【課題】シリコンウエハ表面の微小加工損傷を検出する方法に関する。
【解決手段】シリコンウエハを希フッ酸で処理し、前記処理されたシリコンウエハをＣｕイオン含有希フッ酸に浸漬し、純水洗浄した後ＳＣ１洗浄し、前記シリコンウエハの表面に形成されたヘイズを分析することを特徴とする。
【効果】シリコンウエハ表面の微小加工損傷を確実にかつ高精度で検出、評価することができる。 （もっと読む）

【課題】ＤＵＴ内の様々な能動デバイスの応答についてのさらなる情報を非侵入的に得る。
【解決手段】ＤＵＴ２６０をレーザプロービングするための装置及び方法が開示されている。システムは、ＤＵＴにおけるデバイスのレーザ電圧による画像化状態マッピングを可能にする。ＤＵＴが、能動デバイスに変調させるテスト信号２４０を受信している間に、ＤＵＴの選択領域が照射される。ＤＵＴから反射された光は収集され、電気信号に変換される。位相情報が電気信号から抽出され、その位相情報から前記選択領域と空間的に対応する２次元画像が生成される。 （もっと読む）

【課題】 発光装置の複雑化及び高価格化を招くことなく、多数の光源を微少なピッチで配置することを可能にすることにある。
【解決手段】 発光装置は、複数の内部配線を有する第１の基板であって、厚さ方向を上下方向とされた第１の基板と、厚さ方向を第１の基板と一致させた状態に、第１の基板の下側に配置された第２の基板であって、該第２の基板を上下方向に貫通する複数の第１の貫通穴を有する第２の基板と、厚さ方向を第２の基板と一致させた状態に、第２の基板の下側に配置された第３の基板であって、該第３の基板を厚さ方向に貫通して、第1の貫通穴に連通された複数の開口を有する第３の基板と、第１の貫通穴から開口に向かう光を発生するように第１の基板に支持された複数の光源であって、内部配線に電気的に接続された複数の光源とを含む。複数の光源は複数列に配置されている。 （もっと読む）

【課題】検出画像を取得した被検査領域毎に閾値を最適化する手法はあるが、１枚の検出画像については１つ閾値だけを適用する。このため、１つの画像内に有意でない欠陥が含まれる場合でも、有意の欠陥と同じ感度レベルで検出される。
【解決手段】１つの検査領域内に複数の感度領域を設定して、１つの検査領域のうちＤＯＩ（Defect of interesting）が存在する領域の欠陥だけを他と区別して検出できる仕組みを提案する。具体的には、検査領域内の画像の特徴に基づいて、検査領域内に複数の感度領域を設定し、検出画像、差画像又は欠陥判定部の判定用閾値に、各感度領域の設定感度を適用する。 （もっと読む）

【課題】配線間の底部のショートに対する検査感度を向上させ、微細化されたパターンであり、平行に並んだ複数の配線間の底部におけるパターンショートであっても検出可能な欠陥検査方法を実現する。
【解決手段】欠陥検出を行なう被対象物である試料に照射する光の偏光（アルファ）（ｓ偏光からの角度（アルファ））を、試料の回路パターンの条件、照射光の方位角及び入射角を所定の計算式に代入して算出する。偏光（アルファ）は、ｐ偏光とｓ偏光との間にある。算出した偏光（アルファ）の光を試料に照射して欠陥を検査する。これにより、配線間の底部のショートに対する検査感度を向上させ、微細化されたパターンであり、平行に並んだ複数の配線間の底部におけるパターンショートであっても検出可能な欠陥検査方法を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電極探針と被測定物との接触面積及び接触面の間隔それぞれをより高い精度で維持できる４探針プローブ及びそれを用いた抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る４探針プローブ１０は、本体部１１とその先端に形成された超硬ボール１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄを有する電極探針と、電極探針が４本摺動可能に保持された軸受ガイド１２とを具備し、軸受ガイド１２は、粉末を用いた焼結加工によって形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの高速検査を可能にする。
【解決手段】半導体ウェーハ２０の一部の並行検査を同時に実行するために、複数の独立した低コスト光学検査サブシステム３０がパッケージ化及び統合される。ここで、検査に関連するウェーハ位置は、ウェーハ全体が光学サブシステムからなるシステムによってラスタスキャンモードで画像化されるように制御される。単色の可干渉性（コヒーレントな）光源がウェーハ表面を照明する。暗視野光学システムが散乱光を集光し、フーリエフィルタリングを使用して、ウェーハに作り込まれた周期的な構造によって生成されたパターンをフィルタリングする。フィルタリングされた光は、汎用デジタル信号プロセッサによって処理される。ウェーハの欠陥を検出するために、画像を比較する方法が使用され、こうした欠陥は、統計的な工程制御、特に製造設備を支援するために、メインコンピュータ５０に報告される。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの下面の外観異常箇所に対応するウエハの上面の位置を正確に特定することができる外観検査方法を提供する。
【解決手段】 複数の半導体素子領域が形成されたウエハ５０の下面５０ｂの外観異常を検査する方法であって、ウエハ５０の下面５０ｂの外観異常箇所を特定する外観異常箇所特定工程と、ウエハ５０を透過可能なレーザをウエハ５０の下面５０ｂの外観異常箇所に向けて照射して、ウエハ５０の上面５０ａのうちの外観異常箇所の裏側の箇所にマークを形成するレーザ照射工程を有する。 （もっと読む）

【課題】光変調光反射測定技術を用いて、基板の半導体接合の深さの値を測定する方法。
【解決手段】半導体接合を含む少なくとも第１領域を有する基板を得る工程と、参照領域を得る工程と、少なくとも１回、以下のシーケンス、光変調光反射率測定のための測定パラメータのセットを選択する工程１１０、選択されたパラメータのセットを用いて、少なくとも第１領域の上で、半導体接合を有する基板を表す第１光信号を測定する工程１２０、選択されたパラメータのセットを用いて、参照領域の上で、第２光信号を測定する工程１３０、および第２光信号に対する第１光信号の比を測定し（１４０）、この後に、この比から、半導体接合の深さを導き出す工程１５０を行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】大口径や厚みの薄いウェーハであってもウェーハの裏面を非接触状態で測定ステージに載置することが可能なウェーハ測定装置を提供する。
【解決手段】ウェーハの外周エッジを支持することでウェーハ裏面とステージ面２２とを非接触にして該ウェーハが載置される測定ステージ２０と、ウェーハを測定ステージ上方に移動させるとともに上方からウェーハを測定ステージに載置するウェーハ搬送手段３０と、測定ステージの中央に形成されて上方に向かってガスを供給する噴出孔２６とを備えたウェーハ測定装置１００において、ウェーハ搬送手段に、圧力ガスが供給されることでウェーハ表面を非接触で吸着保持し、ウェーハを上に凸状に撓ませるベルヌーイチャック４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ基板の欠陥検査において、欠陥を分類するための効率的で、信頼性のある方法及びシステムを提供する。
【解決手段】複数のシリコンウェーハからの走査データを解析する方法であり、各ウェーハのグラフィック表現であるウェーハマップに重ねて少なくとも１つの欠陥タイプを指示する複数のデータ点から成る、対応する母集団からのデータ点を表すシンボルを表示する。ここで、プロットされるシンボルは、各ウェーハマップに対応するウェーハ上に存在する少なくとも１つの欠陥タイプのグラフィック描写を与えることができるように、データ点が関連付けられる場所のウェーハマップ上にプロットされる。また、ウェーハマップを積み重ねられて表示され、その積み重ね順序はウェーハの既知の特徴や走査データが得られた処理に予め決められた順序で表示される。 （もっと読む）

【課題】製造工程の途中でエピ膜厚を測定できる手段を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面にｎ型エピ層２を成膜すると、第１、第２の溝４ａ、４ｂの外側ではｎ型エピ層２が成膜されるが、これらの間となる突出部５の上にはｎ型エピ層２が成膜されない。このため、これらの高さの差、つまり段差を測定することにより、ｎ型エピ層２を測定することができる。すなわち、これら各部において、測定装置から測定対象の最表面までの距離を求め、その差を測定することにより、半導体基板１の表面に成長したｎ型エピ層２の膜厚を測定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】検出感度の校正を容易に行うことができる表面検査装置及びその校正方法を提供する。
【解決手段】照明光学系２により標準異物ウエハ１１０の表面に照明光を照射しつつ、その照射光により標準異物ウエハ１１０の表面を走査し、検出光学系３の検出器３１〜３４により標準異物ウエハ１１０の表面からの散乱光を検出し、その散乱光の検出結果と予め定めた基準値とを用いて検出器３１〜３４の光電子増倍管３３１〜３３４の検出感度を補正するための補正パラメータＣｏｍｐを算出し、その補正パラメータＣｏｍｐを経時劣化パラメータＰ、光学的特性パラメータＯｐｔ、及びセンサ特性パラメータＬｒに分離して管理する。 （もっと読む）

【課題】凹凸表面を有する支持体上に形成された半導体層の膜厚を高精度に測定することができる積層体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】凹凸表面ｃ１を有する支持体Ｂ１と、支持体表面に積層された半導体層Ｔとを備え、半導体層Ｔを有する支持体Ｂ１はその一部に、半導体層Ｔの層厚ｔが光学的に測定されるように構成された層厚被測定部位Ｇ１を有する積層体。 （もっと読む）

【課題】被テストデバイスの不良箇所の位置を３次元的に特定する。
【解決手段】故障解析装置７０には、被テストデバイスである半導体デバイス（ＤＵＴ）２１にレーザ光を照射して、照射された被テストデバイスの特定箇所を加熱して熱起電流を発生させるレーザ照射手段と、前記レーザ光を水平方向及び垂直方向に走査して前記被テストデバイスの光加熱抵抗変化画像を撮影する撮影手段と、水平方向の前記光加熱抵抗変化画像と前記被テストデバイスの平面レイアウト画像を水平方向の位置座標が同一となるように重ね合わせる第１の位置座標設定手段と、縦方向の光学ステージ位置情報と前記被テストデバイスの断面情報を縦方向の位置座標が同一となるように重ね合わせる第２の位置座標設定手段とが設けられる。 （もっと読む）

【課題】試料へのダメージを抑えつつ、偏光検出を利用した欠陥検出感度向上とHaze計測を両立させる欠陥検査方法および欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】試料に対し、エネルギの吸収が小さい波長帯域を有するレーザビームを発振する光源と、前記光源から発振されたレーザビーム照射により、欠陥から発生する欠陥散乱光を検出する欠陥検出光学系と、ウエハ表面荒れから発生するラフネス散乱光を検出するHaze検出光学系の二つを独立に備え、前記二つの検出光学系で検出した散乱光に対し独立に偏光検出を行い、前記二つの異なる検出信号に基づき欠陥判定および、Haze計測を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に化合物半導体層を平坦でかつ不純物分布が均一になるように成長させることができるIII−Ｖ族窒化物系半導体基板を提供する。
【解決手段】自立したIII−Ｖ族窒化物系半導体基板の表面の任意の位置においてフォトルミネッセンスを測定してそのバンド端ピークの発光強度をＮ１とし、前記測定位置に対応する同一基板上の裏面側のバンド端ピークの発光強度をＮ２としたときに、その強度比α＝Ｎ_１／Ｎ_２が０．０１≦α≦０．９８となるときに良品歩留のIII−Ｖ族窒化物系半導体基板とする。 （もっと読む）

【課題】回折次数の重なりを防止しつつ基板の特性を精度良く求める技術を提供する。
【解決手段】角度分解分光法に対しては、４つのクアドラントを有する照明プロファイルを有する放射ビームが使用される。第１および第３クアドラントが照明される一方、第２および第４クアドラントは照明されない。したがって、結果として生じる瞳面は４つのクアドラントに分けられ、ゼロ次回折パターンのみが第１および第３クアドラントに現れて一次回折パターンのみが第２および第３クアドラントに現れる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法等に関し、特にプロセス中及びプロセス後の情報等を利用することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハのスクライブライン上に形成された評価用素子を検査するｅ−ＴＥＳＴ（Ｓ４）工程と、ｅ−ＴＥＳＴ（Ｓ４）工程によって検査された結果による情報を表す文字を半導体ウェハに印字する再印字（Ｓ１１）工程と、再印字（Ｓ１１）工程によって印字された文字に表された情報を利用しながら、再印字（Ｓ１１）工程より後のプローブ検査（Ｓ５）工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによる結晶化を利用した半導体薄膜の形成において、その結晶化度を従来よりも高精度に評価することが可能な半導体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて、ＬＥＤ１２によって照射光Ｌoutを照射する。これにより、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の干渉縞画像（干渉縞画像データＤ１）を取得する。また、画像処理用コンピュータ１５において、ｐ−Ｓｉ膜２３（結晶化領域５１）とａ−Ｓｉ膜２３０（未結晶化領域５０）との（反射）光学的段差を求める。そして求めた（反射）光学的段差に基づいて、ｐ−Ｓｉ膜２３に対する選別および結晶化度の制御量の算出のうちの少なくとも一方の評価を行う。これにより、従来よりも確実な選別が実現されると共に、新たな制御（結晶化度の制御）が実現可能となる。 （もっと読む）