【課題】被検査物の表面の凹凸パターンのサイズ変動を検査するマクロ検査装置を提供する。
【解決手段】被検査物２の表面の凹凸パターンのサイズ変動を検査するマクロ検査装置１００である。マクロ検査装置１００は、被検査物２を乗せるためのステージ１と、被検査物２の表面に対して所定の角度方向から被検査物２側に光を照射する拡散光源５と、被検査物２の表面からの反射光を受光可能なラインセンサ９と、被検査物２とラインセンサ９との間に設けられ、反射光のうち拡散光源５のエッジ部からの光束に起因する反射光束が、ラインセンサ９の両端の少なくとも一方に設けられた所定領域でのみ受光されるように、反射光をラインセンサ９に導くための光学系と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板抵抗にかかわらずシリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および面内分布を高精度に評価するための手段を提供すること。
【解決手段】評価対象シリコンウェーハに対して該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第一の面内分布情報を取得すること、上記第一の面内分布情報取得後の評価対象シリコンウェーハに対して熱酸化処理を施した後、該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第二の面内分布情報を取得すること、第一の面内分布情報と、第二の面内分布情報に１未満の補正係数による補正を加えて得られた第三の面内分布情報との差分情報を得ること、および、得られた差分情報に基づき、評価対象シリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および酸素析出物の面内分布からなる群から選ばれる評価項目の評価を行うこと、を含むシリコンウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】検査データから解析対象箇所を選択する場合、全体の中で重要性の高い欠陥が解析対象にならなかった。また、欠陥に対してマーキングを一定の位置で行うと、欠陥の形状や大きさにより、欠陥自体に影響を与え、後段の解析装置での解析に支障をきたすという問題があった。更に、ノンパターンウェーハの場合には、ＳＥＭで欠陥が見えない場合、マーキングができなかった。
【解決手段】重要性の高い欠陥が解析対象を選択するため、レビューＳＥＭの自動分類結果を用いて、解析対象欠陥を選択する。また、欠陥自体に影響を与えないため、欠陥毎に距離を変えてマーキングを行う。このため、ＡＤＲまたはＡＤＣで欠陥の形状，サイズを認識して、影響範囲を考慮した距離を追加した距離にマーキングする。更に、ＳＥＭで観察できない欠陥の場合、光学顕微鏡での観察結果を用いてマーキングする。 （もっと読む）

【課題】ウェハを外周で保持する機構では、ウェハが自重で撓む場合がある。そこで平面度を保持するためにウェハとウェハ下の保持台との間に空気を供給する方法がある。しかし、この方法では異物がウェハに付着する場合がある。
【解決手段】ウェハの平面度を保持するためにウェハ、及びウェハ下の保持台に負電圧をかける。この静電力によってウェハに上向きの力を与え、平面を保持する。また、この方法により負に帯電した異物の付着を防止する。 （もっと読む）

【課題】欠陥検出の精度を向上させることのできる欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】ウェハ上に欠陥があるか否かを検査する第１の欠陥検査処理（ステップＳ１１）を実行した後、その第１の欠陥検査処理にて検出された欠陥により、不良チップを判定する（ステップＳ１２，Ｓ１３）。続いて、不良チップを除いて、その不良チップに隣接するチップに欠陥があるか否かを、第１の欠陥検査処理よりも検査感度を上げて検査する（ステップＳ１６）。 （もっと読む）

【課題】容易に、電極の形状に関わらず、電極を選択的に絶縁する方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ上に形成された複数の半導体チップ２の半田バンプ３ａに電気絶縁膜を形成するため、半田バンプ３ａにレーザーを照射させることにより、バンプ表面に酸化膜７を形成させることで、不良の半導体チップの電源用電極に電気絶縁を実現させ、不良の半導体チップを除いた形で、半導体ウェーハに対して一括バーンインテストを行なえる様にして、絶縁性樹脂使用による流れ出しの不具合をなくした。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の動的解析を短時間で行う技術を提供する。
【解決手段】ＳＤＬ／ＬＡＤＡ解析に用いるスポット光１２の径を変更可能なようにする。大径のスポット光による検査対象の半導体装置の照射中、テスタは該当する照射範囲の電気的動作の検証を行う。この照射中、不良箇所を見つけた場合には、小径のスポット光に切り替えて、検査対象の半導体装置に照射し、テスタによるより小範囲の電気的動作の検証を行う。これを反復することで、不良箇所の特定を行う。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面に生じうる特定欠陥をより確実に検出することが可能な検出方法、検出システムおよび検出プログラムを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の特定欠陥の検出方法は、ウェーハの表面に光を照射して該ウェーハの表面上の欠陥の位置に対応して検出される輝点の面内位置情報である輝点マップを取得する工程（Ｓ１０１）と、前記輝点マップにおいて、特定欠陥の発生が予想される領域である判定対象領域と、該判定対象領域以外の所定領域である参照領域とを特定し、前記判定対象領域における輝点密度の、前記参照領域における輝点密度に対する比を算出する工程（Ｓ１０２）と、算出された前記比の値に基づいて、前記特定欠陥の発生の有無を判定する工程（Ｓ１０３）と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された凹部の深度を、非破壊、非接触で検査できるとともに、高速に検査できるようにする技術を提供する。
【解決手段】基板検査装置１００は、ポンプ光の照射に応じて、基板Ｗに向けてテラヘルツ波を照射する照射部１２と、プローブ光の照射に応じて、基板Ｗを透過したテラヘルツ波の電場強度を検出する検出部１３と、テラヘルツ波が検出部１３に到達する時間と、検出部１３における検出タイミングを遅延させる遅延部１４とを備える。また、基板検査装置１００は、基板Ｗの第１領域を透過した第１テラヘルツ波の時間波形を構築する時間波形構築部２１と、基板Ｗの第２領域を透過した第２テラヘルツ波について、特定の検出タイミングで検出される電場強度と、前記時間波形とを比較することにより、第１テラヘルツ波と第２テラヘルツ波の位相差を取得する位相差取得部２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子の故障解析方法及び故障解析装置に係り、故障箇所を位置精度よく特定して解析することにある。
【解決手段】コントローラに、半導体素子への電力供給により該半導体素子の裏面から発せられる光を撮像手段にて検出させることにより該半導体素子の故障箇所を特定させる。次に、半導体素子の表面電極側に配置された圧痕用プローブを該半導体素子の表面電極に接触させ、かかる状況において、半導体素子の表面電極側から該表面電極へレーザを走査照射した場合に得られる走査位置と電流量との関係を示した電流像に基づいて、半導体素子の表面電極上で圧痕用プローブが接触する接触箇所を特定させる。そして、半導体素子上で特定した故障箇所と接触箇所との位置ズレ量に基づいて、圧痕用プローブを前記半導体素子の表面電極に接触させる位置を変更させる。 （もっと読む）

【課題】不完全エリアを有効に検査することで歩留り管理の精度向上を図ることができる検査装置を提供する。
【解決手段】基板１に光を照明する照明部１０と、前記基板１からの光を検出し検査画像を得る検出部２０と、処理部１００と、を有し、前記検査画像には、前記基板１の端部より内側の形成すべきパターンの一部が欠けた領域と、前記端部より外側の前記一部が形成されるべきであった領域と、が含まれ、前記処理部１００は、前記検査画像と前記パターンよりも内側の完全なパターンの画像を含む参照画像とを使用して検査を行う。 （もっと読む）

【課題】欠陥の種類、材料、形状によらずコントラストを高くする。
【解決手段】実施の形態のパターン検査装置は、光源と、光透過率を変更可能な透過率制御素子と、ビームスプリッタと、偏光制御部と、位相制御部と、波面分布制御部と、検出部とを含む。前記ビームスプリッタは、前記光源から出射された光を分割し、検査対象のパターンが形成された基体と前記透過率制御素子とに照射し、前記基体からの反射光である信号光と、前記透過率制御素子からの反射光である参照光と、を重ね合わせて干渉光を生成する。前記偏光制御部は、前記参照光の偏光角および偏光位相を制御する。前記位相制御部は、前記参照光の位相を制御する。前記波面分布制御部は、前記透過率制御素子における前記参照光の波面分布を制御する。さらに、前記検出部は、前記干渉光を検出する。 （もっと読む）

【課題】欠陥の高さ（深さ）に依存することなく高いＳ／Ｎで欠陥を検出する。
【解決手段】実施の形態のパターン検査装置は、照射手段と照明手段と検出手段と結像手段と画像処理手段とを含む。前記照射手段は、互いに異なる波長を有する光を生成して出射する。前記照明手段は、前記照射手段から前記異なる波長の光を、検査対象のパターンが形成された基体の同一領域に照射する。前記検出手段は、前記基体で反射した、互いに異なる複数の波長の反射光を検出して波長毎の信号を出力する。前記結像手段は、前記反射光を導いて前記検出手段に入射させ、その検出面で像結像させる。前記画像処理手段は、前記波長毎の信号を前記検出面の入射位置に対応付けて加算処理して波長および信号強度の情報を含む加算画像データを生成し、該加算画像データに基づいて検査対象のパターンにおける欠陥の有無を判定し、欠陥が有ると判定した場合に前記基体に垂直な方向における前記欠陥の位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面から所定深さでのイオン注入量を測定し得、また、表層よりも深層の影響をより低減してイオン注入量をより精度よく測定し得る。
【解決手段】本発明では、測定対象のイオン注入半導体ＳＭにおけるバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光が光源部１から放射され、所定の測定波が測定波生成部６から放射され、これらがイオン注入半導体ＳＭへ照射される。一方、測定波をその照射前に一部が分岐されて、参照波としてイオン注入量を測定したい表面からの深さに応じた位相に調整される。参照波とイオン注入半導体ＳＭでの測定波の反射波とが合波され、その強度が検出部１１で検出される。そして、この検出波の強度に基づいて光励起キャリアの寿命に関する指標値が求められ、所与の、光励起キャリアの寿命に関する指標値とイオン注入量との対応関係を表すイオン注入量対応情報に基づいてイオン注入量が求められる。 （もっと読む）

【課題】対象物の表面における光の照射位置に微小な凹凸が形成されている場合でも、この凹凸の影響を排除しつつ、予め規定された高さ以上の異物欠陥が対象物の表面上に存在するか否かを判定する。
【解決手段】表面欠陥検査装置１０は、ウェハ２６の表面に斜方から光を照射するラインレーザ１４と、ウェハ２６の表面におけるラインレーザ光２８の照射位置Ｐ２よりもラインレーザ１４側の位置であってウェハ２６の表面から予め規定された高さ離間した規定高さ位置Ｐ１において反射したラインレーザ光２８の反射光を検出するための第一ラインカメラ１６と、照射位置Ｐ２において反射したラインレーザ光２８の反射光を検出するための第二ラインカメラ１８と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ウエハの特性を決定するための方法とシステムを提供する。
【解決手段】検査システム１６を用い、ウエハからの光に対応する出力を生成することを含む。出力は、ウエハ上の欠陥に対応する第一出力と、欠陥に対応しない第二出力とを含む。また本方法は、第二出力を用い、ウエハの特性を決定することを含む。一つのシステム１６は、ウエハに光を当て、ウエハからの光に対応する出力を生成するように設定された検査サブシステムを備える。出力は、欠陥に対応する第一出力と、欠陥に対応しない第二出力を含む。また本システムは、第二出力を用い、ウエハの特性を決定するように設定されたプロセッサを備える。 （もっと読む）

【課題】キャリア寿命をより精度よく測定することができる半導体キャリア寿命測定方法及び半導体キャリア寿命測定装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、半導体Ｘ表面の第１照射範囲に互いに波長が異なる第１及び第２光Ｌ_１、Ｌ_２を照射したときの当該第１照射範囲で反射した各測定波の変化から第１の１次モードキャリア寿命τ_１−１を求め、第１照射範囲より小さな第２照射範囲に対して第１及び第２光Ｌ_１、Ｌ_２を照射したときの当該第２照射範囲で反射した各測定波の変化から第２の１次モードキャリア寿命τ_１−２を求める。そして、半導体Ｘの特定の位置で求めた第１の１次モードキャリア寿命τ１−１と第２の１次モードキャリア寿命τ１−２との相関関係に基づいて、半導体Ｘの各部位での第２の１次モードキャリア寿命τ_１−２ｎをそれぞれ補正することにより半導体Ｘのキャリア寿命τ_ｂを求める。 （もっと読む）

【課題】個片化された半導体集積回路チップの個片化前の半導体ウェハー上における位置を特定するのに好適なチップ位置特定システムを提供する。
【解決手段】チップ位置特定システム１を、半導体ウェハー上に形成された複数の第１の半導体チップのパターン面における外観上の特徴的な部位の画像データ及び第１の半導体チップ内における座標情報とを含む第１の外観情報及び半導体ウェハー内における第１の半導体チップの位置情報とを含むチップ位置特定用情報と、第１の半導体チップを個片化後の第２の半導体チップのパターン面における外観上の特徴的な部位の画像データ及び第２の半導体チップ内における座標情報とを含む第２の外観情報とを測定する外観検査装置１０と、第１の外観情報と第２の外観情報とを照合し、該照合結果に基づき、第２の半導体チップの個片化前の半導体ウェハー上での位置を特定するチップ位置特定装置２０とを含む構成とした。 （もっと読む）

【課題】下地基板の導電性を問わずに非破壊でＨＥＭＴ構造のシート抵抗を評価する方法を提供する。
【解決手段】ＨＥＭＴ構造を備えるエピタキシャル基板のシート抵抗評価方法が、障壁層におけるIII族元素の組成比を除いて評価対象エピタキシャル基板と同一の構造を有する複数のエピタキシャル基板のそれぞれについてフォトルミネッセンス測定を行い、得られたスペクトルからバンド端ピーク強度値を取得する第１予備測定工程と、複数のエピタキシャル基板のそれぞれについてシート抵抗値を測定する第２予備測定工程と、取得したバンド端ピーク強度値とシート抵抗値とから検量線を作成する検量線作成工程と、評価対象エピタキシャル基板についてフォトルミネッセンス測定を行ってバンド端ピーク強度値を取得する実測工程と、得られたバンド端ピーク強度値と検量線とに基づいて評価対象エピタキシャル基板のシート抵抗値を算出する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電源電圧や電源電流の変化が微小であり、通常のＯＢＩＲＣＨ法では解析が困難な故障を解析する半導体集積回路の故障解析装置、方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路の出力端子の電圧を測定する電圧測定部と、半導体集積回路の内部回路であって出力端子に接続される内部回路の状態を設定するテストパターンを半導体集積回路に与えるテストパターン発生部と、レーザービームを内部回路の所定の領域に対して走査しながら照射し、照射された部分の抵抗値を変化させるレーザー走査部と、レーザー走査部及び電圧測定部と連動し、レーザービームを照射したときに、出力端子の電圧の変化したレーザービームの照射位置を検出して表示する故障位置表示部と、を備える。 （もっと読む）