【課題】炭素低含有シリサイド電極を有する炭化硅素半導体装置において、炭素低含有シリサイド電極とその上に形成された金属層の密着性を向上することにより、金属層が剥離することを抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化硅素基板上のコンタクトに遷移金属を蒸着し、加熱処理して、炭素高含有シリサイド電極を形成する。更に加熱処理し、炭素高含有シリサイド電極内部の炭素および炭化物を析出し炭素低含有シリサイド電極５へ転換する。析出された炭素およびグラファイト性固体５３、５４、複合酸化物５５を除去する。更に、硝酸と硫酸の混合溶液、発煙硝酸と硫酸の混合溶液または発煙硝酸に炭素低含有シリサイド電極の表面を浸漬して、その表面に存在する残滓を除去する。この後、炭素低含有シリサイド電極の表面に配線材５６を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型窒化物半導体層に対するオーミック電極の接触抵抗を低減でき、かつ長期的に安定した動作が実現可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 電極形成工程において、ｐ型ＧａＮコンタクト層７上に、第１ｐ型オーミック電極１０であるＰｄ膜および第２ｐ型オーミック電極１１であるＴａ膜を順次形成して、Ｐｄ膜およびＴａ膜から成る金属膜で構成されるｐ型オーミック電極を形成するとき、金属膜中に酸素原子が含まれるように金属膜を形成する。このように金属膜中に酸素原子が存在する状態で、金属膜で構成されるｐ型オーミック電極を、熱処理工程において、酸素原子を含むガスを含まない雰囲気下で熱処理する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に開口された接続孔の内部に導電性材料を埋め込む接続部において、接続孔の底部に存在するシリサイド層の表面の自然酸化膜を除去することのできる技術を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜（第１及び第２絶縁膜１９ａ，１９ｂ）に接続孔２０を開口して、接続孔２０の底部にニッケルシリサイド層１８の表面を露出させた後、半導体ウエハの主面上にＨＦガス及びＮＨ_３ガスを含む還元ガスを供給し、還元反応により生成物を形成してニッケルシリサイド層１８の表面の自然酸化膜を除去する。このときのＨＦガスとＮＨ_３ガスとの流量比（ＨＦガス流量／ＮＨ_３ガス流量）は１より大きく５以下とする。また半導体ウエハの温度を３０℃以下とすることが好ましい。その後、半導体ウエハに１５０から４００℃の加熱処理を施すことにより、半導体ウエハの主面上に残留する生成物を除去し、続いてバリアメタル膜２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】仕事関数値が高く、熱耐性がある低抵抗なキャパシタ用電極を提供する。
【解決手段】互いに対向する第１面及び第２面を有するキャパシタ用電極であって、酸素原子及び窒素原子を含有し、厚み方向における第１面と第２面の間に酸素原子の濃度が最大値を示す位置Ａを有し、窒素原子は位置Ａよりも第１面側にのみ存在することを特徴とする、キャパシタ用電極。 （もっと読む）

【課題】 電極間に抵抗成分が生じないｐ電極を有する窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ電極１２は、第１のＰｄ膜１３、Ｔａ膜１４および第２のＰｄ膜１５によって構成され、窒化物半導体から成るｐ型コンタクト層１１上に形成される。第２のＰｄ膜１５上には、パッド電極２２が形成される。第２のＰｄ膜１５は、ｐ電極１２を構成するＴａ膜１４上部全面に形成され、Ｔａ膜１４の酸化を防止する酸化防止膜として機能する。この第２のＰｄ膜１５によって、Ｔａ膜１４が酸化されることを防止することができるので、ｐ電極１２とパッド電極２２との間に生じる抵抗成分を抑制することができる。これによってｐ電極１２とパッド電極２２との接触不良を防ぐことができるので、低抵抗なｐ電極１２を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】電気を流すことができる。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に形成された、開口孔を有する絶縁膜１２と、開口孔の底部に形成された、内部にアルカリ金属原子（またはハロゲン原子）１６ａを有する筒状炭素構造体１４と、を有する配線構造１０により、基板１１と、基板１１上に形成された、開口孔を有する絶縁膜１２と、開口孔の底部に形成された、内部にアルカリ金属原子（またはハロゲン原子）１６ａを有する筒状炭素構造体１４とにより、筒状炭素構造体１４が金属性を示す。 （もっと読む）

【課題】 電極間に抵抗成分が生じないｐ電極を有する窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ電極１２は、第１のＰｄ膜１３、Ｔａ膜１４、およびＴａ膜１４の酸化を防止する酸化防止膜としての第２のＰｄ膜１５によって構成され、窒化物半導体から成るｐ型コンタクト層１１上に形成される。第２のＰｄ膜１５上には、パッド電極２２が形成される。酸化防止膜である第２のＰｄ膜１５は、ｐ電極１２を構成するＴａ膜１４上部全面に形成され、この第２のＰｄ膜１５によって、Ｔａ膜１４が酸化されることを防止することができるので、ｐ電極１２とパッド電極２２との間に生じる抵抗成分を抑制することができる。これによってｐ電極１２とパッド電極２２との接触不良を防ぐことができるので、低抵抗なｐ電極１２を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】同一半導体基板上で、画素部とロジック部とは混載された固体撮像装置において、画素部のトランジスタの拡散層表面とロジック部のトランジスタの拡散層表面にコバルトシリサイド層を形成しても、画素部のトランジスタで接合リークを発生させないようにすることを可能とする。
【解決手段】入射光を光電変換して電気信号を得る画素部１２と、前記画素部１２の周辺に形成されたロジック部１３とを同一半導体基板１１に有する固体撮像装置１において、前記画素部１２の第１トランジスタ３１の第１拡散層３６、３７表面に形成された第１コバルトシリサイド層３８、３９の膜厚が、前記ロジック部１３の第２トランジスタ５１の第２拡散層５６、５７表面に形成された第２コバルトシリサイド層５８、５９の膜厚よりも薄く形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスにて、基板上に導電性無機粒子の分散液を用いた液相法により低抵抗な導電性無機膜を安定して製造する。
【解決手段】導電性無機膜1は、酸化処理により切断可能な化学結合により結合された分散剤30により表面が被覆された多数の導電性無機粒子20と有機溶剤とを含む原料液を用いて、液相法により多数の導電性無機粒子20を含む薄膜前駆体12を基板11上に成膜する工程（A）と、薄膜前駆体12に、薄膜前駆体12中に含まれる少なくとも１種の有機成分の分解温度以下且つ基板11の耐熱温度以下の条件で酸化処理を施して薄膜前駆体12中に含まれる導電性無機粒子20の表面の化学結合を切断して分散剤30を脱離させるとともに、有機成分を分解する工程（B）と、基板11が基板11の耐熱温度以下となる条件で薄膜前駆体12pを焼成する工程（C）とを順次実施して製造されたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ハードマスクを使用した作り分けプロセスによるｎＭＯＳ側とｐＭＯＳ側とでのハードマスク材料の堆積、リソグラフィ、加工というプロセスを不要とすることを特徴とする。
【解決手段】シリサイド工程後に、ｎＭＯＳ１５のポリシリコンゲート電極１７上とソース、ドレイン拡散層１９上とに酸化膜２３が選択的に析出される。この酸化膜２３は次のシリサイド工程後にマスクとして使用され、ｐＭＯＳ１６のポリシリコンゲート電極１７及びソース、ドレイン拡散層２０に対して選択的にシリサイド化処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】紫外光を効率よく出力できる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体層１４を含み、少なくとも紫外領域に発光波長を有する半導体層と、前記ｐ型半導体層１４上に設けられた透光性電極１５とを備え、前記透光性電極１５が、結晶化されたＩＺＯ膜を含むものである半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】所望の形状を有するゲート電極を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された半導体膜を加工してゲート電極を形成する工程と、ＨＢｒ、Ｃｌ_２、ＣＦ_４、ＳＦ_６若しくはＮＦ_３のうち少なくとも１つおよびＯ_２を含み、Ｏ_２の流量が全体の流量の合計の８０％よりも大きいガス、または、ＨＢｒ、Ｃｌ_２、ＣＦ_４、ＳＦ_６若しくはＮＦ_３のうち少なくとも１つ、Ｏ_２およびＮ_２を含み、Ｏ_２およびＮ_２の流量の合計が全体の合計の８０％よりも大きいガスのプラズマ放電により、前記ゲート電極の側面に保護膜を形成する工程と、前記保護膜を形成した後、前記半導体基板上の前記半導体膜の残渣を除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

本発明は、基板上に第１層と第２層とを具備する光電子デバイスに関する。前記光電子デバイスは、前記第１層がフッ素含有基を有する電極材料を含み、前記第２層がフッ素含有基を有する高分子材料を含み、前記第１層と前記第２層のフッ素含有基の一部の間で接着性のフッ素−フッ素相互作用を生じることを特徴とする。本発明はさらに、本発明による光電子デバイスの使用および本発明による光電子デバイスの製造方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】ソース、ドレイン電極等、半導体デバイスにおける電極と有機半導体層とのオーミックコンタクト（電荷注入効率）の改善であり、これにより移動度、ｏｎ／ｏｆｆ比、駆動電圧等、トランジスタ性能に優れた有機薄膜トランジスタ、およびその製造方法及び低コスト、簡便なプロセスにより製造可能な有機ＴＦＴ製造法を提供する。
【解決手段】支持体上にゲート電極４、絶縁層５、金属からなるソース電極２及びドレイン電極３、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記ソース電極及びドレイン電極表面の少なくとも一部に無機酸化物が存在し、前記無機酸化物に直接結合してなる単分子膜をソース電極及びドレイン電極と有機半導体層間に有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】良好な強誘電体膜を形成する。
【解決手段】本発明の強誘電体メモリの製造方法は、基板上方にイリジウム膜３３１を形成する工程と、イリジウム膜３３１上に酸化イリジウム層３３４を形成する工程と、酸化イリジウム層３３４を非晶質のイリジウム層３３６とする工程と、非晶質のイリジウム層３３６を酸化して、酸化イリジウム部３３７とする酸化工程と、酸化イリジウム部３３７上にＭＯＣＶＤ法で強誘電体膜を形成する工程と、強誘電体膜上に電極を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】抵抗率が改善された、共形性の高い拡散バリアの、インシチュウによる構築を遂行する。
【解決手段】本発明の一態様では、処理チャンバと、シャワーヘッドと、ウエハ支持体と、ＲＦシグナル手段とを有していてもよい。シャワーヘッドを具備することにより、処理チャンバ内にガスを供給する。ウエハ支持体は、処理チャンバ内でウエハを支持するために具備される。シャワーヘッドに第１のＲＦシグナルを供給しまたウエハ支持体に第２のＲＦシグナルを供給するために、ＲＦシグナル手段がシャワーヘッドとウエハ支持体の両方に結合していてもよい。あるいは、ＲＦシグナル手段は、ウエハ支持体にＲＦシグナルを供給するためにウエハ支持体だけに結合していてもよい。本発明の態様を実施することによりアルミニウムや銅等のコンタクトメタルの拡散を防止する拡散バリアの能力を、向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴとｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴで異なる金属膜を使用する場合であっても、両方のゲート電極を同時に加工できる技術を提供する。
【解決手段】ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域に改質膜１１を形成している。改質膜１１は、ポリシリコン膜９にリンを導入することにより形成されている。この改質膜１１は、ポリシリコン膜９よりもエッチング速度が速くなる性質がある。このことから、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域において、改質膜１１とポリシリコン膜９をすべてエッチングする際、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域においては、ポリシリコン膜９がすべてエッチングされずに一部が残存する。これにより、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域に形成されている膜の総膜厚と、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域に形成されている膜の総膜厚の差が緩和される。 （もっと読む）

【課題】集積回路のためのアルミニウム相互接続部メタライゼーションを、所望によりアルゴンが追加されてもよい純粋な酸素雰囲気中で制御可能に酸化させる。
【解決手段】ウエハ３２をアルミニウムスパッタリング中に生じる３００℃を超える温度からアルミめっきを施したウエハをプラスチックカセット３４に装填させることを可能にする１００℃未満まで冷却させるので有利に行われる。酸化は高真空搬送チャンバ６２と低真空搬送チャンバ４０の間の通過チャンバ５６、８０内で制御可能に行うことができる。酸素分圧は有利には０.０１〜１トール、好ましくは０.１〜０.５トールである。１トールを超える全圧にアルゴンを添加すると、ウエハが水冷却ペデスタル上に載置された場合にウエハ冷却が促進される。スパッタチャンバへの酸素逆流を防止するために冷却チャンバは冷却中に真空ポンプで排気されず最初にアルゴンが次に酸素が冷却チャンバにパルスされる。 （もっと読む）

【課題】シリサイド膜上に形成されるシリコン窒化膜の膨れや剥離を抑えることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面にシリサイド膜が形成された領域を有する半導体基板を、酸素元素を含むガス雰囲気中でプラズマ処理してシリサイド膜の上に酸化膜を形成する工程と、その酸化膜を形成した後、半導体基板の表面を覆うシリコン窒化膜を形成する工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】 載置台上に薄膜を形成して載置台を熱的に安定化させることにより、成膜プロセスの再現性を良好にすることができる処理装置を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器４と、該処理容器内に設けられて被処理体Ｗを載置するための載置台１６と、前記被処理体を加熱する加熱手段１８と、前記処理容器内へ所定の処理ガスを導入するガス導入手段３０と、を有して前記被処理体に対して成膜処理を施すようにした処理装置において、前記載置台の温度を実質的に略一定とした時にその膜厚が変化しても前記載置台からの輻射熱量が略一定になるような範囲内の厚さで、前記載置台の表面にプリコート層２８を形成するように構成する。 （もっと読む）