【課題】強誘電体薄膜を使った樹脂封止型半導体装置の強誘電体特性劣化防止およびハンダリフロー耐性の向上を発明の課題とする。
【解決手段】半導体素子の表面保護膜を、ポリイミド前駆体組成物膜を２３０℃〜３００℃で加熱して硬化させて形成する。表面保護膜は、ガラス転移温度が２４０℃〜４００℃であり、かつ、ヤング率が２６００ＭＰａ〜６ＧＰａであるポリイミドからなる。また、ポリイミド前駆体組成物の加熱硬化温度が３００℃より高温であっても、３５０℃以下の短時間（用いる半導体素子の耐熱性にもよるが、通常４分以内）の熱処理で、かつ、形成されるポリイミド膜のヤング率が３５００ＭＰａ以上、ガラス転移温度が２６０℃以上であれば、強誘電体膜の分極特性を劣化させることなく、本発明の課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】 ステージ部と金型の内面との間にステージ部と分離した、もしくはステージ部に固着した押圧部材を介在させ、金型の型締め時に金型の移動とともに押圧部材によりステージ部及び物理量センサチップを傾斜させ、所定の傾斜角で正確に物理量センサチップを設置する物理量センサの製造方法を提供する。
【解決手段】 ステージ部６、７と金型Ｅとの間にステージ部６、７と分離した押圧部材２０を介在させ、金型Ｄ、Ｅの型締め時に金型Ｄ、Ｅの移動とともに押圧部材２０によりステージ部６、７及び物理量センサチップ２、３を傾斜させ、その後金型Ｄ、Ｅ内に樹脂を射出して一体化する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、低応力性、耐溶剤性、低吸水性、電気絶縁性、密着性、耐熱性等に優れた半導体素子表面保護膜用途に最適な環状オレフィン系樹脂組成物を提供し、当該環状オレフィン系樹脂組成物を半導体素子表面保護膜に用いることにより、特にＬＯＣ構造を有する樹脂封止型半導体装置製造時の作業性の欠点を改善し、かつ各種の信頼性に優れた半導体装置を提供するものである。
【解決手段】
半導体素子表面保護膜用樹脂組成物であって、酸性基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）と、光酸発生剤（Ｂ）と、１３０℃以上の温度で（Ａ）の酸性基と結合しうる反応基を有する化合物（Ｃ）、を含む半導体素子表面保護膜用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い半導体装置を得る半導体素子接着用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、環状オレフィン系樹脂（Ｃ）、及び該環状オレフィン系樹脂（Ｃ）が可溶な溶媒（Ｄ）を主成分とし、かつＢ−ステージ可能である樹脂組成物であり、前記環状オレフィン系樹脂はポリノルボルネン樹脂であることが好ましく、特に下記一般式（１）で表される構造を有するものであることが好ましい。
【化５】


（式（１）中のＸは、−О−，−ＣＨ₂−または−ＣＨ₂ＣＨ₂−を示し、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、およびＲ₄はそれぞれ水素、あるいは、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシシリル基、エステル基、エーテル基および（メタ）アクリル基、エポキシ基から選ばれる基を示し、ｍは１０〜１００００の整数、ｎは０〜５までの整数である。） （もっと読む）

【課題】 高温高湿・電圧印加という厳しい条件下においても電極表面に腐食を生成させることがなく、基材との接着性に優れ、狭ギャップ浸入性に優れるポリイミドシリコーン系樹脂組成物および該組成物からなる電極保護材を提供する。
【解決手段】 (a)ポリアミック酸およびポリイミドシリコーンから成る群より選ばれるポリマー、
(b)溶媒、
(c)反応性シリル基含有ビスイミド化合物、
(d)無機イオン交換体 (a)成分100質量部に対して0.5〜10質量部、ならびに
(e)ＳｉＨ基を含有するオルガノシランおよび／またはオルガノシロキサン 本（e）成分中のＳｉＨ基の含有量が（ａ）成分100ｇに対して0.2〜5ｍｍｏｌとなる量
を含有してなり、２５℃における粘度が１０〜２０００ｍＰａ・ｓであるポリイミドシリコーン系樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 ポットライフが長くかつ透明な熱硬化性樹脂組成物及び熱硬化性樹脂フィルムを提供する。
【解決手段】 熱硬化性樹脂と硬化剤とを含む熱硬化性樹脂組成物であって、前記硬化剤は、オキサジン環又はオキサゾール環を含む化合物からなり、かつ前記熱硬化性樹脂に溶解可能であり、３０℃以上２４０℃以下の温度で硬化する熱硬化性樹脂組成物を用いて熱硬化性樹脂フィルムを作製する。また、前記硬化剤は、ビスフェノールＳ型ベンゾオキサジン、ビスフェノールＡ型ベンゾオキサジン及びビスフェノールＦ型ベンゾオキサジンから選ばれる少なくとも１つの化合物であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板、被覆部及び接着層により形成される空間の内部における結露の発生を防止して、耐湿性に優れた半導体装置、半導体モジュール及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置としての撮像装置１は、撮像素子１１が形成された半導体基板１０と、撮像素子１１の一面に形成された受光部１２に対向して配置された被覆部である透光性の蓋部１３と、撮像素子１１の一面において受光部１２を除いた領域に形成され、半導体基板１０及び蓋部１３を接着する接着層１４とを備える。接着層１４の透湿度は１０ｇ／（ｍ² ・２４ｈ）乃至２００ｇ／（ｍ² ・２４ｈ）である。接着層１４によって、受光部１２と蓋部１３との間に形成される空間、すなわち受光部１２（の表面）への水分（湿気）の侵入を抑制することができ、受光部１２に結露が発生することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 非被塗布部分へ塗布剤が流れ出す事を防止するとともに回路基板側への流出を防止する素子基板を提供する。
【解決手段】 基板１０１には、封止樹脂１０５が回路基板１０２側へ流れ出すのを防止するために、第一の流出防止手段である切り欠き部１１４が形成されている。さらに、基板１０１には、素子部１０３（非被塗布部分）への封止樹脂流出防止のために基板１０１に配設された接続電極１０７、１０８部分に第二の流出防止手段となる凹部１１５を形成し、該凹部１１５内にワイヤー１０４との接続電極１０７、１０８が形成されている。これにより、封止樹脂１０５の回路基板１０２側への流出と、素子部１０３（非被塗布部分）への流出を防止する。 （もっと読む）

【課題】
パワートランジスタなどの高出力で高発熱の半導体装置において、放熱性に優れ、かつ電気抵抗を低減し、さらに実装信頼性を向上させることを課題とする。
【解決手段】
ドレイン用導電部材とソース用導電部材で半導体チップの表裏面を概ね覆い隠すようにはさんで電気的に接合し、これらを樹脂封止する一方、半導体チップ投影面内にあるドレイン用導電部材とソース用導電部材の一部分を樹脂封止体から露出させる。
【効果】
本発明によって、半導体チップを挟んだ導電部材が半導体装置の両面から露出する構造となるため、放熱性を向上させることが可能となる。また、半導体チップクラック、半導体チップと導電部材とを接合する接続材の疲労破壊を抑制し、信頼性を向上させた半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップ積層型の半導体装置において、モールド樹脂内に含まれるフィラーが接着剤層の端部に押し込まれ、半導体チップを損傷させることを防止することを目的とする。
【解決手段】 半導体装置は、少なくとも２つの半導体チップ１６，２０が接着剤層１８を介して積層され、フィラー２４入りのモールド樹脂２２によって封止されている半導体装置において、モールド樹脂２２に含まれるフィラー２４の大きさは接着剤層１８の厚さよりも大きい構成とする。また、接着剤層の面積は上側の半導体チップの下面の面積より大きい構成とする。 （もっと読む）

【課題】外装樹脂にクラックや剥離が生じることもなく、表面実装部品の導通不良を抑止することができる信頼性の優れた電子装置、及び該電子装置を容易に製造することができ、量産性に優れ、かつパッケージングの低背化が容易な電子装置の製造方法を実現する。
【解決手段】チップ型電子部品１ａ〜１ｃを回路基板３に表面実装した後（ａ）、電子部品１ａ〜１ｃの上面に、高粘性かつチキソトロピー性を有するシート状樹脂材料９を載置し（ｂ）、次いで、枠型熱板プレス１０で樹脂材料９の周縁部を加圧・加熱して樹脂材料９を変形させる。そして中空部６ａ〜６ｄが形成されるように該樹脂材料９を回路基板３に熱圧着し、その後硬化処理を施して被覆樹脂５を形成する（ｃ）。
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【課題】半導体基板に形成した三次元構造体を封止する中空構造のサイズを小さく、かつ簡素化する。また、前記構造体と半導体チップとの熱膨張係数の差による熱応力等に起因する特性の変化を防止する。
【解決手段】半導体基板に三次元構造体を形成した半導体チップを中空構造で封止した半導体装置において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。また、その製造方法において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成する工程と、前記凸部に蓋部材を接着する工程とを有し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。上述した本発明によれば、半導体チップの凸部と蓋部材とによって中空構造を構成するため、中空構造に要するスペースが小さくなり、凸部が半導体チップと同一材料であり、熱膨張による応力を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 水分の浸入や汚染物質の侵入を防止し、長期間の使用に対する電気的信頼性を向上することができ、更に外部応力に対する半導体素子の損傷を防止し、半導体素子の電気的特性の変化を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 樹脂封止型半導体装置において、支持基板１上にベベル端面を有する半導体素子４、例えばダイオードが取り付けられ、この半導体素子４上に中間接続導体６が取り付けられている。中間接続導体６の幅寸法（直径寸法）Ｌ３は半導体素子４の第２の主電極４４の幅寸法（直径寸法）Ｌ２以上に設定されている。中間接続導体６の周縁部分を第２の主電極４４の周縁部分よりも突出させたことによって、半導体素子４のベベル端面４５上には、中間接続導体６の表面上の一部に渡る広範囲で保護樹脂１０を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板を薄くすることにより更に電子部品の小型化を図るとともに、電子回路として何らの問題もなく動作し、更に携帯電子機器に用いられた場合でも充分耐えうる堅牢性を有するとともに高い信頼性を有する電子部品を製造することのできる電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 ポストが形成された半導体基板の、当該ポストが形成された面に溝を形成する溝形成工程（工程Ｓ１１）と、上記溝が形成された面に封止樹脂を塗布する第１塗布工程（工程Ｓ１２）と、上記半導体基板の裏面を研磨する裏面研磨工程（工程Ｓ１８）と、研磨後の上記半導体基板の裏面に封止樹脂を塗布する第２塗布工程（工程Ｓ２０）と、上記溝の部分に充填された前記封止樹脂を切断して個々の電子部品に分離する分離工程とを有する。 （もっと読む）