【課題】太陽電池を製造する際にウェハを評価する方法およびその装置を提供する。
【解決手段】本発明は、太陽電池を製造する際にウェハ（１）を評価する方法であって、ａ）ウェハ（１）を準備し、そのウェハ（１）を用いて１つまたは複数の太陽電池を製造する製造工程を実施する工程と；ｂ）前記製造工程の間にウェハ（１）に対して湿式化学工程を実施して、この湿式化学工程により、ウェハ（１）内の荷電粒子の寿命に対するウェハ表面の影響を低減させる工程と；ｃ）湿式化学工程中にまたは湿式化学工程後に、ウェハ（１）内に荷電粒子を生成するための光をウェハ（１）に照射する工程と； ｄ）前記ステップｃ）で生成された荷電粒子の寿命を判定する工程と；そしてｅ）前記ステップｄ）で判定された寿命に応じて、ウェハ（１）を評価する工程と；を含む方法、およびその装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの半導体基板における取得位置を特定する半導体装置の製造方法及び半導体チップの特定方法に関し、半導体チップの半導体基板における取得位置を容易に特定することのできる半導体装置の製造方法及び半導体チップの特定方法を提供する。
【解決手段】エッチングにより複数の半導体チップの表面側に形成されるエッチング対象物の残渣を含んだ画像データＤ1を半導体チップ毎に取得し、半導体チップの半導体基板における取得位置と対応させて画像データＤ１を保存する工程と、半導体チップ_X（特定すべき半導体チップ）に形成されたエッチング対象物の残渣を含んだ画像データＤ２を取得する工程と、画像データＤ１，Ｄ２に基づいて、半導体チップ_Xの半導体基板における取得位置を特定する工程と、を設けた。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりを低下させることなく，化合物半導体ウエハの評価を行うことができる，化合物半導体ウエハの評価方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば，半導体基板上方に化合物半導体積層体を有する化合物半導体ウエハの特定部位の周縁部分をエッチングして前記特定部位を柱状に加工し，この柱状の特定部位に一次イオンビームを照射して二次イオンを放出させ，放出された二次イオンの質量分析を行い，前記質量分析の結果に基づいて化合物半導体ウエハの評価を行う工程を含む化合物半導体ウエハの評価方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】測定評価対象に制約が少なく、かつ、膜の密着性の定量的評価が可能な技術の提供。
【解決手段】（１）基板上に設けられた膜の側方から力を作用させた際における該膜の移動距離と該力の大きさとの関係をＸ−Ｙ座標にプロットした場合に唯一つのピークが存するプロフィールを持つ所定形状の膜を基板上に設ける工程と、（２）前記の膜をずらせて剥離するように側方から力を作用させる力作用工程とで構成する膜の密着性測定方法において、前記（１）の工程は、薄膜形成手段により大きめの膜を基板上に設ける第１工程と、前記膜の上にレジストを設ける第２工程と、前記レジストを、前記膜の側方から力を作用させた際における該膜の移動距離と該力の大きさとの関係をＸ−Ｙ座標にプロットした場合に唯一つのピークが存するプロフィールを持つ所定形状に加工する第３工程と、前記形状のレジストをマスクとして、前記膜を所定形状に加工する第４工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】割れ難い窒化ガリウム系基板、窒化ガリウム系基板の評価方法及び窒化ガリウム系基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系基板１０は、鏡面研磨された表面１２と、表面１２とは反対側の裏面１４とを備える。裏面１４には厚さｄが３０μｍ以下のダメージ層１６が形成されている。表面１２の強度をＩ_１とし、裏面１４の強度をＩ_２としたときに、Ｉ_２／Ｉ_１の値は０．４６以上である。 （もっと読む）

カンチレバー尖端がショットキー障壁を形成しながら半導体試料との接触状態に入るようになっている原子間力顕微鏡を用いた、半導体試料の表面および/または表面付近の層領域のドーパント密度の算出方法が説明され、前記半導体試料の内部の前記ショットキー領域の空間範囲を決定している空間電荷領域が、その空間範囲に関して起振されるように、前記カンチレバー尖端と前記半導体試料との間の前記ショットキー障壁の領域に交流電位が印加され、その振動が前記カンチレバーに伝達され検出されて、それに基づきドーパント密度が算出される。 （もっと読む）

【課題】煩雑な工程を経ることなく、シリコンウェーハ中のＣｕ濃度を正確、かつ高感度に検出可能なシリコンウェーハ中のＣｕ評価方法を提供する。
【解決手段】２枚の評価用のシリコンウェーハ１３ａ，１３ｂの内、一方のシリコンウェーハ１３ａの一面側を研磨する。その後、ホットプレート１５などを用いて所定の温度まで加熱する。こうしたシリコンウェーハ１３ａの加熱工程は、例えば、ホットプレート１５を用いて、シリコンウェーハ１３ａを２００〜４５０℃の温度範囲で５〜６０分間加熱することによって達成される。 （もっと読む）

【課題】ウェハの撓みや反りを解消して、圧電素子の振動特性の測定精度を向上させることができる振動測定装置を提供する。
【解決手段】セットしたワークＷの複数のチップ８３に対応し複数の測定用開口を形成したワークテーブル５１と、ワークＷを上側から押さえると共に、ワークＷの複数のチップ８３に対応し複数のプローブ用開口を形成したワーク押え５２と、各プローブ用開口を介し、ワークＷに上方から臨む多数のプローブ２１を有するプローブユニット１１と、プローブユニット１１を介し、多数のプローブ２１を多数の圧電素子に対し離接させるプローブ昇降手段１２と、プローブユニット１１に接続され、各圧電素子に駆動波形を印加する素子駆動手段１４と、素子駆動手段１４に同期し、且つ各測定用開口を介して、ワークテーブル５１上のワークＷに下方から各圧電素子の振動特性を測定する振動測定手段と、を備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板やその上に形成されたエピタキシャル膜に発生したミスフィット転位やスリップラインの存在の検出を、簡便かつ容易な方法で行う。
【解決手段】半導体基板表面やその上に形成されたエピタキシャル膜の表面を、レーザ光によってらせん状に走査し、その散乱光の特定方向における情報を取得する。具体的には、ミスフィット転位やスリップラインや、それらに起因して基板や膜表面に生じる基板結晶方向に直行した凹凸（段差）によって観察される、強い指向性を有するクロス状パターンの光散乱の有無を観察し、このクロス状パターンがあれば上記ミスフィット転位やスリップラインの欠陥があることを検出する。 （もっと読む）

【課題】走査顕微鏡像の空間分解能を向上させる手段の提供
【解決手段】レーザ光として、基準信号に同期した変調信号に基づいて強度変調された変調レーザ光をＩＣチップ１１０に照射し、磁束計１２０からの磁場信号を受け変調周波数と同じ周波数成分の信号を抽出する検波器１３０と、前記検波された信号から磁場分布の像を表示する手段１４０と、を備え、前記変調信号の周波数が１００ｋＨｚよりも高い。 （もっと読む）

本発明の１つの態様によれば、基板処理システムが提供される。このシステムは、チャバを囲むチャンバ壁と、基板を支持するようにチャンバ内に位置付けられた基板支持体と、基板上の材料から光電子を放出させる電磁放射線を基板支持体上の基板に放出させる電磁放射線源と、基板から放出された光電子を捕らえるアナライザと、チャンバ内に磁場を発生させ基板からアナライザに光電子を誘導する磁場発生器と、を含む。
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【課題】収束電子回折法を利用した格子歪み及び応力測定法において、HOLZ線の特定精度を高くして、測定精度を高くする
【解決手段】被測定物である結晶材料２に収束電子１を入射して得られるホルツ（HOLZ）図形のHOLZ線の位置に応じて、結晶材料の格子歪みを定量化する格子歪み測定方法において、ホルツ図形から抽出される複数の点の座標をハフ変換してハフ変換画像に置き換え、複数のハフ変換画像の多重点を抽出し、当該多重点を逆変換してホルツ図形のホルツ線を特定する。そして、特定されたホルツ線の位置に応じて、結晶材料の格子定数を定量化する。測定作業者による恣意的なホルツ線の特定工程を伴わずに、所定の演算工程によりホルツ線を特定することができるので、ホルツ線の特定精度を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 シリコンウエハにダメージを与えること無く、短時間で精度良くシリコンウエハのクラックの有無を検査できる検出方法及び検出装置を提供することである。
【解決手段】 本発明に係るシリコンウエハ１０のクラック検出装置および検出装置では、振動体１をシリコンウエハ１０に接触させることにより前記シリコンウエハ１０に振動を与え、前記振動体１１の周波数特性と前記シリコンウエハ１１の周波数特性から伝達関数を求め、これを予め求めておいた伝達関数と比較することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
故障箇所の絞込みを可能とする非破壊型の検査方法と装置の提供。
【解決手段】
第１、第２の試料にそれぞれ照射するレーザ光を走査して得られた磁場分布の像を取得し（第１ステップ）、磁場分布の像に差がある場合に、第１、第２の試料の所定の箇所にレーザ光を照射した状態で磁場センサにて第１、第２の試料を走査することで取得された磁場分布からそれぞれ電流像を取得し（第２ステップ）、電流像間の差をとり、差像より、第１の試料と前記第２の試料の前記所定の箇所に関連する電流経路の差異を識別可能としている。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセスでの原位置・非接触温度測定のための改善された方法および装置を提供することである。
【解決手段】単結晶シリコンウェハをプロセスチャンバに配置し、第１と第２の入射Ｘ線源をそれぞれ、プロセスチャンバ内の前記ウェハとコミュニケートさせ、所定の第１の放射波長のＸ線を前記第１のＸ線源から選択し、所定の第２の放射波長のＸ線を前記第２のＸ線源から選択し、ここで第１の放射波長と第２の放射波長は相互に異なっており、選択されたＸ線を前記ウェハ上の測定スポットにフォーカスし、前記ウェハから反射された第１と第２のＸ線を受信し、受信された第１の波長の反射Ｘ線と第２の波長の反射Ｘ線に基づいて、温度測定中のウェハのシフト運動または撓みを考慮してウェハの格子定数を検出し、格子定数によって決定されたウェハの温度を求める。 （もっと読む）

材料の表面上の欠陥または汚染を特定する方法およびシステム。この方法およびシステムでは、半導体ウェハなどの材料を提供し、非振動式接触電位差センサを用いてウェハを走査し、接触電位差データを発生し、このデータを処理して、欠陥または汚染の特性を示すパターンを特定する。

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