ＳＡＷデバイス
【課題】ダムを利用してフィルター部における配置及び配線の自由度を向上させることにより小型化が可能なＳＡＷデバイスを提供すること。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、実装基板２０と、導体バンプ１４と、実装基板２０にフリップチップ実装されたＳＡＷチップ１０と、ＳＡＷチップ１０を被覆する封止樹脂３０と、を含み、さらに、金属又は合金で構成され、封止樹脂３０の流入を阻止するためのダム１５が設けられている。ＳＡＷチップ１０の圧電基板１１には、直列に接続されたＳＡＷフィルター４０と５０を含むフィルター部１２が形成されている。ＳＡＷフィルター４０、５０は、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルターとして構成され、ＳＡＷフィルター４０のＩＤＴ４３の櫛形電極４３ａ及びＩＤＴ４５の櫛形電極４５ａと、ＳＡＷフィルター５０のＩＤＴ５３の櫛形電極５３ｂ及びＩＤＴ５５の櫛形電極５５ｂとがダム１５と配線接続されている。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、実装基板２０と、導体バンプ１４と、実装基板２０にフリップチップ実装されたＳＡＷチップ１０と、ＳＡＷチップ１０を被覆する封止樹脂３０と、を含み、さらに、金属又は合金で構成され、封止樹脂３０の流入を阻止するためのダム１５が設けられている。ＳＡＷチップ１０の圧電基板１１には、直列に接続されたＳＡＷフィルター４０と５０を含むフィルター部１２が形成されている。ＳＡＷフィルター４０、５０は、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルターとして構成され、ＳＡＷフィルター４０のＩＤＴ４３の櫛形電極４３ａ及びＩＤＴ４５の櫛形電極４５ａと、ＳＡＷフィルター５０のＩＤＴ５３の櫛形電極５３ｂ及びＩＤＴ５５の櫛形電極５５ｂとがダム１５と配線接続されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＡＷデバイス等に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電基板上に形成されたＩＤＴ（Interdigital Transducer）により励振される弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）を利用した弾性表面波（ＳＡＷ）フィルターを備えたＳＡＷデバイスは、高周波帯域の周波数フィルターとして携帯電話機やキーレスエントリーシステム等、様々な電子機器やシステムに用いられている。
【０００３】
近年、半導体部品においてＣＳＰ（Chip Size Package）と呼ばれる小型パッケージング技術が一般化するのに伴って、ＳＡＷデバイスにおいても、デバイスの小型化を容易にし、バッチ式の製造方法により生産性を向上させる目的で、ＣＳＰ技術を用いた生産方法が導入されるようになっている。
【０００４】
例えば、ＳＡＷフィルターが形成されたＳＡＷチップを実装基板にフェイスダウンでフリップチップ実装し、ＳＡＷフィルターの周辺に気密な内部空間が形成されるように、ＳＡＷチップの外面を樹脂で封止したＳＡＷデバイスが知られている。これにより、基板に実装したＳＡＷチップの外面が露出しないようにして破損から保護し、耐湿性、気密性に優れた高品質なＳＡＷデバイスが提供される。
【０００５】
特許文献１では、このようなＳＡＷデバイスにおいて、基板に実装したＳＡＷチップを封止する樹脂がＳＡＷフィルターの周辺に流入することを防止するために、ＳＡＷチップの電極形成面の周縁部に樹脂からなるダムを形成したＳＡＷデバイスが提案されている。さらに、特許文献２に記載されているようにダムの幅を広くして補強を図ったり、特許文献３に記載されているようにダムを吸音材として利用するＳＡＷデバイスも提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２２９６３２号公報
【特許文献２】特開２００７−３２４６５２号公報
【特許文献３】特開２００８−４２４３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このような従来のＳＡＷデバイスでは、ＳＡＷチップは図７に示すように構成される。図７は、ＳＡＷチップの下面側の概略的な平面図であり、図７においてＳＡＷチップ２００の下面には、フィルター部２０２、接続パッド２０３Ａ〜２０３Ｈ、ダム２０５等が形成されている。フィルター部２０２は、２つの縦結合１次−３次２重モードＳＡＷフィルター（縦結合１次−３次ＤＭＳ（Double Mode SAW）フィルター）２１０及び２２０が直列に接続されて構成されている。すなわち、ＩＤＴ２１３の櫛形電極２１３ｂ及びＩＤＴ２１５の櫛形電極２１５ｂがそれぞれＩＤＴ２２３の櫛形電極２２３ａ及びＩＤＴ２２５の櫛形電極２２５ａと接続されている。また、ＩＤＴ２１４の櫛形電極２１４ａ及び２１４ｂは、それぞれ接続パッド２０３Ａ及び２０３Ｂに接続されており、接続パッド２０３Ａ及び２０３Ｂにそれぞれ接続された２つの導体バンプ（図示しない）を介して平衡入力信号又は不平衡入力信号が入力される。さらに、ＩＤＴ２２４の櫛形電極２２４ａ及び２２４ｂは、それぞれ接続パッド２０３Ｃ及び２０３Ｄに接続されており、接続パッド２０３Ｃ及び２０３Ｄにそれぞれ接続された２つの導体バンプ（図示しない）を介して平衡出力信号又は不平衡出力信号を出力する。
【０００８】
また、従来のＳＡＷデバイスでは、ＩＤＴ２１３の櫛形電極２１３ａ及びＩＤＴ２１５の櫛形電極２１５ａは、それぞれ接続パッド２０３Ｅ及び２０３Ｆに接続されており、接続パッド２０３Ｅ及び２０３Ｆにそれぞれ接続された２つの導体バンプ（図示しない）を介して接地されている。同様に、ＩＤＴ２２３の櫛形電極２２３ｂ及びＩＤＴ２２５の櫛形電極２２５ｂは、それぞれ接続パッド２０３Ｇ及び２０３Ｈに接続されており、接続パッド２０３Ｇ及び２０３Ｈにそれぞれ接続された２つの導体バンプ（図示しない）を介して接地されている。
【０００９】
このように、従来のＳＡＷデバイスでは、ＩＤＴ２１３の櫛形電極２１３ａ及びＩＤＴ２１５の櫛形電極２１５ａ、ＩＤＴ２２３の櫛形電極２２３ｂ及びＩＤＴ２２５の櫛形電極２２５ｂをすべて同電位とするために接続パッド２０３Ｅ〜２０３Ｈを介して接地する必要があった。しかし、ダム２０５の配置領域を確保する必要があり、また、接続パッドは導体バンプを接続可能なサイズでなければならないため、接続パッドの配置が制限されるとともに接続パッドに接続される配線の自由度も小さくなり、ＳＡＷデバイスを小型化することが難しいという問題があった。さらに、マルチバンドのフィルターデバイスのように複数のフィルター部を含むＳＡＷデバイスでは、接続パッドの配置がさらに制限されるため、ＳＡＷデバイスの小型化がより難しい。
【００１０】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、ダムを利用してフィルター部における配置及び配線の自由度を向上させることにより小型化が可能なＳＡＷデバイスを提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）本発明は、絶縁基板と、当該絶縁基板の底部に設けられた表面実装用の実装端子と、当該絶縁基板の上部に設けられ前記実装端子と導通した配線パターンと、を備えた実装基板と、導体バンプと、第１のＳＡＷフィルターと第２のＳＡＷフィルターとを直列接続したフィルター部及び前記フィルター部の入力又は出力に接続された接続パッドが形成された圧電基板を備え、前記接続パッドが前記導体バンプを介して前記配線パターンと接続されることにより前記実装基板にフリップチップ実装されたＳＡＷチップと、前記ＳＡＷチップと前記実装基板との間に気密空間が形成されるように前記ＳＡＷチップの外面を被覆する封止樹脂と、を含むＳＡＷデバイスであって、前記ＳＡＷチップの外周には、金属又は合金で構成され、前記ＳＡＷフィルターの周辺への前記封止樹脂の流入を阻止するためのダムが設けられ、前記フィルター部は、前記第１のＳＡＷフィルター及び前記第２のＳＡＷフィルターは、前記接続パッドに接続された第１のＩＤＴと、当該第１のＩＤＴの両側に近接して配置された第２のＩＤＴ及び第３のＩＤＴと、前記第１のＩＤＴ、前記第２のＩＤＴ及び前記第３のＩＤＴを挟むように前記第２のＩＤＴ及び前記第３のＩＤＴの隣に近接してそれぞれ配置された２つの反射器とを含み、前記第１のＩＤＴ、前記第２のＩＤＴ及び前記第３のＩＤＴの間の音響結合によって生じる１次と３次の振動モードを利用する縦結合１次−３次２重モードＳＡＷフィルターとして構成され、前記第１のＳＡＷフィルターの前記第２のＩＤＴの一方の櫛形電極と前記第２のＳＡＷフィルターの前記第２のＩＤＴの一方の櫛形電極とが配線接続されるとともに、前記第１のＳＡＷフィルターの前記第３のＩＤＴの一方の櫛形電極と前記第２のＳＡＷフィルターの前記第３のＩＤＴの一方の櫛形電極とが配線接続され、前記第１のＳＡＷフィルターの前記第２のＩＤＴの他方の櫛形電極及び前記第３のＩＤＴの他方の櫛形電極と、前記第２のＳＡＷフィルターの前記第２のＩＤＴの他方の櫛形電極及び前記第３のＩＤＴの他方の櫛形電極とが前記ダムと配線接続されていることを特徴とする。
【００１２】
本発明のＳＡＷデバイスでは、封止樹脂の流入を阻止するためのダムを低抵抗な配線としても利用し、第１のＳＡＷフィルター及び第２のＳＡＷフィルターの両側ＩＤＴ（第２のＩＤＴと第３のＩＤＴ）の基準電位をすべて同電位とすることにより、フィルター部がフィルターとして機能できるようにしている。すなわち、本発明のＳＡＷデバイスでは、従来と異なり、第１のＳＡＷフィルター及び第２のＳＡＷフィルターの両側ＩＤＴに接地用の導体バンプを直接接続する必要がないため、この接地用の導体バンプを接続する接続パッドの配置領域を確保する必要がない。従って、本発明によれば、フィルター部の配置及び配線の自由度を向上させることができ、ＳＡＷデバイスを小型化することができる。
【００１３】
（２）このＳＡＷデバイスにおいて、前記ダムは、前記導体バンプのいずれにも接続されていないように構成されていてもよい。
【００１４】
本発明のＳＡＷデバイスでは、ダムは、金属又は合金で構成されており、かつ、封止樹脂の流入を阻止するのに十分な厚みがあるので、抵抗値が十分小さい。従って、ＳＡＷフィルターの特性要求が厳しくなければ、フローティングにしたダムの電位をＳＡＷフィルターの基準電位とすることが可能であり、そのためダムを接地するための導体バンプが不要である。従って、本発明によれば、ＳＡＷデバイスを小型化することができる。
【００１５】
（３）このＳＡＷデバイスにおいて、前記ダムは、少なくとも１つの前記導体バンプを介して接地されているように構成されていてもよい。
【００１６】
本発明によれば、ダムを接地することによりダムの電位を安定させることができるので、ダムをフローティングする場合と比較してより良好なフィルター特性を実現することができる。
【００１７】
（４）このＳＡＷデバイスは、複数の前記フィルター部を含むように構成されていてもよい。
【００１８】
本発明によれば、複数のフィルター部を含むＳＡＷデバイスにおいても、ダムを配線として利用することにより、第１のＳＡＷフィルター及び第２のＳＡＷフィルターの両側ＩＤＴの基準電位をすべて同電位とすることができる。そのため、複数のフィルター部を含むＳＡＷデバイスにおいても、第１のＳＡＷフィルター及び第２のＳＡＷフィルターの両側ＩＤＴを接地用の導体バンプと接続するための接続パッドの配置領域を確保する必要がない。従って、本発明によれば、フィルター部の配置及び配線の自由度を向上させることができ、ＳＡＷデバイスを小型化することができる。
【００１９】
（５）このＳＡＷデバイスにおいて、前記フィルター部は、入力及び出力の少なくとも一方が平衡であるように構成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１実施形態のＳＡＷデバイスの外観斜視図。
【図２】第１実施形態のＳＡＷデバイスの概略断面図。
【図３】ＳＡＷチップの下面側の概略平面図。
【図４】第１実施形態の変形例におけるＳＡＷチップの概略平面図。
【図５】第２実施形態におけるＳＡＷチップの概略平面図。
【図６】第２実施形態の変形例におけるＳＡＷチップの概略平面図。
【図７】従来のＳＡＷデバイスにおけるＳＡＷチップの概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００２２】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態のＳＡＷデバイスの外観斜視図であり、図２は、第１実施形態のＳＡＷデバイスの概略断面図である。
【００２３】
図１及び図２に示すように、第１実施形態のＳＡＷデバイス１は、ＳＡＷチップ１０、実装基板２０及び封止樹脂３０を含んで構成されている。
【００２４】
図２に示すように、実装基板２０は、絶縁基板２１と、絶縁基板２１の底部に設けられた表面実装用の実装端子２２と、絶縁基板２１の上面に設けられ内部配線２４を介して実装端子２２と導通した配線パターン２３と、を備えている。絶縁基板２１は、ガラス、樹脂、セラミック、ガラスエポキシ、アルミナ等で構成されている。
【００２５】
ＳＡＷチップ１０は、圧電基板１１を備え、圧電基板１１の下面にはフィルター部１２及びフィルター部１２の入力又は出力に接続された接続パッド１３が形成されている。圧電基板１１は、水晶、ニオブ酸リチウム（LiNbO3）、タンタル酸リチウム（LiTaO3）、四ほう酸リチウム（Li2B4O7, LBO）等の単結晶材料や、酸化亜鉛（ZnO）、窒化アルミニウム（AlN）等の圧電性薄膜、圧電性セラミックス材料などで構成されている。
【００２６】
そして、接続パッド１３が導体バンプ１４を介して実装基板２０の配線パターン２３と接続されることにより、ＳＡＷチップ１０が実装基板２０にフリップチップ実装されている。導体バンプ１４は、アルミニウム（Al）、金（Au）、銀（Ag）、銅（Cu）、ニッケル（Ni）、チタン（Ti）、クロム（Cr）、タンタル（Ta）、モリブデン（Mo）、タングステン（W）等の金属、導電性接着剤、半田等で構成される。
【００２７】
封止樹脂３０は、ＳＡＷチップ１０の下面と実装基板２０の上面との間の空間を気密化させて気密空間３１が形成されるように、ＳＡＷチップ１０の下面を除いた外面（上面及び側面）を被覆している。気密空間３１を形成することにより、ＳＡＷフィルター１２における弾性表面波の伝搬を確保し、所望のフィルター特性を実現することができる。
【００２８】
封止樹脂３０は、樹脂シートを一旦軟化温度まで加熱昇温させてから加圧変形させてＳＡＷチップ１０の外面と実装基板２０の上面に密着させた後で、硬化温度まで加熱昇温させて形状を固定することにより形成される。封止樹脂３０により、ＳＡＷチップ１０の気密性を確保するとともに、実装基板２０に対するＳＡＷチップ１０の固定力を補強することができる。
【００２９】
樹脂封止工程の際にフィルター部１２の周辺に封止樹脂３０が流入するのを防止するために、ＳＡＷチップ１０の下面の周縁部にダム１５が設けられている。樹脂封止工程の際の加熱と加圧によってダム１５が変形しないように、ダム１５は金属又は合金から形成されている。また、ダム１５は実装基板２０に接触しておらず、ダム１５の下面と実装基板２０との間はギャップＧだけ離れている。そのため、ダム１５には、実装基板２０とＳＡＷチップ１５との熱膨張係数の差に起因する応力が発生しないようになっている。
【００３０】
フィルター部１２の周辺への封止樹脂３０の流入量を低減するためにギャップＧは狭い方が好ましい。例えば、ダム１５の厚みを大きくしたり、ダム１５の真下の実装基板２０の上面に外周パターンを設けることにより、ギャップＧを狭くすることができる。
【００３１】
なお、ダム１５は実装基板２０の上面に設けても良いが、実装基板２０を複数個連接した配線基板母材上に、一括して、且つ高い寸法精度で金属又は合金からなるダム１５を形成するには、ダムパターンに対応したフォトリソグラフィ技術によるレジストパターンを配線基板母材上に形成する必要がある。高寸法精度であるレジストパターンに対し、配線基板母材上の配線パターンは寸法精度が悪く、配線基板母材全体に渡って精度良く配線パターンとダムパターンを合わせ込むことが困難であり、高密度配線に不向きである。従って、ダム１５はＳＡＷチップ１０の下面に形成するのが好ましい。
【００３２】
図３は、ＳＡＷチップ１０の一例を示す図であり、ＳＡＷチップ１０の下面側の概略平面図である。
【００３３】
図３に示すように、第１実施形態におけるＳＡＷチップ１０は、その下面の周縁部にダム１５が形成されており、ダム１５に取り囲まれるようにフィルター部１２が形成されている。
【００３４】
フィルター部１２は、２つの縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０及び５０を含んで構成されている。
【００３５】
縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０は、圧電基板１１の主表面上に形成された、反射器４１、ＩＤＴ４３（本発明における「第２のＩＤＴ」に相当する）、ＩＤＴ４４（本発明における「第１のＩＤＴ」に相当する）、ＩＤＴ４５（本発明における「第３のＩＤＴ」に相当する）、反射器４２を含んで構成されている。
【００３６】
ＩＤＴ４３、ＩＤＴ４４、ＩＤＴ４５は、弾性表面波の伝搬方向に沿って、反射器４１と反射器４２の間にこの順に近接して配置されている。
【００３７】
ＩＤＴ４３は、一定間隔ｄ１で形成された複数の電極指を有する櫛状の電極４３ａ、４３ｂが互いに間挿し合うように対向して配置されている。
【００３８】
ＩＤＴ４４は、ＩＤＴ４３と同じ一定間隔ｄ１で形成された複数の電極指を有する櫛状の電極４４ａ、４４ｂが互いに間挿し合うように対向して配置されている。
【００３９】
ＩＤＴ４５は、ＩＤＴ４３と同じ一定間隔ｄ１で形成された複数の電極指を有する櫛状の電極４５ａ、４５ｂが互いに間挿し合うように対向して配置されている。
【００４０】
反射器４１と反射器４２は、ＩＤＴ４３、ＩＤＴ４４、ＩＤＴ４５の両側に近接して配置され、一定のグレーティングピッチ（ｄ２）で電極が形成されている。
【００４１】
同様に、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター５０は、圧電基板１１の主表面上に形成された、反射器５１、ＩＤＴ５３、ＩＤＴ５４、ＩＤＴ５５、反射器５２を含んで構成されている。これらの配置は、図３に示すように、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０と同じであるため、その説明を省略する。
【００４２】
縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０において、ＩＤＴ４４の電極４４ａ及び４４ｂはそれぞれ接続パッド１３Ａ及び１３Ｂと接続されている。同様に、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター５０において、ＩＤＴ５４の電極５４ａ及び５４ｂはそれぞれ接続パッド１３Ｃ及び１３Ｄと接続されている。そして、接続パッド１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、１３Ｄは、図２に示すように、導体バンプ１４を介して実装基板２０の異なる４つの配線パターン２３とそれぞれ接続されている。
【００４３】
また、ＩＤＴ４３の電極４３ｂとＩＤＴ５３の電極５３ａ、ＩＤＴ４５の電極４５ｂとＩＤＴ５５の電極５５ａがそれぞれ接続されている。
【００４４】
このように、第１実施形態のフィルター部１２は、２つの縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０及び５０が直列に接続されて構成されている。
【００４５】
接続パッド１３Ａ及び１３Ｂとそれぞれ導通する２つの実装端子２２から、ｆ＝ｖ／２ｄ１（ｖは弾性表面波が圧電基板１１の表面を伝搬する速度）付近の周波数を有する平衡入力信号又は不平衡入力信号が供給されると、ＩＤＴ４４により１波長（λ１）が２ｄ１に等しい弾性表面波が励起される。そして、ＩＤＴ４４により励起された弾性表面波がＩＤＴ４３及びＩＤＴ４５に到達すると、ＩＤＴ４３の電極４３ｂ及びＩＤＴ４５の電極４５ｂにｆ＝ｖ／２ｄ１付近の周波数を有する信号が発生する。
【００４６】
この信号がＩＤＴ５３の電極５３ａ及びＩＤＴ５５の電極５５ａに供給され、ＩＤＴ５３及び５５により１波長（λ１）が２ｄ１に等しい弾性表面波が励起される。そして、ＩＤＴ５３及び５５により励起された弾性表面波がＩＤＴ５４に到達すると、ＩＤＴ５４の電極５４ａ及５４ｂにｆ＝ｖ／２ｄ１付近の周波数を有する平衡出力信号又は不平衡出力信号が発生し、接続パッド１３Ｃ及び１３Ｄを介して２つの実装端子２２から出力される。
【００４７】
このようにして、第１実施形態におけるフィルター部１２は、中心周波数をｆ＝ｖ／２ｄ１とするバンドパスフィルターとして機能することができる。この中心周波数が所望の周波数になるように、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０及び５０の電極指ピッチｄ１が決められる。そして、ＩＤＴ４３、４４、４５の間の音響結合によって生じる１次と３次の振動モードが反射器４１と反射器４２の間に閉じ込められるとともに、ＩＤＴ５３、５４、５５の間の音響結合によって生じる１次と３次の振動モードが反射器５１と反射器５２の間に閉じ込められ、これら２つの振動モードに基づいてフィルター部１２の通過帯域が決定される。
【００４８】
圧電基板１１の材料として温度による周波数シフトが少ないＳＴカット水晶を使用することにより、例えば、中心周波数が数１００ＭＨｚ、通過帯域幅が数１００ｋＨｚ（すなわち、比帯域（通過帯域幅／中心周波数）が０．１％程度）のバンドパスフィルターを実現することができる。
【００４９】
なお、反射効率を高め低損失のフィルターを実現すべく、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０において、反射器４１および反射器４２のグレーティングピッチｄ２をＩＤＴ４３、ＩＤＴ４４及びＩＤＴ４５の電極指ピッチｄ１よりも少しく大きく設定することが望ましい。縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター５０についても同様である。
【００５０】
第１実施形態では、ＩＤＴ４３の電極４３ａ及びＩＤＴ４５の電極４５ａが接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン４６及び４７を介してダム１５と接続されている点に特徴がある。同様に、ＩＤＴ５３の電極５３ｂ及びＩＤＴ５５の電極５５ｂは、接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン５６及び５７を介してダム１５と接続されている。
【００５１】
ここで、ダム１５は、ＳＡＷチップ１０の下面に形成された接続パッド１３や接続パッド１３とフィルター部１２とを接続する配線等よりも膜厚が厚いので低抵抗な配線として利用することができる。すなわち、第１実施形態では、ダム１５を低抵抗な配線として利用することで、ＩＤＴ４３の電極４３ａ及び４５ａ、ＩＤＴ５３の電極５３ｂ及び５５ｂの電位（基準電位）をほぼ等しくしている。
【００５２】
さらに、ダム１５の抵抗値は十分に低く、ダム１５自体も接続パッドを介して接地用の導体バンプに接続する必要がないためフローティングになっている。すなわち、ＩＤＴ４３の電極４３ａ及び４５ａ、ＩＤＴ５３の電極５３ｂ及び５５ｂは接地されていない。
【００５３】
このように、第１実施形態のＳＡＷデバイスでは、従来と異なり、ＩＤＴ４３の電極４３ａ及び４５ａ、ＩＤＴ５３の電極５３ｂ及び５５ｂをそれぞれ接地するための導体バンプが不要であり、さらに、ダム１５を接地するための導体バンプも不要であるため、これらの導体バンプに接続される接続パッドの配置領域を確保する必要がない。従って、第１実施形態によれば、フィルター部１２の配置及び配線の自由度を向上させることができ、ＳＡＷデバイスを小型化することができる。
【００５４】
図４は、第１実施形態のＳＡＷデバイス１の変形例におけるＳＡＷチップ１０の構成を示す図であり、ＳＡＷチップ１０の下面側の概略平面図である。本変形例において、ＳＡＷチップ１０以外は図２と同じ構成にすることができるため、その説明を省略する。
【００５５】
図４に示す本変形例におけるＳＡＷチップ１０では、ダム１５の形状を八角形にして、圧電基板１１の四隅にダム１５が配置されないようにしている。即ち、図３に示したようにダム１５を圧電基板１１の四隅まで形成した場合、フリップチップ実装時にＳＡＷチップ１０が傾いてしまった場合にダム１５が実装基板２０に当たってしまい、ＳＡＷチップ１０の実装強度の劣化やＳＡＷチップ１０の破損等の不具合が生じる場合がある。特に、ＳＡＷチップ１０に設けたダム１５と実装基板２０とのギャップＧを小さくするほど、ダム１５が実装基板２０に当たりやすくなってしまう問題が生じる。このような理由から、圧電基板１１のの四隅にダム１５が配置されないようにすれば、フリップチップ実装時にＳＡＷチップ１０が多少傾いたとしても、ダム１５が実装基板２０に当たらなくなる。
【００５６】
本変形例におけるＳＡＷチップ１０のその他の構成は、図３に示した第１実施形態におけるＳＡＷチップ１０の構成と同様であるため、同じ符号を付しておりその説明を省略する。
【００５７】
このように、本変形例のＳＡＷデバイスによれば、ダム１５が圧電基板１１の四隅に配置されないようにしたので、ＳＡＷチップ１０の実装角度を厳密に制御する必要がなくなり、製造効率を高めることができる。なお、図４ではダム１５の形状は八角形となっているが、ＳＡＷチップ１０の四隅にダム１５が配置されないようにしてあれば、八角形以上の多角形、円、楕円等の形状であっても良い。また、ダム１５の形状が多角形の場合、各頂点の少なくとも一つを円弧により丸めても良い。
【００５８】
［第２実施形態］
図５は、第２実施形態のＳＡＷデバイス１におけるＳＡＷチップ１０の構成を示す図であり、ＳＡＷチップ１０の下面側の概略平面図である。第２実施形態において、ＳＡＷチップ１０以外は図２に示した第１実施形態と同じ構成にすることができるため、その説明を省略する。
【００５９】
図５に示すように、第２実施形態におけるＳＡＷチップ１０は、３つのフィルター部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃを含んで構成されており、マルチバンドフィルターとして機能する。
【００６０】
フィルター部１２Ａは、２つの縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター６０及び７０が直列に接続されており、接続パッド１３Ａ及び１３Ｂとそれぞれ導通した２つの実装端子２２を入力端子とし、接続パッド１３Ｃ及び１３Ｄとそれぞれ導通した２つの実装端子２２を出力端子とするバンドパスフィルターとして機能する。縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター６０は、反射器６１、ＩＤＴ６３、ＩＤＴ６４、ＩＤＴ６５、反射器６２を含んで構成されており、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター７０は、反射器７１、ＩＤＴ７３、ＩＤＴ７４、ＩＤＴ７５、反射器７２を含んで構成されている。
【００６１】
同様に、フィルター部１２Ｂは、２つの縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター８０及び９０が直列に接続されており、接続パッド１３Ｅ及び１３Ｆとそれぞれ導通した２つの実装端子２２を入力端子とし、接続パッド１３Ｇ及び１３Ｈとそれぞれ導通した２つの実装端子２２を出力端子とするバンドパスフィルターとして機能する。縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター８０は、反射器８１、ＩＤＴ８３、ＩＤＴ８４、ＩＤＴ８５、反射器８２を含んで構成されており、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター９０は、反射器９１、ＩＤＴ９３、ＩＤＴ９４、ＩＤＴ９５、反射器９２を含んで構成されている。
【００６２】
同様に、フィルター部１２Ｃは、２つの縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター１００及び１１０が直列に接続されており、接続パッド１３Ｉ及び１３Ｊとそれぞれ導通した２つの実装端子２２を入力端子とし、接続パッド１３Ｋ及び１３Ｌとそれぞれ導通した２つの実装端子２２を出力端子とするバンドパスフィルターとして機能する。縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター１００は、反射器１０１、ＩＤＴ１０３、ＩＤＴ１０４、ＩＤＴ１０５、反射器１０２を含んで構成されており、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター１１０は、反射器１１１、ＩＤＴ１１３、ＩＤＴ１１４、ＩＤＴ１１５、反射器１１２を含んで構成されている。
【００６３】
入力あるいは出力が不平衡信号に限定される場合は基準電位に接続される実装端子２２はお互いに接続し共通化することが可能であり、複数の１次−３次ＤＭＳフィルターを含む構成であっても互いのフィルターの間で実装端子２２を共通化して端子の数を少なくすることができる。
【００６４】
フィルター部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの具体的な構成は、図３に示したフィルター部１２の構成と同様であるため、その説明を省略する。
【００６５】
第１実施形態と同じく第２実施形態においても、フィルター部１２Ａにおいて、ＩＤＴ６３の電極６３ａ及びＩＤＴ６５の電極６５ａが接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン６６及び６７を介してダム１５と接続されている。また、ＩＤＴ７３の電極７３ｂ及びＩＤＴ７５の電極７５ｂは、接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン７６及び７７を介してダム１５と接続されている。
【００６６】
同様に、フィルター部１２Ｂにおいて、ＩＤＴ８３の電極８３ａ及びＩＤＴ８５の電極８５ａが接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン８６及び８７を介してダム１５と接続されている。また、ＩＤＴ９３の電極９３ｂ及びＩＤＴ９５の電極９５ｂは、接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン９６及び９７を介してダム１５と接続されている。
【００６７】
同様に、フィルター部１２Ｃにおいて、ＩＤＴ１０３の電極１０３ａ及びＩＤＴ１０５の電極１０５ａが接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン１０６及び１０７を介してダム１５と接続されている。また、ＩＤＴ１１３の電極１１３ｂ及びＩＤＴ１１５の電極１１５ｂは、接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン１１６及び１１７を介してダム１５と接続されている。
【００６８】
このように、第１実施形態と同じく第２実施形態においても、従来は必要であった接地用の導体バンプと接続する接続パッドの配置領域を確保する必要がなく、フィルター部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの配置及び配線の自由度を向上させることができる。例えば、図５に示すように、フィルター部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの間隔を非常に狭く配置することにより、ＳＡＷチップ１０をより小型化することができる。
【００６９】
図６は、第２実施形態のＳＡＷデバイス１の変形例におけるＳＡＷチップ１０の構成を示す図であり、ＳＡＷチップ１０の下面側の概略平面図である。本変形例において、ＳＡＷチップ１０以外は第２実施形態と同じ構成にすることができるため、その説明を省略する。
【００７０】
図４に示した第１実施形態の変形例におけるＳＡＷチップ１０と同じく図６に示す本変形例におけるＳＡＷチップ１０では、ダム１５の形状を八角形にして、圧電基板１１の四隅にダム１５が配置されないようにしており、フリップチップ実装時にＳＡＷチップ１０が多少傾いたとしても、ダム１５が実装基板２０に当たらなくなる。
【００７１】
本変形例におけるＳＡＷチップ１０のその他の構成は、図５に示した第２実施形態におけるＳＡＷチップ１０の構成と同様であるため、同じ符号を付しておりその説明を省略する。
【００７２】
このように、本変形例のＳＡＷデバイスによれば、ダム１５が圧電基板１１の四隅に配置されないようにしたので、ＳＡＷチップ１０の実装角度を厳密に制御する必要がなくなり、製造効率を高めることができる。なお、図６ではダム１５の形状は八角形となっているが、ＳＡＷチップ１０の四隅にダム１５が配置されないようにしてあれば、八角形以上の多角形、円、楕円等の形状であっても良い。また、ダム１５の形状が多角形の場合、各頂点の少なくとも一つを円弧により丸めても良い。
【００７３】
なお、本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
【００７４】
例えば、図３〜図６に示したＳＡＷチップ１０では、ダム１５は接続パッドを介して導体バンプのいずれにも接続されておらずフローティングになっているが、接地用の少なくとも１つの導体バンプを設けて、ダム１５を接続パッドを介してこの導体バンプに接続するようにしてもよい。このようにすれば、接地用の接続パッドを配置するための領域とダム１５とこの接続パッドを接続する配線領域が必要になるためＳＡＷチップ１０のサイズが少しだけ大きくなる場合もあるが、ダム１５の電位を安定させることができるのでより良好なフィルター特性を実現することができる。
【００７５】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【００７６】
１ ＳＡＷデバイス、１０ ＳＡＷチップ、１１ 圧電基板、１２ フィルター部、１２Ａ〜１２Ｃ フィルター部、１３ 接続パッド、１３Ａ〜１３Ｌ 接続パッド、１４ 導体バンプ、１５ ダム、２０ 実装基板、２１ 絶縁基板、２２ 実装端子、２３ 配線パターン、２４ 内部配線、３０ 封止樹脂、３１ 気密空間、４０ 縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、４１〜４２ 反射器、４３〜４５ ＩＤＴ、４６〜４７ 配線パターン、５０ 縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、５１〜５２ 反射器、５３〜５５ ＩＤＴ、５６〜５７ 配線パターン、６０ 縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、６１〜６２ 反射器、６３〜６５ ＩＤＴ、６６〜６７ 配線パターン、７０ 縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、７１〜７２ 反射器、７３〜７５ ＩＤＴ、７６〜７７ 配線パターン、８０ 縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、８１〜８２ 反射器、８３〜８５ ＩＤＴ、８６〜８７ 配線パターン、９０ 縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、９１〜９２ 反射器、９３〜９５ ＩＤＴ、９６〜９７ 配線パターン、１００ 縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、１０１〜１０２ 反射器、１０３〜１０５ ＩＤＴ、１０６〜１０７ 配線パターン、１１０ 縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、１１１〜１１２ 反射器、１１３〜１１５ ＩＤＴ、１１６〜１１７ 配線パターン、２００ ＳＡＷチップ、２０２ フィルター部、２０３Ａ〜２０３Ｈ 接続パッド、２０５ ダム、２１０ 縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、２１３〜２１５ ＩＤＴ、２２０ 縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、２２３〜２２５ ＩＤＴ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＡＷデバイス等に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電基板上に形成されたＩＤＴ（Interdigital Transducer）により励振される弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）を利用した弾性表面波（ＳＡＷ）フィルターを備えたＳＡＷデバイスは、高周波帯域の周波数フィルターとして携帯電話機やキーレスエントリーシステム等、様々な電子機器やシステムに用いられている。
【０００３】
近年、半導体部品においてＣＳＰ（Chip Size Package）と呼ばれる小型パッケージング技術が一般化するのに伴って、ＳＡＷデバイスにおいても、デバイスの小型化を容易にし、バッチ式の製造方法により生産性を向上させる目的で、ＣＳＰ技術を用いた生産方法が導入されるようになっている。
【０００４】
例えば、ＳＡＷフィルターが形成されたＳＡＷチップを実装基板にフェイスダウンでフリップチップ実装し、ＳＡＷフィルターの周辺に気密な内部空間が形成されるように、ＳＡＷチップの外面を樹脂で封止したＳＡＷデバイスが知られている。これにより、基板に実装したＳＡＷチップの外面が露出しないようにして破損から保護し、耐湿性、気密性に優れた高品質なＳＡＷデバイスが提供される。
【０００５】
特許文献１では、このようなＳＡＷデバイスにおいて、基板に実装したＳＡＷチップを封止する樹脂がＳＡＷフィルターの周辺に流入することを防止するために、ＳＡＷチップの電極形成面の周縁部に樹脂からなるダムを形成したＳＡＷデバイスが提案されている。さらに、特許文献２に記載されているようにダムの幅を広くして補強を図ったり、特許文献３に記載されているようにダムを吸音材として利用するＳＡＷデバイスも提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２２９６３２号公報
【特許文献２】特開２００７−３２４６５２号公報
【特許文献３】特開２００８−４２４３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このような従来のＳＡＷデバイスでは、ＳＡＷチップは図７に示すように構成される。図７は、ＳＡＷチップの下面側の概略的な平面図であり、図７においてＳＡＷチップ２００の下面には、フィルター部２０２、接続パッド２０３Ａ〜２０３Ｈ、ダム２０５等が形成されている。フィルター部２０２は、２つの縦結合１次−３次２重モードＳＡＷフィルター（縦結合１次−３次ＤＭＳ（Double Mode SAW）フィルター）２１０及び２２０が直列に接続されて構成されている。すなわち、ＩＤＴ２１３の櫛形電極２１３ｂ及びＩＤＴ２１５の櫛形電極２１５ｂがそれぞれＩＤＴ２２３の櫛形電極２２３ａ及びＩＤＴ２２５の櫛形電極２２５ａと接続されている。また、ＩＤＴ２１４の櫛形電極２１４ａ及び２１４ｂは、それぞれ接続パッド２０３Ａ及び２０３Ｂに接続されており、接続パッド２０３Ａ及び２０３Ｂにそれぞれ接続された２つの導体バンプ（図示しない）を介して平衡入力信号又は不平衡入力信号が入力される。さらに、ＩＤＴ２２４の櫛形電極２２４ａ及び２２４ｂは、それぞれ接続パッド２０３Ｃ及び２０３Ｄに接続されており、接続パッド２０３Ｃ及び２０３Ｄにそれぞれ接続された２つの導体バンプ（図示しない）を介して平衡出力信号又は不平衡出力信号を出力する。
【０００８】
また、従来のＳＡＷデバイスでは、ＩＤＴ２１３の櫛形電極２１３ａ及びＩＤＴ２１５の櫛形電極２１５ａは、それぞれ接続パッド２０３Ｅ及び２０３Ｆに接続されており、接続パッド２０３Ｅ及び２０３Ｆにそれぞれ接続された２つの導体バンプ（図示しない）を介して接地されている。同様に、ＩＤＴ２２３の櫛形電極２２３ｂ及びＩＤＴ２２５の櫛形電極２２５ｂは、それぞれ接続パッド２０３Ｇ及び２０３Ｈに接続されており、接続パッド２０３Ｇ及び２０３Ｈにそれぞれ接続された２つの導体バンプ（図示しない）を介して接地されている。
【０００９】
このように、従来のＳＡＷデバイスでは、ＩＤＴ２１３の櫛形電極２１３ａ及びＩＤＴ２１５の櫛形電極２１５ａ、ＩＤＴ２２３の櫛形電極２２３ｂ及びＩＤＴ２２５の櫛形電極２２５ｂをすべて同電位とするために接続パッド２０３Ｅ〜２０３Ｈを介して接地する必要があった。しかし、ダム２０５の配置領域を確保する必要があり、また、接続パッドは導体バンプを接続可能なサイズでなければならないため、接続パッドの配置が制限されるとともに接続パッドに接続される配線の自由度も小さくなり、ＳＡＷデバイスを小型化することが難しいという問題があった。さらに、マルチバンドのフィルターデバイスのように複数のフィルター部を含むＳＡＷデバイスでは、接続パッドの配置がさらに制限されるため、ＳＡＷデバイスの小型化がより難しい。
【００１０】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、ダムを利用してフィルター部における配置及び配線の自由度を向上させることにより小型化が可能なＳＡＷデバイスを提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）本発明は、絶縁基板と、当該絶縁基板の底部に設けられた表面実装用の実装端子と、当該絶縁基板の上部に設けられ前記実装端子と導通した配線パターンと、を備えた実装基板と、導体バンプと、第１のＳＡＷフィルターと第２のＳＡＷフィルターとを直列接続したフィルター部及び前記フィルター部の入力又は出力に接続された接続パッドが形成された圧電基板を備え、前記接続パッドが前記導体バンプを介して前記配線パターンと接続されることにより前記実装基板にフリップチップ実装されたＳＡＷチップと、前記ＳＡＷチップと前記実装基板との間に気密空間が形成されるように前記ＳＡＷチップの外面を被覆する封止樹脂と、を含むＳＡＷデバイスであって、前記ＳＡＷチップの外周には、金属又は合金で構成され、前記ＳＡＷフィルターの周辺への前記封止樹脂の流入を阻止するためのダムが設けられ、前記フィルター部は、前記第１のＳＡＷフィルター及び前記第２のＳＡＷフィルターは、前記接続パッドに接続された第１のＩＤＴと、当該第１のＩＤＴの両側に近接して配置された第２のＩＤＴ及び第３のＩＤＴと、前記第１のＩＤＴ、前記第２のＩＤＴ及び前記第３のＩＤＴを挟むように前記第２のＩＤＴ及び前記第３のＩＤＴの隣に近接してそれぞれ配置された２つの反射器とを含み、前記第１のＩＤＴ、前記第２のＩＤＴ及び前記第３のＩＤＴの間の音響結合によって生じる１次と３次の振動モードを利用する縦結合１次−３次２重モードＳＡＷフィルターとして構成され、前記第１のＳＡＷフィルターの前記第２のＩＤＴの一方の櫛形電極と前記第２のＳＡＷフィルターの前記第２のＩＤＴの一方の櫛形電極とが配線接続されるとともに、前記第１のＳＡＷフィルターの前記第３のＩＤＴの一方の櫛形電極と前記第２のＳＡＷフィルターの前記第３のＩＤＴの一方の櫛形電極とが配線接続され、前記第１のＳＡＷフィルターの前記第２のＩＤＴの他方の櫛形電極及び前記第３のＩＤＴの他方の櫛形電極と、前記第２のＳＡＷフィルターの前記第２のＩＤＴの他方の櫛形電極及び前記第３のＩＤＴの他方の櫛形電極とが前記ダムと配線接続されていることを特徴とする。
【００１２】
本発明のＳＡＷデバイスでは、封止樹脂の流入を阻止するためのダムを低抵抗な配線としても利用し、第１のＳＡＷフィルター及び第２のＳＡＷフィルターの両側ＩＤＴ（第２のＩＤＴと第３のＩＤＴ）の基準電位をすべて同電位とすることにより、フィルター部がフィルターとして機能できるようにしている。すなわち、本発明のＳＡＷデバイスでは、従来と異なり、第１のＳＡＷフィルター及び第２のＳＡＷフィルターの両側ＩＤＴに接地用の導体バンプを直接接続する必要がないため、この接地用の導体バンプを接続する接続パッドの配置領域を確保する必要がない。従って、本発明によれば、フィルター部の配置及び配線の自由度を向上させることができ、ＳＡＷデバイスを小型化することができる。
【００１３】
（２）このＳＡＷデバイスにおいて、前記ダムは、前記導体バンプのいずれにも接続されていないように構成されていてもよい。
【００１４】
本発明のＳＡＷデバイスでは、ダムは、金属又は合金で構成されており、かつ、封止樹脂の流入を阻止するのに十分な厚みがあるので、抵抗値が十分小さい。従って、ＳＡＷフィルターの特性要求が厳しくなければ、フローティングにしたダムの電位をＳＡＷフィルターの基準電位とすることが可能であり、そのためダムを接地するための導体バンプが不要である。従って、本発明によれば、ＳＡＷデバイスを小型化することができる。
【００１５】
（３）このＳＡＷデバイスにおいて、前記ダムは、少なくとも１つの前記導体バンプを介して接地されているように構成されていてもよい。
【００１６】
本発明によれば、ダムを接地することによりダムの電位を安定させることができるので、ダムをフローティングする場合と比較してより良好なフィルター特性を実現することができる。
【００１７】
（４）このＳＡＷデバイスは、複数の前記フィルター部を含むように構成されていてもよい。
【００１８】
本発明によれば、複数のフィルター部を含むＳＡＷデバイスにおいても、ダムを配線として利用することにより、第１のＳＡＷフィルター及び第２のＳＡＷフィルターの両側ＩＤＴの基準電位をすべて同電位とすることができる。そのため、複数のフィルター部を含むＳＡＷデバイスにおいても、第１のＳＡＷフィルター及び第２のＳＡＷフィルターの両側ＩＤＴを接地用の導体バンプと接続するための接続パッドの配置領域を確保する必要がない。従って、本発明によれば、フィルター部の配置及び配線の自由度を向上させることができ、ＳＡＷデバイスを小型化することができる。
【００１９】
（５）このＳＡＷデバイスにおいて、前記フィルター部は、入力及び出力の少なくとも一方が平衡であるように構成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１実施形態のＳＡＷデバイスの外観斜視図。
【図２】第１実施形態のＳＡＷデバイスの概略断面図。
【図３】ＳＡＷチップの下面側の概略平面図。
【図４】第１実施形態の変形例におけるＳＡＷチップの概略平面図。
【図５】第２実施形態におけるＳＡＷチップの概略平面図。
【図６】第２実施形態の変形例におけるＳＡＷチップの概略平面図。
【図７】従来のＳＡＷデバイスにおけるＳＡＷチップの概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００２２】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態のＳＡＷデバイスの外観斜視図であり、図２は、第１実施形態のＳＡＷデバイスの概略断面図である。
【００２３】
図１及び図２に示すように、第１実施形態のＳＡＷデバイス１は、ＳＡＷチップ１０、実装基板２０及び封止樹脂３０を含んで構成されている。
【００２４】
図２に示すように、実装基板２０は、絶縁基板２１と、絶縁基板２１の底部に設けられた表面実装用の実装端子２２と、絶縁基板２１の上面に設けられ内部配線２４を介して実装端子２２と導通した配線パターン２３と、を備えている。絶縁基板２１は、ガラス、樹脂、セラミック、ガラスエポキシ、アルミナ等で構成されている。
【００２５】
ＳＡＷチップ１０は、圧電基板１１を備え、圧電基板１１の下面にはフィルター部１２及びフィルター部１２の入力又は出力に接続された接続パッド１３が形成されている。圧電基板１１は、水晶、ニオブ酸リチウム（LiNbO3）、タンタル酸リチウム（LiTaO3）、四ほう酸リチウム（Li2B4O7, LBO）等の単結晶材料や、酸化亜鉛（ZnO）、窒化アルミニウム（AlN）等の圧電性薄膜、圧電性セラミックス材料などで構成されている。
【００２６】
そして、接続パッド１３が導体バンプ１４を介して実装基板２０の配線パターン２３と接続されることにより、ＳＡＷチップ１０が実装基板２０にフリップチップ実装されている。導体バンプ１４は、アルミニウム（Al）、金（Au）、銀（Ag）、銅（Cu）、ニッケル（Ni）、チタン（Ti）、クロム（Cr）、タンタル（Ta）、モリブデン（Mo）、タングステン（W）等の金属、導電性接着剤、半田等で構成される。
【００２７】
封止樹脂３０は、ＳＡＷチップ１０の下面と実装基板２０の上面との間の空間を気密化させて気密空間３１が形成されるように、ＳＡＷチップ１０の下面を除いた外面（上面及び側面）を被覆している。気密空間３１を形成することにより、ＳＡＷフィルター１２における弾性表面波の伝搬を確保し、所望のフィルター特性を実現することができる。
【００２８】
封止樹脂３０は、樹脂シートを一旦軟化温度まで加熱昇温させてから加圧変形させてＳＡＷチップ１０の外面と実装基板２０の上面に密着させた後で、硬化温度まで加熱昇温させて形状を固定することにより形成される。封止樹脂３０により、ＳＡＷチップ１０の気密性を確保するとともに、実装基板２０に対するＳＡＷチップ１０の固定力を補強することができる。
【００２９】
樹脂封止工程の際にフィルター部１２の周辺に封止樹脂３０が流入するのを防止するために、ＳＡＷチップ１０の下面の周縁部にダム１５が設けられている。樹脂封止工程の際の加熱と加圧によってダム１５が変形しないように、ダム１５は金属又は合金から形成されている。また、ダム１５は実装基板２０に接触しておらず、ダム１５の下面と実装基板２０との間はギャップＧだけ離れている。そのため、ダム１５には、実装基板２０とＳＡＷチップ１５との熱膨張係数の差に起因する応力が発生しないようになっている。
【００３０】
フィルター部１２の周辺への封止樹脂３０の流入量を低減するためにギャップＧは狭い方が好ましい。例えば、ダム１５の厚みを大きくしたり、ダム１５の真下の実装基板２０の上面に外周パターンを設けることにより、ギャップＧを狭くすることができる。
【００３１】
なお、ダム１５は実装基板２０の上面に設けても良いが、実装基板２０を複数個連接した配線基板母材上に、一括して、且つ高い寸法精度で金属又は合金からなるダム１５を形成するには、ダムパターンに対応したフォトリソグラフィ技術によるレジストパターンを配線基板母材上に形成する必要がある。高寸法精度であるレジストパターンに対し、配線基板母材上の配線パターンは寸法精度が悪く、配線基板母材全体に渡って精度良く配線パターンとダムパターンを合わせ込むことが困難であり、高密度配線に不向きである。従って、ダム１５はＳＡＷチップ１０の下面に形成するのが好ましい。
【００３２】
図３は、ＳＡＷチップ１０の一例を示す図であり、ＳＡＷチップ１０の下面側の概略平面図である。
【００３３】
図３に示すように、第１実施形態におけるＳＡＷチップ１０は、その下面の周縁部にダム１５が形成されており、ダム１５に取り囲まれるようにフィルター部１２が形成されている。
【００３４】
フィルター部１２は、２つの縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０及び５０を含んで構成されている。
【００３５】
縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０は、圧電基板１１の主表面上に形成された、反射器４１、ＩＤＴ４３（本発明における「第２のＩＤＴ」に相当する）、ＩＤＴ４４（本発明における「第１のＩＤＴ」に相当する）、ＩＤＴ４５（本発明における「第３のＩＤＴ」に相当する）、反射器４２を含んで構成されている。
【００３６】
ＩＤＴ４３、ＩＤＴ４４、ＩＤＴ４５は、弾性表面波の伝搬方向に沿って、反射器４１と反射器４２の間にこの順に近接して配置されている。
【００３７】
ＩＤＴ４３は、一定間隔ｄ１で形成された複数の電極指を有する櫛状の電極４３ａ、４３ｂが互いに間挿し合うように対向して配置されている。
【００３８】
ＩＤＴ４４は、ＩＤＴ４３と同じ一定間隔ｄ１で形成された複数の電極指を有する櫛状の電極４４ａ、４４ｂが互いに間挿し合うように対向して配置されている。
【００３９】
ＩＤＴ４５は、ＩＤＴ４３と同じ一定間隔ｄ１で形成された複数の電極指を有する櫛状の電極４５ａ、４５ｂが互いに間挿し合うように対向して配置されている。
【００４０】
反射器４１と反射器４２は、ＩＤＴ４３、ＩＤＴ４４、ＩＤＴ４５の両側に近接して配置され、一定のグレーティングピッチ（ｄ２）で電極が形成されている。
【００４１】
同様に、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター５０は、圧電基板１１の主表面上に形成された、反射器５１、ＩＤＴ５３、ＩＤＴ５４、ＩＤＴ５５、反射器５２を含んで構成されている。これらの配置は、図３に示すように、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０と同じであるため、その説明を省略する。
【００４２】
縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０において、ＩＤＴ４４の電極４４ａ及び４４ｂはそれぞれ接続パッド１３Ａ及び１３Ｂと接続されている。同様に、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター５０において、ＩＤＴ５４の電極５４ａ及び５４ｂはそれぞれ接続パッド１３Ｃ及び１３Ｄと接続されている。そして、接続パッド１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、１３Ｄは、図２に示すように、導体バンプ１４を介して実装基板２０の異なる４つの配線パターン２３とそれぞれ接続されている。
【００４３】
また、ＩＤＴ４３の電極４３ｂとＩＤＴ５３の電極５３ａ、ＩＤＴ４５の電極４５ｂとＩＤＴ５５の電極５５ａがそれぞれ接続されている。
【００４４】
このように、第１実施形態のフィルター部１２は、２つの縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０及び５０が直列に接続されて構成されている。
【００４５】
接続パッド１３Ａ及び１３Ｂとそれぞれ導通する２つの実装端子２２から、ｆ＝ｖ／２ｄ１（ｖは弾性表面波が圧電基板１１の表面を伝搬する速度）付近の周波数を有する平衡入力信号又は不平衡入力信号が供給されると、ＩＤＴ４４により１波長（λ１）が２ｄ１に等しい弾性表面波が励起される。そして、ＩＤＴ４４により励起された弾性表面波がＩＤＴ４３及びＩＤＴ４５に到達すると、ＩＤＴ４３の電極４３ｂ及びＩＤＴ４５の電極４５ｂにｆ＝ｖ／２ｄ１付近の周波数を有する信号が発生する。
【００４６】
この信号がＩＤＴ５３の電極５３ａ及びＩＤＴ５５の電極５５ａに供給され、ＩＤＴ５３及び５５により１波長（λ１）が２ｄ１に等しい弾性表面波が励起される。そして、ＩＤＴ５３及び５５により励起された弾性表面波がＩＤＴ５４に到達すると、ＩＤＴ５４の電極５４ａ及５４ｂにｆ＝ｖ／２ｄ１付近の周波数を有する平衡出力信号又は不平衡出力信号が発生し、接続パッド１３Ｃ及び１３Ｄを介して２つの実装端子２２から出力される。
【００４７】
このようにして、第１実施形態におけるフィルター部１２は、中心周波数をｆ＝ｖ／２ｄ１とするバンドパスフィルターとして機能することができる。この中心周波数が所望の周波数になるように、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０及び５０の電極指ピッチｄ１が決められる。そして、ＩＤＴ４３、４４、４５の間の音響結合によって生じる１次と３次の振動モードが反射器４１と反射器４２の間に閉じ込められるとともに、ＩＤＴ５３、５４、５５の間の音響結合によって生じる１次と３次の振動モードが反射器５１と反射器５２の間に閉じ込められ、これら２つの振動モードに基づいてフィルター部１２の通過帯域が決定される。
【００４８】
圧電基板１１の材料として温度による周波数シフトが少ないＳＴカット水晶を使用することにより、例えば、中心周波数が数１００ＭＨｚ、通過帯域幅が数１００ｋＨｚ（すなわち、比帯域（通過帯域幅／中心周波数）が０．１％程度）のバンドパスフィルターを実現することができる。
【００４９】
なお、反射効率を高め低損失のフィルターを実現すべく、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０において、反射器４１および反射器４２のグレーティングピッチｄ２をＩＤＴ４３、ＩＤＴ４４及びＩＤＴ４５の電極指ピッチｄ１よりも少しく大きく設定することが望ましい。縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター５０についても同様である。
【００５０】
第１実施形態では、ＩＤＴ４３の電極４３ａ及びＩＤＴ４５の電極４５ａが接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン４６及び４７を介してダム１５と接続されている点に特徴がある。同様に、ＩＤＴ５３の電極５３ｂ及びＩＤＴ５５の電極５５ｂは、接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン５６及び５７を介してダム１５と接続されている。
【００５１】
ここで、ダム１５は、ＳＡＷチップ１０の下面に形成された接続パッド１３や接続パッド１３とフィルター部１２とを接続する配線等よりも膜厚が厚いので低抵抗な配線として利用することができる。すなわち、第１実施形態では、ダム１５を低抵抗な配線として利用することで、ＩＤＴ４３の電極４３ａ及び４５ａ、ＩＤＴ５３の電極５３ｂ及び５５ｂの電位（基準電位）をほぼ等しくしている。
【００５２】
さらに、ダム１５の抵抗値は十分に低く、ダム１５自体も接続パッドを介して接地用の導体バンプに接続する必要がないためフローティングになっている。すなわち、ＩＤＴ４３の電極４３ａ及び４５ａ、ＩＤＴ５３の電極５３ｂ及び５５ｂは接地されていない。
【００５３】
このように、第１実施形態のＳＡＷデバイスでは、従来と異なり、ＩＤＴ４３の電極４３ａ及び４５ａ、ＩＤＴ５３の電極５３ｂ及び５５ｂをそれぞれ接地するための導体バンプが不要であり、さらに、ダム１５を接地するための導体バンプも不要であるため、これらの導体バンプに接続される接続パッドの配置領域を確保する必要がない。従って、第１実施形態によれば、フィルター部１２の配置及び配線の自由度を向上させることができ、ＳＡＷデバイスを小型化することができる。
【００５４】
図４は、第１実施形態のＳＡＷデバイス１の変形例におけるＳＡＷチップ１０の構成を示す図であり、ＳＡＷチップ１０の下面側の概略平面図である。本変形例において、ＳＡＷチップ１０以外は図２と同じ構成にすることができるため、その説明を省略する。
【００５５】
図４に示す本変形例におけるＳＡＷチップ１０では、ダム１５の形状を八角形にして、圧電基板１１の四隅にダム１５が配置されないようにしている。即ち、図３に示したようにダム１５を圧電基板１１の四隅まで形成した場合、フリップチップ実装時にＳＡＷチップ１０が傾いてしまった場合にダム１５が実装基板２０に当たってしまい、ＳＡＷチップ１０の実装強度の劣化やＳＡＷチップ１０の破損等の不具合が生じる場合がある。特に、ＳＡＷチップ１０に設けたダム１５と実装基板２０とのギャップＧを小さくするほど、ダム１５が実装基板２０に当たりやすくなってしまう問題が生じる。このような理由から、圧電基板１１のの四隅にダム１５が配置されないようにすれば、フリップチップ実装時にＳＡＷチップ１０が多少傾いたとしても、ダム１５が実装基板２０に当たらなくなる。
【００５６】
本変形例におけるＳＡＷチップ１０のその他の構成は、図３に示した第１実施形態におけるＳＡＷチップ１０の構成と同様であるため、同じ符号を付しておりその説明を省略する。
【００５７】
このように、本変形例のＳＡＷデバイスによれば、ダム１５が圧電基板１１の四隅に配置されないようにしたので、ＳＡＷチップ１０の実装角度を厳密に制御する必要がなくなり、製造効率を高めることができる。なお、図４ではダム１５の形状は八角形となっているが、ＳＡＷチップ１０の四隅にダム１５が配置されないようにしてあれば、八角形以上の多角形、円、楕円等の形状であっても良い。また、ダム１５の形状が多角形の場合、各頂点の少なくとも一つを円弧により丸めても良い。
【００５８】
［第２実施形態］
図５は、第２実施形態のＳＡＷデバイス１におけるＳＡＷチップ１０の構成を示す図であり、ＳＡＷチップ１０の下面側の概略平面図である。第２実施形態において、ＳＡＷチップ１０以外は図２に示した第１実施形態と同じ構成にすることができるため、その説明を省略する。
【００５９】
図５に示すように、第２実施形態におけるＳＡＷチップ１０は、３つのフィルター部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃを含んで構成されており、マルチバンドフィルターとして機能する。
【００６０】
フィルター部１２Ａは、２つの縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター６０及び７０が直列に接続されており、接続パッド１３Ａ及び１３Ｂとそれぞれ導通した２つの実装端子２２を入力端子とし、接続パッド１３Ｃ及び１３Ｄとそれぞれ導通した２つの実装端子２２を出力端子とするバンドパスフィルターとして機能する。縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター６０は、反射器６１、ＩＤＴ６３、ＩＤＴ６４、ＩＤＴ６５、反射器６２を含んで構成されており、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター７０は、反射器７１、ＩＤＴ７３、ＩＤＴ７４、ＩＤＴ７５、反射器７２を含んで構成されている。
【００６１】
同様に、フィルター部１２Ｂは、２つの縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター８０及び９０が直列に接続されており、接続パッド１３Ｅ及び１３Ｆとそれぞれ導通した２つの実装端子２２を入力端子とし、接続パッド１３Ｇ及び１３Ｈとそれぞれ導通した２つの実装端子２２を出力端子とするバンドパスフィルターとして機能する。縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター８０は、反射器８１、ＩＤＴ８３、ＩＤＴ８４、ＩＤＴ８５、反射器８２を含んで構成されており、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター９０は、反射器９１、ＩＤＴ９３、ＩＤＴ９４、ＩＤＴ９５、反射器９２を含んで構成されている。
【００６２】
同様に、フィルター部１２Ｃは、２つの縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター１００及び１１０が直列に接続されており、接続パッド１３Ｉ及び１３Ｊとそれぞれ導通した２つの実装端子２２を入力端子とし、接続パッド１３Ｋ及び１３Ｌとそれぞれ導通した２つの実装端子２２を出力端子とするバンドパスフィルターとして機能する。縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター１００は、反射器１０１、ＩＤＴ１０３、ＩＤＴ１０４、ＩＤＴ１０５、反射器１０２を含んで構成されており、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター１１０は、反射器１１１、ＩＤＴ１１３、ＩＤＴ１１４、ＩＤＴ１１５、反射器１１２を含んで構成されている。
【００６３】
入力あるいは出力が不平衡信号に限定される場合は基準電位に接続される実装端子２２はお互いに接続し共通化することが可能であり、複数の１次−３次ＤＭＳフィルターを含む構成であっても互いのフィルターの間で実装端子２２を共通化して端子の数を少なくすることができる。
【００６４】
フィルター部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの具体的な構成は、図３に示したフィルター部１２の構成と同様であるため、その説明を省略する。
【００６５】
第１実施形態と同じく第２実施形態においても、フィルター部１２Ａにおいて、ＩＤＴ６３の電極６３ａ及びＩＤＴ６５の電極６５ａが接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン６６及び６７を介してダム１５と接続されている。また、ＩＤＴ７３の電極７３ｂ及びＩＤＴ７５の電極７５ｂは、接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン７６及び７７を介してダム１５と接続されている。
【００６６】
同様に、フィルター部１２Ｂにおいて、ＩＤＴ８３の電極８３ａ及びＩＤＴ８５の電極８５ａが接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン８６及び８７を介してダム１５と接続されている。また、ＩＤＴ９３の電極９３ｂ及びＩＤＴ９５の電極９５ｂは、接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン９６及び９７を介してダム１５と接続されている。
【００６７】
同様に、フィルター部１２Ｃにおいて、ＩＤＴ１０３の電極１０３ａ及びＩＤＴ１０５の電極１０５ａが接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン１０６及び１０７を介してダム１５と接続されている。また、ＩＤＴ１１３の電極１１３ｂ及びＩＤＴ１１５の電極１１５ｂは、接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン１１６及び１１７を介してダム１５と接続されている。
【００６８】
このように、第１実施形態と同じく第２実施形態においても、従来は必要であった接地用の導体バンプと接続する接続パッドの配置領域を確保する必要がなく、フィルター部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの配置及び配線の自由度を向上させることができる。例えば、図５に示すように、フィルター部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの間隔を非常に狭く配置することにより、ＳＡＷチップ１０をより小型化することができる。
【００６９】
図６は、第２実施形態のＳＡＷデバイス１の変形例におけるＳＡＷチップ１０の構成を示す図であり、ＳＡＷチップ１０の下面側の概略平面図である。本変形例において、ＳＡＷチップ１０以外は第２実施形態と同じ構成にすることができるため、その説明を省略する。
【００７０】
図４に示した第１実施形態の変形例におけるＳＡＷチップ１０と同じく図６に示す本変形例におけるＳＡＷチップ１０では、ダム１５の形状を八角形にして、圧電基板１１の四隅にダム１５が配置されないようにしており、フリップチップ実装時にＳＡＷチップ１０が多少傾いたとしても、ダム１５が実装基板２０に当たらなくなる。
【００７１】
本変形例におけるＳＡＷチップ１０のその他の構成は、図５に示した第２実施形態におけるＳＡＷチップ１０の構成と同様であるため、同じ符号を付しておりその説明を省略する。
【００７２】
このように、本変形例のＳＡＷデバイスによれば、ダム１５が圧電基板１１の四隅に配置されないようにしたので、ＳＡＷチップ１０の実装角度を厳密に制御する必要がなくなり、製造効率を高めることができる。なお、図６ではダム１５の形状は八角形となっているが、ＳＡＷチップ１０の四隅にダム１５が配置されないようにしてあれば、八角形以上の多角形、円、楕円等の形状であっても良い。また、ダム１５の形状が多角形の場合、各頂点の少なくとも一つを円弧により丸めても良い。
【００７３】
なお、本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
【００７４】
例えば、図３〜図６に示したＳＡＷチップ１０では、ダム１５は接続パッドを介して導体バンプのいずれにも接続されておらずフローティングになっているが、接地用の少なくとも１つの導体バンプを設けて、ダム１５を接続パッドを介してこの導体バンプに接続するようにしてもよい。このようにすれば、接地用の接続パッドを配置するための領域とダム１５とこの接続パッドを接続する配線領域が必要になるためＳＡＷチップ１０のサイズが少しだけ大きくなる場合もあるが、ダム１５の電位を安定させることができるのでより良好なフィルター特性を実現することができる。
【００７５】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【００７６】
１ ＳＡＷデバイス、１０ ＳＡＷチップ、１１ 圧電基板、１２ フィルター部、１２Ａ〜１２Ｃ フィルター部、１３ 接続パッド、１３Ａ〜１３Ｌ 接続パッド、１４ 導体バンプ、１５ ダム、２０ 実装基板、２１ 絶縁基板、２２ 実装端子、２３ 配線パターン、２４ 内部配線、３０ 封止樹脂、３１ 気密空間、４０ 縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、４１〜４２ 反射器、４３〜４５ ＩＤＴ、４６〜４７ 配線パターン、５０ 縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、５１〜５２ 反射器、５３〜５５ ＩＤＴ、５６〜５７ 配線パターン、６０ 縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、６１〜６２ 反射器、６３〜６５ ＩＤＴ、６６〜６７ 配線パターン、７０ 縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、７１〜７２ 反射器、７３〜７５ ＩＤＴ、７６〜７７ 配線パターン、８０ 縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、８１〜８２ 反射器、８３〜８５ ＩＤＴ、８６〜８７ 配線パターン、９０ 縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、９１〜９２ 反射器、９３〜９５ ＩＤＴ、９６〜９７ 配線パターン、１００ 縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、１０１〜１０２ 反射器、１０３〜１０５ ＩＤＴ、１０６〜１０７ 配線パターン、１１０ 縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、１１１〜１１２ 反射器、１１３〜１１５ ＩＤＴ、１１６〜１１７ 配線パターン、２００ ＳＡＷチップ、２０２ フィルター部、２０３Ａ〜２０３Ｈ 接続パッド、２０５ ダム、２１０ 縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、２１３〜２１５ ＩＤＴ、２２０ 縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、２２３〜２２５ ＩＤＴ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、当該絶縁基板の底部に設けられた表面実装用の実装端子と、当該絶縁基板の上部に設けられ前記実装端子と導通した配線パターンと、を備えた実装基板と、
導体バンプと、
第１のＳＡＷフィルターと第２のＳＡＷフィルターとを直列接続したフィルター部及び前記フィルター部の入力又は出力に接続された接続パッドが形成された圧電基板を備え、前記接続パッドが前記導体バンプを介して前記配線パターンと接続されることにより前記実装基板にフリップチップ実装されたＳＡＷチップと、
前記ＳＡＷチップと前記実装基板との間に気密空間が形成されるように前記ＳＡＷチップの外面を被覆する封止樹脂と、を含むＳＡＷデバイスであって、
前記ＳＡＷチップの外周には、金属又は合金で構成され、前記ＳＡＷフィルターの周辺への前記封止樹脂の流入を阻止するためのダムが設けられ、
前記フィルター部は、
前記第１のＳＡＷフィルター及び前記第２のＳＡＷフィルターは、前記接続パッドに接続された第１のＩＤＴと、当該第１のＩＤＴの両側に近接して配置された第２のＩＤＴ及び第３のＩＤＴと、前記第１のＩＤＴ、前記第２のＩＤＴ及び前記第３のＩＤＴを挟むように前記第２のＩＤＴ及び前記第３のＩＤＴの隣に近接してそれぞれ配置された２つの反射器とを含み、前記第１のＩＤＴ、前記第２のＩＤＴ及び前記第３のＩＤＴの間の音響結合によって生じる１次と３次の振動モードを利用する縦結合１次−３次２重モードＳＡＷフィルターとして構成され、前記第１のＳＡＷフィルターの前記第２のＩＤＴの一方の櫛形電極と前記第２のＳＡＷフィルターの前記第２のＩＤＴの一方の櫛形電極とが配線接続されるとともに、前記第１のＳＡＷフィルターの前記第３のＩＤＴの一方の櫛形電極と前記第２のＳＡＷフィルターの前記第３のＩＤＴの一方の櫛形電極とが配線接続され、前記第１のＳＡＷフィルターの前記第２のＩＤＴの他方の櫛形電極及び前記第３のＩＤＴの他方の櫛形電極と、前記第２のＳＡＷフィルターの前記第２のＩＤＴの他方の櫛形電極及び前記第３のＩＤＴの他方の櫛形電極とが前記ダムと配線接続されていることを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項２】
請求項１において、
前記ダムは、
前記導体バンプのいずれにも接続されていないことを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項３】
請求項１において、
前記ダムは、
少なくとも１つの前記導体バンプを介して接地されていることを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
複数の前記フィルター部を含むことを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記フィルター部は、
入力及び出力の少なくとも一方が平衡であることを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項１】
絶縁基板と、当該絶縁基板の底部に設けられた表面実装用の実装端子と、当該絶縁基板の上部に設けられ前記実装端子と導通した配線パターンと、を備えた実装基板と、
導体バンプと、
第１のＳＡＷフィルターと第２のＳＡＷフィルターとを直列接続したフィルター部及び前記フィルター部の入力又は出力に接続された接続パッドが形成された圧電基板を備え、前記接続パッドが前記導体バンプを介して前記配線パターンと接続されることにより前記実装基板にフリップチップ実装されたＳＡＷチップと、
前記ＳＡＷチップと前記実装基板との間に気密空間が形成されるように前記ＳＡＷチップの外面を被覆する封止樹脂と、を含むＳＡＷデバイスであって、
前記ＳＡＷチップの外周には、金属又は合金で構成され、前記ＳＡＷフィルターの周辺への前記封止樹脂の流入を阻止するためのダムが設けられ、
前記フィルター部は、
前記第１のＳＡＷフィルター及び前記第２のＳＡＷフィルターは、前記接続パッドに接続された第１のＩＤＴと、当該第１のＩＤＴの両側に近接して配置された第２のＩＤＴ及び第３のＩＤＴと、前記第１のＩＤＴ、前記第２のＩＤＴ及び前記第３のＩＤＴを挟むように前記第２のＩＤＴ及び前記第３のＩＤＴの隣に近接してそれぞれ配置された２つの反射器とを含み、前記第１のＩＤＴ、前記第２のＩＤＴ及び前記第３のＩＤＴの間の音響結合によって生じる１次と３次の振動モードを利用する縦結合１次−３次２重モードＳＡＷフィルターとして構成され、前記第１のＳＡＷフィルターの前記第２のＩＤＴの一方の櫛形電極と前記第２のＳＡＷフィルターの前記第２のＩＤＴの一方の櫛形電極とが配線接続されるとともに、前記第１のＳＡＷフィルターの前記第３のＩＤＴの一方の櫛形電極と前記第２のＳＡＷフィルターの前記第３のＩＤＴの一方の櫛形電極とが配線接続され、前記第１のＳＡＷフィルターの前記第２のＩＤＴの他方の櫛形電極及び前記第３のＩＤＴの他方の櫛形電極と、前記第２のＳＡＷフィルターの前記第２のＩＤＴの他方の櫛形電極及び前記第３のＩＤＴの他方の櫛形電極とが前記ダムと配線接続されていることを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項２】
請求項１において、
前記ダムは、
前記導体バンプのいずれにも接続されていないことを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項３】
請求項１において、
前記ダムは、
少なくとも１つの前記導体バンプを介して接地されていることを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
複数の前記フィルター部を含むことを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記フィルター部は、
入力及び出力の少なくとも一方が平衡であることを特徴とするＳＡＷデバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１０−２４５７３９（Ｐ２０１０−２４５７３９Ａ）
【公開日】平成２２年１０月２８日（２０１０．１０．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−９０９４９（Ｐ２００９−９０９４９）
【出願日】平成２１年４月３日（２００９．４．３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月２８日（２０１０．１０．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月３日（２００９．４．３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]