【課題】ボイドやシームが発生しにくい構造体とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１０１に形成された層間絶縁膜１０３と、層間絶縁膜１０３に形成されたコンタクト孔１０４と、コンタクト孔１０４を埋め込むＣｕ膜１０７と、コンタクト孔１０４の内部の側壁に形成され、Ｃｕ膜１０７の下地となる金属含有下地膜１３と、を備える。コンタクト孔１０４の開口に接続している側壁の一部を含む第一の領域１１において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属窒化層１０６を有する。第一の領域１１よりも半導体基板１０１側の側壁を含む第二の領域１２において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属層１０５を有する。金属層１０５の表面におけるＣｕ膜１０７の成膜速度は、金属窒化層１０６の表面におけるＣｕ膜１０７の成膜速度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極に、剥離やストレスマイグレーションによるボイドが発生するのを抑制する。
【解決手段】複数の薄膜トランジスタが配列された基板を有する表示装置であって、薄膜トランジスタは、半導体層６と、半導体層６上に形成されるコンタクト層７と、コンタクト層７上に形成されるソース電極１０及びドレイン電極９とを有し、ソース電極１０およびドレイン電極９は、コンタクト層７の上側に形成される第１の導電層９ａ，１０ａと、第１の導電層９ａ，１０ａの上側に形成される第２の導電層９ｂ，１０ｂとを有し、第２導電層９ｂ，１０ｂは、第１添加元素と、銅とを含有する銅合金層であり、前記第１添加元素は、ジルコニウム、チタン、銀、インジウム、金、錫、クロム、ケイ素から選ばれた少なくとも１種類の元素である、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】オフ領域におけるゲート電圧−ドレイン電流特性（Ｖｇ−Ｉｄ特性）の劣化を抑制した薄膜トランジスタを備えたトランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタＴＦＴに設けられるチャネル保護層１５の下層に形成された半導体層１４のうち、ソース、ドレイン電極１７間に側壁部が露出する領域（及びその近傍領域）が、酸素プラズマ処理により酸化処理されている。これにより、当該領域に酸化膜２０が形成され、非導体化又は高抵抗化する。 （もっと読む）

【課題】微小凹部を形成することにより、光電変換装置の光電変換効率および安定性を向上させる。
【解決手段】ガラス基板２と、ガラス基板２の主表面の少なくとも一部を覆い、基板側とは反対側の表面に凹凸形状を有する透明導電膜３とを備えている。凹凸形状は、最大高さが５０ｎｍ以上１２００ｎｍ以下である凸部を有している。凸部の表面上に、局部山頂の間隔が２ｎｍ以上２５ｎｍ以下である微小凹部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体装置のソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を形成するいずれの領域においても、残渣のない良好な半導体／金属界面が得られるようにする。
【解決手段】化合物半導体装置の製造方法を、基板１上に化合物半導体積層構造４を形成する工程と、化合物半導体積層構造上に金属膜５Ａ〜５Ｃを形成する工程と、金属膜上にソース電極７及びドレイン電極８を形成する工程と、金属膜の一部を酸化又は窒化して、金属酸化物膜又は金属窒化物膜５ＣＸを形成する工程と、金属酸化物膜又は金属窒化物膜上にゲート電極９を形成する工程とを含むものとする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上する。
【解決手段】メモリセルＭＣは、半導体基板１の主面上のゲート絶縁膜５を介して設けられたコントロールゲート電極ＣＧと、コントロールゲート電極ＣＧの側面および半導体基板１の主面に沿って設けられたＯＮＯ膜９と、ＯＮＯ膜９を介してコントロールゲート電極ＣＧの側面および半導体基板１の主面上に設けられたメモリゲート電極ＭＧとを有する。コントロールゲート電極ＣＧおよびメモリゲート電極ＭＧの上部には、シリサイド膜１５およびシリサイド膜１５の表面の酸化によって形成された絶縁膜５１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】チャネルへの不純物添加を行うことなく閾値電圧を大きくすることが可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】基板１１にゲート電極２０を形成したのち、このゲート電極２０の表面から厚み方向における一部を、熱処理またはプラズマ処理を用いて酸化させることにより、ゲート電極２０のゲート絶縁膜３０との界面２０Ａから厚み方向における一部を、金属酸化物よりなる界面層２１とする。ゲート電極２０のゲート絶縁膜３０との界面２０Ａにおける仕事関数が大きくなるので、ゲート電極２０と酸化物半導体膜４０との仕事関数差φＭＳが大きくなり、閾値電圧Ｖｔｈが大きくなる。 （もっと読む）

【課題】銀化合物とアンモニウムカルバメート系化合物とを反応して誘導される新規な有機銀錯体化合物及び該化合物の製造方法の提供。
【解決手段】下式で表される銀化合物と、アンモニウムカルバメート系化合物(例えば；２−エチルヘキシルアンモニウム２−エチルヘキシルカルバメート、２−メトキシエチルアンモニウム２−メトキシエチルカルバメート、２−シアノエチルアンモニウム２−シアノエチルカルバメートなど）とを反応させて銀錯体化合物を製造する。


（式で、ｎは１〜４の整数であり、Ｘは酸素、硫黄、ハロゲン、シアノ、シアネート、カーボネート、ニトレート、ニトライト、サルフェート、ホスフェート、チオシアネート、クロレート、パークロレート、テトラフルオロボレート、アセチルアセトネート、及びカルボキシレートで構成された群から選択される置換基である） （もっと読む）

【課題】ボンディングメタル層の材料によるショットキ界面の劣化を抑制または防止して、デバイス特性を改善する。
【解決手段】ショットキダイオードは、半導体基板１０と、この半導体基板１０にショットキ接触するショットキ金属層１５と、ショットキ金属層１５上に形成されたボンディングメタル層１６とを含む。ショットキ金属層１５は、金属窒化物層３２ｂを含む金属窒化物含有多結晶金属層３２からなるバリア層と、これに積層された金属層３１とを有している。 （もっと読む）

【課題】許容可能な拡散バリア特性と基板への密着性を耐熱性金属窒化物が有するように、基板上への窒化チタンなどの耐熱性金属窒化物膜の形成を提供する。
【解決手段】材料の層が、ウェハ上に部分的に形成された集積回路内の基板上に形成される。基板はプラズマアニールを受け、その間に基板はイオンでボンバードされる（工程３００）。プラズマアニールは、エネルギーを注入された窒素含有ガスから生成されたプラズマへ基板を曝すことにより実行できる。基板がプラズマアニールされた後、耐熱性金属窒化物の層が基板上に堆積される（工程３０１）。耐熱性金属窒化物の層は、次に、第１セットのイオンでボンバードされる。第１セットのイオンによる耐熱性金属のこのボンバードは、プラズマアニールを実行することにより達成できる。耐熱性金属窒化物は、更に、第２セットのイオンによりボンバードされる（工程３０２）。 （もっと読む）

【課題】オン電圧の低電圧化と高速動作を両立させた半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜３は、ソース領域５の端縁部からウエル領域４の外縁にかけての部分の上部に相当する領域が、厚さ約５０ｎｍの薄膜部３ａとなっており、エピタキシャル層１の上部に相当する領域が、厚さ８０〜１００ｎｍの厚膜部３ｂとなっている。薄膜部３ａと厚膜部３ｂとの間は曲率を有して緩やかに変化し、この薄膜部３ａから厚膜部３ｂへと変化する領域を膜厚変化領域１５と呼称する。膜厚変化領域１５は、エピタキシャル層１のウエル領域４の側面に接する部分および、当該部分近傍のウエル領域４の上部に相当する領域であり、そこでの、ゲート絶縁膜３の厚さは薄膜部３ａよりも厚くなっている。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタの電気抵抗の小さい金属ゲート構造を提供する。
【解決手段】本発明は、集積回路製造に関するものであって、特に、低抵抗の金属ゲート電極を有する電界効果トランジスタに関するものである。電界効果トランジスタのゲート電極の例は、凹部３２６ａを有し、かつ、第一抵抗を有する第一金属材料からなる下側部分３２６と、突起３２８ａを有し、かつ、第二抵抗を有する第二金属材料からなる上側部分３２８とからなり、突起が凹部に延伸し、第二抵抗は第一抵抗より小さい材料で形成される。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】半導体材料を含む基板に設けられたチャネル形成領域と、不純物領域と、第１のゲート絶縁層と、第１のゲート電極と、第１のソース電極および第１のドレイン電極と、を有する第１のトランジスタと、半導体材料を含む基板上の酸化物半導体層と、第２のソース電極および第２のドレイン電極と、第２のゲート絶縁層と、第２のゲート電極と、を有する第２のトランジスタと、を有し、第２のソース電極および第２のドレイン電極は、その側面が酸化された酸化領域を有し、第１のゲート電極、第１のソース電極、または第１のドレイン電極のいずれかは、第２のゲート電極、第２のソース電極、または第２のドレイン電極のいずれかと電気的に接続されている半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】グラフェンを高精度でパターニングすることができ、これにより、グラフェンを用いた電子デバイス要素及び電子デバイスの精細加工が可能であり、製造コストを格段に低減することが可能なグラフェン構造体及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】基板上にレジスト膜を精度よくパターニングし、そのレジスト膜の開口内に親水化膜を形成した後、ＧＯが親水性を有することを利用して、親水化膜の部分にのみ、ＧＯを選択的に化学的に結合させて固定化し、更にそのＧＯを還元して親水化膜の部分にのみグラフェンが選択的に固定化されたグラフェン構造体を得る。このように、グラフェン構造体は、基板上にグラフェンが設けられてなり、且つ、基板における親水処理の部位とグラフェン、及び／又は、基板における疎水処理の部位以外の部位とグラフェンとの間に、親水処理による結合が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を備えた、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体層、ソース電極およびドレイン電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、ソース電極およびドレイン電極は、その側面が酸化された酸化領域を有する半導体装置である。なお、ソース電極およびドレイン電極の酸化領域は、３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の高周波電力、および、酸素とアルゴンの混合ガスを用いたプラズマ処理により形成されたものであることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＡＭを含む半導体装置において、ＭＲＡＭの特性を向上することができる技術を提供する。
【解決手段】配線Ｌ３およびデジット配線ＤＬを形成した層間絶縁膜ＩＬ３の表面に対してプラズマ処理を実施する。まず、半導体基板１Ｓをチャンバ内に搬入し、窒素を含有する分子（アンモニアガス）と窒素を含有しない不活性分子（水素ガス、ヘリウム、アルゴン）とからなる混合ガスをチャンバ内に導入する。このとき、窒素を含有する分子の流量よりも窒素を含有しない不活性分子の流量が多い条件で、混合ガスを導入し、混合ガスをプラズマ化してプラズマ処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】シリサイド化反応を十分に行わせることによってコンタクト抵抗を低減化させることが可能な成膜方法である。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器２２内で被処理体Ｗの表面に対して薄膜を形成する成膜方法において、原料ガスを用いて処理容器内でプラズマＣＶＤ法により薄膜としてチタンを含む金属膜８を形成する金属膜形成工程と、処理容器内で金属膜に対してアニール処理を行うアニール工程とを有する。これにより、シリサイド化反応を十分に行わせることによってコンタクト抵抗を低減化させる。 （もっと読む）

【課題】オフ電流および漏れ電流が抑制された薄膜トランジスタ、および前記薄膜トランジスタを歩留り良く製造することのできる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極１２上にゲート絶縁膜１２を介して順次形成されるＳｉ（ｉ）膜１３およびＳｉ（ｎ）膜１４上に金属膜を形成し、フォトレジストパターン２２をマスクとしてエッチングし、ソース電極１５およびドレイン電極１６を形成する。酸素を含むプラズマで処理して、フォトレジストパターン２２の側面を後退させるとともに、ソース電極１５およびドレイン電極１６の側面および露出した上面にＡｌ酸化皮膜１７を形成する。残存するフォトレジストパターン２２およびＡｌ酸化皮膜１７をマスクとして、チャネル部１８のＳｉ（ｎ）膜１４およびＳｉ（ｉ）膜１３の表面の一部をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】耐圧を向上できるショットキーバリアダイオードを提供する。
【解決手段】ショットキーバリアダイオード１０は、基板と、基板上に形成されたＧａＮ層３と、ＧａＮ層３上に接して形成されたショットキー電極４とを備えている。ショットキー電極４は、卑金属で、かつ４×１０¹⁹ｃｍ^-3以上の酸素濃度を有する。ショットキーバリアダイオード１０において好ましくは、ＧａＮ層３とショットキー電極４との界面の炭素のピーク濃度は、１×１０¹⁹ｃｍ^-3以上である。 （もっと読む）

【課題】下地に対する選択比が大きく、テーパー形状の配線を形成するドライエッチング
方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下の配線を形成
する。また、基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下のゲート配線
を形成し、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に活性層を形
成する。 （もっと読む）