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Fターム[4M106BA05]の内容

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Fターム[4M106BA05]に分類される特許

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【課題】円板状の2組の基板を上下に積層して成る貼合わせ基板において、素子形成などにあたって、基板中心位置のズレ量を一括して求められるようにする。
【解決手段】輪郭測定手段3によって、貼合わせ基板2の厚み方向の投影像から2組の基板21,22を合わせた輪郭形状を検出する一方、エッジ形状測定手段4によって、周方向の複数点において、貼合わせ基板2の接線方向の投影像から2組の基板21,22それぞれのエッジ形状を検出する。そして、演算手段6が、輪郭測定手段3の検出結果から、いずれか一方の組の基板の形状データを検出し、直径および中心位置を求める一方、他方の組の基板については、その一方の組の基板の形状データを基準に、エッジ形状測定手段4で検出された2組の基板間の相対的な位置関係から、形状データを求め、直径および中心位置を求める。その後、2組の基板間の中心位置の距離から、前記ズレ量を求める。 (もっと読む)


【課題】広スペクトル範囲で動作可能な反射屈折光学システムを提供する。
【解決手段】一実施形態では、反射屈折光学システムは、放射を反射するように位置決めされかつ構成された第1の反射面と、第1の反射面から反射された放射を平行ビームとして反射するように位置決めされかつ構成された第2の反射面であって、第2の反射面を通る放射の透過を可能にするアパーチャを有する第2の反射面と、アパーチャから第1の反射面に向かって延在し、第1の反射面と第2の反射面との間に第1の反射面に放射を供給するアウトレットを有するチャネル構造とを含む。 (もっと読む)


【課題】光切断線の湾曲成分を除去し、太陽電池ウエハの断面形状データを精度良く算出する。
【解決手段】ウエハ形状データ取得部221は、ウエハ画像から光切断線の形状を示すウエハ形状データを取得する。標準平面形状データ取得部222は、所定の標準平面の高さを数段階変化させ、標準平面画像から各高さにおける光切断線の形状を示す標準平面形状データを取得する。形状補正部341は、ウエハ形状データと形状が最も近い標準平面形状データを、標準平面形状データ記憶部80から特定し、特定した標準平面形状データ及びウエハ形状データの差分を補正ウエハ形状データとして算出する。断面形状算出部342は、形状補正部341で算出された補正ウエハ形状データからウエハ断面形状データを算出する。 (もっと読む)


【課題】デバイスプロセス工程でウェハの欠陥そのものを検出しなくても、欠陥位置が容易に分かり、欠陥位置情報のデータを別途用意しなくても、基板自体からその欠陥位置を識別することができる欠陥識別マーカー付き基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶からなる単結晶基板、又は、炭化珪素単結晶上にエピタキシャル層を備えたエピタキシャル基板において、欠陥が存在する位置に対応する基板の表面側又は裏面側に、レーザー照射加工によって形成された識別マーカーが付された欠陥識別マーカー付き基板であり、また、欠陥の位置に対応させて、基板の表面側又は裏面側にマーカー加工用のレーザー光を照射して識別マーカーを形成する欠陥識別マーカー付き基板の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】
レーザ暗視野方式の基板検査装置では,照明光の可干渉性が高いことにより,酸化膜(透明膜)が表面に形成された基板の検査においては膜内多重干渉による反射強度の変動が生じる。また,金属膜が表面に形成された基板の検査においては,金属膜の表面粗さ(ラフネス,グレインなど)による散乱光が干渉して背景光ノイズが大きくなり,欠陥検出を感度低下させていた。
【解決手段】
指向性の良いブロードバンド光源(スーパーコンティニュアム光源など)を用いた低干渉かつ高輝度な照明により上記課題を解決する。また,従来のレーザ光源も併用し,光源を使い分けることでウエハの状態に応じて高感度な検査を可能とする。さらに,調整機構を設けた照明光学系により,両光源の照明光学系を共通化し,簡略な光学システムで上記効果を実現する。 (もっと読む)


【課題】ユーザの意図を反映可能な分類条件設定機能を有する二分木構造を用いて欠陥を分類する装置の提供。
【解決手段】欠陥検査装置から取得される検出信号を基に抽出される欠陥の特徴量に基づいて二分木構造の分類器を用いて欠陥を分類する欠陥分類方法であって、予め欠陥クラスと対応付けられた特徴量データとの教示に基づいて、二分木構造の分岐点毎に、分岐の両側のグループにそれぞれ属する欠陥クラス、分岐に使用する特徴量および判別基準からなる分岐条件を設定することにより前記二分木構造の分類器を構築する分類器構築過程を有し、該分類器構築過程において、さらに予め欠陥クラス毎並びに全体および最悪のピュリティおよびアキュラシーの目標分類性能について優先順位をつけて指定しておく優先順位指定過程と、前記設定した分岐条件による前記指定した目標分類性能を満足するか否かを項目毎に評価して該項目毎の評価結果を表示する。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェーハの欠陥を銅デポジション法により光学的に評価する評価方法において、長期間安定して使用可能な標準試料を用いて信頼性の高い評価を行う手段を提供すること。
【解決手段】半導体ウェーハの欠陥を銅デポジション法により光学的に評価する半導体ウェーハの評価方法。表面にレーザー痕(群)が形成された半導体基板である標準試料上の該レーザー痕(群)を散乱光画像において擬似欠陥として光学的に検出し、検出された擬似欠陥を評価基準として、前記評価を行う。 (もっと読む)


【課題】 製造ラインに新たな製品種別が追加された場合であっても、比較的容易にしきい値を決定することができる欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】 ウエハの表面にレーザビームを入射させて、該表面からの散乱光の強度分布に基づいて欠陥を検出し、検出された欠陥に起因する散乱光の強度と判定しきい値とを比較して、比較結果に基づいて欠陥が計数される。まず、(a)第1の工程の処理が終了した第1の製品種別のウエハの欠陥検査要求があると、該第1の製品種別の該第1の工程に関連付けられた判定しきい値が既に登録されているか否かを判定する。(b)工程aで、判定しきい値が既に登録されていると判定された場合には、既に登録されている判定しきい値に基づいて欠陥を計数し、まだ登録されていないと判定された場合には、新に判定しきい値を決定して欠陥を計数するとともに、新に決定された判定しきい値を、第1の製品種別の第1の工程に関連付けて登録する。 (もっと読む)


【課題】非破壊で物品内部のマイクロクラックやボイド、異物混入、接合状態等の内部構造を評価することができる、シリコンウエハや金属接合構造物等の物品の内部構造観察方法及び観察装置を提供することを課題とする。
【解決手段】観察対象物品の表面の多点をスポット的に加熱する加熱用レーザー1と、加熱点より放射される微少量の赤外線から、放射率を補正して高速に温度測定を行う2波長赤外放射温度計2と、2波長赤外放射温度計2による測定結果をレーザーの吸収率に関して補正し、その補正後の温度変移を等時間間隔での平面画像として構築する熱画像構築部4と、物品を測定位置に位置決めし且つ移動させるための移動手段とを含んで構成される。 (もっと読む)


【課題】試料ステージが傾いている場合や試料表面にうねりを有するような場合に起こり得る弊害を解消し、正確な画像を取得することができる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置において、試料8表面の傾きを検出する傾き検出手段28、29と、検出された試料8の傾きに応じて、照射荷電粒子線を試料8表面に垂直に照射させ、同時に照射光学系の光軸中心および結像光学系の光軸中心に荷電粒子線軌道を合わせる電界と磁界を重畳させたE×B偏向器5とを具備する。 (もっと読む)


【課題】効率的な試料表面検査システムを提供する。
【解決手段】試料の表面を平坦化する表面平坦化機構と、試料上に抵抗膜を形成する抵抗膜コーティング機構と、試料表面の評価を行う表面検査機構を備えている。表面検査機構は、紫外線発生源30と、電磁波を試料表面に斜め方向から導く光学系と、試料表面から放出された電子を試料表面に直交する方向に導く写像光学系40と、検出器50と、画像形成/信号処理回路60とを備えている。写像光学系は、3つのレンズ系41〜43と、アパーチャ44とを備えている。紫外線源の代わりにX線源を用いてもよい。また、電子線源から生成された電子線を試料の表面上に導く装置を設け、電磁波照射装置及び電子線照射装置の一方又は両方を駆動して、電磁波又は電子線の一方又は両方を試料の表面に照射するようにしてもよい。 (もっと読む)


【課題】ボロンドープp型シリコン中の鉄濃度を、高い信頼性をもって測定するための手段を提供すること。
【解決手段】鉄濃度既知のボロンドープp型シリコンにおいてFe−Bペアの乖離中と結合中のフォトルミネッセンス強度の差分ΔPLを求めること、求められたΔPLと既知の鉄濃度とに基づき、(ΔPL)2と鉄濃度との相関関係を示す一次関数を求めること、測定対象であるボロンドープp型シリコンにおいてFe−Bペア乖離中と結合中のフォトルミネッセンス強度の差分ΔPLを求め、上記求められた一次関数により鉄濃度を算出すること、を含む、ボロンドープp型シリコン中の鉄濃度測定方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体ウェハにおける表面形状の測定に適した精度で、そして、より短時間でその表面形状を測定し得る表面形状測定装置および半導体ウェハ検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の表面形状測定装置Saは、測定対象である半導体ウェハSWの表面に所定の波面を持つ測定光を照射するための光源部1と、半導体ウェハSWの表面で反射した測定光の反射光における波面の形状を測定する波面センサ4と、波面センサ4で測定した反射光における波面の形状に基づいて半導体ウェハSWにおける表面の形状を求める演算制御部7aとを備える。そして、半導体ウェハ検査装置は、このような表面形状測定装置Saを備えて構成される。 (もっと読む)


【課題】ウェーハの端部に存在する接触に起因する欠陥の発生を容易且つ適切に評価することのできる技術を提供する。
【解決手段】ウェーハに対して、外部物との接触による影響を受けている影響部分と、外部物との接触による影響を受けていない正常部分とで異なるエッチング速度となる条件でドライエッチングを行うドライエッチングステップ(ステップS1)と、ドライエッチングを行ったウェーハの端面部の外観を観察する端面観察ステップ(ステップS3)と、ウェーハの観察結果に基づいて、ウェーハの端面部における接触起因欠陥を評価する評価ステップ(ステップS4)とを行うようにする。 (もっと読む)


【課題】開口から形成された2つのリングを備えたフレームを有するコンパクトな表面検査光学ヘッドを提供する。
【解決手段】検査される表面(20)に対して垂直な方向を取り囲んだ第1の組の開口(12a)が、マイクロスクラッチの検出に有用な散乱照射線を集めるために使用されるファイバ(42)に接続され、パターン化された表面上の異常を検出する。さらに、検査される表面に対して低い高度角度の開口の第2のリング(12b)は、パターン化された表面上の異常検出を行う。開口のこのようなリング(12b)は、パターン回折や散乱によって飽和される検出器(44)からの信号出力が捨てられるように収集スペースを方位角で区分し、飽和されていない検出器の出力のみが異常検出のために使用される。 (もっと読む)


【課題】測定対象物及びスライダの損傷を回避して、微小な欠陥を検出することが可能な平滑面検査装置を提供する。
【解決手段】測定対象物3を支持するステージ26と、ステージ26を回転させるスピンドル4と、測定対象物3に光を照射する光源5と、測定対象物3からの散乱光を信号化する光検出部8と、散乱光7を第1の欠陥の情報に変換する信号処理部11と、第1の欠陥の情報を記憶する第1のメモリ部12とを有する第1のパートと、第1の欠陥よりも小さい第2の欠陥を検出し、接触センサが搭載されたスライダ9と、スライダ9を浮上させるロード・アンロード機構と、第1のメモリ部12に記憶された第1の欠陥の情報に基づいて、ロード・アンロード機構22を制御するスライダ制御部14と、接触センサ信号処理部16で変換された第2の欠陥の情報を記憶する第2のメモリ部17とを有する第2のパートとを備える。 (もっと読む)


【課題】被検査体の表面内を均一な検出感度にて検査することができる表面検査装置及び表面検査方法を提供する。
【解決手段】表面検査装置は、被検査体移動ステージ、照明装置と、検査座標検出装置、光検出器と、A/D変換器と、異物・欠陥判定部、を有する。照明装置は、検査座標検出装置によって得られた照明スポットの半径方向の位置に基づいて、照明スポットの円周方向の寸法を変化させるように構成されている。照明スポットが被検査体上を外周部から中心部に移動する間に、照明スポットにおける照射光量密度が一定となるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】欠陥検査装置では検出した結果が誤ってたとしても、正常な検出結果として報告しており、歩留まり管理の精度が低下してしまう点については配慮がなされていなかった。また、報告が挙がってからでは管理情報の修正は不可能であるため、報告前に検査結果の妥当性を確認し、妥当性の判断を行う必要がある点についても配慮がなされていなかった。
【解決手段】画素ごとの信号を計算し、前記検出部の異常を判定する第1の処理部と、前記異常が発生した画素を補正する第2の処理部と、前記第2の処理部による補正後の画素の検出結果を用いて、前記基板の欠陥を判定する第3の処理部と、を有する。 (もっと読む)



【目的】予め歪ませたパターンが形成された被検査対象試料をダイーダイ検査する際に、高精度な検査が可能なパターン検査装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のパターン検査装置100は、複数の同一パターンが形成位置にそれぞれ歪みをもって形成された被検査試料の光学画像データを取得する光学画像取得部150と、前記光学画像データを複数の部分光学画像データに切り出す切り出し部72と、前記被検査試料に形成されたパターンの歪み量を取得可能な歪情報を用いて、前記複数の部分光学画像データの位置を補正する補正部74と、補正された前記複数の部分光学画像データ同士を画素毎に比較する比較回路108と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


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