半導体装置
【課題】封止層中のボイドの形成を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１は、配線基板２と、この配線基板２の表面２ａに機能面３ａを対向させて接続された半導体チップ３とを含んでいる。配線基板２の表面２ａには、矩形状の接続パッドが形成されており、配線基板２と半導体チップ３とは、接続パッドに接続された接続部材５によって、所定間隔を保つように接合され、かつ互いに電気的に接続されている。配線基板２の表面２ａには、ソルダレジスト膜６が形成されている。ソルダレジスト膜６には、表面２ａを垂直に見下ろす平面視において、半導体チップ３よりも大きなサイズ、すなわち、その内部に半導体チップ３が完全に含まれるように形成された開口６ａが設けられている。配線基板２の表面２ａに設けられ接続部材５に接続された配線により形成された段差を除き、開口６ａ内には段差が形成されていない。
【解決手段】この半導体装置１は、配線基板２と、この配線基板２の表面２ａに機能面３ａを対向させて接続された半導体チップ３とを含んでいる。配線基板２の表面２ａには、矩形状の接続パッドが形成されており、配線基板２と半導体チップ３とは、接続パッドに接続された接続部材５によって、所定間隔を保つように接合され、かつ互いに電気的に接続されている。配線基板２の表面２ａには、ソルダレジスト膜６が形成されている。ソルダレジスト膜６には、表面２ａを垂直に見下ろす平面視において、半導体チップ３よりも大きなサイズ、すなわち、その内部に半導体チップ３が完全に含まれるように形成された開口６ａが設けられている。配線基板２の表面２ａに設けられ接続部材５に接続された配線により形成された段差を除き、開口６ａ内には段差が形成されていない。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、フリップチップ接続された半導体チップを有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の小型化および高密度実装のために、半導体チップの機能素子が形成された機能面を固体装置に対向させて、半導体チップを固体装置に接続するフリップチップ接続構造が注目されている。
図４は、フリップチップ接続構造の半導体装置の図解的な断面図である。この半導体装置５１は、配線基板５２と、この配線基板５２の表面５２ａに機能面５３ａを対向させて接続された半導体チップ５３とを含んでいる。
【０００３】
配線基板５２の表面５２ａには、矩形状の接続パッド５８が形成されており、配線基板５２と半導体チップ５３とは、その接続パッド５８に接続された接続部材５５によって、所定間隔を保つように接合され、かつ互いに電気的に接続されている。また、配線基板５２の表面５２ａには、その表面５２ａと半導体チップ５３の機能面５３ａとの間隔より小さい厚みを有するソルダレジスト膜５６が形成されている。
【０００４】
ソルダレジスト膜５６には、接続パッド５８を露出させるための矩形状の開口５６ａが形成されている。この開口５６ａは、図５に示すように、平面視で接続パッド５８よりも大きく形成されており、この開口５６ａ内において、接続パッド５８に接続部材５５が接続されている。
また、ソルダレジスト膜５６の表面と半導体チップ５３の機能面５３ａとの間には、微小な隙間が形成されており、この隙間は、アンダーフィル層５７によって封止されている。このアンダーフィル層５７は、配線基板５２と半導体チップ５３との接合後に、それらの間に液状のアンダーフィル材を注入することによって形成される。
【０００５】
具体的には、配線基板５２と半導体チップ５３との接合後、図６Ａに示すように、半導体チップ５３の外周部の近傍に、ディスペンサ６０が配置されて、このディスペンサ６０からソルダレジスト膜５６の表面と半導体チップ５３の機能面５３ａとの間に液状のアンダーフィル材が流し込まれる。アンダーフィル材は、毛細管現象によって、図６Ｂに示すように、ソルダレジスト膜５６の表面と半導体チップ５３の機能面５３ａとの間に進入して広がっていく。そして、ソルダレジスト膜５６の表面と半導体チップ５３の機能面５３ａとの間の全域がアンダーフィル材で埋められると、ディスペンサ６０からのアンダーフィル材の吐出が停止され、その後、アンダーフィル材が硬化されることによって、アンダーフィル層５７が得られる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Chee Choong Kooi、他６名、"Capillary Underfill and Mold Encapsulation Materials for Exposed Die Flip Chip Molded Matrix Array Package with Thin Substrate"、2003 Electronics Packaging Technology Conference、p.324-330
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、開口５６ａ内と開口５６ａ外との間に段差が生じ、また、開口５６ａの上方が半導体チップ５３で制限されているため、アンダーフィル材が開口５６ａ内に流れ込むときに、その開口５６ａの周縁部（段差部分）に存在している空気が上手く抜けずに、アンダーフィル材に取り込まれて、アンダーフィル層５７に、いわゆるボイド６１を生じることがあった。たとえば、アンダーフィル層５７にボイドが生じていると、リフロー工程で、アンダーフィル層５７にクラックが発生し、半導体装置の信頼性の低下を招く。
【０００８】
そこで、この発明の目的は、封止層中のボイドの形成を防止できる構成の半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、表面（２ａ，２２ａ）と、この表面とは反対側の外部接続面（２ｂ，２２ｂ）とを有する固体装置（２，２２）と、活性面（３ａ）を有する半導体チップ（３）と、上記固体装置の上記表面と上記半導体チップの上記活性面との間に設けられ、上記固体装置の上記表面と上記半導体チップの上記活性面と間に渡って延び、均一な幅を有する接続部材（５，１６）と、上記固体装置の上記表面に設けられ、平面視において、上記半導体チップよりも大きなサイズに形成された開口（６ａ）を有する絶縁膜（６）と、上記開口、および上記固体装置と上記半導体チップとの間を完全に封止する封止層（７）とを含むことを特徴とする半導体装置（１，２１）である。
【００１０】
請求項２記載の発明は、表面（２ａ，２２ａ）と、この表面とは反対側の外部接続面（２ｂ，２２ｂ）とを有する固体装置（２）と、活性面（３ａ）を有する半導体チップ（３）と、上記固体装置の上記表面と上記半導体チップの上記活性面との間に設けられ、均一な幅を有する接続部材（５，１６）と、上記固体装置の上記表面に設けられ、平面視において、上記半導体チップよりも大きなサイズに形成された開口（６ａ）を有する絶縁膜（６）と、上記開口、および上記固体装置と上記半導体チップとの間を完全に封止する封止層（７）とを含み、上記固体装置の上記表面に設けられ上記接続部材に接続された配線により形成された段差を除き、上記絶縁膜の上記開口内には段差が形成されていないことを特徴とする半導体装置（１，２１）である。
【００１１】
請求項３記載の発明は、表面（２ａ，２２ａ）と、この表面とは反対側の外部接続面（２ｂ，２２ｂ）とを有する固体装置（２）と、活性面（３ａ）を有する半導体チップ（３）と、上記固体装置の上記表面と上記半導体チップの上記活性面との間に設けられ、均一な幅を有する接続部材（５，１６）と、上記固体装置の上記表面に設けられ、平面視において、上記半導体チップよりも大きなサイズに形成された開口（６ａ）を有する絶縁膜（６）と、上記開口、および上記固体装置と上記半導体チップとの間を完全に封止する封止層（７）とを含み、上記絶縁膜の上記開口内には段差が形成されていないことを特徴とする半導体装置（２１）である。
【００１２】
なお、括弧内の数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、絶縁膜の開口は、固体装置の半導体チップとの対向面を垂直に見下ろす平面視において、半導体チップよりも大きなサイズに形成されている。たとえば、請求項１７に記載のように、絶縁膜の開口は、固体装置の対向面を垂直に見下ろす平面視において、その中に半導体チップが完全に含まれるように形成されているものとすることができる。これにより、固体装置と半導体チップとの隙間に、絶縁膜の開口による段差が生じることを防止できるとともに、その開口周縁部の上方のスペースが半導体チップによって制限されることを防止できる。
【００１３】
そのため、この半導体装置の製造工程において、絶縁膜の形成および固体装置と半導体チップとの接合の後、封止層を形成するために、液状の封止樹脂材を固体装置と半導体チップとの隙間に充填する際、液状の封止樹脂材に空気が取り込まれることによるボイドの形成を防止することができる。その結果、この半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００１４】
固体装置の半導体チップとの対向面を垂直に見下ろす平面視において、半導体チップの外周と絶縁膜の開口縁部との間隔は、請求項１８に記載のように、０．１ｍｍ以上であることが好ましい。
固体装置は、絶縁基板に配線が形成されてなる配線基板であってもよく、半導体基板であってもよい。
【００１５】
絶縁膜は、請求項１５に記載のように、ソルダレジストであってもよい。この場合、ソルダレジストで覆われた領域における電気的短絡（ショート）を防止することができる。
上記封止層は、上記開口内を埋めつくすように設けられていてもよい。これにより、固体装置において、絶縁膜の開口からの露出部を封止層により保護することができる。
請求項４記載のように、上記固体装置の端面には、配線により上記接続部材と電気的に接続された端面電極が形成されていてもよい。この場合、請求項５記載のように、上記端面電極は、上記固体装置の上記表面から上記端面を経て上記外部接続面に至るように形成されていてもよく、請求項６記載のように、当該半導体装置は、上記端面電極において、他の配線基板との電気的接続を達成できるものであってもよい。
【００１６】
請求項７記載のように、上記固体装置において上記半導体チップとは反対側の面である外部接続面に、金属ボールが設けられており、上記金属ボールは、上記固体装置の内部で再配線されて、上記固体装置の上記表面側の上記接続部材に電気的に接続されていてもよい。請求項８記載のように、上記外部接続面に、金属ボールが設けられており、上記金属ボールは、上記固体装置の内部で再配線されて、上記固体装置の上記表面側の上記接続部材に電気的に接続されていてもよい。
【００１７】
請求項９記載のように、上記固体装置の上記表面において、上記絶縁膜の上記開口内には、上記固体装置の上記表面に形成された接続パッドを除いて、配線が形成されていなくてもよい。
請求項１０記載のように、当該半導体装置は、上記金属ボールを介して、他の配線基板との電気的接続を達成できるものであってもよい。
【００１８】
請求項１１記載のように、上記固体装置の上記表面には、接続パッドが設けられていてもよく、この場合、請求項１２記載のように、上記接続部材は、上記接続パッドを含んでもよく、この場合、請求項１３記載のように、上記固体装置と上記半導体チップとは、上記接続パッドを含む上記接続部材により、所定間隔を保つように接合されていてもよい。
請求項１４記載のように、上記固体装置と上記半導体チップとは、電気的に接続されていてもよい。
【００１９】
請求項１９記載のように、上記封止層によって、上記活性面、上記接続部材、および上記絶縁膜の上記開口からの上記固体装置の上記表面の露出部が保護されていてもよい。
請求項２０記載のように、上記固体装置に、２つ以上の上記半導体チップが、フリップチップ接続されていてもよく、この場合、請求項２１記載のように、上記絶縁膜には、２つ以上の上記開口が形成されており、平面視において、各開口には、上記半導体チップが完全に含まれていてもよい。
【００２０】
請求項１６記載のように、上記絶縁膜は、上記固体装置の上記表面と、上記半導体チップとの間隔よりも小さい厚みを有してもよい。
請求項２２記載のように、上記半導体チップは、１つの面のみに上記活性面を有してもよい。請求項２３記載のように、上記活性面は、上記半導体チップの１つの面の全面には形成されていなくてもよい。
【００２１】
請求項２４記載のように、上記封止層は、上記絶縁膜上を覆っていなくてもよい。請求項２５記載のように、上記封止層は、上記半導体チップの側面の一部を覆っていてもよい。請求項２６記載のように、上記封止層は、上記半導体チップにおいて上記活性面と反対側の上面には達していなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の図解的な断面図である。
【図２Ａ】図１に示す半導体装置の製造方法を説明するための図解的な断面図である。
【図２Ｂ】図１に示す半導体装置の製造方法を説明するための図解的な断面図である。
【図２Ｃ】図１に示す半導体装置の製造方法を説明するための図解的な断面図である。
【図２Ｄ】図１に示す半導体装置の製造方法を説明するための図解的な断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の図解的な断面図である。
【図４】フリップチップ接続された半導体チップを有する従来の半導体装置の構造を示す図解的な断面図である。
【図５】図４に示す配線基板の接続面を垂直に見下ろす図解的な平面図である。
【図６Ａ】図４に示す半導体装置の製造方法を説明するための図解的な断面図である。
【図６Ｂ】図４に示す半導体装置の製造方法を説明するための図解的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下では、この発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の図解的な断面図である。
この半導体装置１は、配線基板２と、この配線基板２の表面２ａに機能面（活性面）３ａを対向させて接続された半導体チップ３とを含んでいる。配線基板２の表面２ａには、矩形状の接続パッド（図２Ｃおよび図２Ｄ参照）が形成されており、配線基板２と半導体チップ３とは、その接続パッドに接続された接続部材５によって、所定間隔を保つように接合され、かつ互いに電気的に接続されている。
【００２４】
配線基板２の表面２ａには、その表面２ａと半導体チップ３との間隔より小さい厚みを有するソルダレジスト膜６が形成されている。このソルダレジスト膜６により、配線基板２の表面に形成されている配線間での電気的短絡が防止されている。ソルダレジスト膜６には、表面２ａを垂直に見下ろす平面視において、半導体チップ３よりも大きなサイズを有する開口６ａが形成されている。言い換えれば、ソルダレジスト膜６には、表面２ａを垂直に見下ろす平面視において、その内部に半導体チップ３が完全に含まれるようなサイズの開口６ａが形成されている。これにより、配線基板２と半導体チップ３との隙間Ｇ（配線基板２と半導体チップ３との間であって、表面２ａを垂直に見下ろす平面視において、半導体チップ３と重なる領域）には、ソルダレジスト膜６が存在していない。
【００２５】
表面２ａを垂直に見下ろす平面視において、半導体チップ３の外周とソルダレジスト膜６の開口６ａの縁部との間隔Ｄは、０．１ｍｍ以上にされている。
配線基板２と半導体チップ３との隙間Ｇおよびその周辺には、アンダーフィル層７が設けられている。アンダーフィル層７は、ソルダレジスト膜６の開口６ａを埋めつくすように形成されており、アンダーフィル層７によって、隙間Ｇが封止されるとともに、機能面３ａ、接続部材５、および開口６ａからの表面２ａの露出部が保護されている。
【００２６】
配線基板２の端部には、図示しない配線により接続部材５と電気的に接続された端面電極８が形成されている。端面電極８は、配線基板２の表面２ａから端面を経て、表面２ａの反対側の外部接続面２ｂに至るように形成されている。この半導体装置１は、端面電極８において、他の配線基板（実装基板）との電気的接続を達成することができる。
図２Ａないし図２Ｄは、図１に示す半導体装置１の製造方法を説明するための図解的な断面図である。半導体装置１は、配線基板２の表面２ａに対して、半導体チップ３を、その機能面３ａを対向させて接合した後、ソルダレジスト膜６の開口６ａ内にアンダーフィル材７Ｐを注入し、そのアンダーフィル材７Ｐを硬化させてアンダーフィル層７を形成することによって得られる。
【００２７】
具体的には、先ず、複数の配線基板２が作り込まれた基板１５が用意される。
次に、この基板１５の表面１５ａ（配線基板２の表面２ａに対応する面）の全面に液状で感光性を有するソルダレジスト膜６が塗布（たとえば、スピンコートによる）または印刷された後、露光および現像により、半導体チップ３よりも大きなサイズを有する開口６ａが形成される。
【００２８】
次に、機能素子４の電極に接続された突起電極（バンプ）１８を有する半導体チップ３が用意される。突起電極１８は、はんだ材料を含む。
続いて、基板１５が、表面１５ａを上に向けられ、ほぼ水平な姿勢で保持される。そして、内部にヒータを備えて加熱することが可能なボンディングツール１９により、半導体チップ３が、その機能面３ａと反対側の面を吸着されて保持される。半導体チップ３は、機能面３ａが下方に向けられて基板１５の表面１５ａに対向される。この状態が、図２Ａに示されている。
【００２９】
続いて、半導体チップ３の突起電極１８が基板１５の接続パッド１６に当接するように位置合わせされた後、ボンディングツール１９が下降されて、半導体チップ３が基板１５に接合される。この際、ボンディングツール１９により、半導体チップ３が加熱され、その熱により突起電極１８のはんだ材料が溶融されて、突起電極１８と接続パッド１６とが接合される。これにより、基板１５と半導体チップ３とを機械的に接合する接続部材５が形成される。接続部材５により、基板１５の表面１５ａに形成された配線と、半導体チップ３の機能素子４とが電気的に接続される。
【００３０】
続いて、ソルダレジスト膜６の開口６ａの周縁部上方に、ディスペンサ１０が配置されて、そのディスペンサ１０から開口６ａ内にアンダーフィル材７Ｐが注入される（図２Ｂ参照）。
アンダーフィル材７Ｐは、毛細管現象により、基板１５と半導体チップ３との隙間Ｇに進入していき、この隙間Ｇ内を表面２ａに沿って広がっていく（図２Ｃ参照。アンダーフィル材７Ｐが広がる方向を、図２Ｃに矢印Ａで示す。）。そして、ディスペンサ１０から適当な量のアンダーフィル材７Ｐが吐出され、隙間Ｇおよびソルダレジスト膜６の開口６ａの内部がアンダーフィル材７Ｐで埋められると、アンダーフィル材７Ｐの吐出は停止される。その後、アンダーフィル材７Ｐを硬化させるための処理が行われて、開口６ａ内にアンダーフィル層７が形成される。
【００３１】
その後、基板１５が配線基板２の個片に切断され（切断位置を、図２Ａに符号Ｃで示す。）、配線基板２の端部に端面電極８が形成されて、図１に示す半導体装置１が得られる。
以上のように、ソルダレジスト膜６の開口６ａは、表面１５ａを垂直に見下ろす平面視において、その中に半導体チップ３が完全に含まれるように形成される。これにより、基板１５と半導体チップ３との隙間Ｇに、ソルダレジスト膜６の開口６ａによる段差が生じることを防止できるとともに、その開口６ａ周縁部の上方のスペースが半導体チップ３によって制限されることを防止できる。
【００３２】
このため、液状のアンダーフィル材７Ｐを基板１５と半導体チップ３との隙間Ｇに充填する際、アンダーフィル材７Ｐに空気が取り込まれることによるボイドの形成を防止することができる。その結果、得られたこの半導体装置１の信頼性を向上させることができる。
アンダーフィル層７にボイドが含まれていないことにより、この半導体装置１を、たとえば、リフローにより他の配線基板に接合してもボイドに起因するクラックは生じない。
【００３３】
図３は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の図解的な断面図である。図３において、図１に示す各部に対応する部分には、図１と同じ参照符号を付している。
この半導体装置２１は、配線基板２２と、この配線基板２２の表面２２ａに機能面３ａを対向させて接続された半導体チップ３とを含んでいる。
配線基板２２の表面２２ａには、ソルダレジスト膜６が形成されている。ソルダレジスト膜６には、表面２２ａを垂直に見下ろす平面視において、半導体チップ３よりも大きなサイズの、すなわち、その内部に半導体チップ３が完全に含まれるように形成された開口６ａが設けられている。
【００３４】
配線基板２２において、表面２２ａと反対側の外部接続面２２ｂには、金属ボール２３が設けられている。金属ボール２３は、配線基板２２の内部および／または表面で再配線されて、表面２２ａ側の接続部材５に電気的に接続されている。この半導体装置２１は、金属ボール２３を介して、他の配線基板（実装基板）に接合できる。
この半導体装置２１を製造する場合は、基板１５の代わりに、複数の配線基板２２に相当する領域が密に形成された基板を用いて、上記と同様の製造方法（図２Ａないし図２Ｄ参照）を実施すればよい。金属ボール２３は、基板を配線基板２２の個片に切り出す前に、この基板に接合されてもよく、配線基板２２の個片が切り出された後に、この配線基板２２に接合されてもよい。
【００３５】
本発明の実施形態の説明は以上の通りであるが、本発明は、別の形態でも実施できる。たとえば、配線基板２，２２には、２つ以上の半導体チップ３がフリップチップ接続されていてもよい。この場合、ソルダレジスト膜６には、表面２ａ，２２ａを垂直に見下ろす平面視において、各半導体チップ３を完全に含む１つまたは２つ以上の開口６ａが形成されているものとすることができる。
【００３６】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００３７】
１，２１ 半導体装置
２，２２ 配線基板
２ａ，２２ａ 表面
３ 半導体チップ
３ａ 機能面
４ 機能素子
６ ソルダレジスト膜
６ａ ソルダレジスト膜の開口
７ 封止樹脂
Ｇ 配線基板と半導体チップとの隙間
【技術分野】
【０００１】
この発明は、フリップチップ接続された半導体チップを有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の小型化および高密度実装のために、半導体チップの機能素子が形成された機能面を固体装置に対向させて、半導体チップを固体装置に接続するフリップチップ接続構造が注目されている。
図４は、フリップチップ接続構造の半導体装置の図解的な断面図である。この半導体装置５１は、配線基板５２と、この配線基板５２の表面５２ａに機能面５３ａを対向させて接続された半導体チップ５３とを含んでいる。
【０００３】
配線基板５２の表面５２ａには、矩形状の接続パッド５８が形成されており、配線基板５２と半導体チップ５３とは、その接続パッド５８に接続された接続部材５５によって、所定間隔を保つように接合され、かつ互いに電気的に接続されている。また、配線基板５２の表面５２ａには、その表面５２ａと半導体チップ５３の機能面５３ａとの間隔より小さい厚みを有するソルダレジスト膜５６が形成されている。
【０００４】
ソルダレジスト膜５６には、接続パッド５８を露出させるための矩形状の開口５６ａが形成されている。この開口５６ａは、図５に示すように、平面視で接続パッド５８よりも大きく形成されており、この開口５６ａ内において、接続パッド５８に接続部材５５が接続されている。
また、ソルダレジスト膜５６の表面と半導体チップ５３の機能面５３ａとの間には、微小な隙間が形成されており、この隙間は、アンダーフィル層５７によって封止されている。このアンダーフィル層５７は、配線基板５２と半導体チップ５３との接合後に、それらの間に液状のアンダーフィル材を注入することによって形成される。
【０００５】
具体的には、配線基板５２と半導体チップ５３との接合後、図６Ａに示すように、半導体チップ５３の外周部の近傍に、ディスペンサ６０が配置されて、このディスペンサ６０からソルダレジスト膜５６の表面と半導体チップ５３の機能面５３ａとの間に液状のアンダーフィル材が流し込まれる。アンダーフィル材は、毛細管現象によって、図６Ｂに示すように、ソルダレジスト膜５６の表面と半導体チップ５３の機能面５３ａとの間に進入して広がっていく。そして、ソルダレジスト膜５６の表面と半導体チップ５３の機能面５３ａとの間の全域がアンダーフィル材で埋められると、ディスペンサ６０からのアンダーフィル材の吐出が停止され、その後、アンダーフィル材が硬化されることによって、アンダーフィル層５７が得られる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Chee Choong Kooi、他６名、"Capillary Underfill and Mold Encapsulation Materials for Exposed Die Flip Chip Molded Matrix Array Package with Thin Substrate"、2003 Electronics Packaging Technology Conference、p.324-330
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、開口５６ａ内と開口５６ａ外との間に段差が生じ、また、開口５６ａの上方が半導体チップ５３で制限されているため、アンダーフィル材が開口５６ａ内に流れ込むときに、その開口５６ａの周縁部（段差部分）に存在している空気が上手く抜けずに、アンダーフィル材に取り込まれて、アンダーフィル層５７に、いわゆるボイド６１を生じることがあった。たとえば、アンダーフィル層５７にボイドが生じていると、リフロー工程で、アンダーフィル層５７にクラックが発生し、半導体装置の信頼性の低下を招く。
【０００８】
そこで、この発明の目的は、封止層中のボイドの形成を防止できる構成の半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、表面（２ａ，２２ａ）と、この表面とは反対側の外部接続面（２ｂ，２２ｂ）とを有する固体装置（２，２２）と、活性面（３ａ）を有する半導体チップ（３）と、上記固体装置の上記表面と上記半導体チップの上記活性面との間に設けられ、上記固体装置の上記表面と上記半導体チップの上記活性面と間に渡って延び、均一な幅を有する接続部材（５，１６）と、上記固体装置の上記表面に設けられ、平面視において、上記半導体チップよりも大きなサイズに形成された開口（６ａ）を有する絶縁膜（６）と、上記開口、および上記固体装置と上記半導体チップとの間を完全に封止する封止層（７）とを含むことを特徴とする半導体装置（１，２１）である。
【００１０】
請求項２記載の発明は、表面（２ａ，２２ａ）と、この表面とは反対側の外部接続面（２ｂ，２２ｂ）とを有する固体装置（２）と、活性面（３ａ）を有する半導体チップ（３）と、上記固体装置の上記表面と上記半導体チップの上記活性面との間に設けられ、均一な幅を有する接続部材（５，１６）と、上記固体装置の上記表面に設けられ、平面視において、上記半導体チップよりも大きなサイズに形成された開口（６ａ）を有する絶縁膜（６）と、上記開口、および上記固体装置と上記半導体チップとの間を完全に封止する封止層（７）とを含み、上記固体装置の上記表面に設けられ上記接続部材に接続された配線により形成された段差を除き、上記絶縁膜の上記開口内には段差が形成されていないことを特徴とする半導体装置（１，２１）である。
【００１１】
請求項３記載の発明は、表面（２ａ，２２ａ）と、この表面とは反対側の外部接続面（２ｂ，２２ｂ）とを有する固体装置（２）と、活性面（３ａ）を有する半導体チップ（３）と、上記固体装置の上記表面と上記半導体チップの上記活性面との間に設けられ、均一な幅を有する接続部材（５，１６）と、上記固体装置の上記表面に設けられ、平面視において、上記半導体チップよりも大きなサイズに形成された開口（６ａ）を有する絶縁膜（６）と、上記開口、および上記固体装置と上記半導体チップとの間を完全に封止する封止層（７）とを含み、上記絶縁膜の上記開口内には段差が形成されていないことを特徴とする半導体装置（２１）である。
【００１２】
なお、括弧内の数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、絶縁膜の開口は、固体装置の半導体チップとの対向面を垂直に見下ろす平面視において、半導体チップよりも大きなサイズに形成されている。たとえば、請求項１７に記載のように、絶縁膜の開口は、固体装置の対向面を垂直に見下ろす平面視において、その中に半導体チップが完全に含まれるように形成されているものとすることができる。これにより、固体装置と半導体チップとの隙間に、絶縁膜の開口による段差が生じることを防止できるとともに、その開口周縁部の上方のスペースが半導体チップによって制限されることを防止できる。
【００１３】
そのため、この半導体装置の製造工程において、絶縁膜の形成および固体装置と半導体チップとの接合の後、封止層を形成するために、液状の封止樹脂材を固体装置と半導体チップとの隙間に充填する際、液状の封止樹脂材に空気が取り込まれることによるボイドの形成を防止することができる。その結果、この半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００１４】
固体装置の半導体チップとの対向面を垂直に見下ろす平面視において、半導体チップの外周と絶縁膜の開口縁部との間隔は、請求項１８に記載のように、０．１ｍｍ以上であることが好ましい。
固体装置は、絶縁基板に配線が形成されてなる配線基板であってもよく、半導体基板であってもよい。
【００１５】
絶縁膜は、請求項１５に記載のように、ソルダレジストであってもよい。この場合、ソルダレジストで覆われた領域における電気的短絡（ショート）を防止することができる。
上記封止層は、上記開口内を埋めつくすように設けられていてもよい。これにより、固体装置において、絶縁膜の開口からの露出部を封止層により保護することができる。
請求項４記載のように、上記固体装置の端面には、配線により上記接続部材と電気的に接続された端面電極が形成されていてもよい。この場合、請求項５記載のように、上記端面電極は、上記固体装置の上記表面から上記端面を経て上記外部接続面に至るように形成されていてもよく、請求項６記載のように、当該半導体装置は、上記端面電極において、他の配線基板との電気的接続を達成できるものであってもよい。
【００１６】
請求項７記載のように、上記固体装置において上記半導体チップとは反対側の面である外部接続面に、金属ボールが設けられており、上記金属ボールは、上記固体装置の内部で再配線されて、上記固体装置の上記表面側の上記接続部材に電気的に接続されていてもよい。請求項８記載のように、上記外部接続面に、金属ボールが設けられており、上記金属ボールは、上記固体装置の内部で再配線されて、上記固体装置の上記表面側の上記接続部材に電気的に接続されていてもよい。
【００１７】
請求項９記載のように、上記固体装置の上記表面において、上記絶縁膜の上記開口内には、上記固体装置の上記表面に形成された接続パッドを除いて、配線が形成されていなくてもよい。
請求項１０記載のように、当該半導体装置は、上記金属ボールを介して、他の配線基板との電気的接続を達成できるものであってもよい。
【００１８】
請求項１１記載のように、上記固体装置の上記表面には、接続パッドが設けられていてもよく、この場合、請求項１２記載のように、上記接続部材は、上記接続パッドを含んでもよく、この場合、請求項１３記載のように、上記固体装置と上記半導体チップとは、上記接続パッドを含む上記接続部材により、所定間隔を保つように接合されていてもよい。
請求項１４記載のように、上記固体装置と上記半導体チップとは、電気的に接続されていてもよい。
【００１９】
請求項１９記載のように、上記封止層によって、上記活性面、上記接続部材、および上記絶縁膜の上記開口からの上記固体装置の上記表面の露出部が保護されていてもよい。
請求項２０記載のように、上記固体装置に、２つ以上の上記半導体チップが、フリップチップ接続されていてもよく、この場合、請求項２１記載のように、上記絶縁膜には、２つ以上の上記開口が形成されており、平面視において、各開口には、上記半導体チップが完全に含まれていてもよい。
【００２０】
請求項１６記載のように、上記絶縁膜は、上記固体装置の上記表面と、上記半導体チップとの間隔よりも小さい厚みを有してもよい。
請求項２２記載のように、上記半導体チップは、１つの面のみに上記活性面を有してもよい。請求項２３記載のように、上記活性面は、上記半導体チップの１つの面の全面には形成されていなくてもよい。
【００２１】
請求項２４記載のように、上記封止層は、上記絶縁膜上を覆っていなくてもよい。請求項２５記載のように、上記封止層は、上記半導体チップの側面の一部を覆っていてもよい。請求項２６記載のように、上記封止層は、上記半導体チップにおいて上記活性面と反対側の上面には達していなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の図解的な断面図である。
【図２Ａ】図１に示す半導体装置の製造方法を説明するための図解的な断面図である。
【図２Ｂ】図１に示す半導体装置の製造方法を説明するための図解的な断面図である。
【図２Ｃ】図１に示す半導体装置の製造方法を説明するための図解的な断面図である。
【図２Ｄ】図１に示す半導体装置の製造方法を説明するための図解的な断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の図解的な断面図である。
【図４】フリップチップ接続された半導体チップを有する従来の半導体装置の構造を示す図解的な断面図である。
【図５】図４に示す配線基板の接続面を垂直に見下ろす図解的な平面図である。
【図６Ａ】図４に示す半導体装置の製造方法を説明するための図解的な断面図である。
【図６Ｂ】図４に示す半導体装置の製造方法を説明するための図解的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下では、この発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の図解的な断面図である。
この半導体装置１は、配線基板２と、この配線基板２の表面２ａに機能面（活性面）３ａを対向させて接続された半導体チップ３とを含んでいる。配線基板２の表面２ａには、矩形状の接続パッド（図２Ｃおよび図２Ｄ参照）が形成されており、配線基板２と半導体チップ３とは、その接続パッドに接続された接続部材５によって、所定間隔を保つように接合され、かつ互いに電気的に接続されている。
【００２４】
配線基板２の表面２ａには、その表面２ａと半導体チップ３との間隔より小さい厚みを有するソルダレジスト膜６が形成されている。このソルダレジスト膜６により、配線基板２の表面に形成されている配線間での電気的短絡が防止されている。ソルダレジスト膜６には、表面２ａを垂直に見下ろす平面視において、半導体チップ３よりも大きなサイズを有する開口６ａが形成されている。言い換えれば、ソルダレジスト膜６には、表面２ａを垂直に見下ろす平面視において、その内部に半導体チップ３が完全に含まれるようなサイズの開口６ａが形成されている。これにより、配線基板２と半導体チップ３との隙間Ｇ（配線基板２と半導体チップ３との間であって、表面２ａを垂直に見下ろす平面視において、半導体チップ３と重なる領域）には、ソルダレジスト膜６が存在していない。
【００２５】
表面２ａを垂直に見下ろす平面視において、半導体チップ３の外周とソルダレジスト膜６の開口６ａの縁部との間隔Ｄは、０．１ｍｍ以上にされている。
配線基板２と半導体チップ３との隙間Ｇおよびその周辺には、アンダーフィル層７が設けられている。アンダーフィル層７は、ソルダレジスト膜６の開口６ａを埋めつくすように形成されており、アンダーフィル層７によって、隙間Ｇが封止されるとともに、機能面３ａ、接続部材５、および開口６ａからの表面２ａの露出部が保護されている。
【００２６】
配線基板２の端部には、図示しない配線により接続部材５と電気的に接続された端面電極８が形成されている。端面電極８は、配線基板２の表面２ａから端面を経て、表面２ａの反対側の外部接続面２ｂに至るように形成されている。この半導体装置１は、端面電極８において、他の配線基板（実装基板）との電気的接続を達成することができる。
図２Ａないし図２Ｄは、図１に示す半導体装置１の製造方法を説明するための図解的な断面図である。半導体装置１は、配線基板２の表面２ａに対して、半導体チップ３を、その機能面３ａを対向させて接合した後、ソルダレジスト膜６の開口６ａ内にアンダーフィル材７Ｐを注入し、そのアンダーフィル材７Ｐを硬化させてアンダーフィル層７を形成することによって得られる。
【００２７】
具体的には、先ず、複数の配線基板２が作り込まれた基板１５が用意される。
次に、この基板１５の表面１５ａ（配線基板２の表面２ａに対応する面）の全面に液状で感光性を有するソルダレジスト膜６が塗布（たとえば、スピンコートによる）または印刷された後、露光および現像により、半導体チップ３よりも大きなサイズを有する開口６ａが形成される。
【００２８】
次に、機能素子４の電極に接続された突起電極（バンプ）１８を有する半導体チップ３が用意される。突起電極１８は、はんだ材料を含む。
続いて、基板１５が、表面１５ａを上に向けられ、ほぼ水平な姿勢で保持される。そして、内部にヒータを備えて加熱することが可能なボンディングツール１９により、半導体チップ３が、その機能面３ａと反対側の面を吸着されて保持される。半導体チップ３は、機能面３ａが下方に向けられて基板１５の表面１５ａに対向される。この状態が、図２Ａに示されている。
【００２９】
続いて、半導体チップ３の突起電極１８が基板１５の接続パッド１６に当接するように位置合わせされた後、ボンディングツール１９が下降されて、半導体チップ３が基板１５に接合される。この際、ボンディングツール１９により、半導体チップ３が加熱され、その熱により突起電極１８のはんだ材料が溶融されて、突起電極１８と接続パッド１６とが接合される。これにより、基板１５と半導体チップ３とを機械的に接合する接続部材５が形成される。接続部材５により、基板１５の表面１５ａに形成された配線と、半導体チップ３の機能素子４とが電気的に接続される。
【００３０】
続いて、ソルダレジスト膜６の開口６ａの周縁部上方に、ディスペンサ１０が配置されて、そのディスペンサ１０から開口６ａ内にアンダーフィル材７Ｐが注入される（図２Ｂ参照）。
アンダーフィル材７Ｐは、毛細管現象により、基板１５と半導体チップ３との隙間Ｇに進入していき、この隙間Ｇ内を表面２ａに沿って広がっていく（図２Ｃ参照。アンダーフィル材７Ｐが広がる方向を、図２Ｃに矢印Ａで示す。）。そして、ディスペンサ１０から適当な量のアンダーフィル材７Ｐが吐出され、隙間Ｇおよびソルダレジスト膜６の開口６ａの内部がアンダーフィル材７Ｐで埋められると、アンダーフィル材７Ｐの吐出は停止される。その後、アンダーフィル材７Ｐを硬化させるための処理が行われて、開口６ａ内にアンダーフィル層７が形成される。
【００３１】
その後、基板１５が配線基板２の個片に切断され（切断位置を、図２Ａに符号Ｃで示す。）、配線基板２の端部に端面電極８が形成されて、図１に示す半導体装置１が得られる。
以上のように、ソルダレジスト膜６の開口６ａは、表面１５ａを垂直に見下ろす平面視において、その中に半導体チップ３が完全に含まれるように形成される。これにより、基板１５と半導体チップ３との隙間Ｇに、ソルダレジスト膜６の開口６ａによる段差が生じることを防止できるとともに、その開口６ａ周縁部の上方のスペースが半導体チップ３によって制限されることを防止できる。
【００３２】
このため、液状のアンダーフィル材７Ｐを基板１５と半導体チップ３との隙間Ｇに充填する際、アンダーフィル材７Ｐに空気が取り込まれることによるボイドの形成を防止することができる。その結果、得られたこの半導体装置１の信頼性を向上させることができる。
アンダーフィル層７にボイドが含まれていないことにより、この半導体装置１を、たとえば、リフローにより他の配線基板に接合してもボイドに起因するクラックは生じない。
【００３３】
図３は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の図解的な断面図である。図３において、図１に示す各部に対応する部分には、図１と同じ参照符号を付している。
この半導体装置２１は、配線基板２２と、この配線基板２２の表面２２ａに機能面３ａを対向させて接続された半導体チップ３とを含んでいる。
配線基板２２の表面２２ａには、ソルダレジスト膜６が形成されている。ソルダレジスト膜６には、表面２２ａを垂直に見下ろす平面視において、半導体チップ３よりも大きなサイズの、すなわち、その内部に半導体チップ３が完全に含まれるように形成された開口６ａが設けられている。
【００３４】
配線基板２２において、表面２２ａと反対側の外部接続面２２ｂには、金属ボール２３が設けられている。金属ボール２３は、配線基板２２の内部および／または表面で再配線されて、表面２２ａ側の接続部材５に電気的に接続されている。この半導体装置２１は、金属ボール２３を介して、他の配線基板（実装基板）に接合できる。
この半導体装置２１を製造する場合は、基板１５の代わりに、複数の配線基板２２に相当する領域が密に形成された基板を用いて、上記と同様の製造方法（図２Ａないし図２Ｄ参照）を実施すればよい。金属ボール２３は、基板を配線基板２２の個片に切り出す前に、この基板に接合されてもよく、配線基板２２の個片が切り出された後に、この配線基板２２に接合されてもよい。
【００３５】
本発明の実施形態の説明は以上の通りであるが、本発明は、別の形態でも実施できる。たとえば、配線基板２，２２には、２つ以上の半導体チップ３がフリップチップ接続されていてもよい。この場合、ソルダレジスト膜６には、表面２ａ，２２ａを垂直に見下ろす平面視において、各半導体チップ３を完全に含む１つまたは２つ以上の開口６ａが形成されているものとすることができる。
【００３６】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００３７】
１，２１ 半導体装置
２，２２ 配線基板
２ａ，２２ａ 表面
３ 半導体チップ
３ａ 機能面
４ 機能素子
６ ソルダレジスト膜
６ａ ソルダレジスト膜の開口
７ 封止樹脂
Ｇ 配線基板と半導体チップとの隙間
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と、この表面とは反対側の外部接続面とを有する固体装置と、
活性面を有する半導体チップと、
上記固体装置の上記表面と上記半導体チップの上記活性面との間に設けられ、上記固体装置の上記表面と上記半導体チップの上記活性面と間に渡って延び、均一な幅を有する接続部材と、
上記固体装置の上記表面に設けられ、平面視において、上記半導体チップよりも大きなサイズに形成された開口を有する絶縁膜と、
上記開口、および上記固体装置と上記半導体チップとの間を完全に封止する封止層とを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
表面と、この表面とは反対側の外部接続面とを有する固体装置と、
活性面を有する半導体チップと、
上記固体装置の上記表面と上記半導体チップの上記活性面との間に設けられ、均一な幅を有する接続部材と、
上記固体装置の上記表面に設けられ、平面視において、上記半導体チップよりも大きなサイズに形成された開口を有する絶縁膜と、
上記開口、および上記固体装置と上記半導体チップとの間を完全に封止する封止層とを含み、
上記固体装置の上記表面に設けられ上記接続部材に接続された配線により形成された段差を除き、上記絶縁膜の上記開口内には段差が形成されていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
表面と、この表面とは反対側の外部接続面とを有する固体装置と、
活性面を有する半導体チップと、
上記固体装置の上記表面と上記半導体チップの上記活性面との間に設けられ、均一な幅を有する接続部材と、
上記固体装置の上記表面に設けられ、平面視において、上記半導体チップよりも大きなサイズに形成された開口を有する絶縁膜と、
上記開口、および上記固体装置と上記半導体チップとの間を完全に封止する封止層とを含み、
上記絶縁膜の上記開口内には段差が形成されていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
上記固体装置の端面には、配線により上記接続部材と電気的に接続された端面電極が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
上記端面電極は、上記固体装置の上記表面から上記端面を経て上記外部接続面に至るように形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
当該半導体装置は、上記端面電極において、他の配線基板との電気的接続を達成できることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体装置。
【請求項７】
上記外部接続面に、金属ボールが設けられており、
上記金属ボールは、上記固体装置の表面で再配線されて、上記固体装置の上記表面側の上記接続部材に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項８】
上記外部接続面に、金属ボールが設けられており、
上記金属ボールは、上記固体装置の内部で再配線されて、上記固体装置の上記表面側の上記接続部材に電気的に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項９】
上記固体装置の上記表面において、上記絶縁膜の上記開口内には、上記固体装置の上記表面に形成された接続パッドを除いて、配線が形成されていないことを特徴とする請求項１，３または８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
当該半導体装置は、上記金属ボールを介して、他の配線基板との電気的接続を達成できることを特徴とする請求項７または８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
上記固体装置の上記表面には、接続パッドが設けられていることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
上記接続部材は、上記接続パッドを含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
上記固体装置と上記半導体チップとは、上記接続パッドを含む上記接続部材により、所定間隔を保つように接合されていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
上記固体装置と上記半導体チップとは、電気的に接続されていることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
上記絶縁膜は、ソルダレジストであることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１６】
上記絶縁膜は、上記固体装置の上記表面と、上記半導体チップとの間隔よりも小さい厚みを有することを特徴とする請求項１ないし１５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１７】
平面視において、上記半導体チップが、上記絶縁膜の上記開口内に、完全に含まれることを特徴とする請求項１ないし１６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１８】
平面視において、上記半導体チップの外周と、上記絶縁膜の上記開口の縁部との間隔が、０．１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１ないし１７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１９】
上記封止層によって、上記活性面、上記接続部材、および上記絶縁膜の上記開口からの上記固体装置の上記表面の露出部が保護されていることを特徴とする請求項１ないし１８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２０】
上記固体装置に、２つ以上の上記半導体チップが、フリップチップ接続されていることを特徴とする請求項１ないし１９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２１】
上記絶縁膜には、２つ以上の上記開口が形成されており、
平面視において、各開口には、上記半導体チップが完全に含まれていることを特徴とする請求項２０に記載の半導体装置。
【請求項２２】
上記半導体チップは、１つの面のみに上記活性面を有することを特徴とする請求項１ないし２１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２３】
上記活性面は、上記半導体チップの１つの面の全面には形成されていないことを特徴とする請求項１ないし２２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２４】
上記封止層は、上記絶縁膜上を覆っていないことを特徴とする請求項１ないし２３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２５】
上記封止層は、上記半導体チップの側面の一部を覆っていることを特徴とする請求項１ないし２４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２６】
上記封止層は、上記半導体チップにおいて上記活性面と反対側の上面には達していないことを特徴とする請求項１ないし２５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１】
表面と、この表面とは反対側の外部接続面とを有する固体装置と、
活性面を有する半導体チップと、
上記固体装置の上記表面と上記半導体チップの上記活性面との間に設けられ、上記固体装置の上記表面と上記半導体チップの上記活性面と間に渡って延び、均一な幅を有する接続部材と、
上記固体装置の上記表面に設けられ、平面視において、上記半導体チップよりも大きなサイズに形成された開口を有する絶縁膜と、
上記開口、および上記固体装置と上記半導体チップとの間を完全に封止する封止層とを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
表面と、この表面とは反対側の外部接続面とを有する固体装置と、
活性面を有する半導体チップと、
上記固体装置の上記表面と上記半導体チップの上記活性面との間に設けられ、均一な幅を有する接続部材と、
上記固体装置の上記表面に設けられ、平面視において、上記半導体チップよりも大きなサイズに形成された開口を有する絶縁膜と、
上記開口、および上記固体装置と上記半導体チップとの間を完全に封止する封止層とを含み、
上記固体装置の上記表面に設けられ上記接続部材に接続された配線により形成された段差を除き、上記絶縁膜の上記開口内には段差が形成されていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
表面と、この表面とは反対側の外部接続面とを有する固体装置と、
活性面を有する半導体チップと、
上記固体装置の上記表面と上記半導体チップの上記活性面との間に設けられ、均一な幅を有する接続部材と、
上記固体装置の上記表面に設けられ、平面視において、上記半導体チップよりも大きなサイズに形成された開口を有する絶縁膜と、
上記開口、および上記固体装置と上記半導体チップとの間を完全に封止する封止層とを含み、
上記絶縁膜の上記開口内には段差が形成されていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
上記固体装置の端面には、配線により上記接続部材と電気的に接続された端面電極が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
上記端面電極は、上記固体装置の上記表面から上記端面を経て上記外部接続面に至るように形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
当該半導体装置は、上記端面電極において、他の配線基板との電気的接続を達成できることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体装置。
【請求項７】
上記外部接続面に、金属ボールが設けられており、
上記金属ボールは、上記固体装置の表面で再配線されて、上記固体装置の上記表面側の上記接続部材に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項８】
上記外部接続面に、金属ボールが設けられており、
上記金属ボールは、上記固体装置の内部で再配線されて、上記固体装置の上記表面側の上記接続部材に電気的に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項９】
上記固体装置の上記表面において、上記絶縁膜の上記開口内には、上記固体装置の上記表面に形成された接続パッドを除いて、配線が形成されていないことを特徴とする請求項１，３または８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
当該半導体装置は、上記金属ボールを介して、他の配線基板との電気的接続を達成できることを特徴とする請求項７または８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
上記固体装置の上記表面には、接続パッドが設けられていることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
上記接続部材は、上記接続パッドを含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
上記固体装置と上記半導体チップとは、上記接続パッドを含む上記接続部材により、所定間隔を保つように接合されていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
上記固体装置と上記半導体チップとは、電気的に接続されていることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
上記絶縁膜は、ソルダレジストであることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１６】
上記絶縁膜は、上記固体装置の上記表面と、上記半導体チップとの間隔よりも小さい厚みを有することを特徴とする請求項１ないし１５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１７】
平面視において、上記半導体チップが、上記絶縁膜の上記開口内に、完全に含まれることを特徴とする請求項１ないし１６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１８】
平面視において、上記半導体チップの外周と、上記絶縁膜の上記開口の縁部との間隔が、０．１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１ないし１７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１９】
上記封止層によって、上記活性面、上記接続部材、および上記絶縁膜の上記開口からの上記固体装置の上記表面の露出部が保護されていることを特徴とする請求項１ないし１８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２０】
上記固体装置に、２つ以上の上記半導体チップが、フリップチップ接続されていることを特徴とする請求項１ないし１９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２１】
上記絶縁膜には、２つ以上の上記開口が形成されており、
平面視において、各開口には、上記半導体チップが完全に含まれていることを特徴とする請求項２０に記載の半導体装置。
【請求項２２】
上記半導体チップは、１つの面のみに上記活性面を有することを特徴とする請求項１ないし２１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２３】
上記活性面は、上記半導体チップの１つの面の全面には形成されていないことを特徴とする請求項１ないし２２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２４】
上記封止層は、上記絶縁膜上を覆っていないことを特徴とする請求項１ないし２３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２５】
上記封止層は、上記半導体チップの側面の一部を覆っていることを特徴とする請求項１ないし２４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２６】
上記封止層は、上記半導体チップにおいて上記活性面と反対側の上面には達していないことを特徴とする請求項１ないし２５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【公開番号】特開２０１０−２７８４８０（Ｐ２０１０−２７８４８０Ａ）
【公開日】平成２２年１２月９日（２０１０．１２．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２０５９５２（Ｐ２０１０−２０５９５２）
【出願日】平成２２年９月１４日（２０１０．９．１４）
【分割の表示】特願２００４−２８２０１７（Ｐ２００４−２８２０１７）の分割
【原出願日】平成１６年９月２８日（２００４．９．２８）
【出願人】（０００１１６０２４）ローム株式会社 (3,539)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１２月９日（２０１０．１２．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月１４日（２０１０．９．１４）
【分割の表示】特願２００４−２８２０１７（Ｐ２００４−２８２０１７）の分割
【原出願日】平成１６年９月２８日（２００４．９．２８）
【出願人】（０００１１６０２４）ローム株式会社 (3,539)
【Ｆターム（参考）】
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