【課題】電子デバイスを低温で緊密に封止するのに有用なフィルム状封止剤、この封止剤を用いた封止方法を提供する。
【解決手段】デバイスの少なくとも一部を、共重合ポリアミド系樹脂を含むフィルム状封止剤で覆い、封止剤を加熱溶融させて冷却し、デバイスを被覆して封止する。共重合ポリアミド系樹脂の融点又は軟化点は７５〜１６０℃であり、結晶性を有していてもよい。共重合ポリアミド系樹脂は、多元共重合体であってもよく、Ｃ_８−１６アルキレン基を有する長鎖成分（Ｃ_９−１７ラクタム及びアミノＣ_９−１７アルカンカルボン酸など）に由来する単位を含んでいてもよい。フィルム状封止剤は、デバイスの一方の面を被覆してもよい。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜（特に、低誘電率絶縁膜）が剥離することを防止すると共に、封止樹脂がチップの裏面上に這い上がることを防止する。
【解決手段】半導体装置は、基板１０と、基板１０上に形成された層間絶縁膜１１と、層間絶縁膜１１上に形成されたパッドとを有するチップ１２と、ランドを有し、パッドとランドとが対向するように配置された実装基板１４と、パッドとランドとを電気的に接続するバンプ１５と、チップ１２と実装基板１４との間に充填される封止樹脂１６とを備えている。チップ１２の側面は、下部領域１７ａと、上部領域１７ｃと、下部領域１７ａと上部領域１７ｃとの間に位置する中央領域１７ｂとを有している。上部領域１７ｃは、層間絶縁膜１１の側面を含む。中央領域１７ｂの粗度は、下部領域１７ａの粗度及び上部領域１７ｃの粗度よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】Ｂステージにおいてタックフリーを実現することができ、ボンディング時に溶融粘度を低下させることができるとともに、適度な速度で硬化反応を進行させて、ポストキュア時の剥離や流れ出しを抑制し、優れた接着強度を有し、優れた接着性を維持することができるエポキシ樹脂組成物及びそれを使用した半導体素子を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定構造のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、及び式（２）


で示されるナフタレン型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種の結晶性エポキシ樹脂１５〜５７．５質量％、（Ｂ）硬化剤として酸無水物及びフェノール樹脂の合計量３〜５０質量％、（Ｃ）硬化促進剤０．１〜２質量％を含むエポキシ樹脂組成物及びそれを使用する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体素子が繰り返し高温で動作してヒートサイクルを受ける場合も、接合材のクラックや配線の劣化による動作不良を起こし難い信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上１に設けられた電極パターン２上面に接合材７，７０を介して半導体素子５，６が固着された半導体素子基板４を金属のベース板１０上に配置し、少なくとも絶縁基板および半導体素子を封止樹脂１２により被覆した半導体装置において、半導体素子の電極パターンに接合された面とは逆の面の一部と接触するように、封止樹脂よりも線膨張率が大きい膨張押圧部材９を封止樹脂で被覆されるように設けた。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する保護材料が表面に形成された半導体装置を作製するにあたり、保護材料設置の際や接着処理の際に保護材料に位置ズレが生じても、端子部上に保護材料が接着される部分が発生することがなく、高い歩留まりを維持することが可能な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板１００上に設けられた端子部１０４の長さが５ｍｍ以下である場合において、端子部１０４の長さをＸとすると、素子部上に厚さ０．３８Ｘ以上２ｍｍ以下の段差層を設けることにより、段差層上に素子部を覆う状態に設置された保護材料１１０が端子部１０４上に重畳しても、端子部１０４表面と保護材料１１０の間に空間が設けられる。この状態で、表面硬度５０以上１００以下の弾性材料を備えた貼り合わせ部材１１６を用いて、保護材料１１０と基板１００を貼り合わせればよい。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ歩留り良く行なうことのできる電子部品の封止方法を提供する。
【解決手段】基板上に実装された電子部品を熱硬化性樹脂組成物からなるシートで被覆し、加熱硬化する電子部品の封止方法であって、
硬化前の１００℃における溶融粘度が０．１〜５０Ｐａ・ｓであり、基板上のレジスト膜に対する硬化後の接触角が２０〜１００度である熱硬化性樹脂組成物からなるシートで前記電子部品を被覆し、電子部品と基板との接触部周辺を密閉して電子部品と基板との間に隙間を形成させることを特徴とする電子部品の封止方法である。 （もっと読む）

【課題】良好なダイシング性を発揮しつつ、半導体ウェハのダイシングにより得られる半導体チップへのバリの発生を防止することができ、これにより製造歩留まりを向上させつつ信頼性の高い半導体装置を製造可能なダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】基材及び粘着剤層がこの順で積層されたダイシングテープと、このダイシングテープの粘着剤層上に積層された半導体裏面用フィルムとを有するダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムであって、前記粘着剤層の厚さが２０μｍ以上４０μｍ以下であるダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。 （もっと読む）

【課題】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子に反りが発生するのを抑制又は防止することが可能なフリップチップ型半導体裏面用フィルム、及びダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、熱硬化前のフリップチップ型半導体裏面用フィルムの全体積に対する、熱硬化による収縮量が２体積％以上３０体積％以下であるフリップチップ型半導体裏面用フィルム。 （もっと読む）

【課題】 注入された樹脂によるワイヤ流れやワイヤショートを防止可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、半導体チップ１０９を配線基板１００上に搭載し、配線基板１００と半導体チップ１０９とを、第１のワイヤ群１２０と、前記第１のワイヤ群よりもワイヤ長が短い第２のワイヤ群１１８とを張設して接続し、第１のワイヤ群１２０から第２のワイヤ群１１８に向けて封止樹脂３０７を注入して半導体チップ１０９、第１のワイヤ群１２０、第２のワイヤ群１１８を覆う封止体４０１を形成する。 （もっと読む）

【課題】フェースダウン方式で実装される半導体チップの裏面を保護する機能に加え、樹脂封止後のウエハの反りを矯正してウエハレベルでの半導体装置の反りを低減可能なチップ保護用フィルムを提供する。
【解決手段】チップ保護用フィルム１０は、ＷＬ−ＣＳＰ技術を用いた樹脂封止型半導体装置に用いられるチップ保護用フィルム１０であって、（Ａ）バインダーポリマー成分、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）エポキシ樹脂の硬化剤、（Ｄ）シリカ、及び（Ｅ）染料及び／又は顔料を必須成分として含有し、（Ｄ）シリカの含有量が全体の５０〜８０質量％であり、且つ、（Ａ）バインダーポリマー成分と（Ｂ）エポキシ樹脂の質量比〔（Ｂ）／（Ａ）〕が４〜７の範囲である硬化性保護膜形成層１２を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が向上した発光装置を提供すること。
【解決手段】本発明に従う発光素子は、胴体と、上記胴体に設けられた複数の電極と、上記胴体に設けられ、上記複数の電極と電気的に連結されて光を生成する発光チップと、上記複数の電極と電気的に連結され、上記発光チップを冷却させる熱電素子（Thermo Electric Cooler Module）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】直貼り構造を有する光学デバイス装置及びその製造方法において、素子領域に対する位置がずれることなく透光性部材を接着できる。
【解決手段】光学デバイス装置では、半導体基板４の上面４Ａに素子領域１ａが形成されており、透光性部材２は透光性接着剤を介して素子領域１ａに接着されている。半導体基板４の上面４Ａのうち素子領域１ａよりも外側には堰部６が形成されており、堰部６の上面には凸部６１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、半導体基板の側面や裏面が樹脂層により被覆されないため、半導体基板端部が欠け易く、遮光性や耐湿性に適さないという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置１では、半導体層１１の表面側に配線層１３、１９が形成され、配線層１３、１９を被覆するように樹脂層８が形成される。また、半導体層１１の裏面側を被覆するように樹脂層９が形成される。そして、半導体層１１の表面側から形成された溝２８は樹脂層８により埋設され、半導体層１１の裏面側から形成された溝２９は樹脂層９により埋設される。この構造により、半導体層１１は、半導体装置１から露出することなく、半導体層１１が欠け難く、遮光性に優れたパッケージ構造が実現される。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高く、かつ、基板設計における設計自由度の高い電子装置および電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】主面に電極が形成された電子素子１１と、一方の面は配線パターン１２ａが形成され、他方の面はパッド電極１６を含んでいるインターポーザ基板１２と、一方の面にパッド電極１９を含んでいるマザー基板１８とを含み、電子素子１１の電極と配線パターン１２ａとが、第１のバンプ１３を介して電気的に接続されて接続部が形成されることで、電子素子１１がインターポーザ基板１２上に対面した状態で実装され、接続部が、封止樹脂１４で封止され、パッド電極１６およびパッド電極１９とが、第２のバンプ１７を介して電気的に接続されて接続部が形成されることで、インターポーザ基板１２がマザー基板１８上に実装され、電子素子１１とインターポーザ基板１２との接続領域が、パッド電極１６のピッチ間に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
無機充填材の詰まりやボイドなどの問題の無い、ＣＯＦ方式あるいはＳＯＦ方式で組み立てられる半導体装置に用いられる液状封止樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】
耐熱性フィルム上の回路と、その回路上に搭載される半導体素子との接続部が２個以上存在し、その接続部において耐熱性フィルムと半導体素子との隙間が１０μｍ以上５０μｍ以下で、且つ隣接する接続部同士の間隔が５μｍ以上２５μｍ以下の部位を有する半導体装置に用いられる液状封止樹脂組成物であって、液状封止樹脂組成物が（Ａ）エポキシ樹脂（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材、及び（Ｄ）前記無機充填材の表面電荷を中和し得る添加剤を含み、無機充填材の含有量が１０重量％以上８０重量％以下であり、平均粒径が０．１μｍから０．５μｍで、最大粒径が５μｍ以下である液状封止樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、架橋反応を誘発する有機過酸化物を含有していないため、樹脂封止シートの流通段階で有機過酸化物の分解の恐れがなく、本発明の樹脂封止シートを太陽電池に使用した場合、従来の樹脂封止シートの特徴である透明性、接着性、耐クリープ性を維持したまま、架橋反応を誘発する有機過酸化物やその分解による太陽電池セル等の他の部材に対する悪影響を排除し、従来難しかった従来の架橋工程の排除による工程の高速化を実現し、太陽電池用ガラスや配線や発電セルの厚さ等の凹凸を樹脂封止シートで確実に隙間なく封止することができる樹脂封止シートの製造方法を提供する。
【解決手段】(ａ)有機過酸化物を含有しない電離性放射線架橋樹脂を成形して、樹脂封止シートを得る工程、
(ｂ)前記 (ａ)工程によって得られた樹脂封止シートに電離性放射線を照射してゲル分率を２〜６０ｗｔ％に調整する工程、及び
(ｃ)前記 (ｂ)工程によって得られた照射済み樹脂封止シートを用いて太陽電池モジュールを作製する工程、を含む太陽電池モジュールの製造方法であって、前記（ｃ）工程時に架橋工程を行わない、前記製造方法。 （もっと読む）

【課題】フィルム状にしたときの埋込性に十分に優れるとともに、接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能なアンダーフィル形成用接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】少なくとも、（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）潜在性硬化剤と、（Ｄ）無機フィラーと、を含有し、上記（Ａ）熱可塑性樹脂がビスフェノールＡ、Ｆ共重合型フェノキシ樹脂を含む、アンダーフィル形成用接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】低温時や高温時の反りによる熱応力に対して半導体チップの端面部とフィレットとの界面を効率的に補強し、この界面での剥離等を防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ２とインターポーザ７との間をアンダーフィル９で封止した半導体装置であって、半導体チップ２の端面部３の少なくとも一部に、深さ方向の幅Ｗ₁が３０〜５０μｍの水平方向に沿った線状の凹凸部５を垂直方向に複数設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】確実に電子部品をシールドすることができるとともに、低背化を伴う小型化を実現することができる電子部品モジュールの製造方法及び該製造方法を用いて製造した電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】第１工程は、集合基板１０を封止樹脂にて封止する。第２工程は、電子部品モジュール１の境界部分にて、封止樹脂の天面から、集合基板１０に向かって切り込み部１７を形成する。第３工程は、切り込み部１７の開口部及び天面を覆うようにシート状の導電性樹脂１８を載置する。第４工程は、所定の温度範囲で軟化し、加圧に対して導電性樹脂１８よりも変形量の大きいシート状の絶縁性樹脂１９を、導電性樹脂１８上に載置する。第５工程は、圧力及び熱を加えることにより、集合基板１０の少なくとも側面の一部及び天面を導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９で被覆する。第６工程は、それぞれの電子部品モジュール１に個片化する。 （もっと読む）

【課題】横型トランジスタが搭載され、ボンディング抵抗及び配線抵抗が低い半導体パッケージ及びこれを用いたＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】半導体パッケージ１において、内部に横型トランジスタが形成され、表面にトップソース電極及びトップドレイン電極が露出したチップ１５と、トップソース電極上及びトップドレイン電極上にそれぞれ搭載された複数個のバンプと、バンプを介してトップソース電極に接続されたプレート状のソース用フレーム１１と、バンプを介してトップドレイン電極に接続されたプレート状のドレイン用フレーム１２とを設ける。また、チップ１５、バンプ、ソース用フレーム及びドレイン用フレームをモールド部材２０により埋め込む。 （もっと読む）