【課題】半導体装置の信頼性を向上する。
【解決手段】配線基板７と、配線基板７上に金バンプを介してフリップチップ接続されたマイコンチップ１と、マイコンチップ１上に積層された第１メモリチップ２と、第１メモリチップ２と配線基板７を接続する複数のワイヤ９と、マイコンチップ１のフリップチップ接続部に充填されたアンダーフィルと、マイコンチップ１及び第１メモリチップ２を樹脂封止する封止体とを有する。さらに、アンダーフィル注入時のエアベント側の角部に対応した配線基板７のソルダレジスト膜７ｆの第２開口部７ｉにおいて、第２開口部７ｉの角部をマイコンチップ１に近づけたことにより、第２開口部７ｉにおける前記アンダーフィルの濡れ広がりを向上させることができ、第２開口部７ｉにおけるリード露出を低減して半導体装置の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を構成する封止樹脂（アンダーフィル材とモールド材）の内部欠陥を防止して信頼性の向上を図った半導体装置を提供する。
【解決手段】基板２と、前記基板２の少なくとも一方側に設けられる半導体素子３と、前記基板１と、前記半導体素子３との間を封止する第１の封止樹脂組成物で構成される第１の封止樹脂４と、前記半導体素子３の少なくとも側部全周を包囲する第２の封止樹脂組成物で構成される第２の封止樹脂５とを有し、前記第１の硬化性樹脂を封止した後、前記第２の封止樹脂５で前記半導体素子３の少なくとも側部全周を包囲する半導体装置であって、前記第１の封止樹脂組成物の２００℃において固形および揮発する成分以外の成分が０．５重量％以下であることを特徴とする半導体装置１である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造歩留まり、信頼性を向上させる。
【解決手段】配線基板の素子搭載領域外に、ゴム部材を接触させ、前記ゴム部材の未重合成分を前記素子搭載領域外に転写させる。次いで、前記素子搭載領域に、半導体素子を実装し、前記配線基板と前記半導体素子との間隙に、封止用樹脂材を充填する。そして、前記封止用樹脂材を硬化させ、前記配線基板と前記半導体素子との前記間隙に、アンダーフィル材で構成される封止用樹脂を形成する。これにより、半導体装置の製造歩留まり、信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】金または銀を含む金属電極に対して優れた接着性を有する半導体用硬化性シリコーン組成物及びそれを用いた高信頼性の半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）１分子中にアルケニル基を２個以上有するポリオルガノシロキサン、（Ｂ）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を２個以上有するオルガノシロキサンオリゴマーと少なくとも１個のアルケニル基を有するイソシアヌレート化合物との反応生成物を含むポリオルガノハイドロジェンシロキサン、および（Ｃ）ヒドロシリル化反応触媒及び／又はラジカル開始剤を含有し、（Ｂ）成分の配合量が、前記（Ａ）成分のアルケニル基１モルに対して、ケイ素原子に結合した水素原子が０．０１〜３．０モルとなる量（但し、前記オルガノシロキサンオリゴマーとイソシアヌレートとの反応生成物の配合量が０．０１〜１．５モルとなる量）である。 （もっと読む）

【課題】半導体電子部品がアンダーフィル封止されてなる半導体装置において、半導体電子部品の側面へのアンダーフィルの這い上がり不足を解消して十分なアンダーフィル封止強度を確保するとともに、アンダーフィルの基板表面への不要な流動拡散を防止する。
【解決手段】ソルダーレジスト膜層３を有する基板２上に実装された略矩形平面形状を有する半導体電子部品１０がアンダーフィル５により封止されてなり、基板と半導体電子部品には親水性を向上させるための表面改質処理が施され、前記ソルダーレジスト膜層には、前記半導体電子部品の実装領域の周囲に、当該半導体電子部品の外形形状に沿う溝３０が画成され、当該溝の２重輪郭線の内側の線３１の４隅３３はＲ状であり、外側の線３２の４隅３４は直角である半導体装置１ａとした。 （もっと読む）

【課題】良好な分散性を示し、絶縁信頼性が高く、感光性を有する高熱伝導率樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素および窒化硼素からなる群より選択される少なくとも１種の無機粒子、（Ｂ）特定の脂環及び芳香環式炭化水素基を有する重合性（メタ）アクリル系モノマー、および（Ｃ）有機溶媒を含むペースト組成物であって、該ペースト組成物を硬化させた場合には、高熱伝導率樹脂が得られることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高周波向けの半導体素子が形成された半導体チップを搭載する半導体装置において、電気的特性の向上を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】チップ搭載部２は、底部と、この底部を囲むように形成された側壁部を有する凹形状部を備えており、半導体チップ３の裏面とチップ搭載部２の底部表面とを対向させて、チップ搭載部２の底部の中央位置に半導体チップ３を接合した後、底部裏面側から成型金型に樹脂を注入することによりチップ搭載部２の凹形状部の内側に空気層７を残し、その空気層７で半導体チップ３の周囲を覆うことで、半導体チップ３の上面および側面と接触しない封止体６を形成する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な半導体チップ及び半導体装置を提供する。
【解決手段】上面、底面、及びこれらの面を接続する側面１３を有する半導体基板１１と、上面にあり、半導体基板１１に形成された半導体素子と接続された上部配線１５と、底面にあり、側面１３で囲まれた内側に側面１３から離間して配置された複数の接続端子２６と、半導体基板１１を貫通する貫通孔２１を通り、上部配線１５と接続端子２６とを電気接続する貫通配線２５と、接続端子２６間の底面にあり、接続端子２６とは凹部３１を隔てて配置された絶縁性の分離膜２７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】発熱部品の放熱効果を高める。
【解決手段】複数のＭＯＳＦＥＴ１を金属板９の上面９ｂに密着状態で載置して、樹脂モールド電子部品１３を製造する。樹脂モールド電子部品１３は金属板９を離脱させることで、金属板９に接触している各放熱面１ａが、樹脂モールド部１１の金属板９に密着した取付面１１ａとともに同一面となる。樹脂モールド電子部品１３を装置ケース内に収容配置する際には、各放熱面１ａ側を装置ケースの内面に密着させた状態とする。 （もっと読む）

【課題】パッケージング処理中に異なる応力下で起こり得る配線の破損を防止することと、リードフレームの空間を効率的に利用して、除去する動作バーの容量をさらに低減すること。
【解決手段】発光ダイオードパッケージ構造は伝導性組立品、半導体チップ、パッケージ本体を含んでいる。伝導性組立品は、チップ支持部とボンディング支持部を含んでいる。チップ支持部にはキャリア面があり、ボンディング支持部にはキャリア面を包囲する少なくとも１個の配線部分がある。半導体チップはキャリア面上に配置され、配線を介して配線部分に電気的に接続している。次に、パッケージは、半導体チップ、配線、キャリア面、配線部分を封入するために使用され、発光ダイオードパッケージ構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】集積回路素子裏面の電位を基準電位に保ちながら、フレキシブルプリント配線板の面積の増大を抑制できる集積回路を提供すること。
【解決手段】集積回路１は、配線パターン４を有するフレキシブルプリント配線板２と、配線パターン４上の一部に覆設された絶縁性保護膜７と、少なくとも絶縁性保護膜７上の一部に覆設され、かつ基準電位に接続される導電性接着膜８と、導電性接着膜８上に接して配置された集積回路素子１とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チップサイズの大型化に際しても、封止用絶縁樹脂と半導体チップ間での剥離を抑制し、信頼性の優れた半導体チップ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体チップの回路形成面の裏面に表面に応力緩和層を有することを特徴とする半導体装置とする。さらに該応力緩和層として、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、フッ素化ポリイミド、多孔質ＰＴＦＥから選択されたポリマーからなることを特徴とする半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】実装時の半導体基板のチッピングが防止された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、半導体基板１２と、半導体基板１２の下面に設けた電極２０と、半導体基板１２の上下主面の周辺部に設けた傾斜面１６Ａ、１６Ｂと、半導体基板１２の上下主面を全面的に被覆する樹脂膜１８Ａ、１８Ｂを主要に備えた構成となっている。また、樹脂膜１８Ａは、傾斜面１６Ａも含めた半導体基板１２の下面を被覆している。そして、樹脂膜１８Ｂは、傾斜面１６Ｂも含めた半導体基板１２の上面を被覆している。係る構成により、半導体装置１０を実装する際のチッピングが防止される。 （もっと読む）

【課題】小型化でき、コストダウンできる圧電部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板２ｆ上に形成されたＩＤＴ２ａからなる振動部及びＩＤＴ２ａに接続されている素子配線を有する圧電素子２を設ける。圧電素子２と接合基板１とをＩＤＴ２ａと対向するように、バンプ３及び絶縁性の樹脂枠４により互いに接着する。接合基板１は、ＩＤＴ２ａと対向する一方主面に接合基板配線１ｂ、他方主面に外部端子５、接合基板端部にスルーホール１ａをそれぞれ備える。バンプ３と接合基板１の接合基板配線１ｂとを電気的に接続する。接合基板配線１ｂと外部端子５とを、スルーホール１ａを介して電気的に互いに接続する。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる半導体集積回路の破損を低減することを課題の一とする。また、薄型化された半導体集積回路の製造歩留まりを向上させることを課題の一とする。
【解決手段】半導体集積回路が有する半導体素子には単結晶半導体基板より分離された単結晶半導体層を用いる。さらに半導体集積回路が設けられた薄く成形された基板は樹脂層で覆われている。分断工程は、支持基板に半導体素子層を分断するための溝を形成し、溝の形成された支持基板上に樹脂層を設ける。その後、樹脂層及び支持基板を溝において切断して分断し、複数の半導体集積回路に分割する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードのパッケージング・グルーとその応用を提供する。
【解決手段】発光ダイオードのパッケージング・グルーは、ポリジメチルシロキサンである第１成分とジメチルシロキサン、メチル水素シロキサン及びビニルシロキサンを有る共重合体である第２成分とを含み、前記共重合体は重量濃度が９４％乃至９９％であって、前記ジメチルシロキサンは重量濃度が８４％乃至９０％であり、前記メチル水素シロキサンは重量濃度が４％乃至９％であり、前記ビニルシロキサンは重量濃度が２％乃至７％である。 （もっと読む）

【課題】高速ショットキーデバイス及びｐｎ接合デバイスにおける寄生容量を低減すると共にボンディング強度を改善する。
【解決手段】基板３０３と、基板３０３の上に配置される半導体デバイス３００、３０２、及び半導体デバイス３００、３０２との電気的接触を行うボンディング用パッド３０７を有し、ベンゾシクロブテンの層３０４が半導体デバイスの周辺に設けられ、ボンディング用パッド３０７がベンゾシクロブテンの層３０４の頂面に設けられる。 （もっと読む）

【課題】フェースダウン方式で実装される半導体チップの裏面を保護する機能に加え、樹脂封止後のウエハの反りを矯正してウエハレベルでの半導体装置の反りを低減可能なチップ保護用フィルムを提供すること。
【解決手段】本発明のチップ保護用フィルムは、ＷＬ−ＣＳＰ技術を用いた樹脂封止型半導体装置に用いられるチップ保護用フィルムであって、（Ａ）バインダーポリマー成分、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）エポキシ樹脂の硬化剤、（Ｄ）シリカ、及び（Ｅ）染料及び／又は顔料を必須成分として含有し、（Ｄ）シリカの含有量が全体の５０〜８０質量％であり、且つ、（Ａ）バインダーポリマー成分と（Ｂ）エポキシ樹脂の質量比〔（Ｂ）／（Ａ）〕が２〜８の範囲である硬化性保護膜形成層１２を有する。 （もっと読む）

【課題】放熱性を高めることができ且つフラックス洗浄工程が不要な発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１０をサブマウント部材３０に共晶接合するチップ搭載工程を行い（図１（ａ））、その後、サブマウント部材３０を伝熱板２１に共晶接合するサブマウント搭載工程を行う（図１（ｂ））。次に、配線基板２２を伝熱板２１の上記一表面側に固着する配線基板固着工程を行い（図１（ｃ））、ＬＥＤチップ１０と配線基板２２の配線パターン２３，２３とをボンディングワイヤ１４，１４を介して接続するワイヤボンディング工程、封止部５０の一部となる液状の封止樹脂５０ａを注入する樹脂注入工程を行い（図１（ｄ））、光学部材６０を配線基板２２に固着する光学部材固着工程を行い、色変換部材７０を配線基板２２に固着する色変換部材固着工程を行う（図１（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】 ２００℃以上の高温で半導体チップと基板とを接続する場合のボイド発生を抑制し、且つ、基板配線上にメッキされたスズの酸化による導電性物質の生成を抑制する効果を付与することで、高絶縁信頼性を発揮する半導体封止用接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】 （ａ）エポキシ樹脂と、（ｂ）硬化剤と、（ｃ）酸化防止剤と、を含有する、半導体封止用接着剤組成物。 （もっと読む）