【課題】印刷成形性が良好でボイド数が少なく、反りが小さく、強度、耐リフロー性、耐温度サイクル及び耐湿信頼性に優れる封止用液状エポキシ樹脂組成物、及びこれにより封止された素子を備えた電子部品装置およびウエハーレベルチップサイズパッケージを提供する。
【解決手段】（Ａ）液状ビスフェノール型エポキシ樹脂、（Ｂ）シリコーンゴム微粒子、（Ｃ）シリコーン変性エポキシ樹脂、（Ｄ）芳香族アミン硬化剤、（Ｅ）カップリング剤、（Ｆ）無機充填剤、（Ｇ）有機溶剤を含有した封止用液状エポキシ樹脂組成物であって、（Ｂ）シリコーンゴム微粒子が、液状エポキシ樹脂中でアルケニル基含有オルガノポリシロキサンとＳｉＨ基含有オルガノハイドロジェンポリシロキサンのヒドロシリル化反応により架橋生成させたものである封止用液状エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 集積回路においてソフト・エラー率を低下させるための改良された方法および構造体を提供する。
【解決手段】 集積回路においてソフト・エラー率を低下させるための構造体および方法。この構造体は、半導体基板と、最下部の配線レベルから最上部の配線レベルまで積層された１つ以上の配線レベル積層であって、最下部の配線レベルが最上部の配線レベルよりも半導体基板に近い、配線レベル積層と、１つ以上の配線レベルの最上部の配線レベルの上面上のアルファ粒子ブロック層と、を含む。ブロック層は金属配線および誘電材料を含む。ブロック層は、このブロック層に当たる選択されたエネルギ以下のアルファ粒子の所定の割合が１つ以上の配線レベル積層内または基板内に侵入することを阻止するのに充分な前記ブロック層の厚さおよび前記ブロック層内の金属配線の体積百分率の組み合わせを有する。 （もっと読む）

【課題】 高精度に位置決めされた半導体ＩＣを内蔵させることが可能な半導体ＩＣ内蔵基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体ＩＣ１５のスタッドバンプ１６に対応したコア基板１０上の所定の位置に位置決め用穴１３を形成し、スタッドバンプ１６が位置決め用穴１３に嵌り込むようにコア基板１０上に半導体ＩＣ１５を実装した後、コア基板１０上にプレス基板１７をプレスして半導体ＩＣ１５をコア基板１０内に埋め込む。これにより、半導体ＩＣ１５の位置ずれを防止することができ、高精度に位置決めされた半導体ＩＣ１５を内蔵する半導体ＩＣ内蔵基板を製造することができる。 （もっと読む）

【解決手段】 （Ａ）式（１）のポリアミック酸樹脂、
【化１】


（Ｘは芳香族環又は脂肪族環を含む４価の有機基、Ｙは２価の有機基、ｎは１〜３００の整数。）
（Ｂ）式（３）のアルコキシシリル基含有ポリアミック酸樹脂、
【化２】


（Ｘ’は４価の有機基、Ｙ’は２価の有機基、Ｚは下記式
【化３】


の基、Ｒ⁴は炭素原子数１〜３のアルキル基、Ｒ⁵は炭素原子数１〜３のアルキル基又はアルコキシ基、ａは０〜４の整数、ｐは１〜３００の整数、ｑは１〜３００の整数、ｒは１〜１００の整数であり、ｐ、ｑで示される各繰り返し単位の配列はランダムである。）
及び
（Ｃ）有機溶剤
を必須成分とする樹脂溶液組成物。
【効果】 本発明の組成物は、基材との接着性に優れ、半導体パッケージの熱的ストレスによるチップクラックや熱劣化を効率的に解消し、耐熱性に優れた硬化物を与え、半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて半導体を封止する際の保護膜材料として有効である。 （もっと読む）

【課題】 高精度に位置決めされた半導体ＩＣを内蔵させることが可能な半導体ＩＣ内蔵基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体ＩＣ１５のスタッドバンプ１６に対応したコア基板１０上の所定の位置に位置決め用穴１３を形成し、スタッドバンプ１６が樹脂基板１１にめり込むようにコア基板１０上に半導体ＩＣ１５を搭載した後、コア基板１０上にプレス基板１７をプレスして半導体ＩＣ１５をコア基板１０内に埋め込む。これにより、半導体ＩＣ１５の位置ずれを防止することができ、高精度に位置決めされた半導体ＩＣ１５を内蔵する半導体ＩＣ内蔵基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 プリアプライド用封止において、半導体チップにアンダーフィル材を塗布して乾燥させる際の乾燥時の溶剤除去効率を向上させ、乾燥工程時間を短縮することである。また、別の課題は、加熱時間の短縮による長期間ポットライフやフラックス特性維持に優れた樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】 本発明の樹脂組成物は、プリアプライド用封止樹脂に用いる樹脂組成物であって、熱硬化性樹脂と、硬化剤と、前記熱硬化性樹脂に対する良溶媒性であり、かつ前記硬化剤に対して貧溶媒性である第一の溶剤と、前記第一の溶剤よりも沸点が低い第二の溶剤と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体用ウエハーのアクティブ面や裏面のコーティングに特に有効であり、ウエハーの大口径化や薄型化に伴って課題となるコーティング膜の硬化後の反り量を著しく低減することができ、かつ、膜厚精度が良好であり、高強度のコーティング膜を形成することができるエポキシ樹脂無機複合シートを提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂及び充填剤を含有するエポキシ樹脂組成物をキャリア材の表面に塗布し、これを加熱乾燥することによって得られる半硬化状態のエポキシ樹脂無機複合シートに関する。エポキシ樹脂組成物全量に対して、充填材として、低弾性有機フィラーをＸ質量％（Ｘ＝２〜１５）及び無機フィラーを７０−Ｘ〜９０−Ｘ質量％用いる。キャリア材の表面に形成されるエポキシ樹脂無機複合シートの厚みが５〜２００μｍである。 （もっと読む）

【課題】 プリアプライド用封止において、封止樹脂組成物をウェハーに塗布してＢ−ステージ化した場合に樹脂が脆くなるのを防ぎ、ダイシング時に封止樹脂組成物が損傷するのを防ぐことである。
【解決手段】 （Ａ）２５℃で液状であり、１分子中にエポキシ基を２個以上含むエポキシ樹脂、（Ｂ）２５℃で固体であり、１分子中にエポキシ基を２個以上含むエポキシ樹脂、及び、（Ｃ）フラックス活性を有する硬化剤を含むプリアプライド用封止樹脂組成物による。 （もっと読む）

【課題】 積層された半導体チップの上面または下面のみならず側面からの電磁波ノイズの漏洩を低減させる。
【解決手段】 キャリア基板１上にフェースアップ実装された半導体チップ７全体を、ボンディングワイヤ８を覆うようにキャリア基板１上に配置された電磁波遮蔽樹脂９にて封止してから、半導体チップ１１を半導体チップ７上にフェースアップ実装し、ボンディングワイヤ１２を覆うようにしてキャリア基板１上に配置された封止樹脂１３にて半導体チップ１１を封止する。 （もっと読む）

【課題】 モールド樹脂による応力を低減することにより、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止する。
【解決手段】 半導体装置は、基板におけるチップ領域に形成された素子と、基板上に形成された複数の層間絶縁膜と、複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも１つに形成された配線と、複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも１つに形成され、且つ素子と配線とを接続するか又は配線同士を接続するプラグと、複数の層間絶縁膜の上に形成された表面保護膜とを備えている。さらに、チップ領域のコーナー部に存在している表面保護膜を覆うように形成された樹脂保護膜とを備えている。 （もっと読む）

【解決手段】 （Ａ）液状エポキシ樹脂、
（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）粒径１２８μｍ以上の粒子の含有率が１質量％以下であり、かつ平均粒径が５〜２０μｍである無機充填剤、
（Ｄ）非反応性有機ケイ素化合物で表面処理された、平均粒径が０．０１〜０．１μｍである無機充填剤
を含有する液状エポキシ樹脂組成物からなるＣＯＢ実装用封止材を製造するに際し、上記（Ａ）〜（Ｄ）成分を混合し、混練した後、少なくとも得られた液状エポキシ樹脂組成物のチキソ性が低下し、次いでチキソ性が増加するチキソ性変動期間まで液状エポキシ樹脂組成物を熟成することを特徴とするＣＯＢ実装用封止材の製造方法。
【効果】 本発明の製造方法によるＣＯＢ実装用封止材は、塗布後の形状維持性が良好なため、封止後のリード線の露出を防止することができ、信頼性の高い半導体装置を与えることができる。 （もっと読む）

【課題】 レジンに要求される複数の機能を同時に満足する封止技術を提供することにある。
【解決手段】 配線基板１ａ上には、接着剤３を介して半導体チップ２を搭載されている。そして、半導体チップ２のボンディングパッドと配線基板１ａのボンディングパッド４とはボンディングワイヤ６を用いて接続されている。半導体チップ２およびボンディングワイヤ６を覆うようにレジン７が形成され、このレジン７上および配線基板１ａ上に、レジン７とは異なる種類のレジン８を形成する。レジン７は、ボンディングワイヤ６の変形を防止する機能、半導体チップ２とボンディングワイヤ６との接続部における腐食を防止する機能を有する一方、レジン８は配線基板１ａの反りを防止する機能を有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、硬化膜の膜物性に優れた樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子に関するものである。本発明の脂組成物は、基板への低応力性に優れるという特徴を有している。
【解決手段】
アルカリ可溶性樹脂（Ａ）、ビスオキサゾリン誘導体とジカルボン酸との反応生成物（Ｂ）を含む樹脂組成物を用いる。ジカルボン酸１モルに対してビスオキサゾリン誘導体を０．３〜３モル反応させた反応生成物を用いることが好ましい。更に、（Ｃ）光により酸を発生する化合物を含むことにより、現像性のある樹脂組成物を得ることができる。 （もっと読む）

【解決手段】 低誘電膜形成素子用封止材料であって、硬化物の１５０℃における貯蔵弾性率が２，１００ＭＰａ以下、２６０℃における貯蔵弾性率が７００ＭＰａ以下、−５５℃〜５０℃までの線膨張係数が１．０×１０^-5／℃以下、１５０〜２００℃までの線膨張係数が５．０×１０^-5／℃以下であり、１７５℃で成形したときの成形収縮率が０．１５％以下であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
【効果】 本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で低誘電膜形成素子用を封止した場合、樹脂から発生する内部応力を抑えることが可能となり、低誘電膜のクラックや剥離の発生を押さえることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 パッケージ側と実装基板側との熱膨張差に基づくパッケージ側の外部接続端子と実装基板側のランドとの接続信頼性の低下を防ぐ。
【解決手段】 半導体装置１０は、ＱＦＮ構成のパッケージを有し、半導体チップ２０がタブ１３上にはんだ１４を介して接続されている。半導体チップ２０は、ワイヤ１５により外部接続端子１１と接続され、全体構成が封止樹脂１２によりモールドされている。半導体チップ２０は、取り付け高さｔ０に対して所定割合のチップ厚ｔ３に設定されている。 （もっと読む）

【課題】表面平坦性、密着性、耐熱性、可とう性及び印刷性に優れた樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 （Ａ）室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂、（Ｂ）室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂、（Ｃ）平均粒径が０．１〜６μmでかつ粒径分布が０．０１〜１５μmであるゴム弾性を有するフィラー、及び（Ｄ）極性溶媒を含有してなる樹脂組成物において、レオメーターを使用して周波数１Ｈｚの条件下、せん断応力１０Ｐａ及び１０００Ｐａで測定した貯蔵弾性率がそれぞれ１６００Ｐａ以上及び１０００Ｐａ未満であり、かつ、それら貯蔵弾性率の比（せん断応力１０Ｐａでの貯蔵弾性率（Ｐａ）／せん断応力１０００Ｐａでの貯蔵弾性率（Ｐａ））が２以上である樹脂組成物により課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】 密着性、耐熱性、可とう性に優れるのみならず、塗膜塗布後の形状保持性に優れ、精密パターンの樹脂層を形成することのできる樹脂組成物及びそれを用いて形成された層間絶縁膜、表面保護膜、応力緩和膜等を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂、（Ｂ）室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂、（Ｃ）放射線重合性化合物及び（Ｄ）極性溶媒を含有してなる樹脂組成物は、室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂（Ｂ）によって室温におけるチキソトロピー性が付与されて塗布による精密なパターン形成が可能であり、塗布後の加熱乾燥前に放射線を照射することによって放射線重合体化合物（Ｃ）が重合し、加熱乾燥時等、塗布後の不必要な流動を抑制し、樹脂層形状の悪化を防止する。 （もっと読む）

【課題】チップの側面とコーナとを完全に密封し、チップへの水分や埃の侵入を防止することによってチップを保護するスロット付基板の提供。
【解決手段】スロット付基板は、一つの能動面３１と複数の金属板３３、３４、３５、３６とを有する。金属板３３、３４、３５、３６は能動面３１に形成されている。各金属板３３、３４、３５、３６は、第一表面と第二表面とを有し、第一表面は能動面３１に接続されている。少なくとも一つの金属板は、第二表面に形成された少なくとも一つのスロット３５３、３５４を有する。スロット付基板によれば、チップ３２と金属板３３、３４、３５、３６とを接続させる樹脂３７は、チップ３２の側面とコーナとを完全に封止することができるので、チップ３２への水や埃の侵入が防止されてチップが保護される。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ接続された半導体チップを有し、この半導体チップの裏面を保護できるとともに、この半導体チップの反りを低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１は、配線基板２と半導体チップ３とを含む。半導体チップ３は、機能素子４が形成された機能面３ａを有し、機能面３ａを配線基板２の表面２ａに対向させて接合されている。配線基板２と半導体チップ３との間には、アンダーフィル膜５が埋められている。機能面３ａとは反対側の面である裏面３ｂには、裏面３ｂを保護するとともに、半導体チップ３の機能面３ａ側と裏面３ｂ側とでの熱膨張差をなくすための裏面保護膜８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板のそりを防止するとともに、この半導体基板の実装強度を向上させることができ、さらには放熱特性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明のウエハレベル・チップサイズ・パッケージ（ＷＬＣＳＰ）は、シリコン基板２１の表面２１ａに集積回路２２が形成され、この集積回路２２を含む表面２１ａ上に樹脂封止層２３が形成され、樹脂封止層２３の表面２３ａには、外部端子２４の一部が露出され、シリコン基板２１の裏面２１ｂには、溝２７が複数本、格子状に形成され、樹脂封止層２３の表面２３ａには、外部端子２４を個々に区画する様に溝２８が複数本、格子状に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）