改質層（５）を、ステップ（ｉｉ）で保護された電気コンタクト構造の上に設けるステップ。（ｖｉ）前記第１表面改質層（６）を、ステップ（ｉｉｉ）で設けていなければ、絶縁部（３）の上に設けるステップ。（ｖｉｉ）有機半導体層（７）を、前記第１表面改質層（６）の少なくとも一部の上に、および前記第２表面改質層（５）の上に、そして、もし存在すれば、前記第３表面改質層（１０）の上に設けて、これにより前記有機デバイスを得るステップ。
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【課題】本発明は、歩留まりを向上できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体素子の製造方法は、半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜の一部をエッチングして複数段の段部を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に前記段部を覆うように導電層を形成する工程と、前記導電層の前記段部を覆う部分をエッチングする工程と、を備えることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】発光装置の信頼性を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路用トランジスタを含む駆動回路部と、画素用トランジスタを含む画素部とを有する発光装置であり、駆動回路用トランジスタ及び画素用トランジスタは、酸化物絶縁層と一部接する酸化物半導体層を含む逆スタガ型のトランジスタである。画素部において酸化物絶縁層上にカラーフィルタ層と発光素子が設けられ、駆動回路用トランジスタにおいて、酸化物絶縁層上にゲート電極層及び酸化物半導体層と重なる導電層が設けられる。なお、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層は金属導電膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】金属ドナードープとは全く異なる観点から、電子注入機能および／または正孔注入機能を実現した有機デバイス用電極を提供することを目的とし、また、安定した均質な電極を作製できる電極の形成方法を提供することを目的とする。
【解決する手段】微粒子状の導電性無機化合物からなる導電性微粒子と、π共役系有機化合物とを同一の溶媒に分散させる第１の工程と、前記導電性微粒子と前記π共役系有機化合物とを分散させた前記溶媒を電極形成面へ湿式塗布する第２の工程と、を有する。 （もっと読む）

本発明は、そのレドックス状態を電気化学的の変える能力を有する電気化学的活性層（２０５）を含んでなる電気化学デバイスに関わる。電解質（２０１）と電気化学的活性層（２０５）との間に、耐食性材料の電極（２１０）の部分（２１０）を供することにより、電気化学デバイスの電気化学反応による、望ましくない変色が減少する。
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【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネル保護型を用い、かつ、画素用薄膜トランジスタの主要な部分を透光性材料で構成することにより、開口率を上げる。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率及び応答速度に優れ、かつ暗電流が低減された有機光電変換素子を提供すること。
【解決手段】導電性電極と、前記導電性電極と接する有機半導体層とを含む有機半導体素子であって、前記導電性電極と前記有機半導体層との接合界面における真空準位シフトが、前記接合界面への光照射により調整された、有機半導体素子。 （もっと読む）

【課題】ｐチャネルとｎチャネルに共通の有機半導体層とソース、ドレイン電極材料の好適な組合せにより、実用上十分に良好な伝達特性を得ることが可能な有機ＦＥＴアレイを提供する。
【解決手段】有機半導体層を用いたｐチャネル電界効果トランジスタ（ｐ型有機ＦＥＴ）と、有機半導体層を用いたｎチャネル電界効果トランジスタ（ｎ型有機ＦＥＴ）とを備えた有機ＦＥＴアレイ。有機半導体層５はｐチャネルとｎチャネルに共通の材料の有機半導体単結晶により形成される。ｐ型有機ＦＥＴのソース及びドレイン電極は、仕事関数に基づいて制御される有機半導体層中の多数キャリアが正孔になるように選択されたｐチャネル金属電極６により形成され、ｎ型有機ＦＥＴのソース及びドレイン電極は、仕事関数に基づいて制御される有機半導体層中の多数キャリアが電子になるように選択されたｎチャネル金属電極７により形成される。 （もっと読む）

【課題】画素部の開口率を高くしながら、駆動回路部の特性を向上させた半導体装置を提供することを課題とする。または、消費電力の低い半導体装置を提供することを課題とする。または、しきい値電圧を制御できる半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁面を有する基板と、基板上に設けられた画素部と、画素部を駆動する駆動回路の少なくとも一部を有し、画素部を構成するトランジスタおよび駆動回路を構成するトランジスタは、トップゲートボトムコンタクト型のトランジスタであって、画素部においては、電極および半導体層が透光性を有し、駆動回路における電極は、画素部のトランジスタが有するいずれの電極よりも低抵抗である半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】順方向バイアスに対する順方向電流の特性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１導電型の半導体層と、該半導体層の表面に所定の離間間隔を有して設けられた第２導電型の半導体領域と、該半導体層及び該半導体領域の表面上に設けられた金属層とを備え、該金属層は、前記半導体層との界面においてショットキー障壁を成し、前記半導体領域との界面においてオーミック接触を成す半導体装置において、前記第１半導体領域の横幅寸法は、前記半導体領域が隣接する前記ショットキー障壁の影響を受ける距離である。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、半導体層と例えばソース電極やドレイン電極を構成するＡｌ系膜とを安定して直接接続させることが可能であるとともに、ウェットプロセスで用いる電解質液中で、半導体層とＡｌ系膜との間でガルバニック腐食が生じにくく、Ａｌ系膜の剥離を抑制することのできる配線構造を提供する。
【解決手段】基板１の上に、基板１側から順に、薄膜トランジスタの半導体層４と、半導体層４と直接接続するＡｌ合金膜６と、を備えた配線構造であって、半導体層４は酸化物半導体からなり、Ａｌ合金膜６は、Ｎｉおよび／またはＣｏを含む。 （もっと読む）

【課題】 有機ＴＦＴ素子に代表される有機半導体素子や有機ＥＬ素子等の有機機能素子において、有機材料層への電極形成において蒸着を用いる必要が無く、大型化が容易で製造コストが低減でき、また、電極形成において有機材料層に損傷を与えることが無く、環境の変化に影響されない高い信頼性を有する有機機能素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも複数の電極と有機材料層から構成される有機機能素子の製造方法であって、少なくとも一つの該電極を構成する金属を溶融させて保持する凹部を有する基材と前記有機材料層を形成した基板とを、前記有機材料層と前記金属が接する様に対向させて押圧し、前記金属を前記有機材料層に転写、冷却することにより電極を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】凹凸のあるスルーホール部分であっても、層間絶縁膜の上下の導電層間で良好な電気的な接続が得られる、版を用いた印刷法による薄膜トランジスタアレイの製造方法を提供すること。
【解決手段】版に形成された画素電極パターンのスルーホールに対向する位置に保持されたインクの量を、画素電極パターンのスルーホールに対向する位置以外の部分に保持されたインクの量よりも多くすることによって、凹凸のあるスルーホール部分であっても、層間絶縁膜の上下の導電層間で良好な電気的な接続が得られる、版を用いた印刷法による薄膜トランジスタアレイの製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタに関する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、前記ソース電極と分離して設置されるドレイン電極と、半導体層と、絶縁層と、ゲート電極を含む。前記半導体層が、前記ソース電極と、前記ドレイン電極とに電気的に接続され、前記ゲート電極が、前記絶縁層により、前記半導体層と、前記ソース電極と、前記ドレイン電極と絶縁状態で設置され、前記ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とは、それぞれカーボンナノチューブ―金属複合材料体からなる。前記カーボンナノチューブ―金属複合材料体は、カーボンナノチューブ構造体と、前記カーボンナノチューブ構造体に被覆された金属層とを含む。前記カーボンナノチューブ構造体は、複数のカーボンナノチューブのみからなる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用チャネル保護型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域を構成する有機半導体材料層と良好なオーミック・コンタクトを形成することができるソース／ドレイン電極を備えた電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】電界効果型トランジスタは、ゲート電極１２と、ゲート絶縁層１３と、ソース／ドレイン電極２１と、チャネル領域１５を構成する有機半導体材料層１４とを備え、ソース／ドレイン電極２１は、金属から成る導体部２２、及び、導体部２２を少なくとも部分的に被覆し、不純物がドーピングされた有機導電材料層２３から成り、有機導電材料層２３を介して、チャネル領域１５と導体部２２との間の電気的接続が形成される。 （もっと読む）

【課題】機械的強度やチップ・クラックによる歩留の低下を抑制し、オン抵抗やパッケージ実装状態における熱抵抗が低い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１の主面上に形成された半導体層３と、半導体基板１の裏面上に形成されたオーミック電極１２と、オーミック電極１２を介して半導体基板１の裏面上に形成され、半導体基板１よりも熱伝導率の高い金属材料からなる裏面電極１３とを備え、半導体基板１の裏面の一部には凹部１ａが形成され、裏面電極１３は、オーミック電極１２を介して、半導体基板１の裏面における凹部１ａの内部を埋め、半導体基板１の裏面において凹部１ａ以外の領域の少なくとも一部を覆っている。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接して保護膜となる酸化物絶縁膜を形成した後に、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行って、ソース電極層、ドレイン電極層、ゲート絶縁層中、及び酸化物半導体膜中に加え、上下に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】配線構造が積層化された回路基板において、回路特性の劣化を防止できる製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に下層配線パターン３を形成し、下層配線パターン３を覆う状態で絶縁膜５を形成し、この絶縁膜５に下層配線パターン３を露出する開口部５ａを形成する。絶縁膜５上に上層配線パターン７を形成し、その後下層配線パターン３と上層配線パターン７とを接続する接続材料パターン９を絶縁膜５の開口部５ａの側壁に形成する。接続材料パターン９は、例えば有機半導体材料を用いて形成する。これにより、有機半導体材料からなる接続材料パターン９の劣化を防止した回路基板１１-1が得られる。 （もっと読む）

【課題】塗装プロセスを用いた印刷技術により必要な配線やトランジスタ等の素子を形成するにあたり、前記配線の精度を容易に確保することができると共に配線形成に要する時間を短縮することができ、そして、これにより必要な配線やトランジスタ等の素子を実装・搭載した半導体デバイスのトータルのタットタイムを短縮することができる有利な構造の素子内蔵型配線フィルムを提供すること。
【解決手段】長尺の絶縁テープ１もしくは絶縁シート上に微細な配線パターン２を形成した配線フィルム３上に、配線パターン２を構成する配線４の一部を取り込んでトランジスタ、キャパシタ、抵抗等の素子を構成する材料を含有するインクを用いた塗装プロセスを施すことにより、前記素子を直接且つ一体に形成した、素子内蔵型配線フィルム。 （もっと読む）