【課題】バリアメタル層の金属配線に対する密着性を向上させつつ、金属配線の低抵抗化を図った半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１５に形成された凹部１６、１７内にバリアメタル層２０を形成した後、凹部１６、１７内にＣｕ配線層２３を形成する。バリアメタル層２０の形成工程は、凹部１６、１７内にＴｉ含有量が５０原子％を超える第１のＴｉＮ_x膜１８を形成した後、側壁部上と比較して底部上に相対的に多く形成されるように、Ｔｉ含有量が第１のＴｉＮ_x膜１８より多い第２のＴｉＮ_x膜（またはＴｉ膜）１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】 低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に処理ガスを供給し排気することで、基板上に所定膜厚の金属膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、処理を行う工程では、金属膜を形成する途中もしくは金属膜を形成した後に処理容器内に酸素含有ガスおよび／または窒素含有ガスを熱またはプラズマで活性化して供給し排気することで、金属膜の底面もしくは表面を導電性の金属酸化層、導電性の金属窒化層または導電性の金属酸窒化層に改質する。 （もっと読む）

【課題】 低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 表面に金属膜が形成された基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に原料ガスと酸化源とを供給し排気することで、基板の表面に形成された金属膜上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、処理を行う工程では、酸化源としてオゾンガス、酸素ガスまたはプラズマにより活性化された酸素ガスを用い、所定膜厚の金属酸化膜を形成する過程において形成される金属酸化膜越しに、酸化源に含まれる酸素原子を、金属膜の表面に導入することで、金属膜の表面を酸化して導電性の金属酸化層に改質する。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素との固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素の固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する方法を提供する。
【解決手段】タンタル若しくはタンタル合金をチューブ状の形状に加工し、チューブの中に炭素粉末を圧入し、その後、チューブをコイル形状に加工した後に真空熱処理炉内に設置し、タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ₂Ｏ₅を除去した後、タンタル若しくはタンタル合金チューブ内面と前記炭素粉末ＰＩＴを固相拡散結合で分子接合させるとともに、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入してタンタル若しくはタンタル合金チューブの外表面に炭素を侵入させてＴａＣを形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタの電気的特性のばらつき及び電気的特性の劣化は、半導体装置の信頼性を著しく低下させる。
【解決手段】基板上に形成される酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続する、端部がテーパー角を有し、かつ上端部が曲面形状を有するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層の一部と接し、かつ酸化物半導体層、ソース電極及びドレイン電極を覆うゲート絶縁層と、酸化物半導体層と重畳する、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製する。
【解決手段】半導体領域または導電領域を被覆する絶縁膜に、溝及び該半導体領域または導電領域に達するコンタクトホールの少なくともいずれかを形成し、溝及びコンタクトホールの少なくともいずれかに第一の導電膜を形成し、酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成するプラズマに暴露した後、水を含む雰囲気に暴露して、第一の導電膜の一部または全部を流動化し、その後、第一の導電膜上に第二の導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程時に銅が露出して不純物が発生することを最小化できる薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板の上にゲート線１２４、ゲート絶縁膜１４０、第１非晶質シリコン膜１５４、第２非晶質シリコン膜１６４、第１金属膜１７４ａ、及び第２金属膜１７４ｂを順次形成する段階と、第２金属膜１７４ｂの上に第１部分と第１部分より厚さの厚い第２部分とを有する感光膜パターン５２を形成する段階と、感光膜パターン５２をマスクとして第２金属膜１７４ｂ及び第１金属膜１７４ａをエッチングして、第２金属パターン及び第１金属パターンを形成する段階と、第２金属パターンにＳＦ_６気体またはＳＦ_６とＨｅの混合気体で前処理する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体層１１の表面に、パワー密度が０．２〜０．３Ｗ／ｃｍ^２である酸素プラズマ処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法である。本発明によれば、酸素プラズマ処理によって、窒化物半導体層１１に導電層２６が形成されることにより、イオンマイグレーション現象が抑制される。このため、半導体装置の信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製する。
【解決手段】ｎ型及びｐ型の少なくともいずれかの不純物が添加された不純物領域を有する半導体膜と、配線とを有し、配線は、導電性を有する金属酸化物を含む拡散防止膜と、該拡散防止膜上の低抵抗導電膜とを有し、配線と半導体膜とのコンタクト部において、拡散防止膜と不純物領域とが接する。拡散防止膜は、導電膜を酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成されるプラズマに暴露して該導電膜に含まれる金属材料の酸化物を形成し、金属材料の酸化物が形成された導電膜を、水を含む雰囲気に暴露して導電膜を流動化させ、流動化した導電膜を固化することで形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンデバイスの飽和移動度特性を向上する。
【解決手段】シリコン半導体膜上に、Ｐドープｎ^＋型アモルファスシリコン膜と、該Ｐドープｎ^＋型アモルファスシリコン膜上に形成された配線とを有するシリコンデバイス構造において、前記配線が、前記Ｐドープｎ^＋型アモルファスシリコン膜の表面に形成されたシリコン酸化膜と、銅合金膜とからなり、前記銅合金膜は、１原子％以上５原子％以下のＭｎ及び０．０５原子％以上１．０原子％以下のＰを含む銅合金をスパッタリングにより形成した膜である。 （もっと読む）

【課題】導電部の欠損を防止すること。
【解決手段】Ａｌ含有膜２からなるゲートラインＬｇやコンタクト部４２などの導電部を形成する際に、下層保護導電膜／Ａｌ含有膜／上層保護導電膜の導体膜を成膜した後、その導体膜に改質処理として酸化処理を施して、上層保護導電膜３で覆われずにピンホールＰから露出してしまったＡｌ含有膜２部分に酸化保護領域４を形成することによって、Ａｌ含有膜２がレジストの剥離液などに晒されて消失してしまうことを防ぎ、導電部の欠損を防止した。 （もっと読む）

【課題】下地に対する選択比が大きく、テーパー形状の配線を形成するドライエッチング
方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下の配線を形成
する。また、基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下のゲート配線
を形成し、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に活性層を形
成する。 （もっと読む）

【課題】、基材の表面を冷却したまま溶媒を除去しない場合に比べ、パターンが精度良く形成されるパターン形成装置を提供する。
【解決手段】基材２０を冷却する基材冷却手段２２と、前記基材冷却手段によって冷却された前記基材の表面に、パターン形成材料、及び溶媒を含む組成物１８を付与して該組成物のパターンを描画するパターン描画手段２４と、前記基材の表面に描画された前記組成物のパターンから該基材を冷却したまま前記溶媒を除去する溶媒除去手段２６と、を有するパターン形成装置１０。溶媒除去後、加熱を行って分散剤を除去する加熱手段２８を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１が表面に形成された被処理体Ｗに対して成膜処理を施す成膜方法において、第１の金属よりなる第１の薄膜６０を形成する第１の薄膜形成工程と、前記第１の薄膜を酸化して酸化膜６０Ａを形成する酸化工程と、前記酸化膜上に第２の金属を含む第２の薄膜６２を形成する第２の薄膜形成工程とを有する。これにより、比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】選択的酸化工程を含む金属ゲートパターンを有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子は、半導体基板、半導体基板上に形成されたポリシリコン層、ポリシリコン層上に形成されたバリヤ金属層、及びバリヤ金属層上に形成されたタングステン層を含み、側壁を有する金属ゲートパターンと、金属ゲートパターンの側壁上に形成されたシリコンオキサイド層と、金属ゲートパターンの側壁のシリコンオキサイド層上に形成されたシリコンナイトライド層と、を含む半導体素子であって、金属ゲートパターンは、９０ｎｍ未満のゲート長を有し、シリコンオキサイド層は、ポリシリコン層の側壁に接触し、シリコンオキサイド層は、第１部分及び第２部分を含むが、第１部分は、ポリシリコン層の側壁の直接上に位置し、第２部分は、タングステン層の側壁上に位置し、第１部分は、第２部分よりさらに厚いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＤＮＡ又はＤＮＡ−脂質複合体を用いた簡易な方法により、基板上に導電性パターンを、画像流れを抑制しながら安定して形成できる電子回路付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、ＤＮＡ又はＤＮＡ−脂質複合体を含む溶液を描画することによって電子回路パターンを形成する工程と、前記電子回路パターンが形成された基板を多価金属イオン溶液に浸漬することによって、前記電子回路パターンにおいて、前記ＤＮＡ又は前記ＤＮＡ−脂質複合体と前記多価金属イオンとの錯体を形成する工程と、形成された錯体中の金属イオンを還元することによって、前記電子回路パターンを導電性パターンとする工程と、を有する電子回路付き基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 信頼性が向上する半導体素子、及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の形成方法は、半導体基板１００の上にゲート電極１２０及びゲート電極１２０の両側にスペーサー１１０を形成する段階、ゲート電極１２０の上にキャッピングパターン１７０を形成する段階、ゲート電極１２０の間にメタルコンタクト１９５を形成する段階を含み、キャッピングパターン１７０の幅はゲート電極１２０の幅より大きく形成される。これにより、形成された半導体素子は、メタルコンタクト１９５とゲート電極１２０との間での電気的な短絡を效果的に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極への水素の拡散を防止することにより、ゲート絶縁膜の劣化を抑制し、信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、ポリシリコンを含むゲート電極と、ゲート電極の少なくとも上面を覆い、水素を貯蔵する機能を有する水素貯蔵層と、を備える。好ましくは、バリア層は、組成式Ｓｉ_ｘＮ_ｙＯ_Ｚの酸窒化膜を含有し、ｘ：ｙ：ｚ＝１：１：０．１〜０．７である。 （もっと読む）

【課題】良好な整流特性を示すショットキー型ダイオードデバイスに利用可能な、半導体層を担持した安価な材料を提供する。
【解決手段】Ｃｒ含有量が１０.５〜３２.０質量％であるＦｅ−Ｃｒ系合金の母材と、その母材を酸化性雰囲気に加熱することによって形成させた表面酸化皮膜とが一体となった材料であって、ＡＥＳによる前記酸化皮膜表面からの深さ方向分析において酸素濃度が最大酸素濃度の１／２となる深さ位置に対応するＳｉＯ₂換算深さを当該酸化皮膜の膜厚とするとき、当該酸化皮膜は、膜厚が１７〜５０ｎｍのｎ型半導体であり、かつ皮膜表面側から順に３価Ｃｒ濃化域、Ｃｒ欠乏部、金属Ｃｒ濃化域を形成して母材とオーミック接合で一体化しているダイオード用ｎ型半導体担持電極材料。 （もっと読む）

【課題】ボイドやシームが発生しにくい構造体とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１０１に形成された層間絶縁膜１０３と、層間絶縁膜１０３に形成されたコンタクト孔１０４と、コンタクト孔１０４を埋め込むＣｕ膜１０７と、コンタクト孔１０４の内部の側壁に形成され、Ｃｕ膜１０７の下地となる金属含有下地膜１３と、を備える。コンタクト孔１０４の開口に接続している側壁の一部を含む第一の領域１１において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属窒化層１０６を有する。第一の領域１１よりも半導体基板１０１側の側壁を含む第二の領域１２において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属層１０５を有する。金属層１０５の表面におけるＣｕ膜１０７の成膜速度は、金属窒化層１０６の表面におけるＣｕ膜１０７の成膜速度よりも大きい。 （もっと読む）