【課題】グラフェンと金属電極との間の接触抵抗を低減する。
【解決手段】グラフェンの単位面積あたりの電気抵抗をｒ_GP[Ω／μｍ²]、グラフェンと金属電極との単位面積当たりの界面抵抗をｒ_C[Ωμｍ²]とすると、接触面積をＳとして、接触抵抗は


と計算できる。ｒ_GPを１０Ω／μｍ²、ｒ_Cを１０Ωμｍ²とした場合の計算結果を示し、接触面積を




にすることにより、接触抵抗を収束値の１０％増し、あるいは３０％増しの値にまで、低減することができる。 （もっと読む）

【課題】表面エネルギーパターンの手助けなしに印刷材料の第１および第２の領域を分離するマイクロメータおよびサブマイクロメータの寸法の臨界形状を形成することのできる方法を提供する。
【解決手段】 溶液処理および直接印刷によって導電性、半導体および／または絶縁性の層を蒸着する工程、および第２の材料の溶液をはじく第１のパターンの周りに表面エネルギー障壁を自己整合的に形成することによって電気活性ポリマーの高解像度パターンを形成する工程を含む、有機性または部分的に有機性のスイッチング装置を形成する方法。 （もっと読む）

【課題】相異なるスレショルド電圧を有する電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ドープ半導体ウエル上に、複数種のゲート・スタック（１００〜６００）が形成される。ドープ半導体ウエル（２２、２４）上に、高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート誘電体（３０Ｌ）が形成される。一つのデバイス領域中に金属ゲート層（４２Ｌ）が形成され、他のデバイス領域（２００、４００、５００、６００）ではｈｉｇｈ−ｋゲート誘電体は露出される。該他のデバイス領域中に、相異なる厚さを有するスレショルド電圧調整酸化物層が形成される。次いで、スレショルド電圧調整酸化物層を覆って導電性ゲート材料層（７２Ｌ）が形成される。電界効果トランジスタの一つの型は、ｈｉｇｈ−ｋゲート誘電体部分を包含するゲート誘電体を包含する。電界効果トランジスタの他の型は、ｈｉｇｈ−ｋゲート誘電体部分と、相異なる厚さを有する第一スレショルド電圧調整酸化物部分とを包含するゲート誘電体を包含する。相異なるゲート誘電体スタックと、同一のドーパント濃度を有するドープ半導体ウエルを用いることによって、相異なるスレショルド電圧を有する電界効果トランジスタが提供される。 （もっと読む）

【課題】低温で簡便なプロセスにより形成可能で、移動度、ｏｎ／ｏｆｆ比に優れ、立ち上がり電圧のマイナス側へのシフト、Ｓ値劣化、素子間の性能バラツキを改良した、安定性の高い薄膜トランジスタ、および該薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０６上にゲート電極１０４、ゲート絶縁層１０５、ソース電極１０２、ドレイン電極１０３、及び半導体層１０１を有する薄膜トランジスタにおいて、半導体層１０１が塗布によって形成された酸化物半導体からなり、フッ素化合物含有層１０７がゲート電極１０４と半導体層１０１との間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で製造することができる電子素子を提供する。
【解決手段】第１の電極及び第２の電極を有し、該第１の電極と該第２の電極との間に有機材料を含む有機層を有し、該有機材料が該第１の電極又は該第２の電極と直接又は他の層を介して電子の授受を行う電子素子において、該第１の電極が金属又は金属の合金を含み、該金属又は金属の合金の融点が１００℃以下であることを特徴とする電子素子。金属の合金がガリウムを含むことが好ましい。電子素子としては、有機エレクトロルミネッセンス素子、光電変換素子等が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ内にデバイス性能を改善するゲート構造体を提供する。
【解決手段】 基板のｐ型デバイス領域の上にＧｅ含有層を形成することを含む、半導体デバイスを形成する方法が提供される。その後、基板の第２の部分内に第１の誘電体層が形成され、基板の第２の部分内の第１の誘電層及び基板の第１の部分の上を覆うように、第２の誘電体層が形成される。次に、基板のｐ型デバイス領域及びｎ型デバイス領域の上にゲート構造体を形成することができ、ｎ型デバイス領域へのゲート構造体は希土類金属を含む。 （もっと読む）

【課題】プロセス時間を増大させることなく、金属箔基板上に十分な絶縁性と平坦性が確保された絶縁膜を設けることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】金属箔基板５上に絶縁性のシート状樹脂１を貼り合わせ、貼り合わせたシート状樹脂１の上に半導体素子を形成する工程を行う。シート状樹脂１を貼り合わせた後、半導体素子を形成する前に、シート状樹脂１を硬化させる工程を行う。 （もっと読む）

【課題】表面自由エネルギーを変化させる際に照射する紫外線による濡れ性変化層の絶縁性の低下を抑制することが可能な積層構造体並びに該積層構造体を有する電子素子、電子素子アレイ、画像表示媒体及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】積層構造体１０は、基板１１上に、紫外線を照射することにより表面自由エネルギーが変化する材料を含む濡れ性変化層１２の紫外線照射領域１２ａに導電体層１３が形成されている積層構造を有し、紫外線を照射することにより表面自由エネルギーが変化する材料は、ポリアミド酸を脱水閉環反応させることにより得られる有機溶媒に可溶な特定ポリイミドである。 （もっと読む）

【課題】読み出しマージンの大きなＳＲＡＭセルを提供する。
【解決手段】第１インバータ回路と、出力ノードが前記第１インバータ回路の入力ノードに接続され、入力ノードが前記第１インバータ回路の出力ノードに接続された、第２インバータ回路と、ソース及びドレインの一方が前記第１インバータ回路の出力ノードに接続され、他方がビット線に接続された、第１アクセストランジスタとを具備する。前記第１インバータ回路は、第１トランジスタを含む。前記第１アクセストランジスタ及び前記第１トランジスタのそれぞれは、基板上に形成され、前記基板面に対して垂直に延びる半導体柱と、前記半導体柱を前記基板面に平行な方向で取り囲むように形成され、前記半導体柱にチャネル領域を形成させる、ゲート電極と、前記半導体柱の下端部又は上端部にそれぞれ接続されるソース及びドレインとを備える。前記第１トランジスタの電流駆動力は、前記第１アクセストランジスタのそれよりも高い。 （もっと読む）

【課題】ソース電極とドレイン電極を均一且つ効率的に製造でき、薄膜トランジスタの半導体特性を低下させない薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にスキャンライン２を形成する工程と、外部接続用開口部１１以外の領域に絶縁層２を形成する工程と、塗布型電極材料を全面に塗布、焼成して塗布電極層を形成した後にエッチングして少なくともソース電極４ｓ及びドレイン電極４ｄを形成する工程と、ソース電極４ｓ及びドレイン電極４ｄとを跨ぐ半導体層５を形成する工程と、封止層６を、外部接続用開口部１１に露出しているスキャンライン２ａ上には少なくとも形成しないようにして形成する工程と、封止層６上に表示電極層８を形成した後にエッチングして表示電極８を形成する工程とを有する。この場合において、表示電極形成時のエッチングにより、外部接続用開口部１１に露出しているスキャンライン２ａ上に残った余分な塗布電極層を除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一つの実施形態において半導体デバイスを形成する方法を提供する。
【解決手段】該方法は、第一導電型領域および第二導電型領域を包含する基板を用意するステップと、基板の第一導電型領域および第二導電型領域の上のゲート誘電体とＨｉｇｈ−ｋの該ゲート誘電体上を覆う第一金属ゲート導体を包含するゲート・スタックを形成するステップと、第一金属ゲート導体の第一導電型領域中に所在する部分を除去して、第一導電型領域中に所在するゲート誘電体を露出するステップと、基板に対し窒素ベース・プラズマを印加するステップであって、窒素ベース・プラズマは、第一導電型領域中に所在するゲート誘電体を窒化し、第二導電型領域中に所在する第一金属ゲート導体を窒化する、該印加するステップと、少なくとも第一導電型領域中に所在するゲート誘電体上を覆う第二金属ゲート導体を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れたフレキシブル半導体装置を提供する。
【解決手段】可撓性を有するフレキシブル半導体装置１００であり、樹脂フィルム３０と、樹脂フィルム３０の上に形成された金属層１０とを備え、金属層１０は、絶縁壁５１によって分断され、且つ、絶縁壁５１の一端５３は樹脂フィルム３０に接しており、絶縁壁５１によって金属層１０から、ゲート電極１０ｇ、ソース電極１０ｓおよびドレイン電極１０ｄが形成されている。ゲート電極１０ｇの上には、絶縁壁５１に接するゲート絶縁膜２２が形成されており、ゲート絶縁膜２２の上には半導体層２０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】
透明導電膜の微細パターニングを可能とするリフトオフ法によるパターニング方法、及び該パターニング方法を用いて形成された透明導電パターン膜を提供する。
【解決手段】
基材上に有機溶媒可溶性でかつ水不溶性のフォトレジストパターンを形成するパターンレジスト形成工程、前記フォトレジストパターンが形成された基材上の全面に導電性酸化物微粒子と無機バインダーと溶媒とからなる透明導電膜形成用塗布液を塗布、乾燥、硬化して導電性酸化物微粒子と無機バインダーマトリックスを主成分とする透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程、前記フォトレジストパターンを有機溶媒で溶解除去による現像をすることでフォトレジストパターン上に形成された透明導電膜を除去して透明導電パターン膜を得る透明導電膜パターニング工程を具備し、前記透明導電膜形成用塗布液の溶媒は、水又は水−アルコール混合溶液を主成分とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた半導体層と、半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の導電層と第２の導電層とで積層されたゲート電極を含むゲート配線と、半導体層と前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、半導体層と電気的に接続され、第３の導電層と第４の導電層とで積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第１の導電層で形成され、ゲート配線は、第１の導電層と第２の導電層で形成され、ソース電極は、第３の導電層で形成され、ソース配線は、第３の導電層と第４の導電層で形成されている。 （もっと読む）

【課題】 高温あるいは強反応性化学物質中においても金属、ダイヤモンド接合の品質を保持したまま、機能を発揮するダイヤモンド電極構造を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド表面にルテニウム（Ru）もしくは酸化ルテニウム（RuO₂）からなる電極を設けることにより、電気的接合を行うことを特徴とするダイヤモンド電極構造。
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【課題】アゾール−金属錯化合物をゲート絶縁層として使用される有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】自己組織化ゲート絶縁層を作成する方法は、水性溶液中でパターン化ゲート電極上にアゾール−金属錯化合物が自己形成され且つゲート絶縁層の役割を果たすことを可能とする水性処理法。有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）は上記ゲート絶縁層に使用される上記アゾール−金属錯化合物を含むことから、簡素で迅速かつ容易な様式で低コストにて大量に製造される。 （もっと読む）

【課題】印刷性については版部材へのインキングが良好で、電気特性については移動度およびオンオフ比が高く、閾値、駆動電圧、オフ電流を低くすることのできる有機トランジスタ用インク、有機トランジスタの電極及びその形成方法並びに有機トランジスタを提供する。
【解決手段】印刷法で形成される有機トランジスタ用インクであって、金属ナノ粒子と、１つまたは２つ以上の非イオン性界面活性剤と、金属ナノ粒子及び１つまたは２つ以上の非イオン性界面活性剤を溶解または分散させる溶媒と、を含むことを特徴とする有機トランジスタ用インク。 （もっと読む）

【課題】熱処理による電気特性の劣化の少ない有機ＦＥＴを提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート絶縁層４の上に、ソース電極５とドレイン電極６とが配置され、ソース電極５とドレイン電極６との上に、有機半導体層８を有する有機トランジスタであって、ソース電極５と有機半導体層８との間、およびドレイン電極６と有機半導体層８との間には、単分子膜７を備えることを特徴とする。また、単分子膜７は、チオール類の単分子を含む膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低く、簡易な工程で微細加工が可能な炭素電極を備える有機トランジスタを製造する。
【解決手段】基体１１上にゲート電極１２を形成する工程と、ゲート電極１２を覆ってゲート絶縁層１３を形成する工程と、ゲート絶縁層１３上にカーボン溶液を塗布して炭素材料層を形成する工程と、炭素材料層にレーザ光１８を照射して選択的に炭素薄膜を形成してソース電極１５及びドレイン電極を形成する工程と、ソース電極１５及びドレイン電極を覆って有機半導体層を形成する工程とにより有機トランジスタを製造する。 （もっと読む）

【目的】
ｐ型ＺｎＯ系化合物半導体の電極の剥離や金属の凝集が生じず高い接着性を有するとともに良好なオーミック接触を有するコンタクト電極の形成方法及び当該電極が形成されたＺｎＯ系化合物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板上にｎ型ＺｎＯ系半導体層及びｐ型ＺｎＯ系半導体層を含む積層体をｐ型ＺｎＯ系半導体層が表面に形成されるように形成する工程と、ｐ型ＺｎＯ系半導体層をその表面温度が２５０℃ないし５００℃の範囲内で熱処理する工程と、５５０℃未満の温度で、ｐ型ＺｎＯ系半導体層上にｐ側電極金属を上記熱処理の後に形成する工程と、ｎ型ｎ型ＺｎＯ系半導体層上にｎ側電極金属を形成してＺｎＯ系半導体素子を形成する工程と、からなる。 （もっと読む）