【課題】比較的大きなサイズの欠陥を高感度で検出できると共に、高さ又は深さの変化量が１ｎｍ又はそれ以下の微細な欠陥も検出できる検査装置を実現する。
【解決手段】照明光源１からの照明ビームを被検査基板２１に向けて投射する対物レンズ２０と、入射した照明ビームを、互いに干渉性を有する第１及び第２のサブビームに変換すると共に、基板の表面で反射したサブビーム同士を合成し、基板表面の高さ又は深さと関連する位相差情報を含む干渉ビームを出射させる微分干渉光学系１６と、出射した干渉ビームを受光する光検出手段２８と有する。微分干渉光学系のリターデーション量は、ｍを零又は正の整数とした場合に、第１と第２のサブビームとの間に（２ｍ＋１）π又はその近傍の位相差が形成されるように設定し、前記光検出手段から出力される出力信号のバックグランドの輝度レベルがほぼ零となる検査状態において基板表面を照明ビームにより走査する。 （もっと読む）

【課題】マルチスポットウエハ検査用照射サブシステムを提供する。
【解決手段】照射光ビーム３４を複数の光ビームに分離する回折光学素子３２と、前記複数の光ビームの光路に配置された補償回折光学素子４０であって、前記補償回折光学素子は、前記回折光学素子と同じ回折角度で符号が反転した回折次数を有する、補償回折光学素子と、前記補償回折光学素子から出る前記複数の光ビーム３６の光路に配置され、前記複数の光ビームのそれぞれの焦点を検査用ウエハ４６に個別におよび同時に合わせる、１つまたは複数の屈折光学素子４４と、を含む照射サブシステム。 （もっと読む）

【課題】より多くの測定ポイントの温度を簡易に測定できる温度測定装置及び温度測定方法を提供する。
【解決手段】光源と、光源からの光をｍ個の波長帯域に分波する第１の分波手段と、第１の分波手段からの光を、ｍ個の波長帯域毎にｎ個の光に分岐するｍ個の第１の分岐手段と、ｍ個の第１の分岐手段からの光を、測定対象物の各測定ポイントまで伝送する伝送手段と、各測定ポイントで反射された光を受光する受光手段と、受光手段で受光された光の波形に基づいて、各測定ポイントの温度を算出する温度算出手段と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて高速に測定対象物の物理状態を測定できる物理状態測定装置及び物理状態測定方法を提供する。
【解決手段】光源と、光源からの光を測定対象物の測定ポイントまで伝送する伝送手段と、測定ポイントで反射した光の波長を異なる波長に変換する非線形光学素子と、波長変換後の光を受光する受光手段と、受光手段で受光された光の波形に基づいて、測定ポイントにおける測定対象物の物理状態を測定する測定手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上に形成されたチップ内の直接周辺回路部の近辺に存在する致命欠陥を高感度に検出することができる欠陥検査装置及びその方法を提供する。
【解決手段】被検査対象物を所定の光学条件で照射する照明光学系と、被検査対象物からの散乱光を所定の検出条件で検出して画像データを取得する検出光学系とを備えた欠陥検査装置において、前記検出光学系で取得される光学条件若しくは画像データ取得条件が異なる複数の画像データから領域毎に複数の異なる欠陥判定を行い，結果を統合して欠陥候補を検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】ＬＡＤＡ効果を誘起する非線形２フォトン吸収機構を利用する故障位置測定システムを提供する。
【解決手段】ＤＵＴ２１０がテストベクトルで刺激されている間に、シリコンのバンドギャップより低いフォトンエネルギーを有する波長のフェムト秒レーザパルスを関心領域に送出し、レーザパルスはＤＵＴ刺激に同期しているので、スイッチングタイミングが２フォトン吸収効果を用いて変更され、レーザ光源がなければ合格するＤＵＴが不合格になる瞬間において光線の位置が求められ、不合格の原因となっているトランジスタの位置を求める。 （もっと読む）

【課題】判定作業の効率化を図り、被測定用半導体材料を面的にＰＮ判定する。
【解決手段】ＰＮ型判定装置は、被測定用半導体材料に検査光を照射する光学系と、前記検査光が照射される部分に発生する電磁波を検出する同調コイルと、当該同調コイルで検出した検出波形の位相のずれ方をもとにＰ型又はＮ型を判定する判定部とを備えた。前記判定部は、前記検出波形と基本波形とを比較したとき、Ｐ型とＮ型の２種類の検出波形のうちの一方が前記基本波形と逆位相又は他方の検出波形と比較して逆位相に近いときＰ型と判定し、前記２種類の検出波形のうちの他方が前記基本波形と同位相又は一方の検出波形と比較して同位相に近いときＮ型と判定する。ＰＮ型判定方法の要部は、前記判定部での処理機能と同様である。 （もっと読む）

【課題】バンプ検査のスループットを向上することが可能な検査装置を提供する。
【解決手段】顕微鏡から入射されたウェハの表面の像をセンスし、ウェハ１の表面の第１の検査画像データを取得する第１の受光センサ６と、顕微鏡から入射された像に対してウェハ１の表面に形成されたバンプの上部の基準位置にピントを補正し、顕微鏡から入射されたバンプの像をセンスし、バンプの第２の検査画像データを取得する第２の受光センサ７とを備え、第１の受光センサ６により取得された第１の検査画像データと、予め取得された第１の基準画像データとを比較し、この比較結果に基づいてウェハの表面の欠陥を検出する第１の画像処理ユニット８と、第２の受光センサ７により取得された第２の検査画像データと、予め取得された第２の基準画像データとを比較し、この比較結果に基づいてバンプの不良を検出する第２の画像処理ユニット９とを備える。 （もっと読む）

【課題】
キャリアの発生、消滅を評価する手段を有する検出装置を提供すること。
【解決手段】
観察対象物に設けられた電極間における電界分布またはキャリア分布を高次高調波に基づいて検出する検出装置において、前記観察対象物に基本波を照射する照射部と、前記観察対象物における電圧印加時の電圧分布又はキャリア分布に応じて生成された前記高次高調波を検出する検出部と、前記観察対象物にキャリアを発生させるための励起光を照射する励起照射部と、前記励起照射部の第１信号に基づき、前記励起照射部より前記観察対象物に前記基本波を第２信号で照射させ、第３信号で高次高調波を前記検出部で検出する制御信号出力部を備え、前記制御信号出力部は、前記第１信号の出力時点と前記第２及び第３の出力時点との間の時間間隔を変更可能に構成した。 （もっと読む）

【課題】
パルスレーザ光源から発射されるパルスレーザのパルス発振周波数よりも高いサンプリングレートで試料にダメージを与えることなく検査することを可能にする。
【解決手段】
パルス光源から発射されたパルス光の１パルス分の光を複数のパルスに分割し、この分割されたパルス光を試料に照射し、照射により試料から発生した散乱光を集光して検出し、試料からの散乱光を集光して検出して得た情報を用いて試料上の欠陥を検出する欠陥検出方法において、１パルス分の光を複数のパルス光に分割することを、分割した各パルス光のピーク値がほぼ一定になるように制御して分割するようにした。 （もっと読む）

【課題】異種金属からなる線材を接合して構成される検査用プローブにおける接合箇所の品質を向上した検査用プローブの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の先端部に検査用接触部が形成される第１の線材１１０及び第２の線材１２０を接合して構成される検査用プローブの製造方法を、第１の線材と第２の線材の外周面に異なったエネルギ量のレーザ光を照射することによってレーザ溶接し、その後外周面を研磨する構成とする。 （もっと読む）

【課題】
ヘッド先端部に接触センサを搭載し欠陥との接触によりこれを検出する方法によっては、欠陥検出時に欠陥を引きずりウエハ表面に傷をつける可能性がある。
【解決手段】
試料の表面に照明光を照射するプリスキャン照射工程と、散乱光を検出するプリスキャン検出工程と、該散乱光に基づき該試料の表面に存在する所定の欠陥の情報を得るプリスキャン欠陥情報収集工程と、を備えるプリスキャン欠陥検査工程と、該試料の表面と近接場ヘッドとの距離を調整して該試料の表面を照射する近接場照射工程と、近接場光応答を検出する近接場検出工程と、該近接場光に基づき所定の欠陥の情報を得る近接場欠陥情報収集工程と、を備える近接場欠陥検査工程と、該所定の欠陥の情報をマージして該試料の表面に存在する欠陥を検査するマージ工程と、を有する試料の表面の欠陥検査方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜の電気的特性を、電極付けすることなく、非接触型で評価・測定する方法を提供すること。
【解決手段】酸化物半導体薄膜が形成された試料に励起光及びマイクロ波を照射し、前記励起光の照射により変化する前記マイクロ波の前記酸化物半導体薄膜からの反射波の最大値を測定した後、前記励起光の照射を停止し、前記励起光の照射停止後の前記マイクロ波の前記酸化物半導体薄膜からの反射波の反射率の変化を測定し、前記測定した値からライフタイム値を算出することによって、前記酸化物半導体薄膜の移動度を判定する。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＧパターンより上の層を除去しなくてもＴＥＧパターンを用いた検査を行うことができるようにする。
【解決手段】複数の配線層２００，３００，４００は第１ＴＥＧパターン３０の上に形成されている。複数の配線層２００，３００，４００には、それぞれ配線２４２，３４２，４４２及び複数のダミーパターン２２４，３２４，４２４が形成されている。電極パッド４４４は、最上層の配線層４００に形成されている。そして平面視において、第１ＴＥＧパターン３０は、いずれの配線２４２，３４２，４４２及びダミーパターン２２４，３２４，４２４にも重なっていない。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハを検査するための方法および装置を提供する。
【解決手段】本発明は半導体ウェハを検査するための方法に関する。半導体ウェハのエッジをイメージング方法を用いて検査し、エッジ上の欠陥の位置および形状をこのようにして求める。加えて、その外縁がエッジから１０ｍｍ以下である、半導体ウェハの平坦領域上の環状領域を、光弾性応力測定によって検査し、上記環状領域の中で応力を受けた領域の位置をこのようにして求める。欠陥の位置および応力を受けた領域の位置を互いに比較し、欠陥をその形状および光弾性応力測定の結果に基づいてクラスに分類する。本発明はまたこの方法の実施に適した装置に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体処理中のオンザフライ自動検出分類（ＡＤＣ）システムおよび方法を提供する。
【解決手段】このシステムの一実施形態において、光源、例えば、レーザ（２１）が検査を受けるウェーハ（２２）の狭い領域を照明する。４つの均等に配置した暗視野検出器、例えば、光電子増倍管またはＣＣＤ（２６〜２９）が、それぞれの視野が重複して検出ゾーンを形成するようにウェーハの縁に載置される。１以上の検出器（２６〜２９）の方向に散乱された光が集光され、アナライザモジュール（３４）に伝送される電気信号に変換される。アナライザモジュール（３４）は、ウェーハにある欠陥を検出し、それらを異なる欠陥タイプに分類するように作用する。任意に、システムは、暗視野検出器も含む。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ表面のＬＰＤの検出と暗視野像の検出とを並行して行うことができ、且つ、ＬＰＤの検出感度を高めた表面欠陥検査装置および表面欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】表面検査装置は、ウェーハ１の表面に対して斜め方向からレーザー光を照射する光源１０と、照射により前記ウェーハ表面で散乱・乱反射された光を結像させる結像光学系２１と、散乱・乱反射された光の結像位置に受光面を有する面センサ２２と、面センサ２２から画像信号を取得し、この画像信号に基づきウェーハ１表面の画像を生成する画像処理部３２とを備える。照射されるレーザー光の光軸とウェーハ１との相対位置を変位させつつ、画像処理部３２は、変位に応じて一部が重複したウェーハ１上の複数領域に対応する複数の画像信号を取得して、スペックルノイズを除去した暗視野像を合成する。 （もっと読む）

【課題】
鏡面検査装置において，高感度にかつ定量的に表面の凹凸を検出することが，困難であった。
【解決手段】
光源から発射された照明光を略平行光にして鏡面状の表面を有する試料に照射し、照明光が照射された試料からの反射光を集光レンズで集光し、集光レンズで集光した試料からの反射光をピンホールを通過させて反射光以外の光を遮光し、ピンホールを通過した試料からの反射光を集光レンズの焦点位置からずれた位置に配置された検出器で検出し、検出器で検出した信号を処理する鏡面検査方法において、検出器はピンホールを通過した試料からの反射光を異なる複数の条件で検出し、検出器で異なる複数の条件で検出した反射光の検出信号を用いて試料上の局所的な凹凸度の分布を検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置では検出倍率を上げて微細欠陥検出感度を向上させるため、焦点深
度が浅くなり、環境変動によって結像位置がずれ、欠陥検出感度が不安定になる課題があ
る。
【解決手段】被検査基板を搭載して所定方向に走査するＸＹステージと、被検査基板上の
欠陥を斜めから照明し、その欠陥を上方に配した検出光学系で検出する方式で、この結像
状態を最良の状態に保つために、温度及び気圧の変化に対して、結像位置変化を補正する
機構を備えたことを特徴とする欠陥検査装置。 （もっと読む）

【課題】１枚の対象基板の測定結果だけで，パーティクル分布が異常か否かを極めて容易に判定できるようにする。
【解決手段】パーティクル分布解析を行う対象基板について，その基板上のパーティクル座標データからパーティクル相互間距離についてのヒストグラムデータを作成するとともに，その対象基板上のパーティクルと同数のパーティクルを計算上ランダムに分布させた複数枚の仮想基板について，パーティクル相互間距離のヒストグラムデータを作成する。これら対象基板と各仮想基板のヒストグラムデータ群との差異に基づいて，対象基板のヒストグラムデータについて仮想基板のランダムなヒストグラムデータ群からの距離を数値化した判定データを算出して表示部に表示する。 （もっと読む）