【課題】不具合が発生することなく、半導体チップの周囲及び背面側を樹脂基板で封止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体１０に、接続電極２０ａを支持体１０側に向けて半導体チップ２０を仮固定する工程と、支持体１０及び半導体チップ２０の上に、半導体チップ２０を被覆する樹脂染込防止用絶縁層３０を形成する工程と、樹脂染込防止用絶縁層３０の上に、半導体チップ２０の周囲及び背面側を封止する樹脂基板５０を形成する工程と、支持体１０を除去することにより、半導体チップ２０の接続電極２０ａを露出させる工程とを含む。半導体チップ２０の接続電極２０ａにビルドアップ配線ＢＷが直接接続される。 （もっと読む）

【課題】ＭＡＰ法を用いても清浄度の高い雰囲気内で発塵を抑えることができる電子部品パッケージ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の電子部品パッケージは、一対の主面及び端面を有する回路基板１と、前記回路基板１の一方の主面上に実装された容量型湿度センサ４と、前記回路基板の端面以外の前記一方の主面上において前記容量型湿度センサ４を封止する封止樹脂２と、前記回路基板１の少なくとも前記端面の封止樹脂２を覆う端面保護層３と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップが樹脂部から抜け落ちることを防止でき、かつ、強度の向上が可能な半導体パッケージ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体パッケージは、半導体チップ２０と、前記半導体チップの側面を覆う樹脂部３０と、前記半導体チップの回路形成面上及び前記樹脂部の前記回路形成面と同一側の面上に形成され、前記半導体チップと電気的に接続された配線構造４０と、を有し、前記樹脂部は、前記半導体チップの前記回路形成面と反対側の面の一部を覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】レーザビームの照射以外の手段で、補強材を含むプリプレグを硬化することで形成された絶縁膜に開口を形成した端子構造およびその作製方法、ならびに電子装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】端子部を構成する凸部１２０を有する導電体を形成する。補強材を有する未硬化のプリプレグ１３０をこの導電体に密着させ、プリプレグ１３０を硬化して、補強材１３１を含む絶縁膜１４０を形成する。プリプレグ１３０を密着させる際に、凸部１２０に密着している領域にプリプレグ１３０の厚さが他の領域よりも薄い部分を形成することができる。そして、この絶縁膜全体の厚さを薄くすることで、膜厚が薄い部分に開口１４３を形成することができる。この薄膜化はエッチングで行うことができる。また、この工程で補強材１３１を除去しないことが好ましい。開口１４３に補強材１３１を残すことで端子および電子装置の強度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウエハーレベルパッケージとしても、信頼性に優れた液状封止樹脂組成物、およびこれを用いて作製した半導体パッケージを提供するものである。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）酸無水物、（Ｃ）無機充填材、および（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とし、前記（Ｄ）硬化促進剤がホスホニウム塩型硬化促進剤であり、前記（Ｃ）無機充填材が全液状封止用樹脂組成物に対して８０重量％以上９５重量％以下含まれる液状封止用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークを使用しなくても精度良くダイシングできる電子部品装置集合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実装基板２上に設置された複数個の電子部品３をエポキシ樹脂、フェノール樹脂、エラストマー、および無機質充填剤よりなるシート状封止材料４で覆い、加熱プレスすることにより封止した電子部品装置集合体であって、電子部品３の周端部上において、封止材料４をその厚み方向に隆起させて２５〜２００ｕｍ高さの凸状部を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと配線回路基板との接続部の絶縁信頼性を向上できる接着剤組成物を提供する。
【解決手段】半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において接続部を封止する接着剤組成物であって、重量平均分子量が１００００以上の高分子成分、高分子成分とは異なるエポキシ樹脂、硬化剤及びカルボン酸を含有し、圧着温度が２５０℃、圧着圧力が０．５ＭＰａ、圧着時間がＴ秒間である熱圧着条件において、熱圧着を開始してからＴ／２秒までにおける平均フロー量が０．２ｍｍ以上であり、Ｔ／２秒からＴ秒までにおける平均フロー量が０．３ｍｍ以下である、接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１は、ベース基板１０と、ベース基板１０上に設けられた、少なくとも１つの半導体チップ２０ａ、２０ｂと、半導体チップ２０ａ、２０ｂを覆いつつ、ベース基板１０に支持された樹脂ケース３０と、を備え、樹脂ケース３０内に、樹脂ケース３０内に発生するクラック４０の伸長を抑止する仕切り板３３ａｆ、３３ｂｆが設けられている。これにより、半導体装置１を長時間使用しても、クラック４０は樹脂部材３４Ｂ内でくい止められ、樹脂ケース３０の機械的強度、外観は保たれる。その結果、半導体装置１は、高い信頼性を有する。 （もっと読む）

【課題】洗浄の必要がなく、環境負荷を低減するとともに、電極表面に選択的に開口部を形成することや特定の表面を保護可能な選択的に硬化皮膜を形成する工程を含む電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面と、該表面に概略直交し、該表面とは異なる表面状態の端面とを有し、かつ端面のみに硬化皮膜を有する電子装置の製造方法であって、電子装置の端面に対する接触角が端面に連なる表面との接触角よりも小さい固化成形可能な液体を、端面の少なくとも一部に接するように塗布することにより、端面のみに該液体の塗膜を形成する工程、及び前記の塗膜を硬化させて硬化皮膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】フィルム状にしたときの埋込性に十分に優れるとともに、接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能な接着剤組成物、それを用いた回路部材接続用接着剤シート、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）潜在性硬化剤と、（Ｄ）無機フィラーと、（Ｅ）有機微粒子と、（Ｆ）室温で固体であり、最大粒径が２５μｍ以下である粉体化合物とを含み、（Ｆ）成分は、カルボキシル基を有する化合物、メチロール基を有する化合物及びヒドラジド化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物である接着剤組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】封止層中のボイドの形成を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１は、配線基板２と、この配線基板２の表面２ａに機能面３ａを対向させて接続された半導体チップ３とを含んでいる。配線基板２の表面２ａには、矩形状の接続パッドが形成されており、配線基板２と半導体チップ３とは、接続パッドに接続された接続部材５によって、所定間隔を保つように接合され、かつ互いに電気的に接続されている。配線基板２の表面２ａには、ソルダレジスト膜６が形成されている。ソルダレジスト膜６には、表面２ａを垂直に見下ろす平面視において、半導体チップ３よりも大きなサイズ、すなわち、その内部に半導体チップ３が完全に含まれるように形成された開口６ａが設けられている。配線基板２の表面２ａに設けられ接続部材５に接続された配線により形成された段差を除き、開口６ａ内には段差が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと配線基板の熱膨張係数の差による応力、外部端子にかかる応力を低減し、半導体装置、及び、二次実装の信頼性を向上させ、半導体装置の反りを低減し、実装精度の悪化や、はんだボールの接続不良の発生を抑える。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、貫通孔８ａを有する配線基板１と、基体の一面から突出するチップ支持部が設けられている支持基板を重ね合わせ、前記チップ支持部を前記貫通孔に挿入して、前記チップ支持部の先端を配線基板の一面から突出させる工程と、前記チップ支持部の先端上に半導体チップ９を載置する工程と、前記配線基板の一面上に前記半導体チップを覆う第一の封止樹脂１２を形成する工程と、前記支持基板が取り除かれることで開口した前記貫通孔に、第二の封止樹脂１３を充填して前記第一の封止樹脂と一体化させる工程と、を採用する。 （もっと読む）

【課題】実装リフロー時に、電子部品の下面側だけでなく、電子部品の上面側においても、電極部間が短絡することを防止する電子部品内蔵モジュールを提供する。
【解決手段】電子部品内蔵モジュールは、基板１０と、基板１０に搭載された半導体チップ１９と、基板１０に搭載された電子部品１６と、半導体チップ１９及び電子部品１６を封止する封止樹脂２４とを備えている。基板１０における電子部品１６が搭載された部品搭載面１１には、電子部品１６と電気的に接続される接続電極１２ａ，１２ｂが形成されている。電子部品１６は、はんだ１５ａ，１５ｂにより、各々が接続電極１２ａ，１２ｂに固着された一対の電極部１８ａ，１８ｂと、一対の電極部１８ａ，１８ｂ同士の間に挟み込まれた本体部１７とを有している。部品搭載面１１と本体部１７の上面との距離をａとし、部品搭載面１１と封止樹脂２４の上面との距離をｂとしたときに、ａ≧ｂである。 （もっと読む）

【課題】樹脂による封止構造を有する半導体装置の熱応力による破損を防止する。
【解決手段】本発明による半導体装置１００は、配線基板３と、配線基板３に導体バンプ４を介して回路面２が接合された半導体チップ１と、配線基板３と回路面２との間を封止するアンダーフィル樹脂５とを具備する。アンダーフィル樹脂５は、回路面２の裏面８の少なくとも一部を被覆している。 （もっと読む）

【課題】ダムを利用してフィルター部における配置及び配線の自由度を向上させることにより小型化が可能なＳＡＷデバイスを提供すること。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、実装基板２０と、導体バンプ１４と、実装基板２０にフリップチップ実装されたＳＡＷチップ１０と、ＳＡＷチップ１０を被覆する封止樹脂３０と、を含み、さらに、金属又は合金で構成され、封止樹脂３０の流入を阻止するためのダム１５が設けられている。ＳＡＷチップ１０の圧電基板１１には、直列に接続されたＳＡＷフィルター４０と５０を含むフィルター部１２が形成されている。ＳＡＷフィルター４０、５０は、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルターとして構成され、ＳＡＷフィルター４０のＩＤＴ４３の櫛形電極４３ａ及びＩＤＴ４５の櫛形電極４５ａと、ＳＡＷフィルター５０のＩＤＴ５３の櫛形電極５３ｂ及びＩＤＴ５５の櫛形電極５５ｂとがダム１５と配線接続されている。 （もっと読む）

【課題】 加熱雰囲気で保持後に、真空工法により半導体チップと基板の間隙に充填が可能なアンダーフィル用樹脂組成物を提供することである。特に、減圧かつ加熱雰囲気でアンダーフィル用樹脂組成物を塗布する真空工法で使用可能なアンダーフィル用樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）アミン系硬化剤、および（Ｃ）無機充填剤を含む組成物であって、温度：２５℃での粘度が１〜１５０Ｐａ・ｓであり、かつ温度：１００℃において粘度が１Ｐａ・ｓになるまでの時間が４０〜１８０分であることを特徴とする、アンダーフィル用液状樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】小さな光散乱角、小さな体積および高い信頼性を持つ光電送信又は受信素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】光電送信素子２は、基板２１、第１の導電層２４１、第２の導電層２４２および光電変換チップ２５を有する。基板は上側表面２１０および凹所２１１を有し、複合材料で作られる。凹所は、底部２１１ａおよび底部から上側表面まで上向きに伸びた内側側面の壁２１１ｂによって定められる。第１の導電層および第２の導電層は、基板の複合材料を活性化するレーザーを用いて形成される。第１の導電層は凹所の底部表面に設けられ、そして凹所の内側側面の壁および基板の上側表面に沿って外向きに伸びている。第２の導電層は、第１の導電層から電気的に絶縁され、そして基板の上側表面に沿って外向きに伸びている。光電変換チップは凹所の底部表面に設けられ、第１の導電層と第２の導電層とにそれぞれ電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ接続された半導体チップを有し、この半導体チップの裏面を保護できるとともに、この半導体チップの反りを低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１は、配線基板２と半導体チップ３とを含む。半導体チップ３は、機能素子４が形成された機能面３ａを有し、機能面３ａを配線基板２の表面２ａに対向させて接合されている。配線基板２と半導体チップ３との間には、アンダーフィル膜５が埋められている。機能面３ａとは反対側の面である裏面３ｂには、裏面３ｂを保護するとともに、半導体チップ３の機能面３ａ側と裏面３ｂ側とでの熱膨張差をなくすための裏面保護膜８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】端面からの水分や酸素の浸入がより抑制された封止された素子を提供する。
【解決手段】素子と、該素子を狭持して、端部において互いに接している一対のフレキシブルなガスバリアフィルムと、バリア性部材とを有し、前記一対のガスバリアフィルムの互いに接している領域の少なくとも一部に、凹部が設けられており、前記バリア性部材は、少なくとも、前記ガスバリアフィルムの端面と、前記ガスバリアフィルムであって、凹部が設けられている部分とを覆っている、封止された素子。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であり部材コストを低減できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置としてのマイクロマシン装置１は、基板１０と、前記基板１０の主面に設けられたＭＥＭＳ素子１６と、無機材料を含み前記基板１０の主面に設けられ気体を収容した中空部１７を介して前記ＭＥＭＳ素子１６を覆うとともに前記中空部１７に連通する開口形状部２１ａを有する内側無機封止膜２１と、有機材料を含み前記内側無機封止膜２１上に形成され前記開口形状部２１ａを塞ぐ有機封止膜２２と、無機材料を含み前記有機封止膜２２上に形成され前記有機封止膜２２を覆う外側無機封止膜２３と、前記有機封止膜２２を設ける工程と同様の薄膜形成工程により前記外側無機封止膜２３上に設けられ、前記外側無機封止膜２３を覆う補強層２４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）