【課題】ポリマー絶縁層及び無機層から構成されるゲート絶縁層を有し、溶液により塗布可能な半導体前駆体材料を用いこれに半導体変換処理を行って金属酸化物半導体を有することにより、移動度が高く、閾電圧が低く、且つ、Ｏｎ／Ｏｆｆ特性が良好な薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】支持体６上にゲート電極５、ゲート絶縁層２、ソース電極３及びドレイン電極４、金属酸化物半導体層１を有する薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁層が、ポリマー絶縁層２ａ該ポリマー絶縁層上の無機層２ｂからなり、無機層２ｂの上に金属酸化物半導体前駆体材料の溶液を用いて金属酸化物半導体前駆体層を形成する工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高誘電率材料を含むゲート絶縁膜と、高融点金属等を含むゲート電極とを備え、消費電力の低減と高速動作化とが図られた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、高誘電率膜を含む絶縁膜１０１ａを形成する工程（ａ）と、上面に酸化膜が形成され、高融点金属または高融点金属の化合物の少なくとも一方を含む第１の導電膜１０２ａを形成する工程（ｂ）と、酸化膜１０３ａを間に挟んで第１の導電膜１０２ａ上に、シリコンを含む第２の導電膜１０４ａを形成する工程（ｃ）と、第１の導電膜１０２ａおよび第２の導電膜１０４ａに対してイオン注入を行い、酸化膜１０３ａの構成材料を前記第２の導電膜１０４ａ中のシリコンと混合させてミキシング層１０３ｂを形成する工程（ｄ）と、熱処理を行ってミキシング層１０３ｂを導電層１０３ｃにする工程（ｅ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体層をゲート電極によって遮光したボトムゲート型薄膜トランジスタのオフ電流を低減する。
【解決手段】ゲート電極層と、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に接して設けられた前記第１の半導体層よりもキャリア移動度が低い第２の半導体層と、前記ゲート電極層と前記第１の半導体層との間に接して設けられたゲート絶縁層と、前記第２の半導体層に接して設けられた不純物半導体層と、前記不純物半導体層及び前記第１及び第２の半導体層に一部が接して設けられたソース電極及びドレイン電極層と、を有し、前記第１の半導体層のゲート電極層側は全面が前記ゲート電極層によって覆われており、前記第１の半導体層と前記ソース電極及びドレイン電極層が接する部分のポテンシャル障壁は０．５ｅＶ以上である薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】内蔵ダイオードを有するトレンチＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧を向上させると共に、ドレインリーク電流の発生を低減させる。
【解決手段】内蔵ダイオードを有するトレンチＭＯＳＦＥＴにおいて、コンタクトトレンチ２３の下部におけるＰ⁻型チャネル領域４の厚さを２００ｎｍ以下とし、バリアメタル９とＰ⁻型チャネル領域４をショットキー接合させてショットキーバリアダイオードを備えることにより、しきい値電圧を向上させ、ドレインリーク電流の発生を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】 移動度にバラツキの少ない電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 塗布プロセスにより形成される半導体層を持つ電界効果トランジスタにおいて、ソース電極及び／又はドレイン電極が、ゲート絶縁膜の凹部に配置されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】液中プラズマを用いて液体のみならず固体をも原料とした皮膜を基材の表面に成膜する方法において、成膜条件の大幅な変更を伴うことなく、所望の割合で固体の原料を含有する皮膜を成膜できる成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の液中プラズマを用いた成膜方法は、第一の原料を含む固体からなるターゲットＴ_１と基材Ｓ_１とを互いに対向させて、第二の原料を含むまたは含まない液体Ｌ_１中に配設する配設工程と、液体Ｌ_１中にスパッタガスＧ_１を供給して少なくともターゲットＴ_１と基材Ｓ_１との間に気相空間Ｖ_１を形成する気相空間形成工程と、気相空間Ｖ_１に少なくともスパッタガスＧ_１のプラズマを発生させるプラズマ発生工程と、を経て、プラズマによりターゲットＴ_１をスパッタリングさせて基材Ｓ_１の表面に少なくとも第一の原料を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第２の金属を含む第２金属含有膜を形成する際に、下地膜としてＲｕ等の第１の金属を含む第１金属含有膜を介在させることにより上記第２金属含有膜を効率的に形成する。
【解決手段】底面に金属層３が露出する凹部２を有する絶縁層１が表面に形成された被処理体に対して成膜処理を施す成膜方法において、第１の金属を含む第１金属含有膜を形成する第１金属含有膜形成工程と、前記第１金属含有膜形成工程の後に行われ、前記凹部に埋め込まれる埋め込み金属に対してバリヤ性を有する第２の金属を含む第２金属含有膜を形成する第２金属含有膜形成工程とを有する。これにより、下地膜としてＲｕ等の第１の金属を含む第１金属含有膜を介在させて上記第２金属含有膜を効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコンをチャンネル領域として用い、コンタクト歩留まりを向上させ、良好な特性を備えるトランジスタを有するトランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ１００は、基板１１と、ゲート電極１１２と、ゲート絶縁膜１１３と、第１の半導体層１１４と、第２の半導体層１１５と、ストッパ膜１１６と、オーミックコンタクト層１１７、１１８と、ドレイン電極１１９と、ソース電極１２０と、を備える。微結晶シリコンを用いた第１の半導体層１１４上に第２の半導体層１１５を積層させた上で、第１の半導体層１１４及び第２の半導体層１１５の側面でオーミックコンタクト層１１７、１１８とコンタクトを取ることにより、コンタクト歩留まりを向上させ、良好な特性を備えるトランジスタを有するトランジスタ基板及びその製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】汎用性が高く、低コストで省資源である方法を採用し、実用性に富み、任意の場所、任意の形状に金属又は半導体を二次元的又は三次元的に形成できる半導体素子及びその製造装置を提供する。
【解決手段】炭素材料と金属酸化物材料又は半導体酸化物材料とを有する還元反応構造１Ａを持つ層構造３０Ａを準備し、還元反応構造１Ａに対して局所的にエネルギーを集中することが可能で、かつ還元反応構造１Ａに対して２次元的又は３次元的に走査することが可能な熱源を用い、この熱源によって酸化還元反応が起こる温度以上に還元反応構造１Ａの一部を走査しつつ選択的に加熱して、炭素材料により金属酸化物材料又は半導体酸化物材料をそれぞれ金属又は半導体に還元し、所望の形状の金属領域又は半導体領域（金属層又は半導体層３Ａ）を形成することによって製造されることを特徴とする半導体素子４０Ａとすることにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】電解メッキ工程において、安定した給電が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、有効チップ領域である第１の領域２０と、第１の領域２０の周縁を囲む第２の領域３０と、を有した半導体ウエハー１を用意する工程と、第２の領域３０に樹脂突起４０を形成する工程と、第１の領域２０及び第２の領域３０に第１の導電層５０を形成する工程であって、第１の導電層５０は樹脂突起４０の上に位置する第１の部分５１を有するように、第１の導電層５０を形成する工程と、第１の導電層５０の上にレジスト層６０を形成する工程と、少なくとも第１の導電層５０の第１の部分５１の上に位置するレジスト層６０を除去する工程と、第１の導電層５０の第１の部分５１に給電して、電解メッキにより第１の導電層５０の上に第２の導電層９０を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】１０ＧＨｚ程度以上のクロック周波数での動作が可能な高速半導体装置の提供。
【解決手段】ｎ−ＭＯＳＦＥＴ１００ｎ、ｐ−ＭＯＳＦＥＴ１００ｐを有し、ｎ−ＭＯＳＦＥＴのチャンネルを形成する第１の領域の表面が（１００）面から±１０°以内の面または（１１０）面から±１０°以内の面のを有し、ｐ−ＭＯＳＦＥＴのチャンネルを形成する第２の領域の表面が（（１１０）面から±１０°以内の面または（１００）面から±１０°以内の面のを有し、第１及び第２の領域の各々から各々の両端の前記ソース電極、ドレイン電極の各々までの抵抗を４Ω・μｍ以下とし、かつ第１の領域と第１のゲート絶縁層との界面及び第２の領域と第２のゲート絶縁層との界面を、各領域のソースからドレインに向かう方向での長さ２ｎｍにおけるピーク・トゥ・バレイが０．３ｎｍ以下であるような平坦度とした半導体装置。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域に印加される応力分布のピークとソース領域近傍に発生する電位分布のピークの位置を最適化することで、キャリア速度を向上させて飽和電流特性を向上させることを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１に形成されたチャネル領域１２と、前記チャネル領域１２の一方側に形成されたソース領域１９と、前記チャネル領域１２の他方側に形成されたドレイン領域２０と、前記チャネル領域１２上にゲート絶縁膜１３を介して形成されたゲート電極１４と、前記チャネル領域１２に応力を印加する第１、第２応力導入層２１、２３を有し、前記チャネル領域１２と前記ソース領域１９とのｐｎ接合境界と、前記チャネル領域１２と前記ドレイン領域２０とのｐｎ接合境界の間に、前記ソース領域１９側の応力分布のピークと前記ドレイン領域２０側の応力分布のピークが位置する。 （もっと読む）

【課題】大気中動作に優れており、また電気特性が経時的に劣化し難く、高いキャリア移動度とともに大きなｏｎ／ｏｆｆ比を有する有機トランジスター、および有機トランジスターの製造方法、かかる有機トランジスターを備え信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【解決手段】本適用例の有機トランジスター１Ａは、ソース電極２０ａと、ドレイン電極２０ｂと、ソース電極２０ａとドレイン電極２０ｂとの間に設けられた有機半導体膜３０と、ゲート電極５０と、有機半導体膜３０とゲート電極５０との間に設けられ、ゲート電極５０と接する第１のゲート絶縁膜４０ａと、有機半導体膜３０と接する第２のゲート絶縁膜４０ｂとを有するゲート絶縁膜４０と、を備え、第２のゲート絶縁膜４０ｂが炭素原子と水素原子よりなる炭化水素化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】製造コストを上昇させることなくマイグレーション耐性の向上及び有機半導体の劣化の抑制を実現可能な画像表示パネル及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】第一の基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜が積層形成され、ゲート絶縁膜上に空隙を隔ててソース電極及びドレイン電極並びに第二の接着剤が形成され、ソース電極及びドレイン電極の空隙を含む領域に有機半導体層が形成され、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極の一部、及び有機半導体層を覆うように層間絶縁膜が形成され、層間絶縁膜及びドレイン電極と接合されている導電層上に第一の接着剤、第一の接着剤上に形成された画像表示媒体及び第二の接着剤上に無機膜および第二の基板を有する画像表示パネルであって、第二の接着剤は、画像表示媒体と導電層との間に配置された第一の接着層よりも外側に配置され、無機膜及び親水化処理されたゲート絶縁膜と接合形成する。 （もっと読む）

【課題】高開口率な表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、保持容量とが設けられた画素と、走査線と、走査線に直交して設けられた信号線と、を有し、走査線の上方には、薄膜トランジスタのソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域が形成される部分と保持容量の下部電極となる部分とを有する半導体膜が設けられ、半導体膜上には絶縁膜が設けられ、半導体膜のチャネル形成領域となる部分の上方には、絶縁膜を介して走査線と電気的に接続されたゲート電極が設けられ、半導体膜の下部電極となる部分の上方には、絶縁膜を介して保持容量の上部電極が設けられ、半導体膜は、基板に平行であり、ゲート電極は、保持容量の上部電極より半導体膜を基準に高い場所に設けられ、ゲート電極及び上部電極の上方には、信号線が設けられている表示装置。 （もっと読む）

【課題】素子の劣化及び均一度の低下を防止する酸化物薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物薄膜トランジスタの製造方法は、基板１１０上にゲート電極１２１を形成する段階と、基板１１０上にゲート絶縁膜１１５を形成する段階と、ゲート絶縁膜１１５上にチャネル領域の側面にテーパを有する１次アクティブ層１２４ａを形成し、１次アクティブ層１２４ａ上にソース／ドレイン電極を形成する段階と、ソース／ドレイン電極１２２、１２３の上部に、非晶質酸化亜鉛系半導体からなる２次アクティブ層１２４ｂを、１次アクティブ層１２４ａのテーパと接触するように形成する段階とを含み、１次アクティブ層１２４ａは、ソース／ドレイン電極１２２、１２３のウェットエッチング中に低い選択比でエッチングされることにより、側面にテーパが形成される。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れた半導体装置の製造方法、半導体装置、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板７の一方の面側に、トランジスタ４のゲート絶縁体層４４を形成する第１の工程と、ゲート絶縁体層４４上に、厚さ方向に貫通する貫通部９１を備える絶縁体層９を形成する第２の工程と、貫通部９１内の底部付近のゲート絶縁体層４４上、および、貫通部９１の周囲の絶縁体層９上に、気相成膜法により同時にかつ互いに接触しないようにそれぞれ電極を形成し、ゲート絶縁体層４４上に形成された電極を用いて、ゲート電極４５を形成するとともに、絶縁体層９上に形成された電極を用いて、画素電極６を形成する第３の工程とを有する。また、平面視で、貫通部９１の開口部の縁が、当該貫通部９１の底部の縁より内側に位置する。 （もっと読む）

【課題】膜厚のばらつき及び表面の平坦性に優れ、基材との十分な密着性を有する導電膜パターンを、複雑、高価な設備、工程を必要とせずに形成する導電膜パターン及びその形成方法を提供する。
【解決手段】金属微粒子含有インクを基材上に配置し、焼成することにより形成される導電膜パターンにおいて、前記基材のインク被配置面に、有機塩あるいは無機塩の含有されたプライマー層が形成されているものであることを特徴とする導電膜パターン。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実
にした半導体装置を提供するものである。
【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極
上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間
絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールとを有する。前記第１の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜
厚の１／３以下に形成する。 （もっと読む）

【課題】凹凸部に導電性材料を斜め蒸着することによりパターニングなしで、部分的に補助電極層を形成可能であり、高透明性と高導電性を両立することができ、発光素子に用いると光取り出し効率の向上を図れる透明導電体、及び該透明導電体を効率よく製造することができる透明導電体の製造方法の提供。
【解決手段】基材の一の表面に、該表面を基準として複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部と、前記凹凸部の少なくとも斜面部分に形成された導電性材料からなる補助電極層と、前記凹凸部及び前記補助電極層の表面に形成された透明導電層とを有する透明導電体である。 （もっと読む）