【課題】ダム用突起の延設長さを抑えつつチップ保持部材のチップ実装面上に配した流動性を有する材料の流出を抑制できる半導体センサを提供する。
【解決手段】有蓋筒状をなすカバー部材の開口部に、開口部を塞ぐように蓋材が配置されている。カバー部材の内部においてチップ保持部材３が蓋材から突設され、チップ保持部材３は上面が平坦なチップ実装面となっている。チップ保持部材３のチップ実装面上にセンシングチップがベアチップ実装されるとともにゲルがセンシングチップを被覆している。チップ保持部材３のチップ実装面において蓋材側での両側の端部にダム用突起２０が設置されている。ダム用突起２０の内壁には凹状の湾曲面２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂが形成されている。 （もっと読む）

過酷な環境のための発光ダイオードは、実質的に透光性の基板と、基板の底面上に配置されている半導体層と、半導体層に結合され、基板の底面上に形成されている数個の接合パッドと、各接合パッド上に形成され、発光ダイオードをプリント回路ボードに電気的に接続するマイクロ・ポストとを含む。基板の底面とプリント回路ボードの上面との間に、発光ダイオード基板下における水浸透を低減するために、アンダーフィル層を設けてもよい。加えて、上面を通って放出される光を拡散させるために、発光ダイオードの上面にディフューザを取り付けてもよい。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、ボンディングパッドの保護を保護膜残渣がなく且つドライなプロセスで行う。
【解決手段】 第１の半導体チップ１に設けたボンディングパッド部に、第１の温度で剥離する熱剥離テープ６を貼り付けたのち、第１の温度よりも低い第２の温度で第１の半導体チップ１上に第２の半導体チップ５をフリップチップによって固着させ、次いで、第１の温度よりも低い第３の温度で第１の半導体チップ１と第２の半導体チップ５間に封止樹脂７を封入したのち、第１の温度よりも低い第４の温度で封止樹脂７を硬化させ、次いで、第１の温度以上で該熱剥離テープ６を剥離する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの上方露出面の電気的接続部だけを樹脂封止し、センサーやＭＥＭＳが形成された上方露出面を機能的に損傷させずに液状の封止樹脂が流出しないような手段を提供する。
【解決手段】センサーチップ２の表面２ａと僅少な隙間を有してダム梁５を配置し、ダム梁５から電極２ｂ形成領域２ｃ側を封止樹脂７ａで封止し封止部７を形成する。この隙間は、封止部７の形成時に、その封止用液状樹脂が隙間内に流れ込む寸法であるとともに、ダム梁５とセンサーチップの表面２ａとの表面張力によりダム梁５より先方へはみ出さない寸法に設定されている。このため、センサーチップ２を損傷することがなく、小型化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】圧縮成形を用いた、半導体発光デバイスをパッケージ化する方法を提供すること。
【解決手段】半導体発光デバイスをパッケージ化する方法は、前面上に半導体発光デバイス及びコンタクトを有する基板を設けるステップを含む。発光デバイスは、基板の前面上のコンタクトと電気的に接続される。基板は圧縮成形されて、基板の前面上で半導体発光デバイスを覆う光学要素と、基板の前面のコンタクトを含む領域を覆う残余コーティングとを形成する。コンタクトを覆う残余コーティングは、コンタクトに損傷を与えずに除去することができる。パッケージ化された半導体発光デバイスもまた提供される。 （もっと読む）

【課題】 ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、シリコン基板の上面側の集積回路から外部へのあるいはその逆で外部からシリコン基板の上面側の集積回路への不要電磁輻射ノイズを抑制する。
【解決手段】 封止膜１０は、熱硬化性樹脂１０ａ中に軟磁性体粉末１０ｂが混入された材料によって形成されている。そして、封止膜１０中の軟磁性体粉末１０ｂにより、シリコン基板１の上面側から外部へのあるいはその逆で外部からシリコン基板１の上面側への不要電磁輻射ノイズを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】簡便な工程により、配線基板に弾性表面波素子等の電子素子の電子機能部を阻害することなく、必要部分には十分に樹脂を充填させ、電子素子を封止することができる粘土状の熱硬化型樹脂シート、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板４１に固定された弾性表面波素子４２等の電子素子の上に、外力により塑性変形可能な粘土状の封止用熱硬化型樹脂シート４５を積層し、この樹脂シートを加熱硬化させることで、電子素子の電子機能部を樹脂で阻害することなく気密空間４６を形成して封止する電子部品装置４７及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】パターン埋め込み性、形状保持性、密着性、耐熱性、可とう性及び印刷性に優れた樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂、（Ｂ）室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂、（Ｃ）平均粒径が０．１〜６μｍでかつ粒径分布が０．０１〜１５μｍであるゴム弾性を有する低弾性フィラー、及び（Ｄ）極性溶媒を含有してなる樹脂組成物において、前記（Ａ）室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂の重量平均分子量が６５，０００〜１００，０００であり、かつ前記（Ｂ）室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂の重量平均分子量が５０，０００〜１００，０００である樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と基板とが接着剤層により接着された積層体であって、半導体装置の中央領域に接着剤層が形成されることが防がれた積層体、及び該積層体を簡便に、かつ効率よく製造することができる積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置２と基板３とが接着剤層７により接着され構成されており、半導体装置２の外周縁に設けられた第１の電極５と、基板３に設けられた第２の電極６とが接続されており、接着剤層７は、半導体装置２と基板３との間に第１、第２の電極５、６を覆うように、半導体装置２の中央領域に至らないように半導体装置２の外周縁に設けられており、かつ接着剤層７は、半導体装置２の外周端よりも外側に至るように設けられており、半導体装置２の外周端よりも外側の接着剤層７は、半導体装置２と基板３との間隔よりも大きな直径を有する粒子８を含有する、積層体１。 （もっと読む）

【課題】エリア表面実装型半導体パッケージにおける低反り性に優れ、且つ耐半田リフロー性、耐燃性に優れた特性を有する半導体封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂（ａ１）を含むエポキシ樹脂（Ａ）と、フェノール性水酸基を分子内に２つ以上有する化合物（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）と、硬化促進剤（Ｄ）と、トリレンジイソシアネート変性酸化ワックス（Ｅ）と、を含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
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【課題】充てん性、密着性、形状維持性に優れる封止フィルム及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ１）架橋性官能基を含み、重量平均分子量が１０万以上でかつＴｇが−５０〜５０℃である高分子量樹脂と、（Ａ２）エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分と、を含む（Ａ）樹脂成分、（Ｂ）フィラー、および（Ｃ）着色剤、を含有し、８０℃におけるずり粘度が１４０００〜２５０００Ｐａ・ｓである樹脂層を有する封止フィルム及びそれを用いた半導体装置。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置などの半導体装置を小型・薄型化しながら耐湿性を確保する。
【解決手段】リード部１を有する樹脂パッケージ２（支持体）と、リード部１に電気的に接続された撮像素子３（半導体素子）と、撮像素子３の一主面の所定の領域を覆って当該撮像素子３に取り付けられた光透過性蓋板７（蓋体）と、リード部１および撮像素子３の接続部分を覆い、且つ撮像素子３および光透過性蓋板７の外周面を覆った樹脂封止部１５とを有する構造とし、樹脂封止部１５は耐湿性樹脂材料あるいは吸湿材含有樹脂材料で形成する。装置を薄型化しつつ、吸湿材含有封止樹脂を用いた場合は水分は吸湿材に吸収されてしまうため、また耐湿性封止樹脂を用いた場合はそれ自体が吸湿しにくいため、樹脂封止部１５と光透過性蓋板７との界面への水分の浸入を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】生産性及び耐久性が改善され、かつカード品質や印画品質が改良された非接触ＩＣカードとその製造方法を提供する。
【解決手段】２種以上の硬化性樹脂Ｂ１およびＢ２により少なくとも二重に封止されたＩＣチップＢ３を含む非接触ＩＣカードにおいて、ＩＣチップＢ３の回路面に隣接する第一の硬化性樹脂Ｂ１と、第一の硬化性樹脂Ｂ１に隣接する第二の硬化性樹脂Ｂ２を含有し、第二の硬化性樹脂Ｂ２は、第一の硬化性樹脂Ｂ１により硬化が促進された樹脂であることを特徴とする非接触ＩＣカード。 （もっと読む）

【課題】屈曲させても割れ、剥がれの発生がなく取り扱うことができ、ダイシング時に切削粉の汚染や欠損がなく高速切断可能で、熱伝導率が大きい半導体用接着組成物を提供する。
【解決手段】（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドと（ｂ）エポキシ化合物、（ｃ）硬化促進剤、（ｄ）窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、窒化硼素、酸化アルミニウムから選択される少なくとも１種の無機粒子を含有し、（ｂ）エポキシ化合物を１００重量部に対し、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドを１５〜９０重量部、（ｃ）硬化促進剤を０．１〜１０重量部含有し、（ｂ）エポキシ化合物が２５℃、１．０１３×１０⁵Ｎ／ｍ²において液状である化合物と２５℃、１．０１３×１０⁵Ｎ／ｍ²において固形である化合物を含有し、液状であるエポキシ化合物の含有量が全エポキシ化合物に対し２０重量％以上６０重量％以下である半導体用接着組成物。 （もっと読む）

【課題】低誘電率絶縁膜を含む積層膜を有する半導体素子の実装構造に起因するチップエッジからの膜剥がれを抑制する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板６上に形成され、低誘電率絶縁膜を含む積層膜７と、少なくとも低誘電率絶縁膜を切断するように設けられたレーザ加工溝２０とを備える半導体素子２を具備する。半導体素子２は配線基板３に対してフリップチップ接続されており、半導体素子２と配線基板３との間にはアンダーフィル材５が充填される。このような構造を有する半導体装置１において、レーザ加工溝２０の幅Ｘ(μm)とアンダーフィル材５のフィレット長さＹ(mm)とが、Ｙ＞-0.233Ｘ＋3.5（ただし、Ｘ＞０、Ｙ＞０である）の条件を満足する構造並びに製造工程を適用する。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ用ＣＯＢパッケージ構造を提供する。
【解決手段】プリント基板上に置かれたダイを含むパッケージの構造。ガラス基板とチップとの間に空隙領域を形成するために、ガラス基板が接着膜パターン上に接着されている。マイクロレンズがチップ上に配置されている。レンズ・ホルダーが、プリント基板上に固定されている。ガラス基板は、マイクロレンズを粒子汚染から防止する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に吸湿された水分により生成される腐食生成物による隣り合う再配線間の電気的なリークを抑制して半導体装置の耐湿寿命の向上を図る手段を提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板に形成された内部回路に電気的に接続する電極パッドと、電極パッドに達するスルーホールが形成された絶縁膜と、電極パッドに電気的に接続し、絶縁膜上に延在する再配線とを備えた半導体装置において、再配線の周囲の絶縁膜に、この再配線に隣接した凹溝を設ける。 （もっと読む）

【課題】充てん性および密着性に優れる封止フィルム及びそれを用いた半導体装置を提供するものである。
【解決手段】 架橋性官能基を含み、重量平均分子量が１０万以上でかつＴｇが−５０〜５０℃である（Ａ１）高分子量成分とエポキシ樹脂を主成分とする（Ａ２）熱硬化性成分とを含む（Ａ）樹脂成分、（Ｂ）フィラーおよび（Ｃ）着色剤を含有し、８０℃でのフロー量が１５０〜１８００μｍである樹脂層を有する封止フィルム及びそれを用いた半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】チップの背面側についても損傷を防止する。
【解決手段】機能素子１２を有する素子基板１０の一方の面１０ａ側に外部接続用端子３０が設けられる。素子基板１０の他方の面１０ｂ側に、デバイスを他の基板に実装する際の加熱によって溶融することで外部接続用端子３０の周辺を封止するための封止材７が硬化状態で設けられる。 （もっと読む）

【課題】モジュールを親基板へ半田付け時に、チップ部品の半田の溶融膨張でチップと基板との隙間でショートする。
【解決手段】基板２にチップ部品５と半導体素子６とを実装する実装工程７と、この工程の後で半導体素子６の側面６ａの中央部から半導体素子６と基板２との間の隙間に樹脂２２ａを注入する注入・塗布工程３１と、この工程の後でモジュールを加熱する硬化工程３４とを有し、注入・塗布工程３１では、樹脂２２ａが半導体素子６の角部６ｂへ到達するより前に角部６ｂへ樹脂２２ｂを塗布し、この樹脂２２ｂは樹脂２２ａの粘度より大きな粘度の熱硬化性樹脂を用いたものである。これにより樹脂２２ａ、樹脂２２ｂでチップ部品５や半田３が覆われ難くなり、半田３が溶融膨張しても、チップ部品５と基板２との隙間へ噴出することはない。 （もっと読む）