【課題】
グレインやモホロジーの誤検出や干渉光強度ムラの影響を低減して、様々なプロセスにおけるターゲット欠陥を安定に検出できるパターン欠陥検出方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】
複数波長を出力する照明手段３および４から射出された光を、ビームスプリッタ６で反射しウェハ１に照射する。ウェハ１からの回折光は対物レンズ８で集光され、光変調ユニット７、１１、１３を通して、光検出部１７にてイメージセンサに結像し、信号処理部１８にて欠陥を検出する。ここで、光変調ユニットは複数の光学部品を選択的に用いて対象欠陥に最適化する。 （もっと読む）

【課題】特に搬送途中のウェハ上の異物を実時間で検出できるウェハの異物検査方法、および半導体製造工程の量産ラインにおいて、大量の不良を未然に防ぎ、歩留りを維持させるための異物検査装置を提供する。
【解決手段】 半導体製造工程の量産ラインにおいて、異物検査装置を小型にし、半導体製造ラインの処理装置の入出力口あるいは処理装置間の搬送系に載置する。また、屈折率変化型のレンズアレイ、空間フィルタ、パターン情報除去回路により、製品ウェハ１１１上の繰り返しパターン部上の異物を検出し、搬送途中のウェハ上異物検査を可能にした。さらに、半導体製造工程の量産ラインにおいて簡便な異物モニタ１０１だけで異物をモニタリングすることにより、生産ラインを軽量化して製造コストの低減を可能にした。 （もっと読む）

【課題】チップ（半導体デバイス）にバイアス電圧を印加することなく、無バイアス下で故障診断を行うことができる半導体デバイスの故障診断方法と装置を提供する。
【解決手段】無バイアス状態で保持した半導体デバイス１に所定の波長を有するパルスレーザ光２を２次元的に走査して照射する照射装置１２、１４と、レーザ光照射位置から放射された電磁波３を検出して、電磁波の電場振幅の時間波形に対応した時間的に変化する電圧信号に変換する検出・変換装置１８と、電圧信号から半導体デバイス内の電界分布を検出しその故障診断を行う故障診断装置２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】
表面検査装置に於いて充分な照射光強度、検査精度を維持し、更にスループットの向上を図る。
【解決手段】
基板５表面にレーザ光線２を照射し、該レーザ光線による散乱反射光を検出して異物を検出する表面検査装置に於いて、光源部１２が複数の発光源を有し、１つの結像レンズを有すると共に各発光源に対応して設けられ該発光源からのレーザ光線を前記結像レンズに入射する光学部材を有し、前記発光源から結像レンズに入射する光軸を前記結像レンズの光軸に対して傾斜する様にし、前記各発光源からのレーザ光線の照射点を互いに走査方向に対して交差する方向にずらす様な光束として基板表面に照射し、走査ピッチを大きくした照射光学系を具備した。
（もっと読む）

【課題】 被処理体の表面において異物と微小欠陥を適切に弁別することができる被処理体表面検査装置を提供する。
【解決手段】 ウエハ表面検査装置１０は、ウエハＷの表面の検査箇所に、ｓ偏光及びｐ偏光のレーザ光を照射するレーザ光照射器１１，１２と、照射されたレーザ光に起因する散乱光を検出する散乱光検出器１３，１４と、演算部１６とを備え、レーザ光照射器１１，１２はそれぞれ照射角α_１，α_２を自在に変化可能に構成され、２つの散乱光検出器１３，１４は、検出された散乱光に応じて信号を演算部１６へ送信し、演算部１６は、散乱光検出器１３，１４から送信された信号に応じて散乱光の発生要因がパーティクルであるかピンホールであるかを弁別する。 （もっと読む）

【課題】常に検査対象基板を基準とする座標系で異物の位置を検出する。
【解決手段】検査対象基板１の外周縁１ｂ，１ｃの異なる複数箇所の位置を、ステージＳｔを基準とするステージ座標系（Ｘ，Ｙ）において検知する非接触型の位置検知手段１１と、検知された外周縁１ｂ，１ｃの各位置から検査対象基板１を基準とする基板座標系（ｘ，ｙ）を作成し、検査対象基板１上の各点の位置をステージ座標系から基板座標系に変換するための座標変換定数を求める変換定数算出手段Ｐａと、検査対象基板１にレーザ光Ｌを照射する光源部２と、このレーザ光Ｌの照射に伴って生じる反射散乱光Ｒを検出する検出部７と、前記反射散乱光Ｒを分析することにより検査対象基板１上の表面にある異物のステージ座標系における位置（Ｘａ₁ ，Ｙａ₁ ）…を検出し、前記座標変換定数を用いて基板座標系における異物の位置（ｘａ₁ ，ｙａ₁ ）…を演算する異物位置検出手段Ｐｂとを有する。 （もっと読む）

本発明によるＭＥＭＳ技術を利用した中空型マイクロプローブは、所定部に貫通ホールが形成された基板と、その基板に形成した貫通ホールの内部に充填される導電性埋込体と、その導電性埋込体を貫通ホール内部に充填した基板上に形成されるベース導電膜と、そのベース導電膜上に具備され、下方に傾いた傾斜面を持ち上面がラウンディングされた第１ティップ支持体と、その第１ティップ支持体の外側表面に具備され、第１ティップ支持体の上部を開口によって開放させ第１ティップ支持体の上部に突き出させた第２ティップ支持体と、その第２ティップ支持体の外側表面に具備された導電性材質のティップと、を有する。
（もっと読む）

【課題】従来では確認できなかったウエーハの形状品質についての有効な情報をＳＦＱＲ等とは異なる観点から定量的に求めて、ウエーハの形状を一定の基準で的確に評価することのできるウエーハの形状評価方法を提供する。
【解決手段】ウエーハの形状を評価する方法であって、前記ウエーハの表面及び／または裏面をウエーハ径方向に沿って走査してウエーハの面形状を測定し、該測定した面形状データの所定領域から基準線を算出し、該算出した基準線と前記面形状データとの厚さ方向における差を表すローカルスロープを求めることによって、前記ウエーハの表面形状及び／または裏面形状を評価することを特徴とするウエーハの形状評価方法。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 シングル光−電子テストエレメントを用いたシリコン−オン−インシュレータ（ＳＯＩ）ウエハ構造に形成された光−電子デバイスのウエハレベルテスト配列であって、光及び電気テストの双方を実行する配列。ビーム操縦光学部品をテストエレメントの上に形成しても良く、光プローブ信号と、ＳＯＩ構造の上側表面の上に形成した光カップリングエレメント（例えば、プリズムカプラ、グレーティング）間のカップリングを容易にするために使用される。光テスト信号は、その後、ＳＯＩ構造の上側層に形成した光導波管に向けられる。光電子テストエレメントは、また、光−電子デバイス上の複数のボンドパッドテスト部位と接触するように位置決めされ、電気テスト動作を行う複数の電気テストピンを具える。光テスト信号の結果は、ＳＯＩ構造内で電気表示に変換され、従って、電気信号としてテストエレメントに戻る。 （もっと読む）

ウェハ（４０２）の複数の層の間のオーバーレイ誤差の測定および補正を促進するシステムが開示されている。本システムは、ウェハ（４０２）の３つ以上の層間のオーバーレイを表すオーバーレイターゲット（４０６）と、オーバーレイターゲット（４０６）に存在するオーバーレイ誤差を決定し、その結果、ウェハ（４０２）の３つ以上の層の間のオーバーレイ誤差を決定する測定コンポーネント（４０８）とを含む。隣接する層の間、および、隣接しない層の間のオーバーレイ誤差を補正するために、制御コンポーネント（４１０）が提供されてよく、この補正は少なくとも一部が測定コンポーネント（４０８）が取得した測定値に基づく。
（もっと読む）

【課題】 イン・ラインの測定および制御ツール、テスト・パターンおよび評価方法を含む統合された測定システムを提供する。
【解決手段】 基板上で寸法を測定するための方法を記載する。ターゲット・パターンは、主周期ピッチＰで反復する公称特徴寸法を備え、主方向に直交する所定の変動を有する。基板上に形成されたターゲット・パターンは、少なくとも１つの非ゼロ次回折が検出されるように照射する。公称寸法に対する転写された特徴寸法の変動に対する非ゼロ次回折の応答を用いて、基板上で限界寸法またはオーバーレイ等の対象の寸法を求める。本発明の方法を実行するための装置は、照射源と、非ゼロ次回折を検出するための検出器と、ターゲットからの１つ以上の非ゼロ次回折を検出器において検出するようにターゲットに対して照射源を位置付けるための手段と、を含む。 （もっと読む）

異なるパラメータを使用して試験片の検査を行うための方法とシステムを提供する。コンピュータによって実施される方法は、選択された欠陥に基づいて検査のための最適パラメータを決定することを含む。またこの方法は、検査に先行して、検査システムのパラメータを最適パラメータに設定することを含む。試験片を検査するための別の方法は、約３５０ｎｍより下の波長を有する光と、約３５０ｎｍより上の波長を有する光を用いて試験片を照明することを含む。またこの方法は、試験片から収集された光を表す信号を処理し、試験片上の欠陥または工程の変動を検出ことも含む。試験片を検査するように構成された１つのシステムは、広帯域光源に結合された第１の光学サブシステムと、レーザに結合された第２の光学サブシステムを含む。またこのシステムは第１と第２の光学サブシステムから、光を試験片上に集束させる対物鏡に光を結合するように構成された第３の光学サブシステムも含む。 （もっと読む）

光学スキャナからのマルチチャネル欠陥データのような、それぞれが３つ以上のパラメータを関連付けられる複数のデータ点から成る母集団が３次元でプロットされ、データ点のグループが特定される。データ点のグループを画定するために、３次元空間において境界面が定義される。異なるグループは異なるデータ分類又はタイプに対応する。境界面に基づいて分類アルゴリズムが定義される。欠陥分類に適用されるとき、そのアルゴリズムは、欠陥を実行時分類するために光学スキャナにエクスポートすることができる。データ点の特定のグループを特定するためのアルゴリズムを、２つ以上の異なるｎ次元表現からの分類規則のブール演算による組み合わせとして定義することができる。ただし、ｎは表現毎に２又は３にすることができる。
（もっと読む）

パターン化と非パターン化ウェハの検査システムを提供する。１つのシステムは、検体を照明するように構成された照明システムを含む。システムは、検体から散乱された光を集光するように構成された集光器をも含む。加えて、システムは、光の異なる部分に関する方位と極角情報が保存されるように、光の異なる部分を個別に検出するように構成されたセグメント化された検出器を含む。検出器は、光の異なる部分を表す信号を生成するように構成されていてもよい。システムは、信号から検体上の欠陥を検出するように構成されたプロセッサを含むこともできる。他の実施形態におけるシステムは、検体を回転・並進させるように構成されたステージを含むことができる。１つの当該実施形態におけるシステムは、検体の回転および並進時に、広い走査パスで検体を走査するように構成された照明システムを含むこともできる。
（もっと読む）

【課題】好適に円形エッジを有する物体の品質を、物体のエッジの確実で再現可能な検査を非常に高精度で可能なように、光学的に試験するための冒頭に記載したタイプの方法と装置を改良しさらに展開すること。
【解決手段】好適に円形エッジを有する物体の品質を、該円形エッジに光を当てる光学的に試験するための方法において、反射、屈折及び／又は回折により該物体から放射する光が測定ユニット（１）により検出され、該物体の表面及び／又は内部の欠陥が検出画像信号によって判定されることを特徴とする、物体の品質を光学的に試験する光学的試験方法。 （もっと読む）