【課題】薄膜中への不純物の取り込みを抑制し、膜質を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室内にハロゲン含有ガスを供給するハロゲン含有ガス供給工程と、処理室内にハロゲン含有ガスとは異なる原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、処理室内に電子ビームを供給して基板近傍で原料ガスの活性種を生成する原料ガス活性種生成工程と、を有し、原料ガスの活性種とハロゲン含有ガスとを反応させて基板上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、処理室内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス工程と、処理室内に電子ビームを供給して基板近傍で水素含有ガスの活性種を生成する水素活性種生成工程と、を有し、水素含有ガスの活性種と、基板上に形成した薄膜中のハロゲン元素と、を反応させて基板上に形成した薄膜を改質する薄膜改質工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕとの密着性を良好とすることが可能な金属酸化膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地上に有機金属化合物を含むガスを供給し、下地上に金属酸化膜を成膜する金属酸化膜の成膜方法であって、下地上に有機金属化合物を供給して下地上に金属酸化膜を成膜し（工程２）、かつ、金属酸化膜の成膜プロセスの最後に、金属酸化膜を酸素含有ガス又は酸素含有プラズマに曝す（工程４）。 （もっと読む）

【課題】薄膜であっても銅（Ｃｕ）原子の金属シリサイド膜などへの拡散を充分に安定して抑止でき、尚且つ、小さな接触抵抗をもたらす比抵抗の小さな銅（Ｃｕ）からコンタクトプラグを形成できるようにする。
【解決手段】 本発明のコンタクトプラグ１００は、半導体装置の絶縁膜１０４に設けられたコンタクトホール１０５に形成され、コンタクトホール１０５の底部に形成された金属シリサイド膜１０３と、コンタクトホール１０５内で金属シリサイド膜１０３上に形成された酸化マンガン膜１０６と、酸化マンガン膜１０６上に、コンタクトホール１０５を埋め込むように形成された銅プラグ層１０７と、を備え、酸化マンガン膜は非晶質からなる膜である、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高誘電体ゲート絶縁膜／メタルゲート電極のＭＯＳトランジスタ構造において、メタルゲート電極側壁の酸化層を抑制し、トランジスタ駆動能力を改善する。
【解決手段】基板１０１上に、金属含有膜１１０を形成する工程（ａ）と、反応室内において金属含有膜にアンモニアラジカルを曝露する工程（ｂ）と、反応室内に不活性ガスを供給し、工程（ｂ）において生じたガスを排気する工程（ｃ）と、工程（ｂ）及び工程（ｃ）を所定の回数繰り返した後に、大気曝露することなく、反応室内において金属含有膜１１０を覆うシリコン窒化膜１００ａを形成する工程（ｄ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 バリア膜形成による配線の抵抗値増大及びボイドの発生を防ぐことができる半導体装置、その製造方法及びその製造方法に用いるスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】 Ｓｉ酸化物を含む絶縁膜１にＣｕの配線が設けられている半導体装置であって、絶縁膜１に設けられた溝状の開口部１ａの内面に形成されたバリア膜４と、開口部１ａ内であってバリア膜４上に形成されたＣｕからなる配線本体２と、を備え、バリア膜４が、バリア膜４が、少なくとも絶縁膜１上に形成されたＢａ酸化物及びＳｒ酸化物の少なくとも一方を含有するＣｕ合金下地層を有し、該Ｃｕ合金下地層と絶縁膜１との界面にＢａＳｉ酸化物及びＳｒＳｉ酸化物の少なくとも一方が偏析している。 （もっと読む）

【課題】銅配線とアルミニウム配線との間のバリアを形成するための新規な技術を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に形成された銅配線上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に凹部を形成し、凹部の底に前記銅配線を露出させる工程と、凹部の底に露出した銅配線上に、２５０℃〜３５０℃の範囲の成膜温度で、フッ化タングステンの供給期間と供給停止期間とを交互に繰り返して、ＣＶＤでタングステン膜を選択的に成膜する工程と、タングステン膜上方に、アルミニウム配線を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】金属製のゲート電極（メタル電極）のダメージを熱酸化により修復する際の高誘電率ゲート絶縁膜の結晶化を抑制する。
【解決手段】エッチングにより側壁が露出した高誘電率ゲート絶縁膜とメタル電極とを有する基板を処理室内に搬入する工程と、処理室内で、基板を高誘電率ゲート絶縁膜が結晶化しない温度に加熱した状態で、基板に対してプラズマで励起した水素含有ガスと酸素含有ガスとを供給して酸化処理を施す工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程と、を有し、酸化処理を施す工程では、水素含有ガスの活性化時期と酸素含有ガスの活性化時期とが互いに一致するよう、処理室内への水素含有ガスの供給を開始した後、所定時間経過してから処理室内への酸素含有ガスの供給を開始する。 （もっと読む）

【課題】金属窒化膜に隣接する他の膜の特性を劣化させない温度範囲において、金属窒化膜中の塩素原子や酸素原子の残留量を低減し、金属窒化膜の耐酸化性を改善する。
【解決手段】酸素原子、塩素原子及び金属原子を含有する薄膜が形成された基板が搬入される処理室と、処理室内で基板を支持して加熱する基板支持部と、処理室内に窒素原子含有ガス及び水素原子含有ガスを供給するガス供給部と、処理室内を排気するガス排気部と、処理室内に供給された窒素原子含有ガス及び水素含有ガスを励起させるプラズマ生成部と、基板支持部、ガス供給部及びプラズマ生成部を制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成でリーク電流の抑制された電子素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に設けられ、Ｍｏ−Ｎｂ合金から構成された第１の電極と、前記第１の電極上に配置された絶縁膜と、前記第１の電極に対して少なくとも前記絶縁膜を介して配置された第２の電極と、を備えた電子素子とする。 （もっと読む）

【課題】酸化処理前における基板表面の初期酸化を抑えることができるとともに、自然酸化膜を除去できるようにする。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する工程と、処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して前記基板を処理する工程と、処理後の基板を処理室内より搬出する工程とを有し、処理工程では、処理室内の圧力を大気圧未満の圧力として処理室内に水素含有ガスを先行して導入し、続いて水素含有ガスの導入を維持した状態で酸素含有ガスを導入し、その後、水素含有ガスの導入を維持した状態で酸素含有ガスの導入を停止する。 （もっと読む）

【課題】長期絶縁破壊耐性を改善することが可能で、高信頼の炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 炭化珪素からなる基板１を不活性ガス雰囲気中で酸化温度まで昇温する段階、酸化温度において基板１上に酸化ガスを導入して基板１の表面を熱酸化する段階、酸化温度において基板１上を不活性ガス雰囲気として熱酸化を停止する段階により、ゲート酸化膜９を成長する工程と、ゲート酸化膜９上に多結晶シリコン膜を成膜し、多結晶シリコン膜を選択的に除去してゲート電極７を形成する工程と、ゲート電極７の少なくとも側面を酸化して、多結晶シリコン熱酸化膜８を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極中の不純物がゲート絶縁膜を突き抜けてチャネル領域に拡
散するのを抑制し、ソース・ドレイン領域の不純物イオンが部分的にチャネル領
域方向に異常拡散するのを防ぐ。
【解決手段】ゲート絶縁膜３上に、ポリシリコン膜４を被着してゲート電極５
パターンにパターンニングした後、ソース・ドレイン領域９を形成する前に、窒
素を含む雰囲気中で窒化処理を行って、ゲート電極５端部付近のゲート絶縁膜３
中に新たに窒素を導入する。または、ゲート電極５のパターンニング後、ソース
・ドレイン領域９を形成する前に、酸化処理を行うことによってゲート電極５の
パターンニングの際に生じるダメージや汚染の一部を酸化膜中に取り込んで基板
から除去する。その後、窒化処理を行うことにより、酸化処理によってゲート電
極５端部付近に形成され、ダメージを含む酸化膜に積極的に窒素を導入する。 （もっと読む）

【課題】メタルゲート電極を有するｐチャネル型電界効果トランジスタにおいて、所望するしきい値電圧を安定して得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に形成されたＨｆＳｉＯＮ膜からなるゲート絶縁膜５ｈ上に、Ｍｅ−Ｏ−Ａｌ−Ｏ−Ｍｅ結合を含むＭｅ_１−ｘＡｌ_ｘＯ_ｙ（０．２≦ｘ≦０．７５、０．２≦ｙ≦１．５）組成の導電性膜を一部に有するメタルゲート電極６、またはＭｅ−Ｏ−Ａｌ−Ｎ−Ｍｅ結合を含むＭｅ_１−ｘＡｌ_ｘＮ_１−ｚＯ_ｚ（０．２≦ｘ≦０．７５、０．１≦ｚ≦０．９）組成の導電性膜を一部に有するメタルゲート電極６を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを上げることなく、かつ、貫通穴が原因となって生じる歩留を向上させ、薄膜デバイスに適用可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、表面から裏面までを貫通する貫通穴を有するアンドープＧａＮ層１０２と、アンドープＧａＮ層１０２の表面上および貫通穴内に形成された、導電性を有するアルミニウム層１０３とを備え、アルミニウム層１０３における貫通穴内に形成された領域のうち、裏面側に露出している絶縁領域１０６は、化学変化により絶縁化されている。 （もっと読む）

【課題】短いゲート長を加工可能にする半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法の一形態は、シリコン基板２上にシリコン酸化膜３４を形成し、酸化膜３４上に所定幅Ｔ１を有する多結晶シリコン膜３５ａを形成し、少なくとも多結晶シリコン膜３５ａの両側部を酸化し、所定幅Ｔ１よりも狭い幅を有する酸化膜３４の部分を多結晶シリコン膜３５ａの下に残すように、酸化膜３４を、多結晶シリコン膜３５ａの酸化された部分と共にエッチングし、酸化された部分がエッチングされた多結晶シリコン膜３５ａをマスクとして、多結晶シリコン膜３５ａの両側のシリコン基板２の部分に不純物をイオン注入し、多結晶シリコン膜３５ａの両側に側壁絶縁膜１４を形成し、側壁絶縁膜１４が形成された多結晶シリコン膜３５ａをマスクとして、多結晶シリコン膜３５ａの両側のシリコン基板２の部分に不純物をイオン注入する、工程を有する。 （もっと読む）

【課題】高縦横比の特徴部のボイドなしの充填方法を提供する。
【解決手段】種々の実施例に於いて、この方法は低温化学蒸着工程によるタングステンでの特徴部の充填に関する。或る実施例に於いて、工程温度は特徴部充填の化学蒸着の間約３５０°Ｃ以下に維持される。この低温化学蒸着タングステン充填により、標準の化学蒸着充填と同様は薄膜抵抗を達成する一方、高縦横比の特徴部への向上された充填と下地層へとのフッ素移動への向上されたバリヤが得られる。発明は更に低抵抗を有するタングステンフィルムの堆積方法に関する。種々の実施例に於いて、この方法ではタングステンバルク層の堆積及び／或は低温化学蒸着によるバルク層の堆積の前に堆積された核形成層に低温低抵抗処理を実施し、その後高温化学蒸着を実施する。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスで製造でき、リーク電流が抑制された電子素子を提供する。
【解決手段】基板１０上に、端部断面のテーパー角度が６０°以下である下部電極２２と、前記下部電極２２上に配置され、水素原子の含有率が３原子％以下であり、波長６５０ｎｍにおける屈折率ｎが１．４７５以下であるＳｉＯ_２膜２４と、前記ＳｉＯ_２膜２４上に配置され、前記下部電極２２と重なり部を有する上部電極２６と、を有する電子素子である。 （もっと読む）

【課題】純ＣｕまたはＣｕ合金のＣｕ系合金配線と半導体層との間のバリアメタル層を省略することが可能なダイレクトコンタクト技術であって、幅広いプロセスマージンの範囲においてＣｕ系合金配線を半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、純ＣｕまたはＣｕ合金のＣｕ系合金膜とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Ｃｕ系合金膜との間に、基板側から順に、窒素、炭素、フッ素、および酸素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する（Ｎ、Ｃ、Ｆ、Ｏ）層と、ＣｕおよびＳｉを含むＣｕ−Ｓｉ拡散層との積層構造を含んでおり、且つ、前記（Ｎ、Ｃ、Ｆ、Ｏ）層を構成する窒素、炭素、フッ素、および酸素のいずれかの元素は、前記半導体層のＳｉと結合している。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線として耐熱性の導電性材料であるタングステン層を用いた場合に、タングステン層の比抵抗を低くすることによって、配線抵抗を十分に低減することを目的とする。
【解決手段】半導体層と、ゲート配線と、前記半導体層と前記ゲート配線との間に挟まれたゲート絶縁層とを有し、前記ゲート配線はタングステン層を有し、前記タングステン層中の酸素濃度を３０ｐｐｍ以下とすることによって、配線抵抗を十分に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一つの実施形態において半導体デバイスを形成する方法を提供する。
【解決手段】該方法は、第一導電型領域および第二導電型領域を包含する基板を用意するステップと、基板の第一導電型領域および第二導電型領域の上のゲート誘電体とＨｉｇｈ−ｋの該ゲート誘電体上を覆う第一金属ゲート導体を包含するゲート・スタックを形成するステップと、第一金属ゲート導体の第一導電型領域中に所在する部分を除去して、第一導電型領域中に所在するゲート誘電体を露出するステップと、基板に対し窒素ベース・プラズマを印加するステップであって、窒素ベース・プラズマは、第一導電型領域中に所在するゲート誘電体を窒化し、第二導電型領域中に所在する第一金属ゲート導体を窒化する、該印加するステップと、少なくとも第一導電型領域中に所在するゲート誘電体上を覆う第二金属ゲート導体を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）