電子部品の製造方法
【課題】 半導体基板を薄くすることにより更に電子部品の小型化を図るとともに、電子回路として何らの問題もなく動作し、更に携帯電子機器に用いられた場合でも充分耐えうる堅牢性を有するとともに高い信頼性を有する電子部品を製造することのできる電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 ポストが形成された半導体基板の、当該ポストが形成された面に溝を形成する溝形成工程（工程Ｓ１１）と、上記溝が形成された面に封止樹脂を塗布する第１塗布工程（工程Ｓ１２）と、上記半導体基板の裏面を研磨する裏面研磨工程（工程Ｓ１８）と、研磨後の上記半導体基板の裏面に封止樹脂を塗布する第２塗布工程（工程Ｓ２０）と、上記溝の部分に充填された前記封止樹脂を切断して個々の電子部品に分離する分離工程とを有する。
【解決手段】 ポストが形成された半導体基板の、当該ポストが形成された面に溝を形成する溝形成工程（工程Ｓ１１）と、上記溝が形成された面に封止樹脂を塗布する第１塗布工程（工程Ｓ１２）と、上記半導体基板の裏面を研磨する裏面研磨工程（工程Ｓ１８）と、研磨後の上記半導体基板の裏面に封止樹脂を塗布する第２塗布工程（工程Ｓ２０）と、上記溝の部分に充填された前記封止樹脂を切断して個々の電子部品に分離する分離工程とを有する。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイオード、トランジスタ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等の電子部品の製造方法に係り、特に携帯電話、パソコン（パーソナルコンピュータ）、ノート型パソコン、コンピューターゲーム機、腕時計、電子オルゴール、ナビゲーションシステム、小型テレビ、カメラモジュール等の軽薄短小化を求められる用途に使用される電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、一般的に用いられていたＩＣ等の電子部品は、電子回路が形成された半導体素子をリードフレーム上に搭載し、その電子回路の電極と外部接続用の接続端子とをワイヤーボンド等によって接続し、その後に金型内にて溶融した固形のエポキシ樹脂封止材を硬化させることにより成型される。近年、携帯電話等のような小型・軽量が求められる機器の普及率が高くなっている。このような機器では、まず筐体のサイズ、重量、デザイン等の仕様が決められてから、その仕様に収まるように電子回路、アンテナ等のを設計するのが一般化している。このような用途を有する機器に用いられる電子部品は、その外形寸法や重量が極めて制限される。
【０００３】このように、近年の電子部品の軽薄短小化につれて、当該電子部品の封止を行う際に、電子回路が形成された半導体素子やフィルムをインターポーザとして用い、このインターポーザ上にワイヤーボンド又はバンプにより接続搭載した後に上記の金型成型により封止したり、液状のエポキシ樹脂封止材で封止する技術が案出されている。この技術により作成された電子回路には、内部に形成された電子回路とマザーボードに形成された電子回路とを接続するために、電子部品に形成された電子回路と電気的に導通したハンダボールを形成した形態のＢＧＡ（Ball Grid Array）や更に電子部品の小型化を進めたＣＳＰ（Chip Size Package）のパッケージ形態へと移行している。
【０００４】更に、近年、電子部品の小型化を進歩させたウェハサイズレベルのパッケージを得る技術が案出されている。この技術では、ウェハそのものにポストを形成して、ウェハ表面にプレーナ技術により形成された配線上に樹脂で保護コートを行い、上記ポスト上にハンダボールを形成させた後、ダイシングにより個々に切断してウェハサイズレベルのパッケージを得ている。尚、本明細書中で用いる用語「ポスト」とは、電子部品に形成された電子回路と、外部のマザーボード等に形成された電子回路とを電気的に接続するものをいう。
【０００５】この技術によれば、電子部品のパッケージの大きさは半導体素子そのものの大きさになり、電子部品の外形寸法は最小となる。また、電子部品の厚さも封止樹脂層がポストの高さ及び半導体基板の厚みを合わせた厚さに制限されるため極めて薄くなり、接続用のハンダボールと合わせた全体の厚さも従来の電子部品の厚さよりも極めて小さく抑えられる。この技術の詳細については、例えば特開平１０−７９３６２号公報を参照されたい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年ウェアラブルコンピュータなるものが考えられている。このウェアラブルコンピュータは、小型化されたコンピュータを衣服のように人間に取り付けて使用するコンピュータである。このような電子機器を実現するために、今後、更に電子機器の小型・軽量化が要求されると考えられる。この小型・軽量化の要請に対して、更に電子部品の小型化を図るためには、ウェハ自体の厚みを薄くするのが１つの方法であると考えられる。
【０００７】現在の半導体素子は、シリコン等のウェハを用いるのが一般的である。このウェハの厚さは４００ミクロン（０．４ｍｍ）以上ある。一般には、６インチのウェハでは厚さは６２５ミクロン、８インチのウェハでは厚さは７２５ミクロンである。この程度の厚さを有するウェハを用いるのは、シリコン等は厚さが薄いとガラスのように脆い物質であるためである。つまり、プレーナ技術では、半導体基板の一部をｎ型又はｐ型不純物を添加する工程、電子回路のパターンを形成するためにレジストを塗布してレジストを現像する工程、配線工程等の種々の工程を経て半導体基板上に電子回路を形成するが、あまり薄いウェハを用いると、これらの工程作業中にウェハが割れてしまうからである。従って、厚さが０．４ｍｍより薄いウェハを取り扱うことは実質的に不可能である。更に、プレーナ技術によりウェハ表面に電子回路を形成した後、ウェハ裏面を研磨して、厚さが４００ミクロンより薄いウェハを作成し、これにバンプの形成及び封止材を塗布する試みもあるが、これらの工程においてもやはり薄いウェハを取り扱うことは困難である。
【０００８】しかし、ウェハは一般に実質的には、電子回路が形成されたウェハ表面から２０ミクロン（０．０２ｍｍ）程度の厚みがあれば、電子回路として問題なく機能するといわれている。従って、電子回路が形成されたウェハの厚さを０．４ｍｍより薄くすることができれば、電子部品を更に小型化する際に極めて有利である。
【０００９】本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、半導体基板を薄くすることにより更に電子部品の小型化を図るとともに、電子回路として何らの問題もなく動作し、更に携帯電子機器に用いられた場合でも充分耐えうる堅牢性を有するとともに高い信頼性を有する電子部品を製造することのできる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本発明の第１の観点は、ポストが形成された半導体基板の、当該ポストが形成された面に溝を形成する溝形成工程と、前記溝が形成された面に封止樹脂を塗布する第１塗布工程と、前記半導体基板の裏面を前記溝が露出するまで研磨する裏面研磨工程と、研磨後の前記半導体基板の裏面に封止樹脂を塗布する第２塗布工程と、前記溝の部分に充填された前記封止樹脂を切断して個々の電子部品に分離する分離工程とを有することを特徴している。また、本発明の第１の観点は、前記第１塗布工程によって塗布された封止樹脂を加圧硬化させる硬化工程を更に有することを特徴としている。また、本発明の第１の観点は、前記裏面研磨工程前に前記封止樹脂が塗布された面を研磨する表面研磨工程を更に有することを特徴としている。また、本発明の第１の観点は、前記第２塗布工程によって塗布された封止樹脂を硬化させる硬化工程を更に有することを特徴としている。また、本発明の第１の観点は、前記分離工程前に前記ポストに対して接続ボールを形成する接続ボール形成工程を更に有することを特徴としている。更に、本発明の第２の観点は、ポストが形成された半導体基板の、当該ポストが形成された面に封止樹脂を塗布する第１塗布工程と、前記半導体基板の裏面を、前記半導体基板が所定の厚みとなるまで研磨する裏面研磨工程と、研磨を行った前記半導体基板の裏面から、前記第１塗布工程で塗布した封止樹脂に至る溝を形成する溝形成工程と、前記溝を形成した前記半導体基板の裏面に封止樹脂を塗布する第２塗布工程と、前記溝の部分に充填された前記封止樹脂を切断して個々の電子部品に分離する分離工程とを有することを特徴としている。また、本発明の第２の観点は、前記第２塗布工程によって塗布された封止樹脂を加圧硬化させる硬化工程を更に有することを特徴としている。また、本発明の第２の観点は、前記裏面研磨工程前に前記封止樹脂が塗布された面を研磨する表面研磨工程を更に有することを特徴としている。また、本発明の第２の観点は、前記分離工程前に前記ポストに対して接続ボールを形成する接続ボール形成工程を更に有することを特徴としている。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一実施形態による電子回路の製造方法について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態による電子回路の製造方法の工程手順を示す図である。
【００１２】まず、プレーナ技術により電子回路が形成されたウェハ上にポストを形成する工程が行われる（工程Ｓ１０）。図２は、プレーナ技術により電子回路が形成されたウェハの一例を示す斜視図である。図２に示されたように、ウェハ１０の表面には、半導体素子１２が形成されている。通常、１つのウェハ１０上には同一の電子回路が形成された半導体素子１２が複数形成されている。ウェハ１０の厚みは、０．４ｍｍ以上である。半導体素子１２各々の表面は、例えばシリコン酸化膜等による絶縁膜が形成されているが、半導体素子１２に形成された電子回路と外部の電子回路とを接続する電極パッドが形成された箇所は、シリコン酸化膜がエッチング等により除去されて剥き出しになっている。
【００１３】上記ポストはシリコン酸化膜がエッチング等に除去されて剥き出しになっている箇所に形成される。図３は、ウェハ１０の断面図である。図３に示されたように、ウェハ１０の半導体素子１２には複数のポスト１４が形成されている。ポスト１４の形成方法は、特に制限はないが、例えば半田ボールを転写法を用いて配設する。
【００１４】ポスト１４が形成されると、次にポスト１４が形成された面に溝を形成する工程が行われる（工程Ｓ１１）。図４は、ポスト１４が形成された面に溝を形成する工程を説明するための図であり、ウェハ１０に関しては図３と同様に断面を示している。図４において、１５は溝を形成するためのダイシング装置であり、本実施形態においては、例えば０．０５〜０．４ｍｍの幅を有する溝を形成するものが用いられる。前述したように、１つのウェハ１０上には半導体素子１２が多数形成されているため、上記溝は個々の半導体素子の周囲を取り囲むように形成される。図４において、１３，１３，…はポスト１４が形成されたウェハ１０の面に形成された溝を示している。この溝１３，１３，…の深さはウェハ１０の厚みの半分程度からウェハを完全に切断するまで（この場合は、裏面に樹脂硬化温度に耐え得る粘着性のシートに貼りつけられている）に設定され、例えば、ウェハ１０の厚みが０．６ｍｍである場合には、幅が０．０５〜０．４ｍｍであって、深さが０．３〜０．６ｍｍの溝が形成される。ただし、図面では半分の場合で説明する。
【００１５】溝１３，１３，…が形成されると、次にポスト１４が形成された面側に封止樹脂層を形成する工程が行われる（工程Ｓ１２）。図５は、ポスト１４が形成された面側に封止樹脂層を形成する工程を説明するための図である。図５において、１６は、孔版印刷を行うための孔版であり、この孔版には、ウェハ１０に形成された半導体素子１２を一度に印刷するための孔が形成されている。この孔の直径は、ウェハ１０の直径よりも僅かに小さい径である。１８は、封止を行う際に用いられる液状の封止樹脂である。この液状の封止樹脂１８は、硬化後にウェハ１０の反りが極めて少なくなるよう抑えられるものが好ましい。
【００１６】例えば、直径が８インチであり、厚さが４００μｍのウェハの表面に液状の封止樹脂を塗布し、この液状の封止樹脂を硬化させたときに、ウェハ１０の反りが１ｍｍ以下であることが好ましい。液状の封止樹脂１８としては、樹脂硬化成分中にシリカ粉末が８０重量％以上含まれ、硬化収縮率が０．１％以下であり、熱膨張係数が１２ｐｐｍ以下である日本レック（株）のＮＰＲ−７８５Ｎが最良である。また、２０は、孔版１６の面内に往復運動が可能なスキージである。
【００１７】印刷を行う際には、まず、ウェハ１０の上面に孔版１６を接触させて配置する。このとき、孔版１６に形成された孔が半導体素子１２の上方に位置するよう孔版１６を配置する。つまり、孔版１６が半導体素子１２を覆わないよう孔版１６を配置する。次に、孔版１６上に液状の封止樹脂１８を滴下し、スキージ２０を孔版１６に沿って図中符号Ｄ１が付された方法へ移動させる。スキージ２０を孔版１６に沿って移動させることにより、液状の封止樹脂１８が孔版１６に形成された孔内に流入するとともに、孔内に流入した液状の封止樹脂１８の上面が孔版１６と同一の高さになり、且つ上面が平坦となる。
【００１８】次に、液状の封止樹脂１８の上面の位置を規定する孔版１６の厚さとポスト１４の高さとの関係について説明する。図６は、孔版１６の厚さとポスト１４の高さとの関係を説明するための図である。本実施形態では、孔版１６の厚さがポスト１４の高さよりも厚いものに制限されない。例えば図６（ａ）は、ポスト１４の高さより厚さが厚い孔版１６を用いて液状の封止樹脂１８を封止した後の様子を示す断面図であり、図６（ｂ）は、ポスト１４の高さと同程度の厚さを有する孔版１６を用いて液状の封止樹脂１８を封止した後の様子を示す断面図であり、図６（ｃ）は、ポスト１４の高さより厚さが薄い孔版１６を用いて液状の封止樹脂１８を封止した後の様子を示す断面図である。
【００１９】図６（ｃ）に示したように、ポスト１４の高さよりも厚さが薄い孔版１６を用いる場合には、スキージ２０は弾性変形するもの（例えばゴム製のもの）を用いることによりポスト１４が突出し、しかもポストの周囲に封止樹脂が塗られるようにする。尚、工程Ｓ１２の工程でなされる印刷は、１回の印刷のみに制限される訳ではなく、１つのウェハに対して複数回行っても良い。また、封止樹脂１８の印刷は、大気圧下で行うものでも真空状態におけるものでも良いが、真空状態において印刷する方が好ましい。大気圧下で印刷を行う場合には、加熱しながら印刷を行うことが好ましい。なぜならば、印刷を行う際に封止樹脂１８に巻き込まれる気泡が抜け易くなるからである。また、液状の封止樹脂１８の印刷を行う際には、圧力差を用いて封止樹脂１８を溝１３，１３，…内に充填することができる真空印刷機を用いるのが好ましい。その理由は、ウェハ１０に形成された溝１３，１３，…は前述したように、例えば幅が０．０５〜０．４ｍｍであって、深さが０．３〜０．６ｍｍであり、液状の封止樹脂１８の印刷のためには幅が狭く、しかも深さが深い。よって、大気圧下において印刷を行った場合には、溝の底部に封止樹脂１８の未充填部分が生ずる可能性が高いためである。
【００２０】次に、工程Ｓ１２において印刷した樹脂を硬化する工程が行われる（工程Ｓ１４）。この工程は、例えば熱風乾燥機（図示省略）によって封止樹脂１８を乾燥することにより硬化させる。尚、印刷時には上述のように圧力差を用いて封止樹脂１８を印刷することが好ましいが、溝１３，１３，…内における封止樹脂１８の充填性をより高いものとするために、印刷後に行われるこの工程において、大気圧よりも高い圧力をかけて封止樹脂１８を硬化させる、いわゆる加圧硬化を行うことが好ましい。封止樹脂１８を硬化させる場合には、熱風乾燥機の温度を１００〜１５０℃に設定するとともに、乾燥時間を１〜３時間に設定して開始するが、乾燥を開始する際に、加える圧力を５×１０5〜２×１０6ｐａに設定して少なくとも封止樹脂１８がゲル化するまでの間加圧硬化を行う。以上の工程を経ることにより、封止樹脂１８の硬化した皮膜によって回路の保護が図れるとともにポストが補強され、更にウェハ１０の強度が高まる。
【００２１】次に、ウェハ１０に対して封止樹脂１８が印刷された面を研磨して、封止樹脂１８に埋もれたポスト１４を磨き出す工程が行われる（工程Ｓ１６）。図７は、ポスト１４を研磨により磨き出す工程を説明する図である。尚、図７においては理解を容易にするために、工程Ｓ１４迄の工程が行われて製造された電子部品のみを断面図で表し、符号５０を付している。
【００２２】図７に示したように、電子部品５０は、封止樹脂１８の印刷された面が上面となるよう固定平板２４上に固定して載置される。この固定平板２４は、研磨の際に固定平板２４上で電子部品５０が動かないよう、電子部品５０を真空吸着するものが好ましい。図７中において、２６は研磨装置である。この研磨装置は、通常のウェハ研磨装置が使用できる。この工程では、電子部品５０を固定平板２４に固定してから、研磨装置２６によって封止樹脂１８を研磨して、また必要であればポスト１４も含めて研磨して平滑表面を形成する。
【００２３】次に、封止樹脂１８の研磨が終了すると、電子部品５０の裏面、つまりウェハ１０の裏面を研磨する工程が行われる（工程Ｓ１８）。図８は、電子部品５０の裏面を研磨する工程を説明するための図である。この工程では、図８に示したように、工程Ｓ１６で研磨が行われた面を下側にして固定治具３０に固定する。この固定治具３０は図７中の固定平板２４と同様に真空吸着するものが好ましい。また、固定治具３０は、図７中の固定平板２４と同一であってもよい。また、３２は研磨装置である。この研磨装置３２は、工程Ｓ１６において封止樹脂１８の研磨を行った際に用いた研磨装置２６を用いて研磨を行うことができる。
【００２４】尚、図８において、理解を容易にするために、工程Ｓ１６迄の工程が行われて製造された電子部品のみを断面図で表し、符号５２を付している。この工程では、電子部品５２の封止樹脂が印刷された面を下側にして固定治具３０に固定してから、研磨装置３２によって電子部品５２の裏面、つまりウェハ１０の裏面を、ウェハ１０がほぼ半分の厚さ若しくは任意の厚さになるまで研磨する。
【００２５】以上の工程が終了すると、研磨後の電子部品を固定治具３０から取り外す訳であるが、研磨後の電子部品は図９に示したようになる。図９は、両面研磨後の電子部品を示す図である。尚、図９においては、両面研磨された電子部品を断面図で示すとともに、符号５４を付している。両面研磨された電子部品５４は、上述した構成でウェハ１０がほぼ半分の厚さになるまで研磨すると、工程Ｓ１１で形成した溝１３が研磨面に現れ、その結果溝１３内に充填した封止樹脂１８が研磨面に現れる。
【００２６】また、電子部品５４を図８中の固定治具３０から離すと反りが生ずる。この反りは、ポスト１４が形成された面に印刷した封止樹脂が硬化する際の収縮に起因するものである。
【００２７】次に、上記反りの緩和及び電子部品５４を強化するために、工程Ｓ１８で研磨された面に対して樹脂を塗布する工程が行われる（工程Ｓ２０）。図１０は、工程Ｓ１８で研磨された面に対して樹脂を塗布する工程を説明するための図である。図１０において、３６は、電子部品５４を固定する吸着固定平板である。この吸着固定平板３６は、両面研磨後の電子部品５４には反りが生じており、電子部品５４を平坦化するため、及び印刷時に電子部品５４動かないよう固定するために用いられる。
【００２８】３８は、孔版印刷を行うための孔版であり、この孔版３８には、電子部品５４の裏面を印刷するための孔が形成されている。この孔の直径は、ウェハ１０の直径よりも僅かに小さい径である。４０は、封止を行う際に用いられる液状の封止樹脂である。この封止樹脂４０は硬化後に電子部品５４の反りを矯正させるだけの収縮応力をもつものが用いられる。例えば、工程Ｓ１２でポスト１４が形成されたウェハ１０の表面を封止する際に用いた封止樹脂１８と同一の樹脂を用いる。また、電子部品５４の反りは、塗布する封止樹脂４０の塗布厚を制御することによっても行える。
【００２９】また、電子部品５４の反りが矯正できるのであれば、封止樹脂４０は封止樹脂１８と異なる樹脂を用いても良い。４２は、孔版３８の面内に往復運動が可能なスキージである。印刷は、工程Ｓ１２と同様に大気圧下又は真空状態の下で行われるが、パッケージングの信頼性を考えた場合には真空状態の下で行われるのが好ましい。
【００３０】印刷を行う際には、まず、ポスト１４が形成され、封止樹脂１８が印刷されている面を下側にして吸着固定平板３６の所定位置に電子部品５４を配置する。電子部品５４が吸着固定平板３６に配置されると、電子部品５４は平坦化される。次に、電子部品５４の裏面、つまりウェハ１０の裏面に孔版３８を接触させて配置する。孔版３８が所定位置に配置されると、孔版３８上に液状の封止樹脂４０を滴下し、スキージ４２を孔版３８に沿って図中符号Ｄ２が付された方向へ移動させる。スキージ４２を孔版３８に沿って移動させることにより、液状の封止樹脂４０が孔版３８に形成された孔内に流入するとともに、孔内に流入した液状の封止樹脂４０の上面が孔版３８と同一の高さになり、且つ上面が平坦となる。尚、電子部品５４の裏面への封止樹脂４０の塗布方法は、孔版印刷に限定されず、他の方法によっても行うことができる。例えば、スプレーコート、スピンコート、金型成型等が挙げられる。
【００３１】次に、工程Ｓ２０で塗布した封止樹脂４０を硬化させる工程が行われる（工程Ｓ２２）。この工程は、例えば熱風乾燥機（図示省略）によって封止樹脂４０を乾燥することにより硬化させる。この封止樹脂４０を硬化させると、電子部品３４に生じていた反りを矯正することができる。以上の工程を経ることにより、電子部品の表面及び裏面に硬化した封止樹脂１８及び封止樹脂４０が形成されるのでウェハ１０の強度が高まる。工程Ｓ２２迄の工程を経ることにより、ポスト１４が形成された面に封止樹脂１８が、裏面に封止樹脂４０がそれぞれ印刷された半導体素子１２が、複数形成されたウェハ１０を得ることができる。
【００３２】次に、半導体素子１２内部に形成された電子回路と、外部のマザーボード（図示省略）に形成された電子回路とを電気的に接続するための接続ボールを形成する工程が行われる（工程Ｓ２４）。この工程においては、所定の径を有するハンダボールを、封止樹脂１８表面に表れているポスト１４上に搭載する（図１１参照）。ハンダボール４４をポスト１４上に搭載するためには、ボールマウンタ（図示省略）を用いて搭載しても良いが、ポスト１４のピッチが０．５ｍｍ以下になった場合、径が０．３ｍｍより小さいボールが必要となる。従って、この程度にピッチが狭くなった場合には、ボールマウンタを用いてハンダボールを搭載するよりも、所定量のハンダペーストを精度良くポスト１４上に積載し、リフロー（図示省略）を通してハンダボール４４を形成させた方がより好ましい。この場合、ハンダペーストをポスト１４上に搭載するには、所定の孔版及びスキージを用いて印刷により搭載することが好ましい。この際に、ウェハが平滑に維持されていることによってこの工法が可能となるる。
【００３３】最後に、電子部品を切断することにより半導体素子１２を個々に分離して電子部品５６を形成する工程が行われる（工程Ｓ２６）。図１１は、半導体素子１２を個々に分離して電子部品５６を形成する工程を説明する図である。図１１において、４６は、ダイシング装置であり、電子部品５６を形成するには、ダイシング装置４６を用いて切断によって半導体素子１２を個々に分離する。ダイシング装置４６によって切断を行う際には、工程Ｓ１１において形成した溝１３のほぼ中央部を切断する。つまりこの工程においては、封止樹脂１８のみを切断することによって電子部品５６を得ている。このようにして得られた電子部品は、上下及び４側面が全て封止樹脂１８と４０によって封止されたものとなる。尚、切断は通常のダイシング装置を用いることができるが、レーザを用いたレーザ切断装置を用いても良い。尚、ダイシング装置４６の切断刃の厚みは５〜２００μｍ程度であって、溝の幅より薄いものである。図１２は、電子部品５６の斜視透視図である。
【００３４】以上、本発明の一実施形態による電子部品の製造方法について説明した。工程Ｓ１２及び工程Ｓ２０においては、封止樹脂１８及び封止樹脂４０を印刷しているが、これらの工程の後に、印刷した封止樹脂１８及び封止樹脂４０に混入している気泡を除去する工程を設けても良い。
【００３５】以上説明した実施形態によれば、半導体基板の周囲全体が封止樹脂１８によって囲まれた電子部品を安価な設備を用いて簡素な工程によって製造することができるため、生産効率が極めて高い。また、半導体基板の周囲全体が封止樹脂１８によって囲まれているため、吸湿等の要因の影響を受けないため信頼性が極めて高い。更に、ウェハ１０を研磨しているため、極めて薄型であって、全体的に小型のパッケージの電子部品を得ることができる。また、製造される電子部品は直方体の形状であって、６面を平坦化することができるため、マーキングも容易となる。更に、本実施形態によって製造された電子部品は堅牢であるため自動マウンターによってマザーボードに実装することができる。また、ダイシング装置を用いる工程Ｓ１１においては、ウェハ１０のみのダイシングを行い、工程Ｓ２６においては封止樹脂１８，４０のみのダイシングを行っている。つまり、ダイシング装置は単一の材料のみを切断しているため、切断刃の損耗が少ない上に、複合材（ウェハ１０と封止樹脂１８，４０）を切断する際に生ずる剥離等の問題が全くない。
【００３６】次に、本発明の他の実施形態について説明する。図１３は、本発明の他の実施形態による電子回路の製造方法の工程手順を示す図である。図１３に示した本発明の他の実施形態による電子部品の製造方法と図１に示した本発明の一実施形態による電子部品の製造方法とが異なる点は、図１３においては図１に示した工程Ｓ１１が省略され、図１中の工程Ｓ１８の次の工程に工程Ｓ１９を設けた点が異なる。尚、図１３と図１とを比較すると、図１３には工程Ｓ２１の処理が設けられ、図１には工程Ｓ２０の処理が設けられているが、これらの処理は実質的に同一の処理である。
【００３７】以下、本発明の他の実施形態について詳細に説明する。尚、以下の説明においては、図１に示した処理と重複する部分については説明を省略する。まず、プレーナ技術により電子回路が形成されたウェハ１０（図２参照）上にポスト１４を形成する工程が行われる（工程Ｓ１０）。ポスト１４が形成された後のウェハ１０の断面は図２に示したものと同様である。
【００３８】次に、ポスト１４を形成した面を封止樹脂を用いて印刷する処理が行われる（工程Ｓ１２）。図１４は、本発明の他の実施形態において、ポスト１４が形成された面側に封止樹脂層を形成する工程を説明するための図である。図１４と図５とを比較すると、ウェハ１０に溝が形成されているか否かにおいてのみ異なる。また、封止樹脂１８の上面の位置を規定する孔版１６の厚さとポスト１４の高さとの関係は、図６を用いて説明した関係と同様である。
【００３９】次に、工程Ｓ１２において印刷した樹脂を硬化する工程が行われ（工程Ｓ１４）、次いで、ウェハ１０に対して封止樹脂１８が印刷された面を研磨して、封止樹脂１８に埋もれたポスト１４を磨き出す工程が行われる（工程Ｓ１６）。図１５は、本発明の他の実施形態において、ポスト１４を研磨により磨き出す工程を説明する図である。尚、図１５においては理解を容易にするために、工程Ｓ１４迄の工程が行われて製造された電子部品のみを断面図で表し、符号６０を付している。
【００４０】次に、封止樹脂１８の研磨が終了すると、電子部品６０の裏面、つまりウェハ１０の裏面を研磨する工程が行われる（工程Ｓ１８）。図１６は、本発明の他の実施形態において、電子部品６０の裏面を研磨する工程を説明するための図である。尚、図１６において、理解を容易にするために、工程Ｓ１６迄の工程が行われて製造された電子部品のみを断面図で表し、符号６２を付している。この工程では、電子部品６２の封止樹脂が印刷された面を下側にして固定治具３０に固定してから、研磨装置３２によって電子部品６２の裏面、つまりウェハ１０の裏面を、ウェハ１０がほぼ半分の厚さ若しくは任意の厚さになるまで研磨する。
【００４１】以上の工程が終了すると、研磨後のウェハ１０の裏面側からポスト１４が形成された面に印刷した封止樹脂１８に至る溝を形成する工程が行われる（工程Ｓ１９）。本発明の他の実施形態による電子部品の製造方法を示す図１３と本発明の一実施形態による電子部品の製造方法を示す図１とを単純に比較すると、図１中の工程Ｓ１１を工程Ｓ１８の次に移動したものが、図１３に示したものとなる。図１に示した製造方法では全工程の内の先の方の工程において溝を形成しているため、ウェハ１０の厚みが部分的に薄くなり、溝を形成した後の工程の処理を行う際にウェハ１０が割れてしまう虞がある。本実施形態では、この不具合を解消するために、ウェハ１０に溝を形成する工程をなるべる後工程となるようにしている。
【００４２】図１７は、本発明の他の実施形態において、ウェハ１０の裏面側から溝を形成する様子を説明する断面図である。溝１３，１３，…を形成するには、図４に示したダイシング装置１５と同様の装置が用いられる。この溝１３，１３，…は、工程Ｓ１２において塗布した封止樹脂に至るまで形成される。ここで、ウェハ１０の厚みを薄くしてからダイシング装置１５によって溝を形成しているので、ダイシング装置１５の刃の摩耗が少ない。また、溝１３，１３，…が形成されたウェハ１０は、図１７においては封止樹脂１８が塗布されているため、図４に示したウェハ１０よりも全体として強度が増している。よって、ウェハ１０が割れにくく、後工程の処理において好適である。尚、図１７においては、理解を容易にするために、工程Ｓ１９迄の工程が行われて製造された電子部品のみを断面図で表し、符号６４を付している。
【００４３】工程Ｓ１９において、溝１３，１３，…が形成されると、次に、溝１３，１３，…を形成した面に樹脂を塗布する工程が行われる（工程Ｓ２１）。図１８は、本発明の他の実施形態において、工程Ｓ１９で溝が形成された面に対して樹脂を塗布する工程を説明するための図である。樹脂を塗布する場合には、図１０を用いて説明した場合と同様に、吸着固定平板３６によって電子部品６４を吸着固定し、孔版３８及びスキージ４２を用いて封止樹脂４０の印刷を行う。尚、電子部品６４の裏面への封止樹脂４０の塗布方法は、孔版印刷に限定されず、他の方法によっても行うことができる。例えば、スプレーコート、スピンコート、金型成型等が挙げられる。
【００４４】次に、工程Ｓ２１で塗布した封止樹脂４０を、例えば熱風乾燥機（図示省略）によって封止樹脂４０を乾燥することにより硬化させる工程が行われる（工程Ｓ２２）。尚、上記工程Ｓ２１の印刷時には圧力差を用いて封止樹脂１８を印刷することが好ましいが、溝１３，１３，…内における封止樹脂１８の充填性をより高いものとするために、印刷後に行われるこの工程において、大気圧よりも高い圧力をかけて封止樹脂１８を硬化させる、いわゆる加圧硬化を行うことが好ましい。封止樹脂１８を硬化させる場合には、熱風乾燥機の温度を１００〜１５０℃に設定するとともに、乾燥時間を１〜３時間に設定して開始するが、乾燥を開始する際に、加える圧力を５×１０5〜２×１０6ｐａに設定して少なくとも封止樹脂１８がゲル化するまでの間加圧硬化を行う。
【００４５】以上の工程を行うことにより、電子部品の表面及び裏面に硬化した封止樹脂１８及び封止樹脂４０が形成されるのでウェハ１０の強度が高まる。次に、半導体素子１２内部に形成された電子回路と、外部のマザーボード（図示省略）に形成された電子回路とを電気的に接続するための接続ボールを形成する工程が行われる（工程Ｓ２４）。この工程は前述した本発明の一実施形態と同様である。
【００４６】最後に、電子部品を切断することにより半導体素子１２を個々に分離して電子部品５６を形成する工程が行われる（工程Ｓ２６）。図１９は、本発明の他の実施形態において、半導体素子１２を個々に分離して電子部品５６を形成する工程を説明する図である。この工程では、図１１に示したダイシング装置４６と同様の装置を用いて切断によって半導体素子１２を個々に分離する。図１９から分かるように、最終的に形成される電子部品５６は、図１１及び図１２に示した電子部品と同様の電子部品である。
【００４７】以上説明した本発明の他の実施形態によれば、前述した本発明の一実施形態と同様の作用効果が得られる上に、ポスト１４を形成した面に封止樹脂１８を塗布し、ウェハ１０の裏面を研磨した後に溝を形成しているので、ウェハ１０の全体の強度が高まり、後の工程においてウェハ１０が割れてしまうことを防止することができる。
【００４８】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれば、ウェハを研磨する工程を有しているので、より厚さの薄い電子部品を製造することができるという効果がある。更に、電子回路を半導体基板内に作り込み、封止する際に研磨するようにしているので、半導体基板が割れてしまうことがなく薄い電子回路を製造することができるという効果がある。また、ポストが形成された面のみならず、半導体基板の裏面にも封止樹脂を塗布するようにしているので、半導体基板に反りが生じていない状態で分離工程を行えるので、工程不良率を飛躍的に改善できる。また、ポストが形成された面のみならず、半導体基板の裏面にも封止樹脂を塗布するようにしているので、電子回路が形成された面の保護はもとより、裏面も保護されており、表面実装時の外的圧力にも充分耐え得ることのできる高い信頼性を有する電子部品を製造することができるという効果がある。更に、電子回路が形成されている半導体基板の周囲全てを封止樹脂によって封止された電子部品を製造することができるため、吸湿等の周囲の雰囲気の影響を受けないため、電子部品の信頼性を極めて高くすることができるという効果がある。また、封止樹脂を半導体基板の一方の面に塗布した後に半導体基板の裏面から溝を形成しているので、封止樹脂が塗布されている分半導体基板全体の強度が高まり、後の工程において半導体基板割れの虞がないという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態による電子回路の製造方法の工程手順を示す図である。
【図２】 プレーナ技術により電子回路が形成されたウェハの一例を示す斜視図である。
【図３】 ウェハ１０の断面図である。
【図４】 ポスト１４が形成された面に溝を形成する工程を説明するための図である
【図５】 ポスト１４が形成された面側に封止樹脂層を形成する工程を説明するための図である。
【図６】 孔版１６の厚さとポスト１４の高さとの関係を説明するための図である。
【図７】 ポスト１４を研磨により磨き出す工程を説明する図である。
【図８】 電子部品５０の裏面を研磨する工程を説明するための図である。
【図９】 両面研磨後の電子部品を示す図である。
【図１０】 工程Ｓ１８で研磨された面に対して樹脂を塗布する工程を説明するための図である。
【図１１】 半導体素子１２を個々に分離して電子部品５６を形成する工程を説明する図である。
【図１２】 電子部品５６の斜視透視図である。
【図１３】 本発明の他の実施形態による電子回路の製造方法の工程手順を示す図である。
【図１４】 本発明の他の実施形態において、ポスト１４が形成された面側に封止樹脂層を形成する工程を説明するための図である。
【図１５】 本発明の他の実施形態において、ポスト１４を研磨により磨き出す工程を説明する図である。
【図１６】 本発明の他の実施形態において、電子部品６０の裏面を研磨する工程を説明するための図である。
【図１７】 本発明の他の実施形態において、ウェハ１０の裏面側から溝を形成する様子を説明する断面図である。
【図１８】 本発明の他の実施形態において、工程Ｓ１９で溝が形成された面に対して樹脂を塗布する工程を説明するための図である。
【図１９】 本発明の他の実施形態において、半導体素子１２を個々に分離して電子部品５６を形成する工程を説明する図である。
【符号の説明】
１０ ウェハ（半導体基板）
１３ 溝
１４ ポスト
１８ 封止樹脂
３８ 孔版
４０ 封止樹脂
４４ ハンダボール（接続ボール）
５６ 電子部品
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイオード、トランジスタ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等の電子部品の製造方法に係り、特に携帯電話、パソコン（パーソナルコンピュータ）、ノート型パソコン、コンピューターゲーム機、腕時計、電子オルゴール、ナビゲーションシステム、小型テレビ、カメラモジュール等の軽薄短小化を求められる用途に使用される電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、一般的に用いられていたＩＣ等の電子部品は、電子回路が形成された半導体素子をリードフレーム上に搭載し、その電子回路の電極と外部接続用の接続端子とをワイヤーボンド等によって接続し、その後に金型内にて溶融した固形のエポキシ樹脂封止材を硬化させることにより成型される。近年、携帯電話等のような小型・軽量が求められる機器の普及率が高くなっている。このような機器では、まず筐体のサイズ、重量、デザイン等の仕様が決められてから、その仕様に収まるように電子回路、アンテナ等のを設計するのが一般化している。このような用途を有する機器に用いられる電子部品は、その外形寸法や重量が極めて制限される。
【０００３】このように、近年の電子部品の軽薄短小化につれて、当該電子部品の封止を行う際に、電子回路が形成された半導体素子やフィルムをインターポーザとして用い、このインターポーザ上にワイヤーボンド又はバンプにより接続搭載した後に上記の金型成型により封止したり、液状のエポキシ樹脂封止材で封止する技術が案出されている。この技術により作成された電子回路には、内部に形成された電子回路とマザーボードに形成された電子回路とを接続するために、電子部品に形成された電子回路と電気的に導通したハンダボールを形成した形態のＢＧＡ（Ball Grid Array）や更に電子部品の小型化を進めたＣＳＰ（Chip Size Package）のパッケージ形態へと移行している。
【０００４】更に、近年、電子部品の小型化を進歩させたウェハサイズレベルのパッケージを得る技術が案出されている。この技術では、ウェハそのものにポストを形成して、ウェハ表面にプレーナ技術により形成された配線上に樹脂で保護コートを行い、上記ポスト上にハンダボールを形成させた後、ダイシングにより個々に切断してウェハサイズレベルのパッケージを得ている。尚、本明細書中で用いる用語「ポスト」とは、電子部品に形成された電子回路と、外部のマザーボード等に形成された電子回路とを電気的に接続するものをいう。
【０００５】この技術によれば、電子部品のパッケージの大きさは半導体素子そのものの大きさになり、電子部品の外形寸法は最小となる。また、電子部品の厚さも封止樹脂層がポストの高さ及び半導体基板の厚みを合わせた厚さに制限されるため極めて薄くなり、接続用のハンダボールと合わせた全体の厚さも従来の電子部品の厚さよりも極めて小さく抑えられる。この技術の詳細については、例えば特開平１０−７９３６２号公報を参照されたい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年ウェアラブルコンピュータなるものが考えられている。このウェアラブルコンピュータは、小型化されたコンピュータを衣服のように人間に取り付けて使用するコンピュータである。このような電子機器を実現するために、今後、更に電子機器の小型・軽量化が要求されると考えられる。この小型・軽量化の要請に対して、更に電子部品の小型化を図るためには、ウェハ自体の厚みを薄くするのが１つの方法であると考えられる。
【０００７】現在の半導体素子は、シリコン等のウェハを用いるのが一般的である。このウェハの厚さは４００ミクロン（０．４ｍｍ）以上ある。一般には、６インチのウェハでは厚さは６２５ミクロン、８インチのウェハでは厚さは７２５ミクロンである。この程度の厚さを有するウェハを用いるのは、シリコン等は厚さが薄いとガラスのように脆い物質であるためである。つまり、プレーナ技術では、半導体基板の一部をｎ型又はｐ型不純物を添加する工程、電子回路のパターンを形成するためにレジストを塗布してレジストを現像する工程、配線工程等の種々の工程を経て半導体基板上に電子回路を形成するが、あまり薄いウェハを用いると、これらの工程作業中にウェハが割れてしまうからである。従って、厚さが０．４ｍｍより薄いウェハを取り扱うことは実質的に不可能である。更に、プレーナ技術によりウェハ表面に電子回路を形成した後、ウェハ裏面を研磨して、厚さが４００ミクロンより薄いウェハを作成し、これにバンプの形成及び封止材を塗布する試みもあるが、これらの工程においてもやはり薄いウェハを取り扱うことは困難である。
【０００８】しかし、ウェハは一般に実質的には、電子回路が形成されたウェハ表面から２０ミクロン（０．０２ｍｍ）程度の厚みがあれば、電子回路として問題なく機能するといわれている。従って、電子回路が形成されたウェハの厚さを０．４ｍｍより薄くすることができれば、電子部品を更に小型化する際に極めて有利である。
【０００９】本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、半導体基板を薄くすることにより更に電子部品の小型化を図るとともに、電子回路として何らの問題もなく動作し、更に携帯電子機器に用いられた場合でも充分耐えうる堅牢性を有するとともに高い信頼性を有する電子部品を製造することのできる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本発明の第１の観点は、ポストが形成された半導体基板の、当該ポストが形成された面に溝を形成する溝形成工程と、前記溝が形成された面に封止樹脂を塗布する第１塗布工程と、前記半導体基板の裏面を前記溝が露出するまで研磨する裏面研磨工程と、研磨後の前記半導体基板の裏面に封止樹脂を塗布する第２塗布工程と、前記溝の部分に充填された前記封止樹脂を切断して個々の電子部品に分離する分離工程とを有することを特徴している。また、本発明の第１の観点は、前記第１塗布工程によって塗布された封止樹脂を加圧硬化させる硬化工程を更に有することを特徴としている。また、本発明の第１の観点は、前記裏面研磨工程前に前記封止樹脂が塗布された面を研磨する表面研磨工程を更に有することを特徴としている。また、本発明の第１の観点は、前記第２塗布工程によって塗布された封止樹脂を硬化させる硬化工程を更に有することを特徴としている。また、本発明の第１の観点は、前記分離工程前に前記ポストに対して接続ボールを形成する接続ボール形成工程を更に有することを特徴としている。更に、本発明の第２の観点は、ポストが形成された半導体基板の、当該ポストが形成された面に封止樹脂を塗布する第１塗布工程と、前記半導体基板の裏面を、前記半導体基板が所定の厚みとなるまで研磨する裏面研磨工程と、研磨を行った前記半導体基板の裏面から、前記第１塗布工程で塗布した封止樹脂に至る溝を形成する溝形成工程と、前記溝を形成した前記半導体基板の裏面に封止樹脂を塗布する第２塗布工程と、前記溝の部分に充填された前記封止樹脂を切断して個々の電子部品に分離する分離工程とを有することを特徴としている。また、本発明の第２の観点は、前記第２塗布工程によって塗布された封止樹脂を加圧硬化させる硬化工程を更に有することを特徴としている。また、本発明の第２の観点は、前記裏面研磨工程前に前記封止樹脂が塗布された面を研磨する表面研磨工程を更に有することを特徴としている。また、本発明の第２の観点は、前記分離工程前に前記ポストに対して接続ボールを形成する接続ボール形成工程を更に有することを特徴としている。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一実施形態による電子回路の製造方法について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態による電子回路の製造方法の工程手順を示す図である。
【００１２】まず、プレーナ技術により電子回路が形成されたウェハ上にポストを形成する工程が行われる（工程Ｓ１０）。図２は、プレーナ技術により電子回路が形成されたウェハの一例を示す斜視図である。図２に示されたように、ウェハ１０の表面には、半導体素子１２が形成されている。通常、１つのウェハ１０上には同一の電子回路が形成された半導体素子１２が複数形成されている。ウェハ１０の厚みは、０．４ｍｍ以上である。半導体素子１２各々の表面は、例えばシリコン酸化膜等による絶縁膜が形成されているが、半導体素子１２に形成された電子回路と外部の電子回路とを接続する電極パッドが形成された箇所は、シリコン酸化膜がエッチング等により除去されて剥き出しになっている。
【００１３】上記ポストはシリコン酸化膜がエッチング等に除去されて剥き出しになっている箇所に形成される。図３は、ウェハ１０の断面図である。図３に示されたように、ウェハ１０の半導体素子１２には複数のポスト１４が形成されている。ポスト１４の形成方法は、特に制限はないが、例えば半田ボールを転写法を用いて配設する。
【００１４】ポスト１４が形成されると、次にポスト１４が形成された面に溝を形成する工程が行われる（工程Ｓ１１）。図４は、ポスト１４が形成された面に溝を形成する工程を説明するための図であり、ウェハ１０に関しては図３と同様に断面を示している。図４において、１５は溝を形成するためのダイシング装置であり、本実施形態においては、例えば０．０５〜０．４ｍｍの幅を有する溝を形成するものが用いられる。前述したように、１つのウェハ１０上には半導体素子１２が多数形成されているため、上記溝は個々の半導体素子の周囲を取り囲むように形成される。図４において、１３，１３，…はポスト１４が形成されたウェハ１０の面に形成された溝を示している。この溝１３，１３，…の深さはウェハ１０の厚みの半分程度からウェハを完全に切断するまで（この場合は、裏面に樹脂硬化温度に耐え得る粘着性のシートに貼りつけられている）に設定され、例えば、ウェハ１０の厚みが０．６ｍｍである場合には、幅が０．０５〜０．４ｍｍであって、深さが０．３〜０．６ｍｍの溝が形成される。ただし、図面では半分の場合で説明する。
【００１５】溝１３，１３，…が形成されると、次にポスト１４が形成された面側に封止樹脂層を形成する工程が行われる（工程Ｓ１２）。図５は、ポスト１４が形成された面側に封止樹脂層を形成する工程を説明するための図である。図５において、１６は、孔版印刷を行うための孔版であり、この孔版には、ウェハ１０に形成された半導体素子１２を一度に印刷するための孔が形成されている。この孔の直径は、ウェハ１０の直径よりも僅かに小さい径である。１８は、封止を行う際に用いられる液状の封止樹脂である。この液状の封止樹脂１８は、硬化後にウェハ１０の反りが極めて少なくなるよう抑えられるものが好ましい。
【００１６】例えば、直径が８インチであり、厚さが４００μｍのウェハの表面に液状の封止樹脂を塗布し、この液状の封止樹脂を硬化させたときに、ウェハ１０の反りが１ｍｍ以下であることが好ましい。液状の封止樹脂１８としては、樹脂硬化成分中にシリカ粉末が８０重量％以上含まれ、硬化収縮率が０．１％以下であり、熱膨張係数が１２ｐｐｍ以下である日本レック（株）のＮＰＲ−７８５Ｎが最良である。また、２０は、孔版１６の面内に往復運動が可能なスキージである。
【００１７】印刷を行う際には、まず、ウェハ１０の上面に孔版１６を接触させて配置する。このとき、孔版１６に形成された孔が半導体素子１２の上方に位置するよう孔版１６を配置する。つまり、孔版１６が半導体素子１２を覆わないよう孔版１６を配置する。次に、孔版１６上に液状の封止樹脂１８を滴下し、スキージ２０を孔版１６に沿って図中符号Ｄ１が付された方法へ移動させる。スキージ２０を孔版１６に沿って移動させることにより、液状の封止樹脂１８が孔版１６に形成された孔内に流入するとともに、孔内に流入した液状の封止樹脂１８の上面が孔版１６と同一の高さになり、且つ上面が平坦となる。
【００１８】次に、液状の封止樹脂１８の上面の位置を規定する孔版１６の厚さとポスト１４の高さとの関係について説明する。図６は、孔版１６の厚さとポスト１４の高さとの関係を説明するための図である。本実施形態では、孔版１６の厚さがポスト１４の高さよりも厚いものに制限されない。例えば図６（ａ）は、ポスト１４の高さより厚さが厚い孔版１６を用いて液状の封止樹脂１８を封止した後の様子を示す断面図であり、図６（ｂ）は、ポスト１４の高さと同程度の厚さを有する孔版１６を用いて液状の封止樹脂１８を封止した後の様子を示す断面図であり、図６（ｃ）は、ポスト１４の高さより厚さが薄い孔版１６を用いて液状の封止樹脂１８を封止した後の様子を示す断面図である。
【００１９】図６（ｃ）に示したように、ポスト１４の高さよりも厚さが薄い孔版１６を用いる場合には、スキージ２０は弾性変形するもの（例えばゴム製のもの）を用いることによりポスト１４が突出し、しかもポストの周囲に封止樹脂が塗られるようにする。尚、工程Ｓ１２の工程でなされる印刷は、１回の印刷のみに制限される訳ではなく、１つのウェハに対して複数回行っても良い。また、封止樹脂１８の印刷は、大気圧下で行うものでも真空状態におけるものでも良いが、真空状態において印刷する方が好ましい。大気圧下で印刷を行う場合には、加熱しながら印刷を行うことが好ましい。なぜならば、印刷を行う際に封止樹脂１８に巻き込まれる気泡が抜け易くなるからである。また、液状の封止樹脂１８の印刷を行う際には、圧力差を用いて封止樹脂１８を溝１３，１３，…内に充填することができる真空印刷機を用いるのが好ましい。その理由は、ウェハ１０に形成された溝１３，１３，…は前述したように、例えば幅が０．０５〜０．４ｍｍであって、深さが０．３〜０．６ｍｍであり、液状の封止樹脂１８の印刷のためには幅が狭く、しかも深さが深い。よって、大気圧下において印刷を行った場合には、溝の底部に封止樹脂１８の未充填部分が生ずる可能性が高いためである。
【００２０】次に、工程Ｓ１２において印刷した樹脂を硬化する工程が行われる（工程Ｓ１４）。この工程は、例えば熱風乾燥機（図示省略）によって封止樹脂１８を乾燥することにより硬化させる。尚、印刷時には上述のように圧力差を用いて封止樹脂１８を印刷することが好ましいが、溝１３，１３，…内における封止樹脂１８の充填性をより高いものとするために、印刷後に行われるこの工程において、大気圧よりも高い圧力をかけて封止樹脂１８を硬化させる、いわゆる加圧硬化を行うことが好ましい。封止樹脂１８を硬化させる場合には、熱風乾燥機の温度を１００〜１５０℃に設定するとともに、乾燥時間を１〜３時間に設定して開始するが、乾燥を開始する際に、加える圧力を５×１０5〜２×１０6ｐａに設定して少なくとも封止樹脂１８がゲル化するまでの間加圧硬化を行う。以上の工程を経ることにより、封止樹脂１８の硬化した皮膜によって回路の保護が図れるとともにポストが補強され、更にウェハ１０の強度が高まる。
【００２１】次に、ウェハ１０に対して封止樹脂１８が印刷された面を研磨して、封止樹脂１８に埋もれたポスト１４を磨き出す工程が行われる（工程Ｓ１６）。図７は、ポスト１４を研磨により磨き出す工程を説明する図である。尚、図７においては理解を容易にするために、工程Ｓ１４迄の工程が行われて製造された電子部品のみを断面図で表し、符号５０を付している。
【００２２】図７に示したように、電子部品５０は、封止樹脂１８の印刷された面が上面となるよう固定平板２４上に固定して載置される。この固定平板２４は、研磨の際に固定平板２４上で電子部品５０が動かないよう、電子部品５０を真空吸着するものが好ましい。図７中において、２６は研磨装置である。この研磨装置は、通常のウェハ研磨装置が使用できる。この工程では、電子部品５０を固定平板２４に固定してから、研磨装置２６によって封止樹脂１８を研磨して、また必要であればポスト１４も含めて研磨して平滑表面を形成する。
【００２３】次に、封止樹脂１８の研磨が終了すると、電子部品５０の裏面、つまりウェハ１０の裏面を研磨する工程が行われる（工程Ｓ１８）。図８は、電子部品５０の裏面を研磨する工程を説明するための図である。この工程では、図８に示したように、工程Ｓ１６で研磨が行われた面を下側にして固定治具３０に固定する。この固定治具３０は図７中の固定平板２４と同様に真空吸着するものが好ましい。また、固定治具３０は、図７中の固定平板２４と同一であってもよい。また、３２は研磨装置である。この研磨装置３２は、工程Ｓ１６において封止樹脂１８の研磨を行った際に用いた研磨装置２６を用いて研磨を行うことができる。
【００２４】尚、図８において、理解を容易にするために、工程Ｓ１６迄の工程が行われて製造された電子部品のみを断面図で表し、符号５２を付している。この工程では、電子部品５２の封止樹脂が印刷された面を下側にして固定治具３０に固定してから、研磨装置３２によって電子部品５２の裏面、つまりウェハ１０の裏面を、ウェハ１０がほぼ半分の厚さ若しくは任意の厚さになるまで研磨する。
【００２５】以上の工程が終了すると、研磨後の電子部品を固定治具３０から取り外す訳であるが、研磨後の電子部品は図９に示したようになる。図９は、両面研磨後の電子部品を示す図である。尚、図９においては、両面研磨された電子部品を断面図で示すとともに、符号５４を付している。両面研磨された電子部品５４は、上述した構成でウェハ１０がほぼ半分の厚さになるまで研磨すると、工程Ｓ１１で形成した溝１３が研磨面に現れ、その結果溝１３内に充填した封止樹脂１８が研磨面に現れる。
【００２６】また、電子部品５４を図８中の固定治具３０から離すと反りが生ずる。この反りは、ポスト１４が形成された面に印刷した封止樹脂が硬化する際の収縮に起因するものである。
【００２７】次に、上記反りの緩和及び電子部品５４を強化するために、工程Ｓ１８で研磨された面に対して樹脂を塗布する工程が行われる（工程Ｓ２０）。図１０は、工程Ｓ１８で研磨された面に対して樹脂を塗布する工程を説明するための図である。図１０において、３６は、電子部品５４を固定する吸着固定平板である。この吸着固定平板３６は、両面研磨後の電子部品５４には反りが生じており、電子部品５４を平坦化するため、及び印刷時に電子部品５４動かないよう固定するために用いられる。
【００２８】３８は、孔版印刷を行うための孔版であり、この孔版３８には、電子部品５４の裏面を印刷するための孔が形成されている。この孔の直径は、ウェハ１０の直径よりも僅かに小さい径である。４０は、封止を行う際に用いられる液状の封止樹脂である。この封止樹脂４０は硬化後に電子部品５４の反りを矯正させるだけの収縮応力をもつものが用いられる。例えば、工程Ｓ１２でポスト１４が形成されたウェハ１０の表面を封止する際に用いた封止樹脂１８と同一の樹脂を用いる。また、電子部品５４の反りは、塗布する封止樹脂４０の塗布厚を制御することによっても行える。
【００２９】また、電子部品５４の反りが矯正できるのであれば、封止樹脂４０は封止樹脂１８と異なる樹脂を用いても良い。４２は、孔版３８の面内に往復運動が可能なスキージである。印刷は、工程Ｓ１２と同様に大気圧下又は真空状態の下で行われるが、パッケージングの信頼性を考えた場合には真空状態の下で行われるのが好ましい。
【００３０】印刷を行う際には、まず、ポスト１４が形成され、封止樹脂１８が印刷されている面を下側にして吸着固定平板３６の所定位置に電子部品５４を配置する。電子部品５４が吸着固定平板３６に配置されると、電子部品５４は平坦化される。次に、電子部品５４の裏面、つまりウェハ１０の裏面に孔版３８を接触させて配置する。孔版３８が所定位置に配置されると、孔版３８上に液状の封止樹脂４０を滴下し、スキージ４２を孔版３８に沿って図中符号Ｄ２が付された方向へ移動させる。スキージ４２を孔版３８に沿って移動させることにより、液状の封止樹脂４０が孔版３８に形成された孔内に流入するとともに、孔内に流入した液状の封止樹脂４０の上面が孔版３８と同一の高さになり、且つ上面が平坦となる。尚、電子部品５４の裏面への封止樹脂４０の塗布方法は、孔版印刷に限定されず、他の方法によっても行うことができる。例えば、スプレーコート、スピンコート、金型成型等が挙げられる。
【００３１】次に、工程Ｓ２０で塗布した封止樹脂４０を硬化させる工程が行われる（工程Ｓ２２）。この工程は、例えば熱風乾燥機（図示省略）によって封止樹脂４０を乾燥することにより硬化させる。この封止樹脂４０を硬化させると、電子部品３４に生じていた反りを矯正することができる。以上の工程を経ることにより、電子部品の表面及び裏面に硬化した封止樹脂１８及び封止樹脂４０が形成されるのでウェハ１０の強度が高まる。工程Ｓ２２迄の工程を経ることにより、ポスト１４が形成された面に封止樹脂１８が、裏面に封止樹脂４０がそれぞれ印刷された半導体素子１２が、複数形成されたウェハ１０を得ることができる。
【００３２】次に、半導体素子１２内部に形成された電子回路と、外部のマザーボード（図示省略）に形成された電子回路とを電気的に接続するための接続ボールを形成する工程が行われる（工程Ｓ２４）。この工程においては、所定の径を有するハンダボールを、封止樹脂１８表面に表れているポスト１４上に搭載する（図１１参照）。ハンダボール４４をポスト１４上に搭載するためには、ボールマウンタ（図示省略）を用いて搭載しても良いが、ポスト１４のピッチが０．５ｍｍ以下になった場合、径が０．３ｍｍより小さいボールが必要となる。従って、この程度にピッチが狭くなった場合には、ボールマウンタを用いてハンダボールを搭載するよりも、所定量のハンダペーストを精度良くポスト１４上に積載し、リフロー（図示省略）を通してハンダボール４４を形成させた方がより好ましい。この場合、ハンダペーストをポスト１４上に搭載するには、所定の孔版及びスキージを用いて印刷により搭載することが好ましい。この際に、ウェハが平滑に維持されていることによってこの工法が可能となるる。
【００３３】最後に、電子部品を切断することにより半導体素子１２を個々に分離して電子部品５６を形成する工程が行われる（工程Ｓ２６）。図１１は、半導体素子１２を個々に分離して電子部品５６を形成する工程を説明する図である。図１１において、４６は、ダイシング装置であり、電子部品５６を形成するには、ダイシング装置４６を用いて切断によって半導体素子１２を個々に分離する。ダイシング装置４６によって切断を行う際には、工程Ｓ１１において形成した溝１３のほぼ中央部を切断する。つまりこの工程においては、封止樹脂１８のみを切断することによって電子部品５６を得ている。このようにして得られた電子部品は、上下及び４側面が全て封止樹脂１８と４０によって封止されたものとなる。尚、切断は通常のダイシング装置を用いることができるが、レーザを用いたレーザ切断装置を用いても良い。尚、ダイシング装置４６の切断刃の厚みは５〜２００μｍ程度であって、溝の幅より薄いものである。図１２は、電子部品５６の斜視透視図である。
【００３４】以上、本発明の一実施形態による電子部品の製造方法について説明した。工程Ｓ１２及び工程Ｓ２０においては、封止樹脂１８及び封止樹脂４０を印刷しているが、これらの工程の後に、印刷した封止樹脂１８及び封止樹脂４０に混入している気泡を除去する工程を設けても良い。
【００３５】以上説明した実施形態によれば、半導体基板の周囲全体が封止樹脂１８によって囲まれた電子部品を安価な設備を用いて簡素な工程によって製造することができるため、生産効率が極めて高い。また、半導体基板の周囲全体が封止樹脂１８によって囲まれているため、吸湿等の要因の影響を受けないため信頼性が極めて高い。更に、ウェハ１０を研磨しているため、極めて薄型であって、全体的に小型のパッケージの電子部品を得ることができる。また、製造される電子部品は直方体の形状であって、６面を平坦化することができるため、マーキングも容易となる。更に、本実施形態によって製造された電子部品は堅牢であるため自動マウンターによってマザーボードに実装することができる。また、ダイシング装置を用いる工程Ｓ１１においては、ウェハ１０のみのダイシングを行い、工程Ｓ２６においては封止樹脂１８，４０のみのダイシングを行っている。つまり、ダイシング装置は単一の材料のみを切断しているため、切断刃の損耗が少ない上に、複合材（ウェハ１０と封止樹脂１８，４０）を切断する際に生ずる剥離等の問題が全くない。
【００３６】次に、本発明の他の実施形態について説明する。図１３は、本発明の他の実施形態による電子回路の製造方法の工程手順を示す図である。図１３に示した本発明の他の実施形態による電子部品の製造方法と図１に示した本発明の一実施形態による電子部品の製造方法とが異なる点は、図１３においては図１に示した工程Ｓ１１が省略され、図１中の工程Ｓ１８の次の工程に工程Ｓ１９を設けた点が異なる。尚、図１３と図１とを比較すると、図１３には工程Ｓ２１の処理が設けられ、図１には工程Ｓ２０の処理が設けられているが、これらの処理は実質的に同一の処理である。
【００３７】以下、本発明の他の実施形態について詳細に説明する。尚、以下の説明においては、図１に示した処理と重複する部分については説明を省略する。まず、プレーナ技術により電子回路が形成されたウェハ１０（図２参照）上にポスト１４を形成する工程が行われる（工程Ｓ１０）。ポスト１４が形成された後のウェハ１０の断面は図２に示したものと同様である。
【００３８】次に、ポスト１４を形成した面を封止樹脂を用いて印刷する処理が行われる（工程Ｓ１２）。図１４は、本発明の他の実施形態において、ポスト１４が形成された面側に封止樹脂層を形成する工程を説明するための図である。図１４と図５とを比較すると、ウェハ１０に溝が形成されているか否かにおいてのみ異なる。また、封止樹脂１８の上面の位置を規定する孔版１６の厚さとポスト１４の高さとの関係は、図６を用いて説明した関係と同様である。
【００３９】次に、工程Ｓ１２において印刷した樹脂を硬化する工程が行われ（工程Ｓ１４）、次いで、ウェハ１０に対して封止樹脂１８が印刷された面を研磨して、封止樹脂１８に埋もれたポスト１４を磨き出す工程が行われる（工程Ｓ１６）。図１５は、本発明の他の実施形態において、ポスト１４を研磨により磨き出す工程を説明する図である。尚、図１５においては理解を容易にするために、工程Ｓ１４迄の工程が行われて製造された電子部品のみを断面図で表し、符号６０を付している。
【００４０】次に、封止樹脂１８の研磨が終了すると、電子部品６０の裏面、つまりウェハ１０の裏面を研磨する工程が行われる（工程Ｓ１８）。図１６は、本発明の他の実施形態において、電子部品６０の裏面を研磨する工程を説明するための図である。尚、図１６において、理解を容易にするために、工程Ｓ１６迄の工程が行われて製造された電子部品のみを断面図で表し、符号６２を付している。この工程では、電子部品６２の封止樹脂が印刷された面を下側にして固定治具３０に固定してから、研磨装置３２によって電子部品６２の裏面、つまりウェハ１０の裏面を、ウェハ１０がほぼ半分の厚さ若しくは任意の厚さになるまで研磨する。
【００４１】以上の工程が終了すると、研磨後のウェハ１０の裏面側からポスト１４が形成された面に印刷した封止樹脂１８に至る溝を形成する工程が行われる（工程Ｓ１９）。本発明の他の実施形態による電子部品の製造方法を示す図１３と本発明の一実施形態による電子部品の製造方法を示す図１とを単純に比較すると、図１中の工程Ｓ１１を工程Ｓ１８の次に移動したものが、図１３に示したものとなる。図１に示した製造方法では全工程の内の先の方の工程において溝を形成しているため、ウェハ１０の厚みが部分的に薄くなり、溝を形成した後の工程の処理を行う際にウェハ１０が割れてしまう虞がある。本実施形態では、この不具合を解消するために、ウェハ１０に溝を形成する工程をなるべる後工程となるようにしている。
【００４２】図１７は、本発明の他の実施形態において、ウェハ１０の裏面側から溝を形成する様子を説明する断面図である。溝１３，１３，…を形成するには、図４に示したダイシング装置１５と同様の装置が用いられる。この溝１３，１３，…は、工程Ｓ１２において塗布した封止樹脂に至るまで形成される。ここで、ウェハ１０の厚みを薄くしてからダイシング装置１５によって溝を形成しているので、ダイシング装置１５の刃の摩耗が少ない。また、溝１３，１３，…が形成されたウェハ１０は、図１７においては封止樹脂１８が塗布されているため、図４に示したウェハ１０よりも全体として強度が増している。よって、ウェハ１０が割れにくく、後工程の処理において好適である。尚、図１７においては、理解を容易にするために、工程Ｓ１９迄の工程が行われて製造された電子部品のみを断面図で表し、符号６４を付している。
【００４３】工程Ｓ１９において、溝１３，１３，…が形成されると、次に、溝１３，１３，…を形成した面に樹脂を塗布する工程が行われる（工程Ｓ２１）。図１８は、本発明の他の実施形態において、工程Ｓ１９で溝が形成された面に対して樹脂を塗布する工程を説明するための図である。樹脂を塗布する場合には、図１０を用いて説明した場合と同様に、吸着固定平板３６によって電子部品６４を吸着固定し、孔版３８及びスキージ４２を用いて封止樹脂４０の印刷を行う。尚、電子部品６４の裏面への封止樹脂４０の塗布方法は、孔版印刷に限定されず、他の方法によっても行うことができる。例えば、スプレーコート、スピンコート、金型成型等が挙げられる。
【００４４】次に、工程Ｓ２１で塗布した封止樹脂４０を、例えば熱風乾燥機（図示省略）によって封止樹脂４０を乾燥することにより硬化させる工程が行われる（工程Ｓ２２）。尚、上記工程Ｓ２１の印刷時には圧力差を用いて封止樹脂１８を印刷することが好ましいが、溝１３，１３，…内における封止樹脂１８の充填性をより高いものとするために、印刷後に行われるこの工程において、大気圧よりも高い圧力をかけて封止樹脂１８を硬化させる、いわゆる加圧硬化を行うことが好ましい。封止樹脂１８を硬化させる場合には、熱風乾燥機の温度を１００〜１５０℃に設定するとともに、乾燥時間を１〜３時間に設定して開始するが、乾燥を開始する際に、加える圧力を５×１０5〜２×１０6ｐａに設定して少なくとも封止樹脂１８がゲル化するまでの間加圧硬化を行う。
【００４５】以上の工程を行うことにより、電子部品の表面及び裏面に硬化した封止樹脂１８及び封止樹脂４０が形成されるのでウェハ１０の強度が高まる。次に、半導体素子１２内部に形成された電子回路と、外部のマザーボード（図示省略）に形成された電子回路とを電気的に接続するための接続ボールを形成する工程が行われる（工程Ｓ２４）。この工程は前述した本発明の一実施形態と同様である。
【００４６】最後に、電子部品を切断することにより半導体素子１２を個々に分離して電子部品５６を形成する工程が行われる（工程Ｓ２６）。図１９は、本発明の他の実施形態において、半導体素子１２を個々に分離して電子部品５６を形成する工程を説明する図である。この工程では、図１１に示したダイシング装置４６と同様の装置を用いて切断によって半導体素子１２を個々に分離する。図１９から分かるように、最終的に形成される電子部品５６は、図１１及び図１２に示した電子部品と同様の電子部品である。
【００４７】以上説明した本発明の他の実施形態によれば、前述した本発明の一実施形態と同様の作用効果が得られる上に、ポスト１４を形成した面に封止樹脂１８を塗布し、ウェハ１０の裏面を研磨した後に溝を形成しているので、ウェハ１０の全体の強度が高まり、後の工程においてウェハ１０が割れてしまうことを防止することができる。
【００４８】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれば、ウェハを研磨する工程を有しているので、より厚さの薄い電子部品を製造することができるという効果がある。更に、電子回路を半導体基板内に作り込み、封止する際に研磨するようにしているので、半導体基板が割れてしまうことがなく薄い電子回路を製造することができるという効果がある。また、ポストが形成された面のみならず、半導体基板の裏面にも封止樹脂を塗布するようにしているので、半導体基板に反りが生じていない状態で分離工程を行えるので、工程不良率を飛躍的に改善できる。また、ポストが形成された面のみならず、半導体基板の裏面にも封止樹脂を塗布するようにしているので、電子回路が形成された面の保護はもとより、裏面も保護されており、表面実装時の外的圧力にも充分耐え得ることのできる高い信頼性を有する電子部品を製造することができるという効果がある。更に、電子回路が形成されている半導体基板の周囲全てを封止樹脂によって封止された電子部品を製造することができるため、吸湿等の周囲の雰囲気の影響を受けないため、電子部品の信頼性を極めて高くすることができるという効果がある。また、封止樹脂を半導体基板の一方の面に塗布した後に半導体基板の裏面から溝を形成しているので、封止樹脂が塗布されている分半導体基板全体の強度が高まり、後の工程において半導体基板割れの虞がないという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態による電子回路の製造方法の工程手順を示す図である。
【図２】 プレーナ技術により電子回路が形成されたウェハの一例を示す斜視図である。
【図３】 ウェハ１０の断面図である。
【図４】 ポスト１４が形成された面に溝を形成する工程を説明するための図である
【図５】 ポスト１４が形成された面側に封止樹脂層を形成する工程を説明するための図である。
【図６】 孔版１６の厚さとポスト１４の高さとの関係を説明するための図である。
【図７】 ポスト１４を研磨により磨き出す工程を説明する図である。
【図８】 電子部品５０の裏面を研磨する工程を説明するための図である。
【図９】 両面研磨後の電子部品を示す図である。
【図１０】 工程Ｓ１８で研磨された面に対して樹脂を塗布する工程を説明するための図である。
【図１１】 半導体素子１２を個々に分離して電子部品５６を形成する工程を説明する図である。
【図１２】 電子部品５６の斜視透視図である。
【図１３】 本発明の他の実施形態による電子回路の製造方法の工程手順を示す図である。
【図１４】 本発明の他の実施形態において、ポスト１４が形成された面側に封止樹脂層を形成する工程を説明するための図である。
【図１５】 本発明の他の実施形態において、ポスト１４を研磨により磨き出す工程を説明する図である。
【図１６】 本発明の他の実施形態において、電子部品６０の裏面を研磨する工程を説明するための図である。
【図１７】 本発明の他の実施形態において、ウェハ１０の裏面側から溝を形成する様子を説明する断面図である。
【図１８】 本発明の他の実施形態において、工程Ｓ１９で溝が形成された面に対して樹脂を塗布する工程を説明するための図である。
【図１９】 本発明の他の実施形態において、半導体素子１２を個々に分離して電子部品５６を形成する工程を説明する図である。
【符号の説明】
１０ ウェハ（半導体基板）
１３ 溝
１４ ポスト
１８ 封止樹脂
３８ 孔版
４０ 封止樹脂
４４ ハンダボール（接続ボール）
５６ 電子部品
【特許請求の範囲】
【請求項１】 ポストが形成された半導体基板の、当該ポストが形成された面に溝を形成する溝形成工程と、前記溝が形成された面に封止樹脂を塗布する第１塗布工程と、前記半導体基板の裏面を前記溝が露出するまで研磨する裏面研磨工程と、研磨後の前記半導体基板の裏面に封止樹脂を塗布する第２塗布工程と、前記溝の部分に充填された前記封止樹脂を切断して個々の電子部品に分離する分離工程とを有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】 前記第１塗布工程によって塗布された封止樹脂を加圧硬化させる硬化工程を更に有することを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】 前記裏面研磨工程前に前記封止樹脂が塗布された面を研磨する表面研磨工程を更に有することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】 前記第２塗布工程によって塗布された封止樹脂を硬化させる硬化工程を更に有することを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】 前記分離工程前に前記ポストに対して接続ボールを形成する接続ボール形成工程を更に有することを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】 ポストが形成された半導体基板の、当該ポストが形成された面に封止樹脂を塗布する第１塗布工程と、前記半導体基板の裏面を、前記半導体基板が所定の厚みとなるまで研磨する裏面研磨工程と、研磨を行った前記半導体基板の裏面から、前記第１塗布工程で塗布した封止樹脂に至る溝を形成する溝形成工程と、前記溝を形成した前記半導体基板の裏面に封止樹脂を塗布する第２塗布工程と、前記溝の部分に充填された前記封止樹脂を切断して個々の電子部品に分離する分離工程とを有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項７】 前記第２塗布工程によって塗布された封止樹脂を加圧硬化させる硬化工程を更に有することを特徴とする請求項６記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】 前記裏面研磨工程前に前記封止樹脂が塗布された面を研磨する表面研磨工程を更に有することを特徴とする請求項６又は請求項７記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】 前記分離工程前に前記ポストに対して接続ボールを形成する接続ボール形成工程を更に有することを特徴とする請求項６乃至請求項８の何れかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１】 ポストが形成された半導体基板の、当該ポストが形成された面に溝を形成する溝形成工程と、前記溝が形成された面に封止樹脂を塗布する第１塗布工程と、前記半導体基板の裏面を前記溝が露出するまで研磨する裏面研磨工程と、研磨後の前記半導体基板の裏面に封止樹脂を塗布する第２塗布工程と、前記溝の部分に充填された前記封止樹脂を切断して個々の電子部品に分離する分離工程とを有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】 前記第１塗布工程によって塗布された封止樹脂を加圧硬化させる硬化工程を更に有することを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】 前記裏面研磨工程前に前記封止樹脂が塗布された面を研磨する表面研磨工程を更に有することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】 前記第２塗布工程によって塗布された封止樹脂を硬化させる硬化工程を更に有することを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】 前記分離工程前に前記ポストに対して接続ボールを形成する接続ボール形成工程を更に有することを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】 ポストが形成された半導体基板の、当該ポストが形成された面に封止樹脂を塗布する第１塗布工程と、前記半導体基板の裏面を、前記半導体基板が所定の厚みとなるまで研磨する裏面研磨工程と、研磨を行った前記半導体基板の裏面から、前記第１塗布工程で塗布した封止樹脂に至る溝を形成する溝形成工程と、前記溝を形成した前記半導体基板の裏面に封止樹脂を塗布する第２塗布工程と、前記溝の部分に充填された前記封止樹脂を切断して個々の電子部品に分離する分離工程とを有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項７】 前記第２塗布工程によって塗布された封止樹脂を加圧硬化させる硬化工程を更に有することを特徴とする請求項６記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】 前記裏面研磨工程前に前記封止樹脂が塗布された面を研磨する表面研磨工程を更に有することを特徴とする請求項６又は請求項７記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】 前記分離工程前に前記ポストに対して接続ボールを形成する接続ボール形成工程を更に有することを特徴とする請求項６乃至請求項８の何れかに記載の電子部品の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図６】
【図５】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１３】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図６】
【図５】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１３】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２００１−２７４１８２（Ｐ２００１−２７４１８２Ａ）
【公開日】平成１３年１０月５日（２００１．１０．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０００−９２３１６（Ｐ２０００−９２３１６）
【出願日】平成１２年３月２９日（２０００．３．２９）
【出願人】（３９１００３６２４）サンユレック株式会社 (28)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１３年１０月５日（２００１．１０．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１２年３月２９日（２０００．３．２９）
【出願人】（３９１００３６２４）サンユレック株式会社 (28)
【Ｆターム（参考）】
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