【課題】電気抵抗率が従来のＣｕ合金膜よりも低く、且つ、バリアメタルを形成せずとも透明導電膜との間で低コンタクト抵抗の直接接続を実現でき、液晶ディスプレイなどに適用した場合に高い表示品質を与えることのできる表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、透明導電膜５，４１に直接接続する表示装置用Ｃｕ合金膜２５，２６，３４であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｇｅを０．１〜０．５原子％含有し、かつＮｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、及びＣｏよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜０．５原子％含有することを特徴とする表示装置用Ｃｕ合金膜。 （もっと読む）

【課題】ポリマー膜の優れた特性を損なうことなく基板上にポリマー膜をパターン形成する。
【解決手段】ポリマー膜のパターニング方法において、基板上にパターニングされたレジスト層を形成後に、前記基板上にポリマーインクを塗布し、その後、前記レジスト層を剥離することで前記塗布されたポリマーインクを併せて除去することを特徴とするポリマー膜のパターニング方法。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊を抑制することができ、チップ面積の縮小化を実現することができる、窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この窒化物半導体素子は、ｎ⁺型ＧａＮ基板１と、ｎ^-型ＧａＮ層２、ｐ型ＧａＮ層３およびｎ⁺型ＧａＮ層４が順に積層されてなる窒化物半導体積層構造部５とを備えている。窒化物半導体積層構造部５には、トレンチ７が形成されている。トレンチ７の壁面８には、ゲート絶縁膜９を介してゲート電極１０が形成されている。ｎ⁺型ＧａＮ層４には、ソース電極１５がオーミック接触している。また、ｎ⁺型ＧａＮ基板１の他方表面には、ドレイン電極１８がオーミック接触している。ゲート絶縁膜９のコンタクト開口１６から露出するｎ^-型ＧａＮ層２上には、ショットキー電極１７が形成されている。ショットキー電極１７は、ｎ^-型ＧａＮ層２に対してショットキー接触している。 （もっと読む）

【課題】シートキャリア濃度を向上させると共に、シートキャリア濃度の向上効果を有効に利用する電界効果トランジスタを実現できるようにする。
【解決手段】電界効果トランジスタは、基板１１の上に形成された第１の窒化物半導体層１３と、第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、第１の窒化物半導体層１３と比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層１４と、第２の窒化物半導体層１４の上に形成された結晶性の窒化シリコンからなる第１の絶縁膜１５と、第１の絶縁膜１５の上に形成された第２の絶縁膜１６とを備えている。第２の絶縁膜１６の上には、ゲート電極２１が形成されている。ゲート電極２１の両側方にはソース電極２２及びドレイン電極２２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ソースドレイン領域のサイズが増大することがない局所配線構造を備えた半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１１の上に形成されたゲート電極２２及び半導体基板１１におけるゲート電極２２の両側方にそれぞれ形成された第１のソースドレイン領域２９Ａ及び第２のソースドレイン領域２９Ｂを有するトランジスタ１２と、半導体基板１１の上における第１のソースドレイン領域２９Ａを挟んでゲート電極２２と反対側に形成されたゲート配線４２と、ゲート配線４２と第１のソースドレイン領域２９Ａとを接続する局所配線構造６０とを備えている。局所配線構造６０は、第１のソースドレイン領域２９Ａ及びゲート配線４２の上面に跨って形成されたＳｉＧｅ層６１によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】アモルファスＳｉ−ＴＦＴに関し、Ａｌ−Ｎｉ系合金からなる電極配線層を半導体層に直接接合可能とする素子の接合技術を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体層とＡｌ−Ｎｉ系合金からなる電極配線層と透明電極層とを備え、前記半導体層と前記電極配線層とが直接接合された部分を有する素子の接合構造において、電極配線層に直接接合された半導体層は、１．０×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３〜１．０×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３のリンと、５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３〜１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の窒素を含有したアモルファスＳｉであることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、滑らかな及び／又はドーム形の輪郭を備えた誘電体層、導電体層、及び／又は半導体層を有する電気的活性デバイス（例えば、キャパシタ、トランジスタ、ダイオード、浮遊ゲートメモリセルなど）と、このようなデバイスを、半導体、金属又は誘電体の前駆体を含むインク組成物を堆積又は印刷（例えば、インクジェット印刷）することによって形成する方法とに関する。滑らかな及び／又はドーム形の断面輪郭は、急激な段差がない滑らかな形状移行を可能にし、それによって堆積時のフィーチャの不連続を防止し、続いて堆積される構造体のより完全な段差被覆性を得ることができる。本発明の輪郭により、熱酸化による酸化物層の均一な成長も、それに続く構造体のほぼ均一なエッチング速度も得られる。このような酸化物層は、均一な厚さを有し、下の電気的活性フィーチャのほぼ完全な被覆を実現することができる。均一なエッチングが、単純な等方性エッチングによって電気的活性構造体の臨界寸法を低減する効率的な方法を可能にする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート絶縁膜の撥水性を高めることで、移動度の高い有機トランジスタを実現することを可能とする。
【解決手段】Ｒ１はＣＯＯ、ＮＨ₂およびＯのうちの少なくとも一つであり、Ｒ２はアルキル基から成る化学式（１）の構造を有することを特徴とする有機トランジスタに用いる有機絶縁膜である。
（もっと読む）

【課題】ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴとｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴで異なる金属膜を使用する場合であっても、両方のゲート電極を同時に加工できる技術を提供する。
【解決手段】ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域に改質膜１１を形成している。改質膜１１は、ポリシリコン膜９にリンを導入することにより形成されている。この改質膜１１は、ポリシリコン膜９よりもエッチング速度が速くなる性質がある。このことから、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域において、改質膜１１とポリシリコン膜９をすべてエッチングする際、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域においては、ポリシリコン膜９がすべてエッチングされずに一部が残存する。これにより、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域に形成されている膜の総膜厚と、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域に形成されている膜の総膜厚の差が緩和される。 （もっと読む）

【課題】電流コラプス現象を抑制し、耐圧を向上させることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、導電性の基板２と、基板２の一方の主面２ａに形成されるとともに２次元電子ガス層１２ａを含む化合物半導体部３と、化合物半導体部３の表面３ａの第１の部分５１Ａに形成されたソース電極４、ドレイン電極５及びゲート電極６と、化合物半導体部３の表面３ａの第２の部分５１Ｂに形成された補助電極７と、ソース電極４と補助電極７とを電気的に接続する接続導体８とを備えている。化合物半導体部３には、ソース電極４と補助電極７との間の領域に２次元電子ガス層１２ａを切断し、化合物半導体部３を第１の部分５１Ａと第２の部分５１Ｂに分断する切断溝２１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】
互いにパターン（平面形状）の異なる２種類以上の薄膜を積層した積層構造を形成する工程にて、１回のフォトリソグラフィ工程で夫々の薄膜形状を画定すること。
【解決手段】
基板１上に２層の薄膜３，２を順次成膜し、次に薄膜２の上面に形成された第１マスクパターン４を用いて薄膜２のエッチングを行い、第１の薄膜パターン６を形成する。その後、第１マスクパターン４を残した状態で第１マスクパターン４及び薄膜２の上に、有機材料のオフセット印刷、インクジェット印刷、又はディスペンサノズルによる追加塗布で第２マスクパターン５を形成する。最後に、薄膜３を第１マスクパターン４及び第２マスクパターン５を用いて第２の薄膜パターン７に成形し、続いて２つのマスクパターン４，５を除去する。以上の工程により、フォトリソグラフィが第１マスクパターン４を形成する１回のみに制限されるも、基板１の主面に所望の積層構造が形成される。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の増大、及び電流コラプス現象によるオン抵抗の増大を抑制できる窒化物系化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物系化合物半導体からなるキャリア走行層３を有する半導体層１０と、半導体層１０の主面１００上に配置され、キャリア走行層３を流れる主電流の電流経路の端部である第１の主電極２１及び第２の主電極２２と、第１の主電極２１及び第２の主電極２２を囲むように主面１００上に配置され、主面１００直下及びその近傍の半導体層１０内の電荷を制御する外周電極３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】正孔濃度の高いｐ型リサーフ層を用いることによって窒化物半導体層内に発生する電界を低減し、それによって低いオン抵抗または高い耐圧を有する窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、ｐ型Ｉｎ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１）を含むリサーフ層（３）、このリサーフ層上に形成されていてＩｎ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ＜ｘ）を含むチャネル層（４）、このチャネル層上に形成されていてそのチャネル層に比べて広い禁制帯幅を有する窒化物半導体層を含む障壁層（５）、および所定の電極（７〜９，１１）を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体からなり、ヘテロ接合を有する半導体装置において、ＨＪＦＥＴを作製する際、エンハンスメント型のＨＪＦＥＴが容易に実現でき、そのエンハンスメント動作時におけるチャネル抵抗の低減がなされる構造を提供を提供する。
【解決手段】ゲート部を、障壁層に接するように設ける。ゲート直下となる部分では、ゲートを設けていない状態でも、障壁層とチャネル層とのヘテロ接合界面には、二次元電子ガスは発生しないように、チャネル層上に形成されるＩｎＡｌＧａＮ障壁層を構成する、ＩｎＡｌＧａＮの組成を選択する。ゲート直下を除き、ＩｎＡｌＧａＮ障壁層の上層として、ＩｎＡｌＧａＮキャップ層を設ける。ＩｎＡｌＧａＮキャップ層は、バッファ層と格子整合し、自発分極により、障壁層とチャネル層の界面に二次元電子を発生させる組成のＩｎＡｌＧａＮで形成する。 （もっと読む）

【課題】同一のオーミック電極形成条件であっても、ｎ型不純物領域では特性を改善させ、ｐ型不純物領域ではオーミック特性を維持することができる炭化珪素半導体装置の製造方法、炭化珪素半導体装置を提供すること。
【解決手段】リンを含む第１層間絶縁膜１２を用いる場合に、ｐ型不純物領域７上にリンを含まない第２層間絶縁膜を形成することによって第１層間絶縁膜１２をｐ型不純物領域７に直接的に接触させないことができるので、第１層間絶縁膜１２からｐ型不純物領域７へのリンの拡散を防止することにより、ｐ型コンタクトのオーミック性を劣化させることない。また、ｎ型不純物領域５にリンを含む第１層間絶縁膜１２を接触させて熱処理することにより、ｎ型不純物領域５にリンを拡散させたリン拡散不純物領域１３を形成でき、ｎ型コンタクトの特性を改善したオーミック電極を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を均一にする。
【解決手段】本発明の有機トランジスタ１００は、所定の長さＬを有するゲート電極５０と、ソース電極３０及びドレイン電極６０と、ソース電極３０とドレイン電極６０との間有機半導体部４０と、有機半導体部４０内のチャネル領域４５と、を備えている。ドレイン電極６０は、平面視した状態でその全体がゲート電極５０に重ねられてなり、ドレイン電極６０には、帯状の接続配線部６１が一方の側Ｌａに延びて接続されるとともに、幅が接続配線部６１の２倍未満の帯状のダミー接続配線部６２がゲート電極５０の長さ方向における他方の側Ｌｂに延びて接続されている。接続配線部６１は、ゲート電極５０の一方の側Ｌａにおける端縁又は端縁よりも一方の側Ｌａに延びてなり、かつダミー接続配線部６２は、ゲート電極５０の他方の側Ｌｂにおける端縁又は端縁よりも他方の側Ｌｂに延びてなる。 （もっと読む）

【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成する。
【解決手段】５Ｐａより高い圧力下において、ウェハー基板２４を回転させながら、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体材料を有するターゲットおよびカソード１１を傾斜させて配置し、該カソード１１と下部電極１５にそれぞれｒｆ電流を印加し、下部電極１５にプラズマ電位に対して負のバイアス電位を印加してスパッタリングを行う。 （もっと読む）

【課題】カービンナノチューブを用いた電流容量の大きいトランジスタや配線を製造容易な方法で作製する。
【解決手段】基板上に形成した触媒から垂直方向に、カーボンナノチューブ細線密度の高い、長さの揃ったカーボンナノチューブ束を配向成長し、この側面近傍に、カーボンナノチューブ束に親和性を有する液体である有機溶媒を滴下し、これを、窒素ガスを用いて、横倒ししたい方向の反対側からカーボンナノチューブ束方向に向かってブローして有機溶媒と共に垂直に立ったカーボンナノチューブ束を横倒しし、かつ基板表面に一定長さ（領域）をもって接触させる。有機溶媒を乾燥後、この接触領域の一部を、チャネル部として用いてバックゲート型トランジスタを、あるいは導体として配線を製造する。 （もっと読む）

【課題】電極の境界を正確に形成することにより、チャンネル長のバラツキの少ないランジスタを、簡易な製造工程を用いて低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上のポリイミドからなる濡れ性変化層１２にフォトマスク越しに紫外線を照射する。照射部分は表面エネルギーが高く、かつ、膜厚が薄くなり、境界に段差を有する第２の表面エネルギー部１２ａとなる。照射部分にインクジェット法により導電層を塗布し電極１３を形成する。撥液面である第１の表面エネルギー部１２ｂと、段差によってインクのはみ出しが押さえられ、パターンのエッジを正確に形成出来る。この上に半導体層１４を形成し、トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】圧縮応力を有する絶縁膜と引っ張り応力を有する絶縁膜とが互いに応力を相殺することがない半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、第１のトランジスタと、第１の応力絶縁膜２０Ａと、第１の絶縁膜２１Ａと、第２の絶縁膜２１Ｂとを備えている。第１のトランジスタは、半導体基板１０の第１の活性領域１１Ａに形成され、第１のゲート電極１４Ａを有する。第１の応力絶縁膜２０Ａは、第１のゲート電極１４Ａを覆うように形成され、第１のトランジスタのチャネル領域に応力を加える。第１の絶縁膜２１Ａは、第１の応力絶縁膜２０Ａの上に接して形成され、上面が平坦化されている。第２の絶縁膜２１Ｂは、第１の絶縁膜２１Ａの上に接して形成されている。 （もっと読む）