【課題】圧縮応力を有する絶縁膜と引っ張り応力を有する絶縁膜とが互いに応力を相殺することがない半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、第１のトランジスタと、第１の応力絶縁膜２０Ａと、第１の絶縁膜２１Ａと、第２の絶縁膜２１Ｂとを備えている。第１のトランジスタは、半導体基板１０の第１の活性領域１１Ａに形成され、第１のゲート電極１４Ａを有する。第１の応力絶縁膜２０Ａは、第１のゲート電極１４Ａを覆うように形成され、第１のトランジスタのチャネル領域に応力を加える。第１の絶縁膜２１Ａは、第１の応力絶縁膜２０Ａの上に接して形成され、上面が平坦化されている。第２の絶縁膜２１Ｂは、第１の絶縁膜２１Ａの上に接して形成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁層とその上に形成された導電層とが、高い密着性を有する積層構造体を、簡易な製造工程を用いて低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板３１上のポリイミドからなる濡れ性変化層３２に、配線パターン部分を開口したフォトマスクを通し紫外線を照射する。紫外線を照射されなかった部分は第１の表面エネルギー３２ｂを持ち、紫外線が照射された部分は、第１の表面エネルギー部よりも表面エネルギーが高く、かつ表面に複数の微細なくぼみを有する第２の表面エネルギー部３２ａとなる。インクジェット法を用いて金属粒子分散液を紫外線照射部に吐出し、導電層３３を形成する。紫外線照射部は濡れ性が高くなり、かつくぼみによる凹凸により導電層との密着性が向上している。この後、ベークをし、絶縁層３４を形成する。 （もっと読む）

コア−シェル−シェル（ＣＳＳ）ナノワイヤトランジスタ（ＮＷＴ）であって、表面を持つ基板と、半導体コアと、該半導体コアを囲む絶縁性シェルと、該絶縁性シェルを囲む導電性シェルとを含む円柱形のＣＳＳナノ構造体であって、上記表面上にある下側半円柱を有するＣＳＳナノ構造体と、上記ＣＳＳナノ構造体の中央部にある上記導電性シェルから形成されているゲート電極と、上記基板の表面と、上記ＣＳＳナノ構造体の中央部にある上記下側半円柱との間に配置された絶縁性凹形ストリンガと、上記ＣＳＳナノ構造体の中央部にある、ゲート電極および上記絶縁性凹形ストリンガの上に形成されている導電膜ゲートストラップと、上記ＣＳＳナノ構造体の両端部にある、上記半導体コアの複数の露出領域に形成されているソース／ドレイン（Ｓ／Ｄ）領域と、を含むコア−シェル−シェル（ＣＳＳ）ナノワイヤトランジスタ（ＮＷＴ）。
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【課題】基板上にＣＭＩＳＦＥＴを備えた半導体装置において、Ｇｌｏｂａｌ Ｓｔｒａｉｎによる応力印加を有効に活用しつつ、回路のスイッチ動作速度の低下を生じさせない半導体装置を提供する。
【解決手段】基板の一方の面に形成される第１の素子領域と、基板の他方の面に形成される第２の素子領域と、第１の素子領域と第２の素子領域との間の、比誘電率が３．９よりも低い絶縁層とを備え、第１の素子領域にｎ型ＭＩＳＦＥＴが形成され、第２の素子領域にｐ型ＭＩＳＦＥＴが形成され、絶縁層中を貫通する配線によって、第１の素子領域と第２の素子領域とが電気的に接続され、第１の素子領域が形成される面が凸形状、第２の素子領域が形成される面が凹形状となるように基板が湾曲していることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

本発明は、自己整合型有機薄膜トランジスタ及びその製造方法に関するものである。本発明によれば、基板上にパターニングされた第１導電膜としてゲート電極を形成し、ゲート電極を覆うように基板上にゲート絶縁膜を形成した後、ゲート絶縁膜上に第２導電膜を形成する。次いで、基板の下部側でゲート電極をマスクとして用いて、第２導電膜に紫外線を照射する紫外線背面露光を遂行した後、第２導電膜を現像することで、ゲート電極と自己整合され、ゲート電極と重畳しないソース／ドレイン電極を形成する。次いで、ソース／ドレイン電極の間及び上部に有機半導体膜を形成する。本発明は、リール・トゥ・リール工程を用いて、有機薄膜トランジスタを製造することができ、製造工程が単純になる。
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【課題】ゲート電極の近傍での耐圧が高められた化合物半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】SiC基板２０と、SiC基板２０の上に形成された電子走行層２１と、電子走行層２１の上に形成された電子供給層２３と、電子供給層２３の上に互いに間隔をおいて形成されたソース電極２７ａ及びドレイン電極２７ｂと、ソース電極２７ａとドレイン電極２７ｂの間の電子供給層２３上に形成され、SiC基板２０に向かって狭径となる開口２９ｂを備えた保護絶縁膜３０と、開口２９ｂ内の電子供給層２３上に形成されたゲート電極３２とを有する化合物半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】低コストで効率的なプロセスで、トップ導体とボトム導体との間に電気的接続をもたらす誘電ポリマー薄膜における自己整合ビアを形成する方法の提供。
【解決手段】このプロセスは、第１のパターン化された導電層上に導電ポスト２０５を印刷し、次にパターン化されていない誘電層２０７を堆積させ、次に第２のパターン化された導電層を堆積させることによりなし得る。ビア２０８は、誘電体を堆積した後、第２の導電層を堆積する前に、ポストをフラッシュアニールする間に形成される。このプロセスでは、ポスト材料は閃光によってアニールされ、その結果、ポスト上部の誘電体を除去するエネルギーが放出される。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイの配線膜をガラス基板に強固に密着させるための銅合金下地膜およびその膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸素：６越え〜２０モル％を含有し、さらにＭｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種または２種以上を合計で０．２〜５モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金膜からなる配線下地膜並びに同じ成分組成を有する配線下地膜形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】結晶化誘導金属を利用して結晶化した半導体層を利用した薄膜トランジスタ、その製造方法及び有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】結晶化誘導金属を利用して結晶化した半導体層と、チャネル領域から離隔された位置の半導体層内には半導体層の表面から一定深さまで結晶化誘導金属と他の金属または金属の金属シリサイドが存在し、半導体層のチャネル領域の長さ及び幅と漏れ電流値間にはＩｏｆｆ／Ｗ（Ｌ）＝３．４×１０^−１５Ｌ^２＋２．４×１０^−１２Ｌ＋ｃ（Ｉｏｆｆは半導体層の漏れ電流値（Ａ）、Ｗはチャネル領域の幅（ｍｍ）、Ｌはチャネル領域の長さ（μｍ）、及びｃは定数であり、ｃは２．５×１０^−１３ないし６．８×１０^−１３である。）を満足することを特徴とする薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを具備する有機電界発光表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に開口された接続孔の内部に、チタン膜上に窒化チタン膜が形成された積層構造のバリアメタル膜を介して金属膜を埋め込んだ接続部における不具合を回避する。
【解決手段】コンタクトホールＣ１を形成して、その底部にニッケルシリサイド層１４を露出させた後、ＴｉＣｌ_４ガスを用いた熱反応により熱反応Ｔｉ膜２１ａを形成し、ＴｉＣｌ_４ガスを用いたプラズマ反応によりプラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂを形成し、Ｈ_２ガスを用いたプラズマ処理を施して、プラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂの塩素濃度を低減すると同時に、ニッケルシリサイド層１４の表面の酸化膜を還元し、ＮＨ_３ガスを用いた熱窒化処理及びＮＨ_３ガスを用いたプラズマ処理を施して、プラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂの表面に窒素リッチＴｉＮ膜２１ｃを形成すると同時に、ニッケルシリサイド層１４の表面の酸化膜を還元する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板側への金属材料のリークを防止したフルシリサイドゲートの形成が可能で、これによりフルシリサイドゲートを備えながらも素子特性を維持することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上にパターン形成されたゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上にパターン形成されたゲート電極５ａ’とを備えた半導体装置４０であって、ゲート電極５ａ’は、全層がシリサイド化されたものであり、ゲート絶縁膜３よりも狭い幅でゲート絶縁膜３の中央に設けられている。 （もっと読む）

【課題】下地絶縁層の下層側に支持基板と別の材料からなる層を形成する場合でも、支持基板と半導体基板との貼り合わせ技術を好適に適用することのできる半導体装置、電気光学装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶装置などといった電気光学装置の素子基板などとして用いられる半導体層１０ｘでは、支持基板１０ｄの上に下地絶縁層１２が形成されているとともに、下地絶縁層１２の表面に電界効果型トランジスタ１０ｙが形成されている。支持基板１０ｅにおいて、電界効果型トランジスタ１０ｙのチャネル領域１ｘに対向する位置には凹部１０ｅが形成され、この凹部１０ｅには埋め込みゲート電極４ｘが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたゲート酸化物と、ゲート酸化物に埋め込まれ、その両端が露出された少なくとも１つのゲルマニウム・ナノロッドと、ゲルマニウム・ナノロッドの両端とそれぞれ連結されたソース電極及びドレイン電極と、ゲート酸化物上でソース電極及びドレイン電極間に形成されたゲート電極とを具備することを特徴とする電界効果トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】高周波利得特性を向上させることができる電界効果トランジスタを得る。
【解決手段】基板１０上に形成された能動層と、能動層上に離間して形成されたソース電極１及びドレイン電極３と、ソース電極１とドレイン電極３との間に形成されたゲート電極２と、能動層上に形成された第１層間膜２１と、ゲート電極２と接続され、ゲート電極２とドレイン電極３との間の領域の、第１層間膜２１上に配設された第１ＦＰ電極５と、第１層間膜２１上に形成された第２層間膜２２と、ソース電極１と接続され、第１ＦＰ電極６とドレイン電極３との間の領域の、第２層間膜２２上に配設された第２ＦＰ電極６とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】作製コスト及び作製時間が低減された、信頼性の高い半導体装置を作製すること。
【解決手段】島状半導体膜を覆って絶縁膜を形成し、絶縁膜上に第１のゲート電極を形成し、第１のゲート電極をマスクとして絶縁膜をエッチングし第１のゲート電極と同じ幅のゲート絶縁膜を形成し、第１のゲート電極をマスクとして島状半導体膜に不純物元素を第１の濃度で添加し、金属膜を形成後加熱処理によりゲート絶縁膜に覆われていない領域にシリサイド領域を形成し、第１のゲート電極をエッチングし第１のゲート電極より幅の小さい第２のゲート電極を形成し、ゲート絶縁膜及び第２のゲート電極をマスクとして、島状半導体中に不純物元素を第１の濃度より小さい第２の濃度で添加し、島状半導体膜中に低濃度不純物領域、チャネル形成領域、及び高濃度不純物領域を形成する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】ソース領域又はドレイン領域と接触する電極と、ソース領域又はドレイン領域との接触面積を十分に確保するための半導体装置の素子構造及び該素子構造を有する半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】高濃度不純物領域（ソース領域又はドレイン領域）の上に上部電極を形成し、層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを上部電極と高濃度不純物領域（ソース領域又はドレイン領域）とが積層された領域と重なる位置に形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、オフ電流が小さく、ＯＮ／ＯＦＦ比が大きい有機トランジスタ及び該有機トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、該有機トランジスタを有する有機トランジスタアレイ及び該有機トランジスタアレイを有する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】有機トランジスタ１０において、第一の電極層１２は、電気的に接続されているゲート電極１２ａ及びゲート電極１２ｂを有し、第二の電極層１４は、ソース電極１４ａ、ドレイン電極１４ｂ及びアイランド電極１４ｃを有し、アイランド電極１４ｃは、間隙を介してソース電極１４ａとドレイン電極１４ｂの間に形成されており、アイランド電極１４ｃとソース電極１４ａの間の間隙及びアイランド電極１４ｃとドレイン電極１４ｂの間の間隙は、それぞれゲート電極１２ａ上及びゲート電極１２ｂ上に形成されていると共に、有機半導体層１５で覆われている。 （もっと読む）

【課題】消費電力が低減された半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、第１の半導体素子２と、第２の半導体素子３と、を備え、第１の半導体素子２が第１のソース電極２２と、第１のドレイン電極２３と、第１の有機半導体層２４と、第１のゲート絶縁層２５と、第１のゲート電極２１と、を有し、第２の半導体素子３が第２のソース電極３２と、第２のドレイン電極３３と、第２の有機半導体層３４と、第２のゲート絶縁層３５と、第２のゲート電極３１と、を有し、前記第２のゲート絶縁層３５が有機強誘電体材料を含む、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域を縦方向に設けた電界効果トランジスタにおいて、チャネル領域の長さをさらに短くすることができ、ドレイン電流を増加させることができる電界効果トランジスタ及びその製造方法を得る。
【解決手段】絶縁性の基板１と、基板１上に設けられる凸部形状を有する第１の電極２と、第１の電極２の上面２ｃ及び側面２ａ，２ｂを覆う絶縁層３と、絶縁層３を介して少なくとも第１の電極２の上面上に設けられる第２の電極６と、第１の電極２の側面２ａ，２ｂ上の絶縁層３に沿う領域が、第２の電極６との間で形成するチャネル領域となるように、基板上に設けられる第３の電極４，５と、第２の電極６と第３の電極５，６の間を覆い、チャネル領域を形成するように設けられる半導体層７とを備える電界効果トランジスタであって、第３の電極４，５が、第１の電極２の側面２ａ，２ｂ上の絶縁層３上まで延長して形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）

基板（１）、第１の電極（２）、前記第１の電極上の有機機能層（４）及び前記有機機能層（４）上の第２の電極（５）を有する、有機電気素子を記載する。前記第１の電極及び／又は前記第２の電極（２，５）はレニウム化合物を含有する。さらに、レニウム化合物を含有する電極を有する有機電気素子の製造方法を記載する。
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