例えばリソグラフィ技術によるデバイス製造などで使用可能な半導体ウェーハ上の処理欠陥を検出する検査方法及び装置。スキャン経路に沿ってダイのストリップを移動する測定スポットで照明する。散乱放射を検出してストリップ上部に空間的に集積された角度分解されたスペクトルを取得する。散乱データを測定又は計算によって入手した基準スペクトルのライブラリと比較する。該比較に基づいてダイの上記ストリップの欠陥の存在を決定する。測定スポットはウェーハにわたって大きな（一定の）速度部分を含むスキャン経路軌跡のウェーハに沿ってスキャンされ、角度分解スペクトルが取得され、フルスキャン速度で比較が実行される。ダイにわたってストリップに沿ってＹ方向に長時間の取得が実行される場合、位置変動の結果としての取得されたスペクトルの変動は主としてスポットのＸ位置に依存する。高速スキャン経路軌跡に沿ってスポットがウェーハに整列しないため、スポット位置が変動する。ダイ上のそれぞれのＸ位置でのある範囲のスキャン経路について基準スペクトルのライブラリが入手され、高速測定スポットのＸ位置の変動が可能になる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造ライン中での測定を可能とし、従来のような事前の前処理や拡散係数の仮定を必要とせず、キャリア寿命をより精度よく測定し得る半導体キャリア寿命測定装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体キャリア寿命測定装置Ａでは、マイクロ波光導電減衰法が利用されており、半導体の被測定試料Ｘが第１表面再結合速度状態である場合において、光照射部１によって互いに波長の異なる少なくとも２種類の光が被測定試料Ｘに照射されるとともに測定波入出力部２によって測定波が被測定試料Ｘに照射されて検出部３で検出された反射波または透過波の時間的な相対変化の第１差が求められ、前記第１差と同様に、第２表面再結合速度状態での第２差が求められ、これら第１および第２差に基づいて被測定試料Ｘのキャリア寿命が求められる。 （もっと読む）

【課題】従来技術では、偏光状態の違いにより正しく欠陥と、異物との弁別を行うことができない場合も考えられる。
【解決手段】上記課題を達成するために、本発明の第１の特徴は、試料を載置する搬送系と、前記試料の第１の領域に第１の光を照射し、前記試料の第２の領域に第２の光を照射する照射光学系と、前記試料からの光を受光する受光系と、前記照射光学系での時間遅れを記憶する記憶部と、前記受光結果と、前記時間遅れとを用いて、試料に由来する欠陥と異物とを弁別する処理部とを有することにある。本発明の第２の特徴は、前記第１の光の状態と、前記第２の光の状態とを観察する光学条件観察部と、前記光学条件観察部での観察結果をフィードバックする観察結果フィードバック部と、前記フィードバックを用いて前記第１の光と、前記第２の光との光学条件を同じにする光学条件制御部とを有することにある。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスに照射されたレーザ光の反射光に起因するノイズが低減された半導体デバイス故障解析装置を提供する。
【解決手段】半導体デバイス故障解析装置１００は、半導体デバイス１に多光子吸収を生じさせるパルスレーザ光を、半導体デバイス１に照射するレーザ光源１７と、半導体デバイス１の動作により発生する光の波長を含む波長領域に感度を有し、フォトンカウンティング測定可能な光検出器６とを備える。パルスレーザ光の波長は、光検出器６が感度を有する波長領域から外れている。 （もっと読む）

【課題】試料台への基材の配置が容易でありながら基材上に成膜された半導体薄膜の結晶性を高感度で評価可能な半導体薄膜の結晶性評価方法及び結晶性評価装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、試料台１４に基材１１が接するよう試料１３を配置し、半導体薄膜１２に励起光を照射し、特定波長のマイクロ波を励起光が照射された半導体薄膜１２の範囲に照射し、半導体薄膜１２からの反射波の強度を測定する。このとき照射されるマイクロ波は、半導体薄膜１２の表面から配置面１４ａまでの距離の４ｎ／（１＋２Ｎ）倍（ｎ：基材の屈折率、Ｎ：０又は任意の正の整数）の波長λを、又はこれに近似する波長であって波長λをもつマイクロ波を半導体薄膜１２に照射したときに得られる反射波の信号強度Ｒ２に対し、実際に得られる信号強度Ｒ２が９０％以上となる程度まで近似した波長をもつことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】暗視野光学式検査装置では、ＴＴＬにおけるリアルタイムでの合焦追従対応が困難である。また、斜め方向からの反射光の位置ズレを検出する方式では、撮像用レンズとの誤差や温度変化等の環境変化および合焦制御ユニットの経時変化によるズレ（オフセット）量を補完することが困難である。さらに検査時の環境等により合焦位置が変化してしまうため、ＴＴＬ開始時においてもある程度の合焦が保たれていなければ、高精度にするためには画像のサンプル数を増やしたりする必要があるため時間がかかってしまう。
【解決手段】ＴＴＬとＳ字カーブ制御を同時積載し、合焦位置認識はＴＴＬ、合焦位置追従動作にはＰＳＤ（ＣＣＤ）方式というように用途を切替えることで、より高精度で短時間の検査を行うことができる。また、ＴＴＬ実行時に前回の合焦位置情報をフィードバックすることにより、ＴＴＬの時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜の膜厚の変動に関わらず、精度良く半導体薄膜の結晶性を評価することができる結晶性評価方法及び結晶性評価装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、半導体薄膜１２にキャリアを励起させるための励起光を照射すると共にこの励起光が照射された範囲を含む半導体薄膜１２の範囲にマイクロ波を照射して半導体薄膜１２からのマイクロ波の反射波の強度を測定し、データ収集用半導体薄膜の膜厚とこのデータ収集用半導体薄膜に前記マイクロ波を照射したときの反射波の強度の値との関係を収集し、この収集した膜厚と反射波の強度の値との関係と、半導体薄膜１２から得られた励起光及びマイクロ波が照射された範囲の膜厚の値Ｒ３ａとに基づいて前記得られた測定値Ｒ２を補正し、この補正された測定値Ｒ２ａに基づいて半導体薄膜１２の結晶性を評価することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】受光素子の光感度特性を高精度で、かつ、容易に測定できるようにする。
【解決手段】Ｚ軸ステージ１０４が、光軸方向（Ｚ軸方向）に光学制御部１０１を移動させながら、レーザ発生部１２１により発生されるレーザ光が受光するとき、受光出力測定部２８は、受光素子２０１が発生する出力電圧を測定する。光感度計算部３１は、出力電圧に基づいて光感度を計算する。プロット部２９は、Ｚ軸方向の移動位置と光感度をプロットする。Ｚ位置決定部３３は、光感度が最大で、かつ、平坦な状態の中央位置となるＺ位置を焦点位置として決定する。本発明は、受光素子の光感度測定装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】部品数の増加及び装置の大型化を伴うことなく、短時間でビーム照射位置の調整が可能なビーム調整装置を実現する。
【解決手段】調整用ミラー１９ａ、１９ｂはチルト機構１０１により回転され、シフト機構１０２により直線的に移動される。光１８はビーム調整機構１０で調整後、集光レンズ移動機構１２１でレンズ１２を移動させレンズ１２通過後の光及びレンズ１２を通過しない光がＣＣＤカメラ１３に照射される。レンズ１２とＣＣＤカメラ１３の受光面との距離は焦点距離でありレンズ１２中心とＣＣＤカメラ中心との位置を合せておく。チルト調整量を算出しビーム調整機構１０で平行光となるように補正し、その後にレンズ１２を通過させずにＣＣＤカメラ１３に光を入射させビームのシフト調整量を算出しビーム調整機構１０でＣＣＤカメラ１３の中心に光が収束するようにビームのシフト、チルトを補正する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、検出感度を向上させることができるパターン検査装置及びパターンを有する構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】被検査体に形成されたパターンの光学画像に基づいて検出データを作成する検出データ作成部と、前記パターンに関する参照データを作成する参照データ作成部と、テンプレートを構成する画素における論理を任意に設定することができる可変テンプレートを有するテンプレートマッチング部と、前記検出データと、前記参照データと、を比較して欠陥部を検出する欠陥検出部と、を備えたことを特徴とするパターン検査装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのピックアップ工程を正確に検証することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】例えば、ピックアップ済みの半導体ウェハＷＦに対し、ラインカメラＬＣＭを用いた各列毎の撮像が行われ、この撮像データ群３１から得られるマップデータと、プローブ検査によって得られたウェハマップデータＷＭＤとが自動照合手段３２で照合される。この撮像データ群３１からマップデータを得る際には、ダイシング時のブレードによってダイシングシートＤＳ上に形成されたダイシング溝１０が検出され、このダイシング溝１０の区画と基準チップＣＰ＿Ｒとの位置関係に応じてチップ座標が認識され、各チップ座標におけるチップＣＰの有無に基づいてマップデータが生成される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの表層の深さ方向における電気的に活性な欠陥や汚染の分布を評価可能な半導体ウェーハの表層評価方法を提供する。
【解決手段】良品の半導体ウェーハのフォトルミネセンス強度について、複数の温度別深さ依存グラフおよび基準温度依存グラフを作成し、温度別深さ依存グラフ毎について、フォトルミネセンス強度の支配的なウェーハ深さ領域を求め、実測温度依存グラフを作成する。その後、基準温度依存グラフと実測温度依存グラフとを対比して欠陥および汚染を評価する。また、シフト量が大きい部分の温度を求め、これに応じた温度別深さ依存グラフの支配的なウェーハ深さ領域から、実測のウェーハの欠陥や汚染の深さ領域を推定する。 （もっと読む）

【課題】複数の画像データから高精細な画像を表す高精細画像データを生成する高精細画像生成処理において、生成する高精細画像の出力時における画質の低下が抑制されるような画像データを生成することを可能とする。
【解決手段】画像生成装置は、生成する高精細画像データの出力に用いる出力装置に関する情報を出力装置情報として取得し、出力装置情報に基づいて出力装置での出力に適した高精細画像の画像サイズを生成画像サイズとして設定する生成画像サイズ設定部を備える。また画像生成装置は、複数の画像データから、時系列に並んだ複数の画像データを合成元画像データとして取得し、取得した合成元画像データを合成して、設定した生成画像サイズの高精細画像を表す高精細画像データを生成する画像合成部を備える。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザービームの照射による改質層形成によりサファイアの分割を行う場合において、パルスレーザービームの条件により輝度がどれだけ低下するかを検査できるようにする。
【解決手段】サファイア基板について、第一の条件及び第二の条件のパルスレーザービームによる改質層の形成をそれぞれ２本の第一の分割予定ラインについて行うとともに、第一の条件及び第二の条件のパルスレーザービームによる改質層の形成をそれぞれ２本の第二の分割予定ラインについて行うことにより、第一の条件のみによって切り出された第一の発光デバイスと第二の条件のみによって切り出された第二の発光デバイスとを取得する。そして、第一、第二の発光デバイスの輝度をそれぞれ測定し、そのそれぞれについて、サファイア基板を分割する前に個々の発光デバイスについて測定した分割前輝度との差を求め、条件の違いによる輝度低下の差を検査する。 （もっと読む）

【課題】効率的に検査領域を設定することが可能な半導体装置の欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】ＮｏｎパターンＤｉｅ１０及びパターンＤｉｅ１１を比較して第１の仮パターンを取得し、第１の仮パターン第１の微細部分の集合とし、第１の仮パターンのＹ座標それぞれについて、隣り合った第１の微細部分間のＸ軸方向の座標差が所望の値より大きくなる第１の微細部分を抽出し、抽出された第１の微細部分から第１のエッジ領域を規定し、ＮｏｎパターンＤｉｅ及びパターンＤｉｅを９０度回転させて比較して第２の仮パターンを抽出し、第２の仮パターンを第２の微細部分の集合とし、第２の仮パターンのＹ座標それぞれについて、隣り合った第２の微細部分間のＸ軸方向の座標差が所望の値より大きくなる第２の微細部分を抽出し、抽出された第２の微細部分から第２のエッジ領域を規定し、第１及び第２のエッジ領域に囲まれている領域を検査領域として導出する。 （もっと読む）

【課題】
検査レンズの波面収差は欠陥検出感度を低下させる傾向があり、波面収差の装置間差が、検査感度一致度を下げる原因の一つとなっていた。特に検査レンズの外側は波面収差が大きくなる傾向があるため、(a)像高が高い場合、(b)光が低仰角方向へ強く散乱される欠陥を検出する場合、収差の影響を受けやすくなる。
【解決手段】
本発明では上記課題を達成するために、以下の手段を備えたシステムとして構成されるようにした。
(1)：レーザ等の光源、及び照明光学系、
(2)：検出光学系レンズの波面収差を測定可能な瞳面観測系、もしくは波面収差測定方式、
(3)：収差の大きい瞳面上の領域を遮光可能な2次元空間フィルタ、
(4)：(2)及び(3)を持つ散乱光を検出するための１つまたは複数の欠陥検出光学系及び光検出器、
(5)：波面収差測定に用いる点光源。 （もっと読む）

【課題】半導体中のキャリアの移動度及び半導体の電気抵抗率を非破壊で短時間に算出する。
【解決手段】本発明は、半導体中のキャリアの移動度μとキャリアの減衰定数γとの関係、及び、テラヘルツ光に対する半導体の反射率Ｒとキャリアの減衰定数γとの関係をそれぞれ記憶する記憶部１０１と、試料となる半導体にテラヘルツ光１０５を照射する光照射部１０３と、照射されたテラヘルツ光１０５に対する試料の反射光１０８を検出する検出部１０９と、照射されたテラヘルツ光１０５の強度に対する反射光１０８の強度の比率を求めることにより、試料の反射率Ｒ_ｅｘｐを算出する反射率算出部１１１と、記憶された反射率Ｒとキャリアの減衰定数γとの関係を参照し、試料の反射率Ｒ_ｅｘｐに対応する試料の減衰定数γ_ｅｘｐを取得する取得部１１３と、取得した減衰定数γ_ｅｘｐに基づいて、記憶された移動度μと減衰定数γ_ｅｘｐとの関係から、試料の移動度μ_ｅｘｐを算出する移動度算出部と、を有する移動度測定装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの表面または表層の欠陥および汚染を高感度に測定し、評価結果の信頼性を高めることが可能な半導体ウェーハの表面または表層評価方法を提供する。
【解決手段】過剰キャリアの濃度分布の測定前に、半導体ウェーハの表面から自然酸化膜を含む酸化膜を除去するので、濃度分布の測定視野内における無欠陥領域上と欠陥領域上での発光強度の差が増大する。その結果、電気的に活性な欠陥および局所的な汚染を、自然酸化膜を含む酸化膜を除去しない従来法に比べて高感度に検出し、評価することができる。 （もっと読む）

【課題】
多様な欠陥種の高感度検出と高感度化に伴い増加するノイズやNuisance欠陥の抑制が必要である。
【解決手段】
被検査対象物を所定の光学条件で照射する照明光学系と、前記照明光学系により照射された前記被検査対象物からの散乱光を所定の検出条件で検出して画像データを取得する検出光学系と、異なる条件で前記検出光学系により取得された複数の画像データについてそれぞれ欠陥候補を検出する欠陥候補検出部と、前記複数の画像データについての欠陥候補を統合処理して欠陥判定を行う検査後処理部と、を備えた画像処理部と、を有する欠陥検査装置である。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハに形成されたエピタキシャル層の表面に生じる、転位や微細な結晶欠陥や研磨に起因した欠陥をより高感度に検出できるエピタキシャルウェーハの評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェーハ１の評価方法は、半導体単結晶基板１０の主表面にエピタキシャル層１１を有するエピタキシャルウェーハ１についてエピタキシャル層１１の表面の状態を評価する方法であって、エピタキシャルウェーハ１のエピタキシャル層１１に、気相成長法により被評価層２ａを形成する被評価層形成工程と、被評価層２ａの表面の状態を評価することによりエピタキシャル層１１の表面の状態を評価する評価工程と、を備える。 （もっと読む）