【課題】グラフェンの特性を生かしつつ、高耐圧デバイスや紫外発光・受光デバイスを実現する。
【解決手段】半導体デバイスを、２次元構造のグラフェン電極２、３と、グラフェン電極のグラフェン端に結合した２次元構造のボロンナイトライド半導体層５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】ダミーゲート電極の除去により形成されたゲート溝へのゲート電極材料の埋め込み性を改善することにより、適切な閾値電圧を持つ電界効果型トランジスタを備えた半導体装置を容易に実現できるようにする。
【解決手段】ゲート電極１１１ｂは、それぞれ金属又は導電性金属化合物からなる第１導電膜１０８ｂ、第２導電膜１０９ｂ及び第３導電膜１１０ｂが下から順に形成された積層構造を有し、ゲート電極１１１ａは、第２導電膜１０９ａ及び第３導電膜１１０ａが下から順に形成された積層構造を有する。第１導電膜１０８ｂの仕事関数と第２導電膜１０９ａ、１０９ｂの仕事関数とは異なっている。第１導電膜１０８ｂは板状に形成されており、第２導電膜１０９ａ、１０９ｂは凹形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを用いて、逆方向特性が良好なショットキーダイオードを高い歩留まりで得る。
【解決手段】図１（ｂ）に示されるように、バリアメタル２１を部分的にエッチングする（電極層エッチング工程）。電極層エッチング工程によってバリアメタル２１がエッチングされた領域における半導体層１０中に、埋め込み絶縁層を形成する（埋め込み絶縁層形成工程）。図１に示される製造方法においては、この埋め込み絶縁層形成工程は、半導体層エッチング工程、絶縁層形成工程、エッチバック工程からなる。 （もっと読む）

【課題】導体半導体接合を用いて、優れた特性を示す、あるいは、作製の簡単な、あるいは、より集積度の高い電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体層の電子親和力よりも仕事関数の小さな導体との接合においては、導体より半導体層にキャリアが注入された領域が生じる。そのような領域を電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のオフセット領域、あるいは、インバータ等の半導体回路の抵抗として用いる。また、ひとつの半導体層中にこれらを設けることにより集積化した半導体装置を作製できる。 （もっと読む）

【課題】 単純で容易な実装手段によりＭＯＳＦＥＴの閾値電圧を制御することが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 一実施形態によれば、電界効果トランジスタは、ＳＴＩ（浅いトレンチ分離）を含んでいる半導体基板402と、ｐ−ＦＥＴ401及びｎ−ＦＥＴ403と、ｐ−ＦＥＴ401が形成される基板の窪み内のシリコン・ゲルマニウム層800と、ｎ−ＦＥＴ部上とシリコン・ゲルマニウム層上に設けられた、ハフニウム化合物とレアアース化合物を含むゲート誘電体414, 432と、ゲート誘電体414, 432上にそれぞれ配置された互いに同じ材料を含むゲート電極416, 434とを具備している。 （もっと読む）

【課題】ソース電極およびドレイン電極と有機半導体層とにおける電荷注入効率の向上と性能の確保とを両立させることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、エッチングガスと反応可能な金属元素および半金属元素のうちの少なくとも一方を含む金属含有材料により形成された有機半導体層と、互いに離間されたソース電極およびドレイン電極と、有機半導体層とソース電極およびドレイン電極とが重なる領域において有機半導体層とソース電極およびドレイン電極との間に挿入され、エッチングガスと反応可能な金属元素および半金属元素のうちの少なくとも一方を含まない非金属含有材料により形成された有機導電層とを備える。 （もっと読む）

【課題】電力変換回路の性能を高める。
【解決手段】ユニット１０は、半導体スイッチ素子１，２と、ダイオード３，４とを備える。ダイオード３は、半導体スイッチ素子２がオン状態である時に逆バイアスされ、半導体スイッチ素子２がオフ状態である時に導通する。ダイオード４は、半導体スイッチ素子１がオン状態である時に逆バイアスされ、半導体スイッチ素子１がオフ状態である時に導通する。ダイオード３，４は、窒化ガリウム（ＧａＮ）ダイオードまたはダイヤモンドダイオードである。ユニット１０を備えるパワーモジュールは、コンバータ、インバータ等の電力変換回路に適用される。 （もっと読む）

【課題】 電極と半導体層の接触抵抗を下げることで電極を小型化した場合であっても消費電力の増加が抑制された半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 ｐ型の導電型を有する半導体層に隣接して金属層が設けられた構造を有する半導体素子であって、前記金属層は、前記半導体層に隣接し、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｚｎ及びＰｄのうち少なくとも一つの金属を含む第一金属層と、該第一金属層に隣接し、少なくともＢｅ及びＡｕを含む第二金属層と、を有するものであることを特徴とする半導体素子。 （もっと読む）

【課題】優秀な導電性及び大きい仕事関数を有する電極及びそれを含んだ電子素子を提供する。
【解決手段】グラフェン含有層と、前記グラフェン含有層上に形成される仕事関数傾斜層と、を含み、前記仕事関数傾斜層は、前記グラフェン含有層と接触する第１面、及び前記第１面に対向する第２面を有する単一層であり、前記仕事関数傾斜層の仕事関数は、前記第１面から前記第２面に向かう方向に沿って漸進的に増大する電極。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】大きい仕事関数および高い電気伝導度を有する電極を具備した電子素子を提供する。
【解決手段】０．１Ｓ／ｃｍ以上の電気伝導度を有する導電性物質および低表面エネルギー物質を含み、第１面と、前記第１面に対向する第２面と、を有し、前記第２面の低表面エネルギー物質の濃度が、前記第１面の低表面エネルギー物質の濃度より高く、前記第２面の仕事関数が５．０ｅＶ以上であり、かつ前記第２面の電気伝導度が１Ｓ／ｃｍ以上である大きい仕事関数および高い電気伝導度を有する電極、を具備した電子素子である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＳｉＣ半導体からなるＳＢＤを有し、歩留まりの高い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１及び第２のダイパットが互いに離間して配置されたパッケージと、第１のダイパット上に搭載された、シリコンカーバイトからなる半導体層を有し、ショットキー接合とｐｎ接合が併設されたショットキーバリアダイオードと、ショットキーバリアダイオードと並列接続されて第２のダイパット上に搭載された、シリコンからなる半導体層を有するｐｎ接合ダイオードとを備え、ショットキーバリアダイオードにおいてｐｎ接合を構成する高濃度不純物領域とショットキー接合を構成するショットキー電極とが直接に接している。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の上面の層の形状不良を抑えることが可能な半導体素子およびこれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】有機半導体層と、有機半導体層の上面に設けられた層とを有し、この層の外形線は、有機半導体層の外形線よりも内側にある半導体素子。この半導体素子を備えた電子機器。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の形成位置について、別途精密な制御を必要とすることなく、高精細なパターニングが行われた有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】ソース電極１、ドレイン電極２、ゲート電極３、有機半導体層４及びゲート絶縁膜５を備え前記ソース電極１及び前記ドレイン電極２の表面エネルギーが、いずれも30mN／m以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】ゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の一方の面に接する第１のゲート電極と、ゲート絶縁層の他方の面に接し、第１のゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極、ドレイン電極、及び酸化物絶縁層と、の積層構造を有し、酸化物半導体層の窒素濃度は２×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、ソース電極及びドレイン電極は、タングステン、白金及びモリブデンのいずれか一又は複数を含む半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡便な工程で製造可能な、電荷注入効率に優れた薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板上に金属電極層を形成する金属電極層形成工程と、上記金属電極層の上面に、電子吸引性または電子供与性の官能基を有する表面処理剤で表面処理を行うことにより、表面処理層積層体を形成する表面処理工程と、上記表面処理層積層体をパターニングし、ソース電極およびドレイン電極を形成するパターニング工程と、上記ソース電極および上記ドレイン電極上に有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と、上記有機半導体層上にゲート絶縁層を形成するゲート絶縁層形成工程と、上記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】耐圧特性に優れた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を提供する。
【解決手段】基板１２上に形成された複数の活性半導体層１６、１８を含むＨＥＭＴ１０。ソース電極２０、ドレイン電極２２、およびゲート２４は、複数の活性層１６、１８と電気的に接触して形成される。スペーサ層２６は、複数の活性層１６、１８の表面の少なくとも一部の上に形成され、ゲート２４を覆っている。フィールドプレート３０が、スペーサ層２６上に形成されて、ソース電極２２に電気的に接続され、このフィールドプレート３０はＨＥＭＴ１０内の最高動作電界を低減する。 （もっと読む）

【課題】Ｔ−ゲート構造物の改良された形成法の提供。
【解決手段】ａ）基板を提供する工程、ｂ）基板上に平坦化層を配置する工程、ｃ）ＵＶ感受性第一フォトレジストの層を配置する工程、ｄ）マスクを通してＵＶ放射線に露光し、現像することによって、第一フォトレジストをパターン化して、Ｔ−ゲートの底部用の第一開口を規定する工程、ｅ）パターンを平坦化層に転写する工程、ｆ）このパターンをＵＶ放射線に対して非感受性にする工程、ｇ）ＵＶ感受性第二フォトレジストの層を配置する工程、ｈ）第二フォトレジストをマスクを通してＵＶ放射線に露光し、現像することによって、第二フォトレジストをパターン化して、第一開口の上のＴ−ゲートのキャップ用の第二開口を規定する工程、ｉ）第一開口および第二開口内に導電性材料を堆積してＴ−ゲートを形成する工程、を含む方法。 （もっと読む）

【課題】透明酸化物膜を用いた半導体デバイスや回路を提供する。
【解決手段】電子キャリア濃度が１０^１５／ｃｍ^３以上、１０^１８／ｃｍ^３未満である、Ｉｎ―Ｚｎ―Ｇａ酸化物、Ｉｎ―Ｚｎ―Ｇａ―Ｍｇ酸化物、Ｉｎ―Ｚｎ酸化物、Ｉｎ―Ｓｎ酸化物、Ｓｎ−Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ酸化物、Ｚｎ―Ｇａ酸化物、及びＩｎ―Ｇａ酸化物のうちのいずれかである非晶質酸化物を、Ｎ型半導体として用いたＮ型ＴＦＴを含む回路を構成要素としており、前記Ｎ型ＴＦＴは、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であり、電界効果移動度が１ｃｍ^２／（Ｖ・秒）超であることを特徴とする集積回路。 （もっと読む）