【課題】所望の仕事関数を簡便に備えることが可能な素子用電極を提供すること。
【解決手段】基板１と、基板１の一面１ａに配された導電部５とからなる素子用電極１０であって、導電部５は、バインダー樹脂２と、バインダー樹脂２中に粒子状に分散され、異なる仕事関数を有した２以上の導電性フィラー３，４とからなること。 （もっと読む）

【課題】有機トランジスタが用いられた有機半導体素子であって、簡易な工程で製造可能であり、表示装置に用いられた場合に高精細な画像を優れた品質で表示することが可能な有機半導体素子を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】絶縁性材料からなり、貫通孔を有する絶縁性フィルムと、上記絶縁性フィルム上に形成された有機トランジスタと、上記絶縁性フィルムの上記有機トランジスタが形成された面とは反対側の面上に形成された表示電極とを有し、上記表示電極と、上記有機トランジスタとが上記絶縁性フィルムの貫通孔を通して通電するように接続されていることを特徴とする有機半導体素子を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタの個体間における特性のばらつきを低減可能な有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】所定の基板上において、インクジェット法によってインクの液滴を、着弾によって形成されるドットの径以下の短い間隔で時間的に連続して着弾させることで、ソース電極およびドレイン電極に対応する第１および第２電極パターンのうちの少なくとも相互に対向するエッジ部の１ラインの領域を形成する。そして、インクジェット法によりインクの液滴を所定間隔で着弾させることによりドット間が離隔したドットパターンを形成した後に、該ドットパターンの各ドット間に対してインクの液滴を着弾させることで、第１および第２電極パターンのうちのエッジ部以外の少なくとも一部の領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲートの漏れ電流を低減させる。
【解決手段】電子トラップ及びゲート電流の漏れを減少させる窒化物系ＦＥＴデバイス１０である。該デバイスは、デバイスの加工に起因するトラップを減少させるため比較的厚い不動態化層２０と、ゲート電流の漏れを減少させるためゲート端子３８の下方の薄い不動態化層１６、１８とを含む。デバイスは、基板１２上に堆積させた半導体デバイス層１４を含む。複数の不動態化層が半導体デバイス層１４上に堆積され、少なくとも２つの層はエッチストップを提供し得るよう異なる誘電性材料にて出来ている。層の間の境界面をエッチストップとして使用することにより１つ又はより多くの不動態化層１８、２０を除去し、ゲート端子３８と半導体デバイス層１４間の距離を正確に制御することができるようにし、この距離はデバイスの性能を向上させ且つゲート電流の漏れを減少させるよう極めて短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタの電極表面に分子を吸着させて有機単分子膜を形成する際、安価で、確実に意図した密度となるように分子密度を制御する方法を提供する。
【解決手段】本発明の有機薄膜トランジスタは、ゲート電極１２を覆う絶縁膜１３上に形成されたソース電極１５およびドレイン電極１６とチャネル用の有機半導体層１７との間に介在する自己組織化単分子膜１８とを有し、自己組織化単分子膜１８は、ソース電極１５およびドレイン電極１６と有機半導体層１７との接触抵抗を低減させる機能を有する第１有機単分子と、この第１有機単分子の面密度を調節する機能を有する第２有機単分子とを含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】埋め込みゲート電極脇の材料層の後退が防止され、これによって特性の向上が図られた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に溝パターンａを有して設けられた絶縁膜１００と、溝パターンａの内壁を覆う状態で設けられたゲート絶縁膜９と、ゲート絶縁膜９を介して溝パターンａ内を埋め込むと共に、絶縁膜１００上における溝パターンａの両側に溝パターンａよりも幅広に張り出して形成されたゲート電極１０１とを備えたことを特徴とする半導体装置１０４。 （もっと読む）

【課題】複数のワイドギャップ半導体素子を並列接続した構成において、簡単な製造プロセスで複数のワイドギャップ半導体素子の電気的特性を揃えることができ、特定の素子に電流集中することなく大電流を流すことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ｐｎ接合ダイオード毎に電圧電流特性を測定し(特性測定工程Ｓ５,Ｓ９)、測定されたｐｎ接合ダイオードの電圧電流特性に基づいて、電子線を照射することにより目標電圧電流特性に近づけることが可能なｐｎ接合ダイオードについて、目標電圧電流特性にするための電子線量を算出する(電子線量算出工程Ｓ６)。上記電子線を照射することにより目標電圧電流特性に近づけることが可能なｐｎ接合ダイオードに対して、算出された電子線量の電子線を照射する(電子線照射工程Ｓ８)。 （もっと読む）

【課題】基板、特にガラス基板、Ｓｉ基板、シリカ基板などセラミック基板の表面に対する密着性に優れたＣａおよび酸素を含む銅合金膜からなる酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜とこの酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜の上に形成された導電性に優れたＣａ含有銅合金導電膜とからなる密着性に優れた銅合金複合膜を提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．０１〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜と前記下地膜の上に形成されたＣａ：０．０１〜２モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金導電膜からなる銅合金複合膜。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基材（Ｓ１）上に形成された有機半導体膜（１５）と、前記有機半導体膜上にゲート絶縁膜（１７）を介して形成されたゲート電極（１９）と、前記ゲート電極の両側に位置する有機半導体膜と電気的に接続され、前記基材と前記有機半導体膜との間に形成された第１および第２電極（１３ｓ、１３ｄ）と、を有し、前記第１および第２電極（１３ｓ、１３ｄ）の少なくとも一部が前記基材（Ｓ１）中に埋め込まれている。かかる構成によれば、第１および第２電極が基材中に埋め込まれているため、その段差が軽減され、トランジスタ特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】有機半導体膜を用いた薄膜トランジスタの特性の向上を図る。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基板の上方に、対向して配置されたソース電極(7s)およびドレイン電極(7d)と、ソース電極およびドレイン電極間に配置された有機半導体膜(5)と、有機半導体膜の第１面又は前記第１面と逆側の第２面上にゲート絶縁膜(9)を介して形成されたゲート電極(11)と、を有し、ゲート電極は、ソース電極およびドレイン電極間と、有機半導体膜とが重なるチャネル領域に、開口部(11a)を有する。かかる構成によれば、上記開口部を介して光が入射し、チャネル領域にトラップされたキャリア（電子又はホール）をデトラップすることができる。よって、薄膜トランジスタの特性劣化を低減できる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜を提供する。
【解決手段】フッ素：０．０１〜５原子％を含有し、さらにＣａ、ＭｇおよびＺｎの内の１種または２種以上を合計で０．０１〜２．５原子％含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する密着性に優れた銅合金薄膜。 （もっと読む）

【課題】結晶性や形状、作製場所を制御する。
【解決手段】階段状に加工されたオフ基板１１が加熱され、オフ基板１１上に層状炭素構造体１３が作製される。このようにして作製された層状炭素構造体１３は、移動度および熱伝導性が高く、そして、結晶性、形状および作製場所を制御することができる。したがって、このような性質を有する層状炭素構造体１３を、半導体装置のチャネルなどの電気伝導体または熱伝導体として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート長に依存する仕事関数の変動を抑えることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜１４上の多結晶シリコン膜を露出した後、半導体基板１１を４００℃まで加熱し、その温度が安定した後に、その温度を保持したまま、例えばスパッタリング法によりニッケル膜２１を全面に形成する。ニッケル膜２１の厚さは、シリコン酸化膜２０上で６０ｎｍとする。この結果、シリコン酸化膜２０上にはニッケル膜２１が形成されるが、多結晶シリコン膜の表面に到達してきたニッケルは、そこに堆積するのではなく、多結晶シリコン膜と反応し、多結晶シリコン膜の全体がニッケルシリサイド膜２２に変化する。従って、ｐＭＯＳ領域１には、ｐ型不純物を含有するニッケルシリサイド膜２２からなるゲート電極が形成され、ｎＭＯＳ領域２には、ｎ型不純物を含有するニッケルシリサイド膜２２からなるゲート電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】金属ナノ微粒子を用いた、電極、配線形成方法では、金属ナノ微粒子溶液を塗布、印刷後抵抗値を落とすために200℃程度の熱処理が必要である。プラスチックなどのフレキシブル基板では、耐熱性が150℃程度であるため、この熱処理により基板の変形が出てしまう。
【解決手段】本発明は、ハロゲンを有するガスに金属ナノ微粒子を所望の形状に印刷した後に暴露する事によって、なんら過熱焼成することなく、金属電極、配線を形成できる。 （もっと読む）

【課題】特性を良好に保ち、信頼性の高い薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びにこの薄膜トランジスタを搭載した表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る薄膜トランジスタの製造方法は、ゲート電極２上にゲート絶縁膜３を形成する工程を備え、ゲート絶縁膜３は、水素化非晶質シリコン膜４と接する第1領域１１と、当該第1領域１１より下層に位置する第２領域１２とを少なくとも備え、第1領域１１及び第２領域１２は、ＮＨ_３,Ｎ_２，ＳｉＨ_４からなる原料ガスと，Ｈ_２又はＨ_２とＨｅからなるガスとを用いて成膜され、第１領域１１はＮＨ_３とＳｉＨ_４の流量比（ＮＨ_３／ＳｉＨ_４）を１１以上、１４以下とし、第２領域１２はＮＨ_３とＳｉＨ_４の流量比（ＮＨ_３／ＳｉＨ_４）を４以下として成膜する。 （もっと読む）

【課題】結晶性、層数を制御する。
【解決手段】基板１１上に絶縁層１２を介して形成した活性層１３にフラーレン分子１４を堆積する工程と、活性層１３およびフラーレン分子１４を加熱して炭化物層１５を形成する工程と、炭化物層１５をさらに加熱する工程と、を有するグラフェンシート１６の製造方法によって、基板１１上に絶縁層１２を介して形成した活性層１３にフラーレン分子１４が堆積され、活性層１３およびフラーレン分子１４を加熱して炭化物層１５が形成され、炭化物層１５がさらに加熱されて、ドメイン数が少なく高い結晶性を持つグラフェンシート１６が形成される。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー工程を削減して、製造コストを約４％、削減する。リセス部に対してソース／ドレイン領域を自己整合的に形成して、トランジスタのＶ_t（閾値電圧）、Ｉ_on（オン電流）等の特性バラツキを低減する。
【解決手段】（１）第１マスクを設ける工程と、（２）第１マスクをマスクに用いて不純物を注入することにより不純物拡散領域を形成する工程と、（３）全面に第２マスクを堆積させる工程と、（４）エッチバックを行って第２マスクを残留させると共に、不純物拡散領域の一部を露出させる工程と、（５）第１及び第２マスクをマスクに用いてエッチングを行い、半導体基板内に溝部を形成する工程と、（６）第１及び第２マスクをマスクに用いて、溝部内に不純物を注入する工程と、（７）ゲート絶縁膜を形成する工程と、（８）ゲート電極を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成した画素部に帯電粒子を付着させて画像を形成する装置であって、低電圧で駆動することができ、可撓性基板を用いることもできる画像形成装置を提供する。
【解決手段】基板１２と、基板上に配列された複数の画素部１４と、画素部に画像データを入力するデータ入力部３８，４０と、画素部に電荷を供給する電流供給部４２と、を備え、画素部が、それぞれ、ゲート電極４４、ゲート絶縁膜４６、活性層４８、ソース電極５０、及びドレイン電極５２を有する薄膜トランジスタ３０，３２と、ドレイン電極に電気的に接続し、電荷を蓄積するキャパシタ３４と、ドレイン電極及びキャパシタに電気的に接続し、キャパシタに蓄積された電荷が移動することにより帯電粒子を静電的に付着させる画素電極３６と、を有し、薄膜トランジスタの活性層が酸化物半導体を含む材料により形成されている画像形成装置。好ましくは可撓性基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】仕事関数が所望の値に制御されたメタルゲート電極を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２上に、ゲート絶縁膜４を介して、Ｎ等を含有する仕事関数制御層５、ＳｉまたはＡｌを含んだ中間層６、およびＭｏＮ層等の低抵抗層７が積層された構造を有するメタルゲート電極を形成する。その形成時には、ゲート絶縁膜４上に仕事関数制御層５、中間層６および低抵抗層７の各層の積層後、ゲート加工を行い、ＬＤＤ領域９、サイドウォール８およびソース・ドレイン領域１０を順に形成して、半導体基板２に導入した不純物の活性化アニールを行う。仕事関数制御層５と低抵抗層７との間に中間層６を設けたことにより、仕事関数制御層５へのあるいは仕事関数制御層５からのＮ等の拡散が抑制され、その仕事関数の変動が抑制されるようになる。 （もっと読む）

本発明は、ＩＩＩ族窒化物材料を含む電子デバイスであって、その基部からその表面の方向に、支持基板（１）と、電子ガスを包含するように適合された層（２、３）と、バリア層（４）と、バリア層（４）の表面の少なくとも一部の上に延在する表在層（７）とを逐次備え、表在層（７）が、表在層の少なくとも１つの第１の領域（Ａ）において、電界が表在層の第２の領域（Ｂ）においてよりも弱くなるように電流が制御された電界を有することを特徴とするデバイスに関する。さらに、本発明は、かかる電子デバイスのための製造方法に関する。
（もっと読む）