【課題】キズ及びパーティクル等の欠陥の存在及び大きさを短時間で識別することが可能な半導体評価装置及び方法、並びにこれらを用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】レーザ光源と、前記レーザ光源と対向するようにして配置された複数の集光レンズを有するレンズ系と、受光器とを具え、前記レーザ光源から発されたレーザ光を前記レンズ系の前記複数の集光レンズを順次に通過させて、相異なるビーム径の複数の測定用レーザ光を順次に形成し、前記複数の測定用レーザ光それぞれを半導体基板の表面に順次に照射するとともに、前記半導体基板の前記表面の複数の欠陥に起因した散乱光を前記受光器で受光し、前記散乱光の強度に基づいて、前記複数の欠陥を評価する。 （もっと読む）

【課題】検査対象の電極パッド表面に触れること無く、電極パッド表面の酸化被膜を除去することができる、半導体テストシステムおよび半導体テストシステムにおける検査対象となる半導体の電極パッド表面の酸化被膜除去方法を提供する。
【解決手段】複数のプローブを搭載したプローブカードと、半導体を積載するステージと、上記プローブカードと上記ステージとの距離を調節する移動機構と、上記プローブに接続された放電用電源と、上記プローブの先端にレーザーを照射するレーザー発振器を備え、検査対象となる上記半導体上に設けられた電極パッドと上記プローブが所定の距離で離れた状態で、上記プローブの先端にレーザーを照射し、上記放電用電源によって上記プローブの先端と上記半導体との間にアーク放電を生じさせたあと、上記移動機構によって上記プローブと上記半導体を接触させ、上記半導体の検査を行う。 （もっと読む）

【課題】光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を電子顕微鏡等で詳細に観察する装置において、観察対象の欠陥を確実に電子顕微鏡等の視野内に入れることができ、かつ装置規模を小さくできる装置を提供する。
【解決手段】光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を観察する電子顕微鏡5において、欠陥を再検出する光学顕微鏡14を搭載し、この光学顕微鏡14で暗視野観察する際に瞳面に分布偏光素子及び空間フィルタを挿入する構成とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの表面、またはＳＯＩウェーハの表面に存在する欠陥や異物等に起因する微細な凹凸を高精度に検出することが可能な表面検査方法を提供する。
【解決手段】内部にシリコン酸化膜を形成しないシリコンウェーハの場合、シリコンウェーハの表面に入射させるレーザ光および光検出器に入射させる散乱光を共にＰ偏光とするＰＰモードか、または、シリコンウェーハの表面に入射させるレーザ光をＣ偏光、光検出器に入射させる散乱光を偏光させないＣＵモードとすることによって、表面検査時のバックグラウンドノイズを大幅に低減することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 干渉計から発射される測定波を反射させる反射体の面積を小さくすることができる技術を提供する。
【解決手段】 移動ステージ装置１０は、固定フレーム１２と第１〜第３フレームとステージ２６と第１干渉計１８と第１〜第３ミラーと移動量算出装置を備える。第１フレーム２４は固定フレーム１２に対してＸ軸方向に、第２フレームは第１フレーム２４に対してＹ軸方向に、ステージ２６は第２フレームに対してＺ軸方向に、それぞれ直線移動可能である。第１干渉計１８は固定フレーム１２に、第１ミラー３４は第１フレーム２４に、第２ミラーは第２フレームに、第３ミラー３８はステージ２６に、それぞれ取り付けられている。第１干渉計１８からＸ軸方向に発射されたレーザ光１８ａは、第１ミラー３４、第２ミラー、第３ミラー３８に反射されて、第１干渉計１８に入射する。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を伴うことなく、被検査基板への異物の付着を抑制すると共に光学系の冷却が可能な欠陥検査装置を実現する。
【解決手段】検査部筐体１５の上部にファンフィルタユニット１６ｂが設けられ、除振台２０の上には光学系４０及びステージ３００が配置されている。清浄空気は気流２９ｃ→気流２９ｄ→気流２９ｅと流れる。光学系筐体４０８の側壁４０ａに沿う清浄空気の流れにより光学系４０を冷却する効果がある。被検査基板１上への異物付着防止用の清浄空気通路として光学系４０を収容する検査部筐体１５の内側壁と、光学系筐体４０８の側壁４０ａ及び底面と、除振動台２０の上面とを用いる構成としたので清浄空気通路用部材（仕切り板等）を別個に設けることなく、かつ、光学系冷却手段を別個に設けることなく清浄空気通路を形成して被検査基板への異物付着を抑制でき、光学系４０の冷却も行うことができる。 （もっと読む）

【課題】大量のスループットを可能にする高速プロセスを有する光学検査システムを提供する。
【解決手段】レーザ光源１０１からの光ビーム１５１は、活性領域を有し、複数の移動レンズを活性領域に選択的に生成するようにＲＦ入力信号に対して応答する移動レンズ音響光学デバイス１０４に適用される。該音響光学デバイスは、生成された移動レンズの各々の焦点のそれぞれで、光ビームを受け、複数のフライングスポットビームを生成するように動作する。該ポットビームは半導体ウェハ１０８を走査する。使用可能な走査データを生成するために、複数の検出器セクションを有する光検出器ユニット１１０が使用され、各検出器セクションは、複数の光検出器と、複数の光検出器からの入力を並列に受けるように動作する少なくとも１つのマルチステージ格納デバイスとを有する。格納デバイスの各々に格納された情報は、複数のステージから同時に連続して読み出される。 （もっと読む）

【課題】ＳＷＴプロセスにおいて、パターン形状を高精度で検査可能なパターン形状検査方法、及び半導体装置の品質を向上可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に周期的に形成された第１のパターンの側壁を被覆する側壁部よりなる第２のパターンの断面形状を検査するパターン形状検査方法であって、第２のパターンが形成された基板に入射光が回折反射される反射光の振幅比スペクトル及び位相差スペクトルよりなる測定データを得る測定ステップＳ２１と、前記側壁部の断面形状を決定する形状パラメータが異なる複数の断面形状モデルについて、計算上の振幅比スペクトル及び位相差スペクトルよりなる複数の計算データを計算し、計算データが第２のパターンの測定データと最もマッチングするように形状パラメータを決定することによって、第２のパターンの断面形状を決定する決定ステップＳ２２〜Ｓ２５とを含むことを特徴とするパターン形状検査方法。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用いて被検査物の表面までの距離情報を取得してエッジのプロファイルの取得および傷・異物の検出を行う小型化容易で低価格な表面検査装置を提供する。
【解決手段】表面検査装置１００は、焦点調整部１０１と記憶部１０２と表面検査判定部１０３とを備えている。また、焦点調整部１０１は、受発光手段１１０と焦点ずれ検出手段１２０と焦点駆動制御手段１３０と焦点駆動手段１４０とを備えている。焦点ずれ検出手段１２０で検出された焦点ずれ量に基づいて、焦点駆動制御手段１３０で焦点制御量が算出されて記憶部１０２に逐次保存される。表面検査判定部１０３は、記憶部１０２から焦点制御量を読み出してウェハ１０の表面検査を行う。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスに対して無バイアス状態での検査を好適に行うことが可能な半導体検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスＳに対し、パルスレーザ光の照射によって発生する電磁波を利用して無バイアス状態で検査を行うとともに、半導体デバイスＳのレイアウト情報を参照して検査範囲を設定し、その範囲内でパルスレーザ光の検査光Ｌ１による２次元走査を行う。また、半導体デバイスＳの検査範囲を光学系の光軸に対して所定位置に配置し、半導体デバイスＳに対して固浸レンズ３６を設置した状態で、走査手段であるガルバノメータスキャナ３０により、固浸レンズ３６を介して半導体デバイスＳの検査範囲内を検査光Ｌ１によって２次元走査するとともに、半導体デバイスＳから出射された電磁波を光伝導素子４０で検出する。 （もっと読む）

【課題】
微細な欠陥から散乱した光の取込範囲を拡大し信号強度を高める欠陥検査装置及び欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】
被検査基板１を搭載して光学系に対し相対移動可能なステージ部３００と、被検査基板１上の検査領域４を照明する照明光学系１００と、被検査基板１の検査領域４からの光を検出する検出光学系２００と、検出光学系２００によって結像された像を信号に変換するイメージセンサ２０５と、イメージセンサ２０５の信号を処理し欠陥を検出する信号処理部４０２と、検出光学系２００と被検査基板１の間に配置され、被検査基板１上からの光を検出光学系２００に伝達する平面反射鏡５０１とを備える。 （もっと読む）

【課題】デバイスの高集積化に伴い、熱処理の低温化が進んだことにより、抵抗率の低いシリコン単結晶ウエーハに形成されるようになった小さなＢＭＤなどの微小な欠陥であっても検出することができる高感度の結晶欠陥の検出方法を提供する。
【解決手段】欠陥検出用のレーザーをシリコン単結晶ウエーハに入射し、結晶欠陥で散乱した散乱光を検出することにより、シリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥を検出する結晶欠陥の検出方法において、シリコン単結晶ウエーハの抵抗率が０．０５Ω・ｃｍ以下のシリコン単結晶ウエーハを用いて、シリコン単結晶ウエーハの主表面に対して直角に劈開し、欠陥検出用のレーザーを劈開面に対して斜めに入射し、劈開面からの散乱光を検出して劈開面の表面層に存在する欠陥を検出することによってシリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥を検出することを特徴とする結晶欠陥の検出方法。 （もっと読む）

【課題】スループットが著しく高められる半導体ウェハ欠陥検出システム。
【解決手段】ＵＶレーザ光源１０１からの光ビーム１５１は、複数の移動レンズを活性領域に選択的に生成するようにＲＦ入力信号に対して応答する移動レンズ音響光学デバイス１０４に適用される。前記移動レンズ音響光学デバイスは、生成された移動レンズの各々の焦点のそれぞれで、前記光ビームを受け、複数のフライングスポットビーム１５６をウェハ１０８へ向かい、反射ビーム１５７を生成するように動作する。使用可能な走査データを生成するために、複数の検出器セクションを有する光検出器ユニット１１０が使用され、各検出器セクションは、複数の光検出器と、複数の光検出器からの入力を並列に受けるように動作する少なくとも１つのマルチステージ格納デバイスとを有する。格納デバイスの各々に格納された情報は、複数のステージから同時に連続して読み出される。 （もっと読む）

【課題】斜め配線等のパターンが存在する場合でも高い感度での欠陥検出を行うことができる欠陥検査装置及び欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】レーザ２及びレーザ３は、平面視で、検査対象５に照射するレーザ光が４５度で交差するように配置されている。例えば、ＸＹステージ６の中心を基準として、ＸＹステージ６の互いに直交する２つの動作方向（Ｘ方向、Ｙ方向）の一方（Ｘ方向）にレーザ２が配置され、そこからＹ方向側に４５度ずれた位置にレーザ３が配置されている。また、欠陥検査装置には、ＸＹステージ６の動作を制御するステージ制御装置７、並びにレーザ２及びレーザ３の動作を制御するレーザ制御装置４が設けられている。更に、データベース９に格納された検査対象５の設計データに基づいて、検出器８、ステージ制御装置７及びレーザ制御装置４の動作を制御する主制御装置１も設けられている。 （もっと読む）

【課題】レーザ光によるクリーニング装置において、対象物に熱溶融ダメージを与えることなく付着物を除去すること。
【解決手段】プローブクリーニング装置１は、プローブ２１に対してレーザ光を照射してプローブの付着物を除去する際に、プローブ２１の素材や形状などの情報に基づいてクリーニング条件データベース１３を参照し、レーザ照射の出力、パルス間隔、波長、パルス幅などを制御することにより、プローブに熱によるダメージを与えることなく付着物を除去する。 （もっと読む）

【課題】部分的に活性化されたドープ半導体領域の活性化の程度および活性ドーピングプロファイルを非破壊的手法で決定するための方法及び／又は手順を提供する。
【解決手段】ほぼ同じ既知の注入されたままの濃度および、既知の変化する接合深さを有する少なくとも２つの半導体領域のセットを用意する工程１０、これらの領域のうち少なくとも１つについて、注入されたままの濃度の決定工程２０、前記セットのうち少なくとも２つの半導体領域をＰＭＯＲ技術により部分的に活性化させる工程３０、反射プローブ信号の符号付き振幅を接合深さの関数として、少なくとも２つのレーザ間隔値について測定および／またはＤＣプローブ反射率を接合深さの関数として測定する工程４０、これらの測定値から活性ドーピング濃度を抽出する工程８０、全体の注入されたままの濃度および活性ドーピング濃度を用いて、不活性ドーピング濃度を計算する工程９０を含む。 （もっと読む）

【課題】反射光によるウエハ表面画像と透過光によるウエハ透過画像の模様の違いを修正して、多結晶シリコンウエハの内部クラックを検出する。
【解決手段】多結晶シリコンウエハ２の反射光から得たウエハ表面画像データと多結晶シリコンウエハ２の赤外線透過光から得たウエハ透過画像データとでは結晶粒の大きさが異なる。これより、２つの画像データの差分値は内部クラックによる明度差と、結晶粒の境界のズレなどから起因する明度差とが顕著であるクラック疑い画素が検出される。このクラック疑い画素の隣接するもの同士を連結し、そのクラック疑い画素の分布状態からクラックを検出する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置のデバイス故障箇所を容易に特定することができる半導体集
積回路装置およびその検査装置を実現する。
【解決手段】本発明の半導体集積回路装置およびその検査装置は、被測定回路１１の内部
信号線（被測定ノード）にカソードが接続され、アノードが固定電位に接続された光電変
換素子（Ｄｉ１〜１０）を有し、光電変換素子（Ｄｉ１〜１０）にレーザー光が照射され
ることで内部信号線と固定電位との間に電位差を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の有無を簡便な手法により評価するエピタキシャルウェーハの評価方法を提供すること。
【解決手段】本発明のエピタキシャルウェーハの評価方法は、レーザ散乱光方式の走査装置５を用いて、半導体ウェーハＷの主表面Ｗ１に形成されているエピタキシャル層ＥＰのヘイズ値を測定し、ヘイズ値から得られるパラメータに基づいてエピタキシャル層ＥＰの有無を評価する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの一面に存在する突起状欠陥とへこみ状欠陥とを区別して検出し、へこみのサイズを正確に測定することが可能な半導体ウェーハの検査方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ１１の一面１１ａが平坦であれば、２つの偏光ビームＢ１，Ｂ２の間に位相差は生じない。しかし、シリコンウェーハ１１の一面１１ａにへこみ１２が存在すると、このへこみ１２に入射した偏光ビームＢ１は、偏光ビームＢ２に対してプラスの位相差が生じる。一方、シリコンウェーハ１１の一面１１ａに突起１３が存在すると、この突起１３に入射した偏光ビームＢ１は、偏光ビームＢ２に対してマイナスの位相差が生じる。 （もっと読む）