【課題】 改善された充填材の分散性と硬化速度を有する低粘度毛細管流動アンダーフィル組成物を提供すること。
【解決手段】 本組成物の１態様は、１以上のエポキシ樹脂類（例えば、脂環族エポキシ樹脂）、１以上の触媒（例えば、超酸触媒）、及び１以上の不活性成分を含み、それは希釈剤（例えば、非導電性充填材）を含んでもよい。本発明の更なる態様は低粘度非エポキシ反応性希釈剤（例えば、ビニルエーテル）、及びポリオール類（例えば、ポリエステルポリオール類）をさらに含む。更なる態様は、本発明の低粘度アンダーフィル組成物を使用して電子部品を組み立てる方法である。より更なる態様は、本発明のアンダーフィル組成物を含む電子デバイス又は部品である。 （もっと読む）

【課題】 ＭＣＭのＣ４／はんだ相互接続を腐食から保護するため、及びＭＣＭのようなチップを含む部品を作るための、再加工可能なアンダーフィル及び／又はダム（外周シール）組成物を提供すること。
【解決手段】 本発明は、基板（１５）上に複数のチップ（１１ａ−１１ｉ）を含むマルチチップ・セラミック・モジュール（ＭＣＭ）（１０）のようなチップ含有電子デバイスを提供し、このチップは、１つ又は複数のチップがデバイスから取外されて交換されることを可能にする再加工可能な組成物（１６）でアンダーフィルされる。再加工可能な組成物は、非架橋性であって、且つマトリックスを形成するベース樹脂を、線状硬化性成分、又は好ましくは線状硬化性成分の組み合わせと共に含み、この硬化性成分は架橋性であり、硬化されると、ベース樹脂のマトリックス内に架橋されたドメインを形成する。Ｐｔのような適切な架橋触媒と、任意に、充填剤、好ましくはシラン表面処理シリカが用いられる。好ましいベース樹脂は線状ポリジメチルシロキサンであり、好ましい硬化性成分はビニル末端線状ポリジメチルシロキサン及び水素末端線状ポリジメチルシロキサンである。 （もっと読む）

【課題】側面からの水分浸透や剥離等を防止し、溝形成時に発生する切削屑が半導体回路形成面等へ付着し不具合を発生させるのを防止することができる半導体装置および半導体装置の実装体および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体チップ２を有する半導体ウエハ１の表面を第一の封止樹脂７で覆い、半導体チップ２間を第一の封止樹脂７側からダイシングすることにより、半導体チップ２間に、第一の封止樹脂７側から半導体回路形成層２ａを超える深さまで第一の溝１４を形成し、第一の封止樹脂７側から第一の溝１４に第二の封止樹脂１５を充填し、第一の溝１４より狭いダイシング幅Ｗ１によってダイシングし、第二の封止樹脂１５を第一の封止樹脂７の側面と半導体回路形成層２ａの側面と半導体チップ２の側面とに残した状態で、個片化する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置における半導体チップを適切に保護し、半導体チップが周囲の環境から受ける影響を抑制する。
【解決手段】半導体装置１０は、基板２０と半導体チップ３０との間の隙間を充填するアンダーフィル７０と、基板２０の一部を覆う封止樹脂層４０と備える。封止樹脂層４０は、半導体チップ３０の裏面が封止樹脂層４０から露出するように、半導体チップ３０の側面３０ａを側面３０ａにはみ出したアンダーフィル７０を介して封止する封止部４０ａと、側面３０ａにはみ出したアンダーフィル７０の上方の領域に設けられ、封止樹脂層４０の上面４０ｂより低い凹部４０ｃとを有する。これにより、フィレット７０ａが封止樹脂層４０から受ける力が減少し、半導体チップ３０からアンダーフィル７０に含まれるフィレット７０ａが剥離することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上にＢＣＢ等の低誘電率材料からなる絶縁膜と配線とが各々２層交互に積層されて設けられた半導体装置において、絶縁膜間で剥離が生じにくいようにする。
【解決手段】 シリコン基板１の上面に設けられた酸化シリコン等からなるパッシベーション膜３の上面の周辺部を除く領域にはＢＣＢ等の低誘電率材料からなる第１、第２の絶縁膜５、９と第１、第２の配線８、１２とが交互に積層されて設けられている。第２の配線１２を含む第２の絶縁膜９の上面および第１、第２の絶縁膜５、９の側面はエポキシ系樹脂等からなる封止膜１４によって覆われている。これにより、第１、第２の絶縁膜５、９間で剥離が生じにくいようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】素子側の形状を特定し、液状樹脂を供給する際の樹脂の流動を制御することにより高性能の素子封止構造を得る。
【解決手段】所定構造の素子を液体の樹脂で被覆し硬化させて封止した封止構造において、基板１０上の接続リード１２の高さを、少なくとも１箇所で接続リード１２周辺と同一とする。これにより、接続リード１２の両側面には段差がなくなっているため、接続リード１２に沿う樹脂の流動が生じることはなくなる。その結果、上記個所で機能領域へ向かう液体樹脂の流動が回避されるため、樹脂封止されてはならない部位が樹脂封止される問題が解決される。 （もっと読む）

【課題】従来のシルセスキオキサン骨格を有する酸無水物は、分子中にフレキシブルなメチレン結合を多数有するため、ガラス転移点や熱分解温度が低く、剛直で耐熱性に優れたかご型ケイ素骨格の特性を十分に発揮させるには至らなかった。
【解決手段】式（１）で示される酸無水物。ＸおよびＹはアルキル、シクロアルキル、アリールおよびアリールアルキルから独立して選択される基であり、Ｚは３価の脂環式基、または酸無水物基と共に環を形成する３価の飽和脂肪族基である。

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パワー半導体パッケージはダイを含み、その一方電極は伝導性クリップのウェブ部分に電気的かつ機械的に取付けられている。
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【課題】半導体素子の側面から能動面側への水分や不純物等の入り込みを防止することができ、しかも、斜面と接合用樹脂との間に気泡を残したまま接合用樹脂が固まってしまうといった不具合を防止できるようにした半導体素子及びその製造方法並びに、半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】フリップチップ実装されるＩＣチップ１０の能動面１には、インターポーザ６表面のパッド電極７にＡＣＦ５等を介して接合される複数個のスタッドバンプ４が設けられている。スタッドバンプ４はＩＣチップ１０の外周の４辺に沿って配置されている。また、このＩＣチップ１０の外周の４辺には、ＩＣチップ１０の側面２と能動面１とを繋ぐ斜面３が設けられており、この斜面３は凹面となっている。 （もっと読む）

【課題】回路基板に半導体部品をフリップチップ実装し、半導体部品と回路基板の間に樹脂材料を注入する発振器構造において、樹脂材料と回路基板との熱応力差を緩和する樹脂材料の最適樹脂量を注入した樹脂充填構造の電子部品を提供する。
【解決手段】フリップチップ実装される半導体部品３を収容するためのキャビティを有する容器に、半導体部品３をモールドすべくキャビティ内に、樹脂材料５を充填して成る電子部品において、キャビティの深さ（高さ）方向をＡとし、樹脂材料５の硬化後の高さをＢとしたときに、Ａ：Ｂ＝５：１の寸法関係とする。 （もっと読む）

【課題】従来のアンダーフィル材よりも低弾性率のアンダーフィル組成物を提供し、これを用いて接続信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ブタジエン化合物及びウレタン化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物Ａと、分子内に２つ以上のエポキシ基を有する化合物を少なくとも１種含む化合物Ｂと、硬化剤と、無機フィラーとを含むアンダーフィル組成物１６を、ＶＣＳＥＬ１５とプリント基板１１との間に充填して半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】樹脂内部や素子内部の検査を容易にし、また、ウエハレベルＣＳＰの光学デバイスへの適応を可能とした半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、少なくとも一面に電極２および光学素子４を備えた基板１と、該基板の一面を覆うように設けられた絶縁樹脂層１１と、該絶縁樹脂層上に設けられ、前記電極と電気的に接続された導電層１２と、該絶縁樹脂層および該導電層を被覆する封止樹脂層１３とを備え、前記絶縁樹脂層および封止樹脂層において、少なくとも前記光学素子と重なる部分は、前記光学素子にとって透過性を有する材料からなる。 （もっと読む）

【課題】電子部品を基体から取り外す場合に容易に基体から剥がすことができる樹脂組成物を提供する。
【解決手段】硬化性樹脂および発泡剤を含み、硬化性樹脂は、発泡剤のガス発生温度よりも低い温度で硬化可能であり、発泡剤の量が、硬化性樹脂と発泡剤の合計の０．０１〜３０重量％である封止用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】有機半導体の封止層形成時、および、封止層形成後に特性劣化が起こらない有機トランジスタおよびその製造方法を提供するものである。
【解決手段】有機半導体を覆うようにして第１の封止層が設けられ、該第１の封止層を覆うようにして第２の封止層が設けられたトランジスタであって、第１の封止層が、体積抵抗が１×１０^１２Ωｃｍ以上の含フッ素化合物からなることを特徴とする有機トランジスタである。
第１の封止層材料は有機半導体と接することから、有機半導体へダメージを与えない材料が良く、含フッ素化合物が好適である。
また、体積抵抗が１×１０^１２Ωｃｍ以上であれば、１．２×１０^４以上の良好なＯＮ／ＯＦＦ比を保持する有機トランジスタが得られる。 （もっと読む）

露出型ダイパッケージの製造方法。少なくともダイの一つの側に構造が形成される。このダイは基板上に配置され、封止される。その後、露出型ダイの表面をむき出しにするために、ダイは基板から取り除かれる。
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【課題】 ＬＥＤチップを実装する基板やその周囲に反射用の加工や反射部材等を設けることなく、チップ本体に形成される電極部によって特定の方向に指向性を有した発光効果を得ることができると共に、小型且つ薄型のパッケージに収容可能な発光ダイオードチップを提供することである。
【解決手段】 チップ本体１２と、このチップ本体１２の発光面１５ａに形成されるワイヤ１７の接続用の電極部１４とを備えた発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ１１において、前記電極部１４によって発光面１５ａの全域を被覆すると共に、電極部１４に前記発光面１５ａの一部を露出させる開口部１６を設けた。 （もっと読む）

【課題】 流動性に優れ、硬化後の反りの低減化ができて且つ耐熱衝撃性に優れた液状エポキシ樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 常温で液状のエポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）およびウレタン樹脂（Ｃ）を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、前記ウレタン樹脂（Ｃ）は、末端に水酸基を有するものであることを特徴とする液状エポキシ樹脂組成物である。本発明の液状エポキシ樹脂組成物において、前記ウレタン樹脂（Ｃ）の水酸基末端は、ウレタン樹脂主要構成成分のイソシアネート系化合物と水酸基含有化合物及び必要に応じて鎖延長剤を用いて反応させて得られたものである。また、前記液状エポキシ樹脂組成物は、充填剤（Ｄ）を含むことができて、アンダーフィル材用樹脂組成物に好適である。前記エポキシ樹脂組成物の硬化物により封止された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードとの膨張係数不整合が小さい発光ダイオード被覆用ガラスの提供。
【解決手段】波長４０５ｎｍの光に対する厚み１ｍｍでの内部透過率が８０％以上であって、下記酸化物基準のモル％表示で、ＴｅＯ_２ ４０〜５３％、ＧｅＯ_２ ０〜１０％、Ｂ_２Ｏ_３ ５〜３０％、Ｇａ_２Ｏ_３ ０〜１０％、Ｂｉ_２Ｏ_３ ０〜１０％、ＺｎＯ ３〜２０％、Ｙ_２Ｏ_３ ０〜３％、Ｌａ_２Ｏ_３ ０〜３％、Ｇｄ_２Ｏ_３ ０〜７％、Ｔａ_２Ｏ_５ ０〜５％、から本質的になり、ＴｅＯ_２＋Ｂ_２Ｏ_３が７５モル％以下である発光ダイオード素子被覆用ガラス。 （もっと読む）

【課題】 前記回路基板上に実装した半導体装置を封止を膜厚を抑えるとともに、安価で確実に封止する半導体装置の実装構造、及びその実装方法を提供する。
【解決手段】 回路基板１１上に半導体装置１２を実装する半導体装置１２の実装方法である。回路基板１１上に半導体装置１２を設け、半導体装置１２の第１導電部２２と回路基板１１の第２導電部２５とを配線１４により電気的に接続する。そして、半導体装置１２の周辺部となる回路基板１１上の少なくとも一部に、第１の樹脂１６の前駆体である第１前駆体液１６ａを配設する。その後、半導体装置１２と第１前駆体液１６ａとの間に、半導体装置１２及び配線１４を覆うようにして、第２の樹脂１５の前駆体であり、第１前駆体液１６ａより粘度が低い第２前駆体液１５ａを配設する。そして、第１前駆体液１６ａ及び第２前駆体液１５ａを一括して硬化させることで、第１の樹脂１６及び第２の樹脂１５とする。 （もっと読む）

【目的】ＩＣチップを管内に搭載した蛍光表示管において、ＩＣチップ及びその周辺の少なくとも一部分を蛍光表示管用ＩＣチップ被覆材で被覆した蛍光表示管を提供する。
【構成】導電性微粒子と有機金属を含有して構成されるダイボンディングペースト２３ＡでＩＣチップ１６を固着する。そして、金属粒子を含む金属酸化物微粒子と、金属アルコキシドと、有機溶剤とを含有し、さらに前記金属酸化物微粒子と大きさの異なる金属酸化物微粒子と、偏平状複合酸化物微粒子のうち少なくとも何れか一方を含有して構成された蛍光表示管用ＩＣチップ被覆材２５ＡでＩＣチップ１６及びその周辺の少なくとも一部分を覆うように塗布して被覆材層２５が形成されている。 （もっと読む）