【課題】自動的に処理レシピを変更することにより製造歩留を向上させることができる半導体メモリの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】計算部が、第２酸化膜厚、第１酸化膜厚、ゲート電極幅、アクティブ領域幅とを含む測定値を受け取り、半導体メモリのセル部の予測電流値を算出する工程（Ｓ３）と、プロセス処理実行部が、予測電流値が基準電流値以下であると判断されたときに第１処理レシピを選択し、予測電流値が基準電流値より大きいと判断されたときに第２処理レシピを選択し、第１及び第２処理レシピのうちの選択された処理レシピに従って浮遊ゲート電極の側壁を覆うＳＷを形成する工程（Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６）とを有し、第２処理レシピに従って形成されたＳＷの第１方向の膜厚である第２のＳＷ膜厚が、第１処理レシピに従って形成されたＳＤの第１方向の膜厚である第１のＳＷ膜厚よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、デバイス製造工程終了後（デバイス製品）のＧＯＩ特性の評価結果と近いＧＯＩ特性の評価結果を、ウェーハ段階で事前に得ることができ、デバイス製造工程終了後のウェーハ品質に起因する耐圧不良を予測することが可能となるシリコン単結晶ウェーハの評価方法を提供する。
【解決手段】デバイス製造に用いるシリコン単結晶ウェーハの評価方法であって、少なくとも、シリコン単結晶ウェーハの表面にゲート酸化膜を形成した後、デバイス製造シミュレーション熱処理を行ない、その後、前記ゲート酸化膜のＧＯＩ特性を評価することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】ｎｍオーダーの表面傷の観察が可能な技術を提供することである。
【解決手段】基体の表面特性を観察する方法であって、基体の表面に、該基体表面を構成する材料の仕事関数と異なる仕事関数を有する材料で構成される膜を設ける成膜工程と、前記成膜工程において設けられた前記基体表面に存する凹部を埋めた該膜の構成材料が残存するように該基体表面に設けられた膜を除去する膜除去工程と、前記膜除去工程後の基体の表面を電子顕微鏡で観察する観察工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 本発明では、シリコン単結晶ウェーハの評価方法において、５ｎｍ以上の比較的厚い酸化珪素膜をシリコン単結晶ウェーハの表面に容易に形成することができ、かつ安定してＣ−Ｖ特性を測定することのできるシリコン単結晶ウェーハの評価方法を提供する。
【解決手段】 シリコン単結晶ウェーハの表面に酸化珪素膜を堆積させ、該酸化珪素膜上に水銀電極を接合してＣ−Ｖ特性を測定することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】測定対象物上に薄膜が形成されている場合でも、測定対象物の温度を従来に比べて正確に測定できる温度測定方法を提供する。
【解決手段】光源からの光を、基板上に薄膜が形成された測定対象物の測定ポイントまで伝送する工程と、基板の表面での反射光による第１の干渉波と、基板と薄膜との界面及び薄膜の裏面での反射光による第２の干渉波を測定する工程と、第１の干渉波から第２の干渉波までの光路長を算出する工程と、第２の干渉波の強度に基づいて、薄膜の膜厚を算出する工程と、算出した薄膜の膜厚に基づいて、基板の光路長と算出した光路長との光路差を算出する工程と、算出した光路差に基づいて算出した第１の干渉波から第２の干渉波までの光路長を補正する工程と、補正された光路長から測定ポイントにおける測定対象物の温度を算出する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】所定の圧力及び所定の温度に加圧された部屋に配置した基板に形成されている物質（特に、薄膜）の間隙率を求める装置及び非破壊方法に関する。
【解決手段】ガス物質（例えば、トルエン蒸気）が部屋１に導入され、所定時間後、部屋に配置した基板２に形成されている薄膜の間隙率が、少なくとも偏光解析測定によって求められる。特に、偏光解析器６から得られる光学的特性は、薄膜の間隙（ポア）に凝縮されたガス物質の量を求めるために利用される。その量は、薄膜の間隙率を計算するために利用される。 （もっと読む）

【課題】ゲート酸化膜耐圧評価用ＴＥＧにおけるゲート酸化膜の耐圧異常箇所を、確実にＴＥＭ観察できる半導体装置、及び、その評価解析方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に絶縁領域２ａに囲まれたアイランド１ａが形成され、アイランド１ａ表面に形成されたゲート酸化膜２上にて複数本のゲート電極３、４が形成され、奇数本目の各ゲート電極３の一端は、絶縁領域２ａ上にて第１相互接続部３ｂに接続され、偶数本目の各ゲート電極４の他端は、絶縁領域２ａ上にて第２相互接続部４ｂに接続され、第１相互接続部３ｂは、絶縁領域２ａ上に形成された第１パッド３ａに接続され、第２相互接続部４ｂは、絶縁領域２ａ上に形成された第２パッド４ａに接続され、ゲート電極３、４の幅は、０．１μｍ以上０．５μｍ以下であり、ゲート電極３、４の幅とゲート電極３、４間の間隔との和となる最小ゲートピッチは、０．２μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの表面または表層の欠陥および汚染を高感度に測定し、評価結果の信頼性を高めることが可能な半導体ウェーハの表面または表層評価方法を提供する。
【解決手段】過剰キャリアの濃度分布の測定前に、半導体ウェーハの表面から自然酸化膜を含む酸化膜を除去するので、濃度分布の測定視野内における無欠陥領域上と欠陥領域上での発光強度の差が増大する。その結果、電気的に活性な欠陥および局所的な汚染を、自然酸化膜を含む酸化膜を除去しない従来法に比べて高感度に検出し、評価することができる。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの絶縁性薄膜の信頼性評価を行う方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、ＭＬＣＣ２を用意する工程と、前記第１の導電体が抵抗素子４の一方端に電気的に接続され、前記抵抗素子の他方端が第１の直流電源５に電気的に接続され、前記第１の直流電源が前記第２の導電体に電気的に接続され、前記抵抗素子の一方端及び他方端それぞれが増幅器７の入力側に電気的に接続され、前記増幅器の出力側が周波数分析器８に電気的に接続された接続状態で、前記増幅器の出力を前記周波数分析器によって分析することで得られるPool Frenkel電流に基づく１／ｆ特性を示す範囲の電流ゆらぎの大きさを測定する工程と、前記工程で測定された１／ｆ電流ゆらぎの大きさが大きい場合は、前記絶縁性薄膜の質が悪いと判定し、前記工程で測定された１／ｆ電流ゆらぎの大きさが小さい場合は、前記絶縁性薄膜の質が良いと判定する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、逆テーパ条件によるエッチングにおいて逆テーパの大きさを容易に求めることができるエッチング検査方法の提供。
【解決手段】エッチング時に被エッチング基板の一部分に幅または直径の異なる柱状構造体である複数のダミーピラーを形成し、エッチング終了後、前記被エッチング基板におけるダミーピラーを形成した部分を観察し、前記複数のダミーピラーの内、少なくとも一部が消失していたときは、前記エッチングにおいて前記被エッチング基板に形成されたトレンチが逆ピラー状の側壁形状を有するものと判断し、且つ、前記エッチングによって消失したダミーピラーのうち幅または直径の最も大きなものの１／２以上、残存したダミーピラーのうち幅または直径の最も小さなものの１／２未満を前記トレンチにおけるオーバハング量とすることを特徴とするエッチング検査方法。 （もっと読む）

【課題】Δとψを検出することにより薄膜表面温度の測定を可能とする。
【解決手段】表面に一様な厚さの薄膜が形成された基板である温度測定用試料であって、前記薄膜の特定温度での厚さが既知であり、前記薄膜と基板について屈折率ｎと消衰係数ｋの温度依存性が既知である温度測定用試料を温度測定対象位置に配置し、温度測定用試料の温度を計測するために偏光された測定光を照射してその反射光についてｐ偏光成分とｓ偏光成分の位相差信号Δと反射率の比の信号ψを検出するための偏光測定装置を用いて光の電界が入射面に平行なｐ偏光成分の反射率Ｒｐと、光の電界が入射面に垂直なｓ偏光成分の反射率Ｒｓを測定して位相差信号Δと反射率の比の信号ψを算出し、偏光解析によって薄膜の屈折率ｎもしくは膜厚ｔの少なくともひとつを算出し、算出したｎもしくはｔをもとに、上記既知の薄膜の屈折率ｎと消衰係数ｋの温度依存性から薄膜の温度Ｔを算出する。 （もっと読む）

【課題】ソフトブレークダウンの判定条件を一意に決定することを可能にする、ゲート絶縁膜の絶縁破壊寿命の評価方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＳ型素子のゲート絶縁膜の絶縁破壊寿命を評価する際に、ＭＯＳ型素子のゲート絶縁膜のソフトブレークダウンに至る寿命分布のワイブル傾きを決定する工程Ｓ１と、その後、決定したワイブル傾きから、ソフトブレークダウンの検知条件を決定する工程Ｓ２と、決定した検知条件を使用して、絶縁破壊試験を行う工程Ｓ３とを行う。 （もっと読む）

【課題】ウエーハアライナー機構の構成部品がウエーハ表面側に設置されることによって起こるクリーンエア気流の乱れによる処理室内からの汚染、もしくはウエーハライナー機構の構成部品そのものからの汚染による、ウエーハの二次汚染の発生を抑えるウエーハ薬液回収装置を提供する。
【解決手段】処理室３外としてクリーユニットチャンバー２内に設置されたレーザセンサ８（ノッチ検出手段）により、処理室内のウエーハ回転台６上のウエーハ１０を回転させてウエーハのノッチ１０ａとレーザ入射位置に一致させ、ウエーハの原点位置を設定する。このウエーハの原点位置に基づいて設定したウエーハ表面の走査開始位置から走査終了位置の回収領域で走査液回収アーム１６および走査液回収アーム１６の先端に設置した走査液回収冶具１６ａを動作させ、回収領域のウエーハ表面に薬液を接触させた状態でウエーハ回転台６を回転させて不純物を含む薬液を回収する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハアライナー機構の構成部品がウエーハ表面側に設置されることによって起こるクリーンエア気流の乱れによる処理室内からの汚染、もしくはウエーハライナー機構の構成部品そのものからの汚染による、ウエーハの二次汚染の発生を抑えるウエーハ薬液回収装置を提供する。
【解決手段】マニュアル操作によりウエーハ回転台６を回転させ、ウエーハ回転台上のウエーハ１０のノッチ１０ａを目視で目安棒８に位置合わせをして、ウエーハの原点位置を設定する。このウエーハの原点位置に基づいて設定したウエーハ表面の走査開始位置から走査終了位置の回収領域で走査液回収アーム１６および走査液回収アーム１６の先端に設置した走査液回収冶具１６ａを動作させることによって、回収領域のウエーハ表面に薬液を接触させた状態でウエーハ回転台６を回転させて不純物を含む薬液を回収する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリ・デバイスの製造工程においては、いわゆるＯＮＯ膜の膜厚を分光エリプソメトリにより、各層の膜厚を計測している。しかし、デバイスの微細化に伴いウエハ内の膜厚ばらつきが増加して、管理範囲内に収まらないという問題が発生している。本願発明者が検討したところによると、このようなばらつきの増加の主要な要因は、プロセスのばらつきではなく、分光エリプソメトリの多層膜間の膜厚分離性の不足によることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、不揮発性メモリ・セルを構成するＯＮＯ絶縁膜の膜厚等を分光エリプソメトリにより、計測/解析するに際して、下層酸化シリコン膜と上層酸化シリコン膜の合成膜厚（両膜厚の和）を取得して、それから、あらかじめ単層のときに計測しておいた下層酸化シリコン膜の膜厚を差し引くことにより、上層酸化シリコン膜の膜厚を取得するものである。 （もっと読む）

【課題】微小なパーティクルであっても高い確実性をもって検出することができ、信頼性の高い計測を行うことができるパーティクルの検出方法を提供すること。
【解決手段】基板である半導体ウエハＷの上にダミー膜１１を成膜し、次いでウエハＷの表面に真上から光を照射しながら照射位置を移動させ、その反射光を受光し、この受光した光の強度と光の照射位置とを対応付けたデータを取得して、ウエハＷ上のパーティクルを検出する。ここでダミー膜１１の膜厚をダミー膜１１の表面で反射された反射光と、ダミー膜１１とウエハＷとの界面で反射された反射光とが同位相になるかまたは逆位相になるように設定することにより、可干渉状態あるいは不干渉状態を形成しておく。パーティクルがダミー膜１１の表面あるいは前記界面のいずれかに存在すると、上記の状態が崩れるため、受光する光の強度が変化し、これにより高感度でパーティクルを検出することができる。 （もっと読む）

【課題】 薄膜構造の特性評価を含む、偏光解析、反射光測定および散乱光測定のための干渉計法を提供する。
【解決手段】検出器上で参照光と干渉するように、或る範囲の角度にわたってテスト物体から出射するテスト光を結像することであって、テスト光および参照光は共通の光源から生成される。それぞれの角度毎に、テスト光がテスト物体から出射する角度に依存する速度で、テスト光および参照光の干渉する部分の間にいて、光源から検出器までの光路長差を同時に変更すること、および、それぞれの角度毎に光路長差を変更しながら、テスト光と参照光との間の干渉に基づいて、テスト物体の光学特性の角度依存性を特定することからなる方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板特性に悪影響を与えるＮｉ及びＣｕについての簡便で、かつ高精度の定量分析方法を提供する。
【解決手段】被評価対象のシリコン基板の表裏面にポリシリコン膜を形成する工程(1)、ポリシリコン膜を形成した前記シリコン基板を800℃〜950℃で30分〜60分加熱する工程(2)、800℃〜950℃で加熱した前記シリコン基板を430〜480℃まで降温し、さらに430〜480℃から1〜10℃/minの冷却速度で270〜330℃まで降温する工程(3)、前記シリコン基板を270〜330℃で30分〜60分保持してから、前記シリコン基板を室温に降温する工程(4)、降温した前記シリコン基板のポリシリコン膜を溶解し、溶解液中のCu及びNiを定量する工程(5)を含む、シリコン基板中のCu及びNiの含有量の評価方法。 （もっと読む）

本発明は、ウエハ表面の欠陥分析のためにウエハ欠陥部位にイオンデコレーションを行う際に、デコレーション作業とイオン抽出作業とを別に分離し、イオン抽出の完了した電解液を循環させることで、デコレーション作業時に面倒で長い時間がかかる過程を最小化し、全体デコレーションにかかる時間を画期的に短縮させて、終局としてウエハ欠陥分析時間の短縮と欠陥分析の効率性を向上させることができるウエハ欠陥分析装置及びこれに用いられるイオン抽出装置、並びに該ウエハ欠陥分析装置を用いるウエハ欠陥分析方法を提供する。
また、デコレーション作業のためのイオン抽出時にイオンの活動性を向上させてイオン抽出時間を画期的に短縮させることができるウエハ欠陥分析装置及びこれに用いられるイオン抽出装置、並びに該ウエハ欠陥分析装置を用いるウエハ欠陥分析方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来、無理と考えられてきたイオン注入層や拡散層が形成されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを、精度よく且つ簡易に測定するための評価方法を提供する。
【解決手段】片面にドーパント不純物が拡散されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを評価する方法であって、前記ライフタイムを評価する際に、前記拡散シリコン単結晶ウエーハの全表面に対してパッシベーションを行い、その後、前記拡散面とは反対側の表面に対して励起光の照射と、高周波の入射及びその反射波の検出を行うことでライフタイムの評価をすることを特徴とするライフタイムの評価方法。 （もっと読む）