本発明の実施形態は、概して、半導体基板を処理する装置及び方法に関するものである。具体的には、本発明の実施形態は、トレンチ及びビアの断面形状を、トレンチ及びビアへの充填を行なう前に変形させる方法及び装置に関するものである。本発明の一実施形態では、トレンチ構造をエッチング液に曝すことにより、犠牲層を形成してトレンチ構造の上部開口部を閉塞する。一実施形態では、エッチング液は、第１材料と反応して犠牲層を形成する副生成物を生成することにより、第１材料を除去するように調製される。
（もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの電気特性や信頼性はチャネル領域に不純物元素が拡散することで損なわれてしまう。アルミニウム原子が酸化物半導体層へ拡散し難い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を有した薄膜トランジスタ１５０がアルミニウムを第１成分とする第１導電層（１１４ａ、１１４ｂ）と高融点金属材料からなる第２導電層（１１５ａ、１１５ｂ）を積層したソース電極層及びドレイン電極層（１１７ａ、１１７ｂ）を有し、酸化物半導体層１１３が、前記第２導電層（１１５ａ、１１５ｂ）および酸化アルミニウムを第１成分とするバリア層（１１６ａ、１１６ｂ）と接することで、アルミニウム原子の酸化物半導体層１１３への拡散を抑制する。 （もっと読む）

【課題】低極性、低粘度の化合物を用いた金属膜の製造方法を提供することであり、また、低温で金属膜を製造する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】以下の式１で示される化合物存在下で加熱処理を行う金属膜の製造方法。
【化１】


（式中、Ｘは水素原子または−ＯＲ^３基、Ｒ^１、Ｒ^２はそれぞれ独立に水素原子または炭素数１〜６のアルキル基、Ｒ^３は炭素数１〜４のアルキル基、Ｙは水素原子、炭素数１〜６のアルキル基または−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘを表す。） （もっと読む）

【課題】デュアル仕事関数半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に、これと接触するゲート誘電体層１０４を形成する工程と、ゲート誘電体層の上に、これと接触する金属層１０５を形成する工程と、金属層の上に、これと接触するゲート充填材料の層１０６を形成する工程と、ゲート誘電体層、金属層、およびゲート充填層をパターニングして、第１ゲートスタックと第２ゲートスタックとを形成する工程と、半導体基板中に、ソースおよびドレイン領域１０９を形成する工程と、第１および第２ゲートスタックの少なくとも片側の第１および第２領域中に誘電体層を形成する工程と、その後に第２ゲートスタックのみからゲート充填材料を除去し、下層の金属層を露出させる工程と、露出した金属層を金属酸化物層１０５１に変える工程と、第２ゲートスタックを他のゲート充填材料１１５を用いて再形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】金属層にノッチ形状が形成されず、多結晶シリコン層から金属層へのシリコンの拡散を防止したＭＩＰＳゲート構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ＭＩＰＳゲート構造を有する半導体装置の製造方法において、ＭＩＰＳゲートの作製工程は、半導体基板上に、ゲート絶縁膜、メタル層、および多結晶シリコン層を順次堆積する工程と、多結晶シリコン層の上に形成したエッチングマスクを用いて、多結晶シリコン層をエッチングする工程と、メタル層を選択的にエッチングして、下方に向かって側壁がテーパ状に張り出したメタル層を残す工程と、多結晶シリコン層の側壁を含む平面から外方に突出したメッキ層のテーパ部を酸化して、酸化テーパ部とする酸化工程と、酸化テーパ部をエッチングで除去する除去工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系の配線材料として用いた場合でも、十分な耐ヒロック性に備えるとともに、ドライエッチングを適用でき、さらに、レジストマスクを剥離する際に用いる剥離液によって、配線がエッチングされることのない電気的固体装置、電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、素子基板１０上に走査線３ａなどの配線を形成するにあたって、ネオジウムを２ａｔｍ％未満含有するアルミニウム合金膜を用いるとともに、走査線３ａの上面および側面を酸化して表面保護膜３１ａを形成する。このため、走査線３ａは、耐ヒロック性が高いとともに、表面保護膜３１ａ、３１ｅによってアルカリ性の剥離液から保護される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、金属ゲート電極表面を低温で金属絶縁膜に変え、デバイスの、すなわち、回路・システムの信頼性を向上するデバイス構造、および、その製作方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、ＭＯＳデバイスのゲート電極を金属を用いて形成し、その側壁を金属絶縁膜に改質し、デバイスの信頼性を向上したことを特徴とする。また、良質な金属絶縁膜を、低温で形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜性（造膜性ともいう）の良好な金属酸化物前駆体層の作製方法、作製された該金属酸化物前駆体層を用いた金属酸化物層の作製方法を提供し、且つ、該金属酸化物の作製方法を用いて、移動度が高く、Ｏｎ／Ｏｆｆ比が高く、敷電圧が低い電子デバイスを提供する。
【解決手段】基材の上に金属イオンを含む溶液を基材に塗布する金属酸化物前駆体層の作製方法において、該基材の温度（℃）を該溶液の主溶媒の沸点（℃）の５０％〜１５０％の温度範囲に調整して前記溶液を塗布、成膜する工程を有することを特徴とする金属酸化物前駆体層の作製方法。 （もっと読む）

【課題】銅を主成分とするコンタクトプラグを有する半導体装置において、コンタクトプラグに隆起が発生することを防止する。
【解決手段】第１の層間絶縁膜１０２に、金属シリサイド層１０１に到達するコンタクトホール１０３を形成する工程（ｃ）と、コンタクトホールの底面及び側壁に、高融点金属膜１０４を形成する工程（ｄ）と、高融点金属膜上に、銅を主成分とする金属膜１０６Ａを形成し、コンタクトホール内に、高融点金属膜を介して、金属膜が埋め込まれてなるコンタクトプラグ１０７を形成する工程（ｅ）と、第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグの上に、第２の層間絶縁膜１０８を形成する工程（ｆ）とを備え、工程（ｆ）は、コンタクトプラグの表面に存在する酸素ガスを除去する工程（ｆ１）と、工程（ｆ１）の後に、コンタクトプラグの表面に存在する酸素ガスが除去された状態で、第２の層間絶縁膜を形成する工程（ｆ２）とを含む。 （もっと読む）

【課題】 長波長領域の光の透過性に優れ、これを効率よく活用できる光電変換素子および光検出素子を提供する。
【解決手段】 第一の電極層、光電変換層および第二の電極層が順に配置され、前記第二の電極層側から入射する光によって光起電力を発生させる光電変換素子においては少なくとも前記第二の電極層が、もしくは、一対の電極と該電極間に挟まれた光検知材料層とを有する光検出素子においては一対の電極のうち少なくとも一方が、（Ａ）チタン化合物に過酸化水素を反応させた反応生成物と（Ｂ）ニオブ化合物またはタンタル化合物に過酸化水素を反応させた反応生成物とを含む前駆体液を塗布し、焼成した後、還元雰囲気下にて加熱によるアニール処理を施すことにより形成された酸化チタン系透明導電性膜である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスター中間体および薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】ｎ⁻アモルファスＳｉ半導体膜４の上に形成されたｎ^＋アモルファスＳｉオーミック膜４´と、ｎ^＋アモルファスＳｉオーミック膜４´の上に形成されたバリア膜１１と、バリア膜１１の上に形成されたドレイン電極膜５およびソース電極膜６を有する薄膜トランジスター中間体であって、ドレイン電極膜およびソース電極膜は、バリア膜１１に接して形成されているＣａ：０．２〜１０モル％、Ａｌ、ＳｎおよびＳｂの内の１種または２種以上を合計で０．０５〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕからなる酸素−Ｃａ（Ａｌ，Ｓｎ，Ｓｂ）銅合金中間体下地層１２と、この酸素−Ｃａ（Ａｌ，Ｓｎ，Ｓｂ）銅合金中間体下地層１２の上に形成されたＣｕ合金層１３とからなる複合銅合金膜１４が形成されている薄膜トランジスター中間体、並びに薄膜トランジスター。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体基板と電極膜との間のコンタクト抵抗が低く、炭化珪素半導体基板から電極膜が剥離しにくい炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ｐ型炭化珪素エピタキシャル層３の表面層に、ｐ⁺コンタクト領域６を形成する。炭化珪素半導体基板の表面にパッシベーション膜８を形成し、ｐ⁺コンタクト領域６上のパッシベーション膜８を除去する。ついで、炭化珪素半導体基板の表面に、第１のニッケル膜９、第２のチタン膜１０、第３のニッケル膜１１を順次積層する。ついで、エッチングにより、ｐ⁺コンタクト領域６上にのみ、第１のニッケル膜９および第２のチタン膜１０を残す。ついで、熱処理を行い、ニッケルシリサイドおよびチタンカーバイドからなるコンタクト電極を形成する。ニッケル膜のエッチングには、酸系薬液を用いる。チタン膜のエッチングには、アンモニア水もしくは過酸化水素水を用いる。 （もっと読む）

【課題】量産性や歩留まりや信頼性を向上可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体装置の製造方法は、ゲート酸化膜６および層間酸化膜９をエッチングして、ソース領域３表面およびｐ＋コンタクト領域５表面を部分的に露出する第１のコンタクトホール１２を形成すると同時に、層間酸化膜９をエッチングして、ドリフト領域２上側のゲート電極７表面を部分的に露出する第２のコンタクトホール１３を形成する工程を備える。露出されたソース領域３上部およびｐ＋コンタクト領域５上部を熱酸化して第１の酸化膜を形成するとともに、露出されたゲート電極７上部を熱酸化して、第１の酸化膜の膜厚よりも厚い酸化膜１６を形成する工程を備える。酸化膜１６を残しつつ、第１の酸化膜を完全に除去する工程と、Ｎｉ膜１７を成膜する工程と、第１のアニールによりＮｉＳｉ膜１８を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、弊害なく半導体装置の高耐圧化、耐圧安定化、電極の電位安定化、耐圧保持領域のシュリンクなどに活用される半絶縁性膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体基板表面にＰ型領域を形成する工程と、該Ｐ型領域上にＡｌ電極を形成する工程と、該Ａｌ電極と接し、Ａｌと比較してＳｉと反応しづらい物質からなる層間膜を形成する工程と、該層間膜上にＳｉを含有する半絶縁性膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄い絶縁物の分子層で覆われたＳｉ基板表面にＣＶＤ法により誘電体膜を形成する際のインキュベーション時間をなくし、得られる誘電体膜の均一性を向上させると同時に、誘電体膜の膜厚方向の組成を制御する。
【解決手段】Ｓｉ基板上への誘電体膜の形成方法は、前記Ｓｉ基板上に第一の金属の気相分子化合物を実質的に一様に吸着させ、前記Ｓｉ基板上を前記第一の金属の気相分子化合物により覆う第一の工程と、前記Ｓｉ基板を覆う前記第一の金属の気相分子化合物を酸化雰囲気中で分解し、前記Ｓｉ基板上に前記第一の金属を含む第一の誘電体分子層を形成する第二の工程と、前記Ｓｉ基板上に第二の金属の気相分子化合物を実質的に一様に吸着させ、前記Ｓｉ基板上を前記第二の金属の気相分子化合物により覆う第三の工程と、前記Ｓｉ基板を覆う前記第二の金属の気相分子化合物を酸化雰囲気中で分解し、前記第一の誘電体分子層上に前記第二の金属を含む第二の誘電体分子層を形成する第四の工程と、を含む （もっと読む）

【課題】ゲート酸化膜やゲート酸化膜と半導体基板の界面にダメージを与えることなく、界面準位の低減を図る。
【解決手段】シリコン酸化膜６で覆われたゲート電極４にポリシリコン膜８ａとタングステンシリサイド膜８ｂの積層膜からなり、弗素を含んだ弗素含有膜８を形成する。この場合、先ず、シリコン酸化膜６で覆われたゲート電極４上にポリシリコン膜８ａを形成し、ポリシリコン膜８ａ上にＷＦ_６とＳｉＨ_４を原料ガスとしてＬＰＣＶＤ法によりタングステンシリサイド膜８ｂを形成する。この場合、ＷＦ_６中の弗素はＳｉＨ_４中の水素と反応し、大半は弗化水素（ＨＦ）ガスとして排気され、タングステンシリサイド膜８ｂを形成する反応が継続するが、弗素の一部はタングステンシリサイド膜８ｂの中に取り込まれる。その後、タングステンシリサイド膜８ｂの弗素をゲート酸化膜３中に熱拡散させるための熱処理が施される。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径が均一な金属シリサイド膜、特にチタンシリサイド膜を形成することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】被処理体１のＳｉ含有部分上の自然酸化膜を除去する工程と、被処理体１の自然酸化膜が除去されたＳｉ含有部分上に金属シリサイド膜４を形成する工程とを具備し、金属シリサイド膜４を形成する工程は、最初にプラズマを生成せずに、成膜しようとする金属シリサイド中の金属を含有する金属含有原料ガスを所定時間供給して金属−シリコン結合を生じさせ（ii）、次いで金属含有原料ガスを供給しつつプラズマを生成して当該金属からなる金属膜を成膜し、その際の金属膜とＳｉ含有部分との反応により金属シリサイド膜を形成する（iii）。 （もっと読む）

別途の熱処理工程を省略することができる多層金属薄膜製造方法及びその製造装置を提供する。多層金属薄膜製造方法は、（ａ）第１反応容器に第１金属前駆体を流入して、基板上に第１金属膜を形成する工程と、（ｂ）第２反応容器に第２金属前駆体を流入して、前記第１金属膜上に第２金属膜を形成する工程とを含み、前記（ｂ）工程は、前記第１金属膜が熱処理されながら前記第２金属膜が形成されるように、前記第１金属膜の熱処理温度の範囲内でなされる。
（もっと読む）

【要 約】
【課題】剥離しない上部配線膜を形成する。
【解決手段】下部配線膜１１とコンタクトする部分や、ＳｉＮ層１２の表面に、インクジェット法によって錫又は亜鉛の微粒子が分散された第一の印刷液を塗布し、焼成して酸化錫と酸化亜鉛の少なくとも一方から成る無機接着膜１３を形成し、無機接着膜１３の表面にＡｇ微粒子が分散された第二の印刷液を塗布し、焼成して上部配線膜１４を形成する。無機接着膜１３は、下部配線膜１１表面のＭｏＮ層２３及びガラス基板１０上のＳｉＮ層１２と、上部配線膜１４と接着性が高いので、上部配線膜１４が剥離しない。 （もっと読む）

【課題】 ドーパントの活性化率の高いシリコンゲルマニウム膜を成膜するにあたり、シリコンゲルマニウム膜のマイグレーションを抑えること。
【解決手段】 反応容器内に処理ガスを供給すると共に処理雰囲気の温度を所定の温度に設定して基板上にシリコンゲルマニウム膜を成膜する工程（Ｐ４）と、次いで反応容器内に水素ガスを供給してシリコンゲルマニウム膜をアニールする工程（Ｐ５）と、その後、反応容器内を真空排気し続いてパージガスによりパージする工程を１回行うかまたは複数回繰り返す工程（Ｐ６）と、しかる後に基板を反応容器内から搬出する工程（Ｐ７）と、を含む。 （もっと読む）