【課題】空気によって少なくとも部分的に吸収される光を使用するよう設計され、かつ、より能率的なパージングシステムを有する、光学ツールのための方法を開発する。
【解決手段】試験体の測定のための方法において、該試験体の反射率測定データおよび分光偏光解析データを測定する工程と、該反射率測定データから、該試験体上に形成された窒化酸化物ゲート誘電体の厚さを判定する工程と、該厚さおよび該分光偏光解析データから、窒化酸化物ゲート誘電体の屈折率を判定する工程と、該屈折率から、該窒化酸化物ゲート誘電体の窒素濃度を判定する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの厚みを減じる減厚加工処理における加工量を高精度に評価することが可能な方法および評価用シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】シリコンウェーハに施す減厚加工処理における加工量を評価するに当たり、シリコンウェーハの表面上に、光学式厚み測定手段により厚み測定が可能なシリコン層を形成した評価用シリコンウェーハを作製し（Ｓ１）、次いで該評価用シリコンウェーハのシリコン層の厚みを光学式厚み測定手段により測定した（Ｓ２）後、シリコン層に対して減厚加工処理を施し（Ｓ３）、続いて該減厚加工処理後のシリコン層の厚みを光学式厚み測定手段により測定し（Ｓ４）、シリコン層に対する加工処理前後の厚み測定結果に基づいて減厚加工処理における加工量を評価する（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査工程における未検査を抑制すること。
【解決手段】ウエハを保持するステージ１２と、前記ステージに保持されたウエハのアライメントを行なうアライメント部３２と、アライメントされた前記ウエハ表面の欠陥を検査する検査部３４と、前記アライメント部が前記アライメントを開始してから前記欠陥の検査が終了するまでの時間である検査時間が所定時間より短い場合、前記アライメント部に前記アライメントを再度行なわせ、前記検査部に前記欠陥を再度検査させる制御部３６と、を具備する欠陥検査装置。 （もっと読む）

【課題】非破壊的方法により基板の表面上の絶縁層を介して電気的に基板を接地する。
【解決手段】基板の表面上の絶縁層を介して、導電経路を形成する装置に関する。第１の放射線源は、絶縁層の第１の領域へ放射線を放出するように構成され、且つ、第１の電気接点は、第１の領域へ第１のバイアス電圧を印加するように構成される。第２の放射線源は、絶縁層の第２の領域へ放射線を放出するように構成され、且つ、第２の電気接点は、第２の領域へ第２のバイアス電圧を印加するように構成される。領域の伝導性は、伝導経路がそれらの領域で絶縁層を介して形成されるように、放射によって増加する。一実施態様において、装置は、電子ビーム装置において使用され得る。別の実施形態は、絶縁層を介して導電経路を形成する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】傾斜ベース検出タスクを閾値ベース検出タスクに変換する方法を提供する。
【解決手段】モニターされている処理の値に対応する一組の点についての近似方程式を規定すること１４０で開始する。その後、モニターされている処理の現在点における期待値が予測される１４２。次に、モニターされている処理の現在点における測定値と対応する期待値との差が計算される１４４。それから、逐次点についてこの差がモニターされることにより、測定値と期待値との間の偏差値を検出する１４６。次に、モニターされている処理の遷移点は、偏差値の検出に基づいて識別される１４８。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板又は炭化珪素基板に形成されたエピタキシャル層に存在する欠陥を検出し、検出された欠陥を分類する検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む走査装置を用いて、炭化珪素基板の表面又はエピタキシャル層の表面を走査する。炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ（２３）により受光され、その出力信号は信号処理装置（１１）に供給する。信号処理装置は、炭化珪素基板表面の微分干渉画像を形成する２次元画像生成手段（３２）を有する。基板表面の微分干渉画像は欠陥検出手段（３４）に供給されて欠陥が検出される。検出された欠陥の画像は、欠陥分類手段（３６）に供給され、欠陥画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥が分類される。欠陥分類手段は、特有の形状を有する欠陥像を識別する第１の分類手段（５０）と、点状の低輝度欠陥像や明暗輝度の欠陥像を識別する第２の分類手段（５１）とを有する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板又は炭化珪素基板に形成されたエピタキシャル層に存在する欠陥を検出し、検出された欠陥を分類する検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む走査装置を用いて、炭化珪素基板の表面又はエピタキシャル層の表面を走査する。炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ（２３）により受光され、その出力信号は信号処理装置（１１）に供給する。信号処理装置は、炭化珪素基板表面の微分干渉画像を形成する２次元画像生成手段（３２）を有する。基板表面の微分干渉画像は欠陥検出手段（３４）に供給されて欠陥が検出される。検出された欠陥の画像は、欠陥分類手段（３６）に供給され、欠陥画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥が分類される。欠陥分類手段は、特有の形状を有する欠陥像を識別する第１の分類手段（５０）と、点状の低輝度欠陥像や明暗輝度の欠陥像を識別する第２の分類手段（５１）とを有する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置自体内での位置測定のために通常使用されるタイプのセンサを用いて、数あるパラメータの中でも特にＣＤおよびオーバーレイを測定可能なメトロロジ方法を提供する。
【解決手段】パターンは、基板上で互いに隣接して位置決めされかつ各々の第１および第２の周期性を有する第１および第２のサブパターン３１２、３１６を含む。パターンは観察されて、第１および第２の周期性の周波数より低い周波数における第３の周期性を有するビート成分を含む組合せ信号が得られる。リソグラフィプロセスの性能の測定値は、ビート成分の位相を参照することにより求められる。測定は、リソグラフィ装置の既存のアライメントセンサを用いて行うことができる。測定の感度および精度は、第１および第２の周期性、およびしたがって第３の周期性の選択によって調節できる。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置では、微細化につれて致命欠陥の信号強度が減少するので、ＳＮ比を確保するには、ウェハの散乱光によるノイズを低減する必要がある。散乱源であるパターンエッジラフネスや表面ラフネスは、ウェハ全体に広がっている。そのため、ノイズを低減するには、照明領域を縮小するのが有効であることを本発明では見出した。すなわち、照明領域をスポット状とし、スポットビームの寸法を縮小するのが有効であることを本発明では見出した。
【解決手段】時間的・空間的に分割した複数のスポットビームを試料に照射する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、非破壊であって測定環境をコントロールすることなく、基板上に導電性を持つ導電層を介して半導体層を形成した測定対象物における前記半導体層の結晶性を評価し得る半導体薄膜結晶性評価装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体薄膜結晶性評価装置Ｄａは、基板ＬＡ１上に導電性を持つ導電層ＬＡ２を介して半導体層Ａ３を形成した測定対象物ＷＡに、半導体層ＬＡ３の厚さよりも短い浸透長となる波長域の測定光を照射して、測定対象物ＷＡで反射した測定光の反射光を測定する測定部１と、測定部１の出力に基づいて反射スペクトルにおける所定のピークに関する情報を求め、この求めた前記情報に基づいて半導体層ＬＡ３における結晶性の評価を表す評価指標を求める演算部２とを備える。 （もっと読む）

【課題】μ−ＰＣＤ法を用いて半導体の結晶性を評価するにあたって、前記半導体が薄膜半導体から成り、導電性膜上に形成される場合にも、評価を可能にする。
【解決手段】試料２の測定部位に対して、紫外励起光源１７から半導体のバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光を照射するとともに、マイクロ波発振器１１から、励起光の照射位置にマイクロ波を照射し、検出器１８が反射マイクロ波の強度を検出し、パソコン１９で、その検出結果に基づいて前記試料２の結晶性を評価するようにした前記μ−ＰＣＤ法を用いる評価装置１において、前記半導体が薄膜半導体２ａから成り、導電性膜２ｂ上に形成される場合に、試料２とマイクロ波発振器１１との間に、前記励起光に対して透明である誘電体３を設ける。したがって、光励起キャリアの発生を阻害することなく、誘電体３の表面からの反射マイクロ波の振幅を大きくし、評価を可能にできる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上に形成されたチップ内の直接周辺回路部の近辺に存在する致命欠陥を高感度に検出することができる欠陥検査装置及びその方法を提供する。
【解決手段】被検査対象物を所定の光学条件で照射する照明光学系と、被検査対象物からの散乱光を所定の検出条件で検出して画像データを取得する検出光学系とを備えた欠陥検査装置において、前記検出光学系で取得される光学条件若しくは画像データ取得条件が異なる複数の画像データから領域毎に複数の異なる欠陥判定を行い，結果を統合して欠陥候補を検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】広スペクトル範囲で動作可能な反射屈折光学システムを提供する。
【解決手段】一実施形態では、反射屈折光学システムは、放射を反射するように位置決めされかつ構成された第１の反射面と、第１の反射面から反射された放射を平行ビームとして反射するように位置決めされかつ構成された第２の反射面であって、第２の反射面を通る放射の透過を可能にするアパーチャを有する第２の反射面と、アパーチャから第１の反射面に向かって延在し、第１の反射面と第２の反射面との間に第１の反射面に放射を供給するアウトレットを有するチャネル構造とを含む。 （もっと読む）

【課題】デバイスプロセス工程でウェハの欠陥そのものを検出しなくても、欠陥位置が容易に分かり、欠陥位置情報のデータを別途用意しなくても、基板自体からその欠陥位置を識別することができる欠陥識別マーカー付き基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶からなる単結晶基板、又は、炭化珪素単結晶上にエピタキシャル層を備えたエピタキシャル基板において、欠陥が存在する位置に対応する基板の表面側又は裏面側に、レーザー照射加工によって形成された識別マーカーが付された欠陥識別マーカー付き基板であり、また、欠陥の位置に対応させて、基板の表面側又は裏面側にマーカー加工用のレーザー光を照射して識別マーカーを形成する欠陥識別マーカー付き基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】異なるパラメータを使用して試験片の検査を行う方法とシステムを提供する。
【解決手段】コンピュータによって実施される方法は、選択された欠陥に基づいて検査のための最適パラメータを決定することを含む。また該方法は、検査に先行して、検査システムのパラメータを最適パラメータに設定する。別の該方法は、約３５０ｎｍより下の波長を有する光と、約３５０ｎｍより上の波長を有する光を用いて試験片を照明する。また該方法は、試験片から収集された光を表す信号を処理し、試験片上の欠陥または工程の変動を検出する。試験片を検査する１つのシステムは、広帯域光源５０４に結合された第１の光学サブシステムと、レーザ５０３に結合された第２の光学サブシステムを含む。またこのシステムは第１と第２の光学サブシステムから、光を試験片上に集束させる対物鏡５０７に光を結合するように構成された第３の光学サブシステムも含む。 （もっと読む）

【課題】
電子ビーム応用装置では，複数の電子ビーム検出器および電磁波発生手段をもつことにより性能向上が図れるが，空間的制約により同時に配置することが困難である。
【解決手段】
電子ビーム検出器（１０２，１０５）と電磁波発生手段（１０２，１０４，１０８，１０９）を両立した構成１００により，電子ビーム応用装置内部に多数の電子ビーム検出器及び電磁波発生手段を配置することができ，電磁波発生手段による試料表面の電位の制御やコンタミネーションの除去により，長期間安定した像観察が可能になる。 （もっと読む）

【課題】効率的な試料表面検査システムを提供する。
【解決手段】試料の表面を平坦化する表面平坦化機構と、試料上に抵抗膜を形成する抵抗膜コーティング機構と、試料表面の評価を行う表面検査機構を備えている。表面検査機構は、紫外線発生源３０と、電磁波を試料表面に斜め方向から導く光学系と、試料表面から放出された電子を試料表面に直交する方向に導く写像光学系４０と、検出器５０と、画像形成／信号処理回路６０とを備えている。写像光学系は、３つのレンズ系４１〜４３と、アパーチャ４４とを備えている。紫外線源の代わりにＸ線源を用いてもよい。また、電子線源から生成された電子線を試料の表面上に導く装置を設け、電磁波照射装置及び電子線照射装置の一方又は両方を駆動して、電磁波又は電子線の一方又は両方を試料の表面に照射するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】
単一の統合条件においては複数の欠陥種を同時に検出することは困難であり、また、多次元の特徴量として扱って複数の欠陥を検出すると、信号処理にかかる計算コストが検出器の増加とともに増大するという問題が発生する。
【解決手段】
被検査対象物に照明光を照射する照明光学部と、前記照明光学部により照射され該被検査対象物から該被検査対象物の表面に対してそれぞれ異なる方位角方向および仰角方向に散乱する散乱光をそれぞれ検出する複数の検出器を備えた検出光学部と、前記複数の検出器により検出した該被検査対象物からの散乱光に基づく複数の信号のそれぞれについて、ゲイン調整および閾値判別に基づく欠陥判別を並列に行い、前記ゲイン調整および欠陥判別された結果に基づき欠陥を抽出する信号処理部と、を有する欠陥検査装置である。 （もっと読む）

【課題】照明条件、もしくは検出条件の異なる検査結果を統合することで、ノイズやNuisance欠陥と真の欠陥を高精度に判別することができる欠陥検査装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、被検査対象物を所定の光学条件で照射する照明光学系と、被検査対象物からの散乱光を所定の検出条件で検出して画像データを取得する検出光学系とを備えた欠陥検査装置であって、前記検出光学系で取得される光学条件若しくは画像データ取得条件が異なる複数の画像データから欠陥候補を検出する欠陥候補検出部と、該複数の画像データから検出された欠陥候補の情報を統合して、欠陥とノイズを判別する検査後処理部とを有する画像処理部を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
検出画素ずれおよび画素割れによる影響を回避し、概略同一の領域から発生する散乱光同士を加算可能にする欠陥検査装置および欠陥検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
被検査対象物の所定の領域に照明光を照射する照明光学系と、前記照明光学系の照明光による該被検査対象物の所定の領域からの散乱光を複数画素で検出可能な検出器を備えた検出光学系と、前記検出光学系の検出器により検出した散乱光に基づく検出信号について、該被検査対象物の表面に対して垂直な方向の変動に起因する画素ずれを補正する補正部と前記補正部により補正された検出信号に基づいて該被検査対象物の表面の欠陥を判定する欠陥判定部とを備えた信号処理部と、を有する欠陥検査装置である。 （もっと読む）