【目的】予め歪ませたパターンが形成された被検査対象試料をダイーダイ検査する際に、高精度な検査が可能なパターン検査装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のパターン検査装置１００は、複数の同一パターンが形成位置にそれぞれ歪みをもって形成された被検査試料の光学画像データを取得する光学画像取得部１５０と、前記光学画像データを複数の部分光学画像データに切り出す切り出し部７２と、前記被検査試料に形成されたパターンの歪み量を取得可能な歪情報を用いて、前記複数の部分光学画像データの位置を補正する補正部７４と、補正された前記複数の部分光学画像データ同士を画素毎に比較する比較回路１０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
単一の統合条件においては複数の欠陥種を同時に検出することは困難であり、また、多次元の特徴量として扱って複数の欠陥を検出すると、信号処理にかかる計算コストが検出器の増加とともに増大するという問題が発生する。
【解決手段】
被検査対象物に照明光を照射する照明光学部と、前記照明光学部により照射され該被検査対象物から該被検査対象物の表面に対してそれぞれ異なる方位角方向および仰角方向に散乱する散乱光をそれぞれ検出する複数の検出器を備えた検出光学部と、前記複数の検出器により検出した該被検査対象物からの散乱光に基づく複数の信号のそれぞれについて、ゲイン調整および閾値判別に基づく欠陥判別を並列に行い、前記ゲイン調整および欠陥判別された結果に基づき欠陥を抽出する信号処理部と、を有する欠陥検査装置である。 （もっと読む）

【課題】表面に透明薄膜が形成された基板等の試料において、透明薄膜の上面の微小な異物、キズ等の欠陥を高感度且つ高速に検査することができる欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の欠陥検査装置によると、照明光学系は、試料の表面の法線に対して所定の入射角を有する検査用照明光を試料表面に照射し、試料表面にスリット状のビームスポットを生成する。試料の表面に対して所定の傾斜角にて傾斜した光軸を有する斜方検出系と試料の表面の法線に沿った光軸を有する上方検出系によって、ビームスポットからの光を検出する。斜方検出系と上方検出系の出力によって、試料の表面の透明薄膜上の欠陥を検出する。検査用照明光の入射角は、試料の表面の透明薄膜下面にて反射した反射光が透明薄膜上面にて全反射するときの入射角より僅かに小さい角度である。 （もっと読む）

【課題】設定された精度の検査結果を得るのに要する時間の点で有利な検査装置を提供する。
【解決手段】異物または欠陥としての不具合に関して物体を検査する検査装置は、光を照射された物体からの光を検出し、当該光の強度が閾値を超えた前記物体上の位置を示す信号を出力する検出部と、前記物体上の位置に異物または欠陥としての不具合が存在することを示す情報を出力する制御部と、前記物体上の位置に前記不具合が存在する確率を示す情報を記憶する記憶部と、前記不具合の検査漏れの数に対する上限値を示す情報を入力する操作部と、を備える。前記制御部は、前記検出部に既定回数（少なくとも１回）前記検出を行わせ、推定された総数と前記記憶部に記憶された情報が示す前記確率とに基づいて、決定された全回数から前記既定回数を減じた残り回数の前記検出を前記検出部に行わせる。 （もっと読む）

【課題】ＯＢＩＲＣＨ法を行う際に、特性チェック素子の特性を容易に測定することができる、半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】レーザ光が照射されることにより特性が検査される、特性チェック素子と、前記特性チェック素子よりも上層に位置し、ダミーメタルが配置された、上部配線層とを具備する。前記上部配線層は、前記特性チェック素子に重なる第１領域と、前記特性チェック素子に重ならない第２領域とを備える。前記第１領域における前記ダミーメタルの密度は、前記第２領域における前記ダミーメタルの密度よりも、小さい。 （もっと読む）

【課題】照明条件、もしくは検出条件の異なる検査結果を統合することで、ノイズやNuisance欠陥と真の欠陥を高精度に判別することができる欠陥検査装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、被検査対象物を所定の光学条件で照射する照明光学系と、被検査対象物からの散乱光を所定の検出条件で検出して画像データを取得する検出光学系とを備えた欠陥検査装置であって、前記検出光学系で取得される光学条件若しくは画像データ取得条件が異なる複数の画像データから欠陥候補を検出する欠陥候補検出部と、該複数の画像データから検出された欠陥候補の情報を統合して、欠陥とノイズを判別する検査後処理部とを有する画像処理部を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
検出画素ずれおよび画素割れによる影響を回避し、概略同一の領域から発生する散乱光同士を加算可能にする欠陥検査装置および欠陥検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
被検査対象物の所定の領域に照明光を照射する照明光学系と、前記照明光学系の照明光による該被検査対象物の所定の領域からの散乱光を複数画素で検出可能な検出器を備えた検出光学系と、前記検出光学系の検出器により検出した散乱光に基づく検出信号について、該被検査対象物の表面に対して垂直な方向の変動に起因する画素ずれを補正する補正部と前記補正部により補正された検出信号に基づいて該被検査対象物の表面の欠陥を判定する欠陥判定部とを備えた信号処理部と、を有する欠陥検査装置である。 （もっと読む）

【課題】欠陥発生の原因となった設備の異常を早期に特定する。
【解決手段】欠陥検査装置は、基板において欠陥の発生が予測される位置を示す位置情報と、基板を処理する処理装置の名称と、を記憶する記憶部と、基板で発生した欠陥を検出する検出部と、検出された欠陥が、複数の基板において共通する範囲内で発生しているかを判定する判定部と、検出された欠陥が、複数の基板において共通する範囲内で発生している場合、複数の基板において共通する範囲内で発生した欠陥の位置を示す位置情報を、記憶部に記憶する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来はウエハの半径方向と楕円形状ビームの長辺とを合わせる方法として、光軸調整用検出器と検査用の検出器を別々に設けられていた。そのため検査用の検出器上で光ビームの長辺と半径方向とが一致していないという問題が発生した。
【解決手段】本発明は、ウエハからの散乱光の検出方法としてマルチアノードの検出器を使用し、欠陥検出用の検出器（マルチアノード）のデータを使用して、ウエハに照射されているビームの形状や半径方向とビーム長辺との回転ズレなどを算出して照射ビームの光軸調整を行う方法を提供する。さらに、上記補正データをもとに、回転や振幅の補正量を検査信号データにフィードバックさせ、検査データの補正を行う手段を設ける。本発明により、光学系の調整や信号処理による微細な補正が可能になるため、欠陥検出の位置精度および欠陥強度（欠陥寸法）の精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】スループットを犠牲にせずに処理精度を望ましいレベルにする。
【解決手段】レーザーを基にしたシステムにおいて複数の半導体部品を処理するための装置及び方法は、前記複数の部品の少なくとも一つの部品に対して行われる加工を計算するための初期設定レシピを調整する。個別の部品に対して行われる加工は、初期設定レシピと、初期設定レシピのパラメータを変更したものを含む個別部品特有レシピとを用いて分析される。初期または個別部品特有レシピは、望ましい処理結果に基づいて選択され、初期設定レシピが選択されたレシピと置き換えられ、レーザーを基にしたシステムを用いて、行うべき加工を実行する。 （もっと読む）

【課題】レーザを照射して半導体ウエハにマーキングを施すことにより、半導体ウエハに大きな反りが生じ、半導体装置の製造が困難となる。
【解決手段】半導体基板１１が研削されて薄型化された半導体チップ１０は、半導体基板１１の裏面がダイシングテープ２１に接着され、ロード部５０からチャック部６４に搬送される。半導体チップ１０は、順次、ピックアップされてマーキング前検査部７０にてマーキング基板面の検査がなされた後、マーキング部８０で半導体基板１１の裏面にレーザによりマークが形成される。このように、半導体チップ１０は個々に分離された状態でマーキングが施されるので、半導体基板１１に反りが発生しない。 （もっと読む）

【課題】非接触方式で回路パターンの欠陥を測定してピンプローブの消耗を減少させることができるとともに、回路パターンの欠陥測定に対する信頼性を高めることができる、回路パターンの欠陥検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】基板に形成された回路パターンの一側にレーザービームを照射するレーザー部と、前記回路パターンの一側とビアを介して連結された他側に非接触方式で対向するキャパシタセンサーと、前記キャパシタセンサーに連結されて電圧を印加する電圧源と、前記キャパシタセンサーと連結され、前記キャパシタセンサーに生成されたインピーダンスの変化を感知する測定部とを含む、回路パターンの欠陥検査装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 半導体単結晶基板の結晶欠陥を、高感度に検出し精度良く評価することのできる半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶基板を水素雰囲気下８００〜１１００℃で熱処理した後、該熱処理した半導体単結晶基板の表面に顕在化した結晶欠陥の検出を行うことによって、前記半導体単結晶基板の結晶欠陥の評価を行うことを特徴とする半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法。 （もっと読む）

【課題】プロービング状態におけるウエハの反りを可及的に抑え、かつ十分な観測視野が得ることが可能なウエハプローバ、及び当該ウエハプローバを用いた故障解析方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１に対して固浸レンズ２３を用いた裏面解析を行うためのウエハプローバ１０であって、
ウエハ１を支持する表面に設けられた凹部１１ａと、この凹部１１ａの底面１１ａ２の一部を貫通する開口部１１ｂとを有するウエハステージ１１と、
凹部１１ａにｘ−ｙ方向に移動可能に収容され、ウエハ１を支持し、開口部１１ｂよりも小さい観測口１２ａを有する、可動プレート１２と、
を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、被検査物上に検出される異物や欠陥の座標精度を安定化させる被検査物の検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の被検査物の検査装置は、被検査物外周部の所定領域から、ベベルやエッジロールオフに関する特徴量を捕らえることによって、被検査時の位置状態を検出する。そして、検出された被検査時の位置状態に応じて、検出された異物や欠陥の位置座標を、被検査物の中心座標を基に補正するように構成した。 （もっと読む）

【課題】光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を電子顕微鏡等で詳細に観察する装置において、観察対象の欠陥を確実に電子顕微鏡等の視野内に入れることができ、かつ装置規模を小さくできる装置を提供する。
【解決手段】光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を観察する電子顕微鏡5において、欠陥を再検出する光学顕微鏡14を搭載し、この光学顕微鏡14で暗視野観察する際に瞳面に分布偏光素子及び空間フィルタを挿入する構成とする。光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を観察する電子顕微鏡5において、欠陥を再検出する光学顕微鏡14を搭載し、この光学顕微鏡14で暗視野観察する際に瞳面に分布フィルタを挿入する構成とする。 （もっと読む）

レーザーを用いた貼り合わせウェーハの検査装置の提供。簡単な構造であることから作動し易く、経済性に富んでおり、信頼性が高く、しかも、貼り合わせウェーハの界面不良が検出可能なレーザーを用いた貼り合わせウェーハの検査装置が開示されている。このために、レーザー手段と、レーザー拡散手段及び検出手段を備えるレーザーを用いた貼り合わせウェーハの検査装置を提供する。本発明に係るレーザーを用いた貼り合わせウェーハの検査装置によれば、検査者が所望の倍率にてウェーハ界面の検査を行うことができるというメリットがある。なお、簡単な構造であることから、検査のための作動が容易であるというメリットがある。
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【課題】ウエハの製造を分析するためのアッセンブリを提供する。
【解決手段】ウエハが部分的に製造された状態である時点からでも、ウエハの製造を分析することができる。特定の性能パラメータ値は、ウエハのダイの能動領域の複数の箇所で決定することができる。特定の性能パラメータが、製造の特定の製造プロセスを示すことは周知である。このとき、評価情報は、複数の箇所における性能パラメータ値の変動に基づいて得ることができる。これは、ダイから生成されるチップの有用性に影響を及ぼさずに実施可能である。評価情報は、性能パラメータ値が示した特定の製造プロセスを含む１つ以上のプロセスが実施された方法を評価するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 光励起を利用したワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性の計測方法を実現する。
【解決手段】 ワイドギャップ半導体であるｎ−ＧａＮ膜１３の表面に、当該ワイドギャップ半導体とショットキー接合が可能な透光性を有する有機金属膜を形成するショットキー電極形成工程により、バンドギャップが広くて仕事関数が大きいという特徴を有する導電性の有機金属膜１５をワイドギャップ半導体のショットキー電極として形成し、単色光照射部２３により、単色光として、例えば、十分に波長分解能の高い単色光を有機金属膜１５側から分光照射し、電圧パルス発生部２１により、有機金属膜１５が形成されたワイドギャップ半導体ｎ−ＧａＮ膜１３に所定のタイミングで所定電圧強度のパルス電圧を印加し、インピーダンス計測部２２により、有機金属膜１５が形成されたワイドギャップ半導体ｎ−ＧａＮ膜１３のインピーダンスを検出する。 （もっと読む）

【課題】測定値からノイズの影響を除去する。
【解決手段】測定対象物上に複数の測定点Ｐ₁〜Ｐ_Nを設定し、測定点Ｐ₁〜Ｐ_Nの並ぶ方向に沿って振動させながら測定ビームを照射する。測定ビームの振幅Ｗの範囲にＭ個の測定点Ｐ₄〜Ｐ₈が含まれているとすると、Ｍ個の測定点Ｐ₄〜Ｐ₈から得られる２Ｍ個の測定値ｆ₁〜ｆ_2Mから、下記(７ａ）（７ｂ)式、


に従って、フーリエ係数ｂ₁(振幅が測定ビーム径の１／２の場合)、又はｂ₂(振幅が測定ビーム径と等しい場合)を求め各測定点のフーリエ係数ｂ₁又はｂ₂の推移を求め、微小領域の分析を行なう。 （もっと読む）