【課題】欠陥観察装置、欠陥観察方法、及び半導体装置の製造方法において、欠陥観察装置と基板との位置合わせ精度を向上させること。
【解決手段】基板Wの表面の欠陥D_iのそれぞれの欠陥座標を取得するステップＳ１と、欠陥D_iのそれぞれに所定領域Rを設定し、その中に含まれる欠陥の総個数N_iを計数するステップと、ステージ座標を一番目の欠陥D₁の欠陥座標に合わせることにより、顕微鏡の視野２２ｆ内に第１の欠陥D₁を導入するステップと、視野中心２２ｃと第１の欠陥D₁とのズレ量を取得するステップと、上記ズレ量に基づいて、第１の欠陥D₁よりも上記総個数が多い第２の欠陥D₂の欠陥座標を補正するステップと、補正後の第２の欠陥D₂の欠陥座標にステージ座標を合わせることにより、顕微鏡の視野２２ｆ内に第２の欠陥D₂を導入するステップとを有する欠陥観察方法による。 （もっと読む）

本発明は、円板ワーク、特に成形ウエハの変形を測定するための方法および装置に関する。この装置は、円板ワーク（３）の内側領域（ＩＢ）を取り付けるための回転可能ならびに高さおよび横方向に調整可能な取付ユニット（５、５ａ、１５ａ〜１５ｃ；５、５ａ、１５ｄ）と、取付ユニット（５、５ａ、１５ａ〜１５ｃ；５、５ａ、１５ｄ）の中心軸（Ｍ）からの円板ワーク（３）の中心軸（Ｍ’）の偏心（δ）を測定し、取付ユニット（５、５ａ、１５ａ〜１５ｃ；５、５ａ、１５ｄ）のために適切な調整信号を生成する測定ユニット（２５）と、取付ユニット（５、５ａ、１５ａ〜１５ｃ；５、５ａ、１５ｄ）の横方向の調整処理時に、円板ワーク（３）を付着するための付着ユニット（３ａ、３ｂ、３ｃ）と、取付ユニット（５、５ａ、１５ａ〜１５ｃ；５、５ａ、１５ｄ）または検出ユニット（５０）を回転させることによって、あらかじめ測定した取付ユニット（５、５ａ、１５ａ〜１５ｃ；５、５ａ、１５ｄ）の所定の高さ位置（Ｚ０）を使用して、変形に相当する所定の高さ位置（Ｚ０）からの円板ワーク（３）の非取付外側領域（ＡＢ）における複数の測定点（Ｐ１〜Ｐ８）の偏差（ＷＲ）を測定するための固定高さ検出器ユニット（５０）とを含む。
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【課題】 微細化、多層配線構造化に伴う配線長の短縮化、周辺回路の多様な論理状態等に影響されない故障箇所の特定、特にオープン故障箇所を特定することが可能な故障診断方法及び故障診断装置を提供すること。
【解決手段】 半導体集積回路の故障診断方法であって、該半導体集積回路に外部刺激を印加し、該外部刺激による電気的特性の変化を計測し、計測結果を分析することにより故障含有領域を特定し、前記故障含有領域のレイアウト情報に基づいて故障候補を特定し、該故障候補を回路に埋め込んで論理シミュレーションを行い、実故障品の電気的特性と一致する故障候補を最終故障候補として特定することを特徴とする半導体集積回路の故障診断方法とする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にパーティクルを付着させ、この基板に光を照射してパーティクルから放出される光を受光してパーティクルの付着状態を測定するにあたり、微少なパーティクルであっても簡便に確実に測定すること。
【解決手段】ウェハＷの表面に付着させる蛍光粒子１中にレーザー光により蛍光を発する蛍光物質を混入させると共に、受光部１１とウェハＷとの間にレーザー光やこのレーザー光の照射により生じる散乱光の透過を抑える光学フィルタ１２を介設し、受光部１１には散乱光の入射を抑えて蛍光粒子１から放出される蛍光を入射させる。 （もっと読む）

【解決手段】対象の検査方法およびシステムは、対象表面上の望まれないパーティクルを検出するための分光技術の使用を含む。この技術は、望まれないパーティクルと検査対象とが異なる材料により形成されることによる、検査対象と比較したときの望まれないパーティクルの異なる応答に基づく。対象の表面からの二次光子放出の時間分解分光法および／またはエネルギ分解分光法を使用することにより、ラマンおよび光ルミネッセンススペクトルを得ることができる。検査対象は例えばリソグラフィプロセスで使用されるパターニングデバイス、例えばレチクルであってもよい。その場合、例えば金属、金属酸化物、または有機物のパーティクルの存在が検出されうる。この方法および装置は高感度であり、例えばＥＵＶレチクルのパターン形成された側の小さなパーティクル（１００ｎｍ弱、特に５０ｎｍ弱）を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】高スループットかつ高感度の欠陥検査装置を提供すること。
【解決手段】広帯域波長の照明を用いて結像性能を向上させることが有効である。そこで、従来の屈折型光学系より広帯域波長の照明が使用可能な反射型光学系を用い、更に良好な収差状態を得られるレンズ外周部の円弧形状のスリット状視野にする。しかしこの方式は、受光面での各検出画素寸法の違いによる明るさの差と、センサの出力配列を視野内の位置座標に対応付けることが課題である。課題を解決するために、明るさの差及び座標を画素位置に応じて個別に補正する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、従来に比べて、より優れた平坦度及び均一なエピタキシャル膜厚分布を有するエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】エピタキシャル膜２０形成前の第１平坦化処理されたシリコンウェーハ１０（図１(ａ)）の平坦度、エピタキシャル膜２０形成後のエピタキシャルウェーハ３０（図１(ａ)）の平坦度及びエピタキシャル膜２０の膜厚分布を測定し、それらの測定値をフィードフォワードし、前記エピタキシャルウェーハ３０の第２平坦化処理を行う（図１(ｃ)）ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱処理の際に、基板支持具によって支持されていた基板裏面側から発生し、基板上面の表面には支障が現れないスリップを検出し得るスリップの検出方法を提供する。
【解決手段】熱処理の際に基板支持具によって支持されていた基板裏面が上面となるように反転させる工程と、上面となった基板裏面に光を照射する工程と、上面となった基板裏面で反射した光を投影し、投影図を作成する工程とを含むことにより、熱処理の際に基板支持具によって支持されていた基板裏面から検査を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】サンプル表面の粗度によるスペックルノイズを最小限に抑える暗視野検査システムは、ウェハ上に合成集束照射線を生成するための、複数のビーム成形経路を含み得る。各ビーム成形経路は、傾斜角でウェハを照射することができる。複数のビーム成形経路は、リング状照射を形成することができる。このリング状照射は、スペックルの影響を低減することにより、ＳＮＲを改善することができる。対物レンズは、ウェハからの散乱光を捕捉することができ、画像センサーは、対物レンズの出力を受け取ることができる。ウェハの照射が傾斜角で実施されるため、対物レンズは高いＮＡを有し得、このことによって、画像センサーの光学解像度、および結果的に得られる信号レベルが改善される。 （もっと読む）

【課題】
試料の表面の欠陥の検査中の試料の高さ変動により、照射したい領域と実際に照射している領域とに差異が生じるため、試料にレーザが照射されている領域とラインセンサで検出している領域の関係にずれが発生し、同一領域同士の信号を精度良く加算することが困難になる。
【解決手段】
試料の表面の欠陥を検査する欠陥検査方法であって、Ｈａｚｅ信号の分布と予め定めた光量分布とを比較して算出した検出信号の画素ずれ量を補正した検出信号を加算処理して欠陥を検出する工程を有する欠陥検査方法。 （もっと読む）

【課題】
検査対象の偏光特性を有効に利用し、より高い検査感度を得るには、照明の偏光を同じ方向と仰角、波長において、偏光のみが異なる光を照射し、偏光による検査対象からの反射、回折、散乱光の違いを見なければいけない。これを従来技術にて行うと、偏光を切り替えた複数回の測定が必要となり、検査装置の重要なスペックである検査時間の低下を招く。
【解決手段】
照明ビーム断面の微小面積内に複数の偏光状態を変調し、各微小面積からの散乱光をセンサの各画素に、個別かつ同時に結像させて複数偏光照明条件の画像を一括で取得することで、スループットを低下させること無く検査感度向上、分類・サイジング精度を向上させた。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハにおける欠陥の測定精度を向上させた欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】検査のため基準となる基板を欠陥検査装置内に設置する基準基板設置工程と、設置された前記検査のため基準となる基板に光を照射し、照射された前記光の散乱光の強度を測定する光強度測定工程と、前記散乱光の強度が設定した基準レベルよりも強い場合には前記光のパワーを弱め、前記散乱光の強度が前記基準レベルよりも弱い場合には前記光のパワーを強める補正を行う補正工程と、検査の対象となる基板を前記欠陥検査装置内に設置し、前記補正の行われたパワーの光を前記検査の対象となる基板に照射し、照射された前記光の散乱光を検出することにより前記検査の対象となる基板における欠陥を検査する検査工程とを有する欠陥検査方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】パターン形成前の検査段階において、基板コストの削減と歩留まりの向上を図ることができる基板検査装置および基板検査方法を提供する。
【解決手段】パターン形成前の基板検査において、設計データ３０３を利用して、検出された欠陥５０４がウェハ上の場所を示した検査マップ上のどの位置にあるを考慮して不良率５０６を計算する。また、不良率５０６に応じてパターンの位置を変更する情報を出力する。これにより、基板に欠陥があってもパターンに影響を与えなければ廃棄することなく、基板コストの削減を図ることができる。また、欠陥の位置を設計データ上で変更させることにより、不良率を下げて歩留まりの向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】微小な欠陥であっても適切に撮影することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置の管理方法を提供する。
【解決手段】基板の半導体素子が形成される素子形成面の裏側に位置する目盛形成面に物理目盛を形成する（Ｓ１）。前記物理目盛を用いて欠陥検査装置内での第１の座標系を作成する（Ｓ３）。前記欠陥検査装置により前記素子形成面に存在する欠陥を検出する（Ｓ４）。前記第１の座標系における前記欠陥の位置を示す欠陥位置座標を特定する（Ｓ５）。前記物理目盛を用いて欠陥撮影装置内での第２の座標系を作成する（Ｓ７）。前記欠陥撮影装置により前記素子形成面の前記第２の座標系上における前記欠陥位置座標を含む領域の撮影を行う（Ｓ８、Ｓ９）。 （もっと読む）

【課題】メタル配線の断線を検査することが可能な半導体解析装置を提供する。
【解決手段】検査対象である半導体装置に電圧を印加するための電源部と、レーザ光を発する光源と、前記レーザ光を前記半導体装置に走査しながら照射する光学系と、前記絶縁膜を介し前記半導体装置に設置された検出電極と、を有し、前記検出電極は前記半導体装置の配線と容量的に結合されており、前記レーザ光を走査しながら照射することのより得られる前記検出電極により検出される信号に基づき、前記半導体装置の故障部分を解析することを特徴とする半導体解析装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】
従来技術によれば、試料に熱ダメージを与えることなく、短時間で高精度に欠陥検出・寸法算出することが困難であった。
【解決手段】
試料の表面におけるある一方向について照明強度分布が実質的に均一な照明光を、前記試料の表面に照射し、前記試料の表面からの散乱光のうち互いに異なる複数の方向に出射する複数の散乱光成分を検出して対応する複数の散乱光検出信号を得、前記複数の散乱光検出信号のうち少なくとも一つを処理して欠陥の存在を判定し、前記処理により欠陥と判定された箇所各々について対応する複数の散乱光検出信号のうち少なくとも一つを処理して欠陥の寸法を判定し、前記欠陥と判定された箇所各々について前記試料表面上における位置及び欠陥寸法を表示する欠陥検査方法を提案する。 （もっと読む）

【課題】室温でも非破壊にて半導体の特性を測定する方法を提供する。
【解決手段】半導体試料５２にポンプ光を照射して光学フォノンを生成させた状態で半導体試料５２にプローブ光を照射し、半導体試料５２から反射されたプローブ光を時間分解測定して生成された光学フォノンの減衰定数および周波数を測定し（ステップＳ１００）、測定した減衰定数と、半導体試料５２と同じ元素からなる真性半導体の光学フォノンの減衰定数とを比較して半導体試料５２のキャリア極性を判定し（ステップＳ１１０）、測定した光学フォノンの周波数を、半導体試料５２と同じ元素からなると共に同じキャリア極性を有する半導体における光学フォノンの周波数とキャリア濃度との関係を定めた検量線に適用することにより、半導体試料５２のキャリア濃度を導出する（ステップＳ１２０）。 （もっと読む）

【課題】レーザー散乱法を用いた検査装置におけるＳ／Ｎ比の差異に依存することなく、より均一で正確な半導体ウェーハの良品・不良品の判定を行うことができる判定方法を検査装置を提供する。
【解決手段】ウェーハあたりのＬＰＤの個数が所定の個数以下である半導体ウェーハを選別し、更に選別した半導体ウェーハのヘイズマップに基づいて目視により良品のウェーハを判定する。また、ウェーハあたりのＬＰＤの個数が所定の個数以下である半導体ウェーハを選別し、更に選別した半導体ウェーハの選別した半導体ウェーハの中から、ウェーハ面内におけるヘイズ信号の面内標準偏差値及び面内平均値が特定の関係を示す半導体ウェーハを選別し、これを良品のウェーハとして判定する。 （もっと読む）

【課題】微小なパーティクルであっても高い確実性をもって検出することができ、信頼性の高い計測を行うことができるパーティクルの検出方法を提供すること。
【解決手段】基板である半導体ウエハＷの上にダミー膜１１を成膜し、次いでウエハＷの表面に真上から光を照射しながら照射位置を移動させ、その反射光を受光し、この受光した光の強度と光の照射位置とを対応付けたデータを取得して、ウエハＷ上のパーティクルを検出する。ここでダミー膜１１の膜厚をダミー膜１１の表面で反射された反射光と、ダミー膜１１とウエハＷとの界面で反射された反射光とが同位相になるかまたは逆位相になるように設定することにより、可干渉状態あるいは不干渉状態を形成しておく。パーティクルがダミー膜１１の表面あるいは前記界面のいずれかに存在すると、上記の状態が崩れるため、受光する光の強度が変化し、これにより高感度でパーティクルを検出することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ外観検査装置の操作性を向上させ、ウェーハ外観検査における人手作業の効率向上を図る。
【解決手段】ウェーハ外観検査装置２０１は、測定ステージ２０５と、その上に載置されたウェーハ２０４の表面形状を撮像するモニタカメラ２０３と、ウェーハ２０４の表面形状欠陥の検出処理を実行する制御用コンピュータ２０２を備える。制御用コンピュータ２０２は、ウェーハ２０４を構成するダイのそれぞれを複数の升目に区分し、モニタカメラ２０３を介して、ウェーハ２０４の表面形状パターンのモニタ画像を、前記升目ごとに取得し、その取得した撮像画像をモニタ画像ＤＢ２１６に登録する。また、制御用コンピュータ２０２は、モニタ画像ＤＢ２１６に登録されている升目ごとの、ウェーハ２０４と同じ品種名で同じ工程名に対応付けられたモニタ画像を、それぞれの升目の位置に対応させて配置して構成した合成ダイ画像を表示装置２０６に表示する。 （もっと読む）